JP2010092981A - Solar battery, backside contact solar battery, wiring substrate, and method of manufacturing solar battery - Google Patents

Solar battery, backside contact solar battery, wiring substrate, and method of manufacturing solar battery Download PDF

Info

Publication number
JP2010092981A
JP2010092981A JP2008259888A JP2008259888A JP2010092981A JP 2010092981 A JP2010092981 A JP 2010092981A JP 2008259888 A JP2008259888 A JP 2008259888A JP 2008259888 A JP2008259888 A JP 2008259888A JP 2010092981 A JP2010092981 A JP 2010092981A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solar cell
wiring
conductivity type
type
back electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008259888A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Rui Mikami
塁 三上
Satoshi Okamoto
諭 岡本
Koji Funakoshi
康志 舩越
yoshiya Yasuhiko
義哉 安彦
Takayuki Isaka
隆行 伊坂
Hiroki Narutomi
弘紀 成富
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2008259888A priority Critical patent/JP2010092981A/en
Publication of JP2010092981A publication Critical patent/JP2010092981A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar battery, a backside contact solar battery, a wiring substrate, and a method of manufacturing a solar battery, which are capable of easily positioning the backside contact solar battery and efficiently suppressing a displacement of the backside contact solar battery. <P>SOLUTION: In the solar battery, a backside contact solar battery, a wiring substrate, and a method of manufacturing a solar battery, a first conductivity type electrode of the backside contact solar battery is connected to a first conductivity type wiring of the wiring substrate; a second conductivity type electrode of the backside contact solar battery is connected to a second conductivity type wiring of the wiring substrate; at least one of the backside contact solar battery and the wiring substrate has a positioning part for deciding a relative position relation of the backside contact solar battery to the wiring substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、太陽電池、裏面電極型太陽電池、配線基板および太陽電池の製造方法に関し、特に、裏面電極型太陽電池の位置合わせを容易に行なうことができるとともに、裏面電極型太陽電池の位置ズレを有効に抑止することができる太陽電池、裏面電極型太陽電池、配線基板および太陽電池の製造方法に関する。   The present invention relates to a solar cell, a back electrode type solar cell, a wiring board, and a method for manufacturing a solar cell. In particular, the back electrode type solar cell can be easily aligned and the back electrode type solar cell can be misaligned. It is related with the manufacturing method of the solar cell which can suppress effectively, a back-electrode-type solar cell, a wiring board, and a solar cell.

近年、特に地球環境の保護の観点から、太陽光エネルギを電気エネルギに変換する太陽電池は次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池の種類には、化合物半導体を用いたものや有機材料を用いたものなどの様々なものがあるが、現在、シリコン結晶を用いた太陽電池が主流となっている。そして、現在、最も多く製造および販売されている太陽電池は、太陽光が入射する側の面(受光面)にn電極が形成されており、受光面と反対側の面(裏面)にp電極が形成された構成のものである。このような太陽電池の受光面に形成されているn電極は太陽光の入射により発生した電流を外部に取り出すために不可欠なものであるが、n電極の下方の部分には太陽光が入射しないためその部分には電流が発生しない。それゆえ、n電極の面積が大きくなると太陽電池の特性が低下してしまうという問題があった。   In recent years, especially from the viewpoint of protecting the global environment, solar cells that convert solar energy into electrical energy have been rapidly expected as next-generation energy sources. There are various types of solar cells, such as those using compound semiconductors and those using organic materials. Currently, solar cells using silicon crystals are the mainstream. And most solar cells currently manufactured and sold have an n-electrode on the surface on which sunlight is incident (light-receiving surface), and a p-electrode on the surface opposite to the light-receiving surface (back surface). Is formed. The n-electrode formed on the light-receiving surface of such a solar cell is indispensable for taking out the current generated by the incidence of sunlight to the outside, but no sunlight enters the portion below the n-electrode. Therefore, no current is generated in that portion. Therefore, there is a problem that the characteristics of the solar cell are deteriorated when the area of the n-electrode is increased.

そこで、たとえば特許文献1には、太陽電池の受光面には電極を形成せず、太陽電池の裏面のみにn電極およびp電極を形成した裏面電極型太陽電池が開示されている。
特開2005−310830号公報
Thus, for example, Patent Document 1 discloses a back electrode type solar cell in which an electrode is not formed on the light receiving surface of the solar cell, and an n electrode and a p electrode are formed only on the back surface of the solar cell.
JP 2005-310830 A

上記の特許文献1に開示されたような構成の裏面電極型太陽電池単体では利用できる電気エネルギが限られるため、上記構成の裏面電極型太陽電池の複数を電気的に接続して太陽電池を作製することが検討されている。   Since the electric energy that can be used with a single back electrode type solar cell having the configuration disclosed in Patent Document 1 is limited, a plurality of back electrode type solar cells having the above configuration are electrically connected to produce a solar cell. To be considered.

ここで、裏面電極型太陽電池の複数を電気的に接続して太陽電池を作製する方法として、たとえば、図51(a)の模式的断面図に示すように、裏面電極型太陽電池80を配線基板100上に設置する方法が考えられている。   Here, as a method of manufacturing a solar cell by electrically connecting a plurality of back electrode type solar cells, for example, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. A method of installing on the substrate 100 is considered.

この方法は、図51(a)に示すように、裏面電極型太陽電池80の半導体基板1の裏面の第1導電型不純物拡散領域2に接する第1導電型用電極6を配線基板100の絶縁性基板11上に形成された第1導電型用配線13上に設置し、裏面電極型太陽電池80の半導体基板1の裏面の第2導電型不純物拡散領域3に接する第2導電型用電極7を配線基板100の絶縁性基板11上に形成された第2導電型用配線12上に設置することによって裏面電極型太陽電池80と配線基板100とを絶縁性接着剤341によって接合して太陽電池を作製する方法である。   In this method, as shown in FIG. 51A, the first conductivity type electrode 6 in contact with the first conductivity type impurity diffusion region 2 on the back surface of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 80 is insulated from the wiring substrate 100. The second conductivity type electrode 7 is disposed on the first conductivity type wiring 13 formed on the conductive substrate 11 and is in contact with the second conductivity type impurity diffusion region 3 on the back surface of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 80. Is installed on the second conductive type wiring 12 formed on the insulating substrate 11 of the wiring substrate 100 to join the back electrode type solar cell 80 and the wiring substrate 100 with the insulating adhesive 341 and thereby the solar cell. It is a method of producing.

なお、裏面電極型太陽電池80の半導体基板1の受光面にはテクスチャ構造が形成されており、そのテクスチャ構造上に反射防止膜5が形成されている。また、裏面電極型太陽電池80の半導体基板1の裏面にはパッシベーション膜4が形成されている。   A texture structure is formed on the light receiving surface of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 80, and the antireflection film 5 is formed on the texture structure. A passivation film 4 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 80.

その後、図51(b)の模式的断面図に示すように、裏面電極型太陽電池80と配線基板100とを絶縁性接着剤341によって接合した後に、エチレンビニルアセテート343を備えたガラス基板342と、エチレンビニルアセテート344を備えたバックフィルム345との間に、裏面電極型太陽電池80と配線基板100との接合体である太陽電池を挟み込んで、当該太陽電池がエチレンビニルアセテート中に封止される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 51 (b), after joining the back electrode type solar cell 80 and the wiring substrate 100 with an insulating adhesive 341, a glass substrate 342 provided with ethylene vinyl acetate 343; The solar cell, which is a joined body of the back electrode type solar cell 80 and the wiring substrate 100, is sandwiched between the back film 345 having the ethylene vinyl acetate 344, and the solar cell is sealed in the ethylene vinyl acetate. The

また、上記方法の他の例としては、図52(a)の模式的断面図に示すように、裏面電極型太陽電池80と配線基板100とを導電性接着剤351によって接合して太陽電池を作製する方法もある。この方法においては、裏面電極型太陽電池80の第1導電型用電極6と配線基板100の第1導電型用配線13との接続、および裏面電極型太陽電池80の第2導電型用電極7と配線基板100の第2導電型用配線12との接続をそれぞれ導電性接着剤351を用いて行なうことによって、裏面電極型太陽電池80と配線基板100とを接合して太陽電池を作製する。   As another example of the above method, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 52 (a), the back electrode type solar cell 80 and the wiring substrate 100 are joined together with a conductive adhesive 351 to form a solar cell. There is also a production method. In this method, the connection between the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 80 and the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 100, and the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 80. The back electrode type solar cell 80 and the wiring substrate 100 are bonded to each other by connecting the second conductive type wiring 12 of the wiring substrate 100 to the second conductive type wiring 12 using the conductive adhesive 351, thereby producing a solar cell.

その後は、上記と同様にして、図52(b)の模式的断面図に示すように、エチレンビニルアセテート343を備えたガラス基板342と、エチレンビニルアセテート344を備えたバックフィルム345との間に、裏面電極型太陽電池80と配線基板100との接合体である太陽電池を挟み込んで、当該太陽電池がエチレンビニルアセテート中に封止される。   Thereafter, in the same manner as described above, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 52 (b), between the glass substrate 342 provided with ethylene vinyl acetate 343 and the back film 345 provided with ethylene vinyl acetate 344. The solar cell, which is a joined body of the back electrode type solar cell 80 and the wiring substrate 100, is sandwiched, and the solar cell is sealed in ethylene vinyl acetate.

また、上記方法のさらに他の例としては、図53(a)の模式的断面図に示すように、裏面電極型太陽電池80と配線基板100とを導電性接着剤351および絶縁性接着剤341の双方によって接合して太陽電池を作製する方法もある。この方法においては、裏面電極型太陽電池80の第1導電型用電極6と配線基板100の第1導電型用配線13との接続、および裏面電極型太陽電池80の第2導電型用電極7と配線基板100の第2導電型用配線12との接続をそれぞれ導電性接着剤351を用いて行なうとともに、それ以外の箇所は絶縁性接着剤341を用いることによって、裏面電極型太陽電池80と配線基板100とを接合して太陽電池を作製する。   As still another example of the above method, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 53 (a), the back electrode type solar cell 80 and the wiring substrate 100 are connected with a conductive adhesive 351 and an insulating adhesive 341. There is also a method for producing a solar cell by joining both of them. In this method, the connection between the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 80 and the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 100, and the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 80. And the second conductive type wiring 12 of the wiring substrate 100 are respectively connected using the conductive adhesive 351, and the insulating film 341 is used for the other portions, so that the back electrode type solar cell 80 and A solar cell is manufactured by bonding to the wiring substrate 100.

その後は、上記と同様にして、図53(b)の模式的断面図に示すように、エチレンビニルアセテート343を備えたガラス基板342と、エチレンビニルアセテート344を備えたバックフィルム345との間に、裏面電極型太陽電池80と配線基板100との接合体である太陽電池を挟み込んで、当該太陽電池がエチレンビニルアセテート中に封止される。   Thereafter, in the same manner as described above, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 53 (b), between the glass substrate 342 provided with ethylene vinyl acetate 343 and the back film 345 provided with ethylene vinyl acetate 344. The solar cell, which is a joined body of the back electrode type solar cell 80 and the wiring substrate 100, is sandwiched, and the solar cell is sealed in ethylene vinyl acetate.

なお、上記のいずれの方法においても、絶縁性接着剤341および導電性接着剤351はそれぞれスクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布される。ここで、絶縁性接着剤341は、裏面電極型太陽電池80の電極(第1導電型用電極6および第2導電型用電極7)間および配線基板100の配線(第1導電型用配線13および第2導電型用配線12)間の領域に塗布され、導電性接着剤351は、裏面電極型太陽電池80の電極と配線基板100の配線とが接続される部分に塗布される。   In any of the above methods, the insulating adhesive 341 and the conductive adhesive 351 are each applied by a method such as screen printing, dispenser application, or inkjet application. Here, the insulating adhesive 341 is provided between the electrodes of the back electrode type solar cell 80 (the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7) and on the wiring substrate 100 (the first conductivity type wiring 13). The conductive adhesive 351 is applied to a portion where the electrode of the back electrode type solar cell 80 and the wiring of the wiring substrate 100 are connected.

また、上記のいずれの方法においても、絶縁性接着剤341および導電性接着剤351はそれぞれ紫外線照射や加熱などの処理によって硬化させられる。ここで、紫外線照射を用いて絶縁性接着剤341および導電性接着剤351を硬化させる場合には、太陽電池をエチレンビニルアセテート中に封止する前に硬化させる。また、加熱によって絶縁性接着剤341および導電性接着剤351を硬化させる場合には、太陽電池をエチレンビニルアセテート中に封止する前または封止と同時に硬化させる。   In any of the above methods, the insulating adhesive 341 and the conductive adhesive 351 are cured by a treatment such as ultraviolet irradiation or heating. Here, in the case where the insulating adhesive 341 and the conductive adhesive 351 are cured using ultraviolet irradiation, the solar cell is cured before being sealed in ethylene vinyl acetate. In addition, in the case where the insulating adhesive 341 and the conductive adhesive 351 are cured by heating, the solar cell is cured before or simultaneously with sealing in the ethylene vinyl acetate.

上記のような太陽電池の作製方法によれば、裏面電極型太陽電池80を配線基板100上に設置するだけで、複数の裏面電極型太陽電池80を電気的に接続して太陽電池を作製することができる。   According to the method for manufacturing a solar cell as described above, a solar cell is manufactured by electrically connecting a plurality of back electrode type solar cells 80 only by installing the back electrode type solar cell 80 on the wiring substrate 100. be able to.

しかしながら、上記のいずれの方法においても、裏面電極型太陽電池80の電極間ピッチ(第1導電型用電極6と第2導電型用電極7との間の距離)を非常に狭くした場合には、裏面電極型太陽電池80の位置合わせにかなりの精度が要求されるという問題があった。   However, in any of the above methods, when the interelectrode pitch of the back electrode type solar cell 80 (distance between the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7) is very narrow. There is a problem that considerable accuracy is required for alignment of the back electrode type solar cell 80.

また、裏面電極型太陽電池80の電極を配線基板100の配線上に設置した場合にも裏面電極型太陽電池80の位置ズレが生じやすいという問題もあった。   In addition, even when the electrodes of the back electrode solar cell 80 are installed on the wiring of the wiring substrate 100, there is a problem that the back electrode solar cell 80 is likely to be misaligned.

さらには、位置ズレを生じさせることなく裏面電極型太陽電池80と配線基板100とを接合して太陽電池を作製できた場合でも、封止工程などで熱が加えられて、配線基板100の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮することによって、裏面電極型太陽電池80の位置ズレが生じるという問題もあった。   Furthermore, even when the back electrode type solar cell 80 and the wiring substrate 100 can be bonded to each other without producing a positional deviation and a solar cell can be manufactured, heat is applied in a sealing process or the like, and the wiring substrate 100 is insulated. There is also a problem that the displacement of the back electrode type solar cell 80 is caused by expansion or contraction of a member such as the conductive substrate 11.

上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、裏面電極型太陽電池の位置合わせを容易に行なうことができるとともに、裏面電極型太陽電池の位置ズレを有効に抑止することができる太陽電池、裏面電極型太陽電池、配線基板および太陽電池の製造方法を提供することにある。   In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a solar cell and a back surface that can easily align the back electrode type solar cell and can effectively suppress positional deviation of the back electrode type solar cell. It is providing the manufacturing method of an electrode type solar cell, a wiring board, and a solar cell.

本発明は、裏面電極型太陽電池と、配線基板とを含み、裏面電極型太陽電池は、半導体基板と、半導体基板の裏面側に形成された第1導電型不純物拡散領域および第2導電型不純物拡散領域と、第1導電型不純物拡散領域に対応して設けられた第1導電型用電極と、第2導電型不純物拡散領域対応して設けられた第2導電型用電極とを有し、配線基板は、絶縁性基板と、絶縁性基板に設置された第1導電型用配線と第2導電型用配線とを有しており、裏面電極型太陽電池の第1導電型用電極が配線基板の第1導電型用配線に接続され、裏面電極型太陽電池の第2導電型用電極が配線基板の第2導電型用配線に接続されており、裏面電極型太陽電池および配線基板の少なくとも一方が、裏面電極型太陽電池の配線基板に対する相対的な位置関係を決めるための位置決め部を有する太陽電池である。   The present invention includes a back electrode type solar cell and a wiring substrate. The back electrode type solar cell includes a semiconductor substrate, a first conductivity type impurity diffusion region and a second conductivity type impurity formed on the back side of the semiconductor substrate. A diffusion region; a first conductivity type electrode provided corresponding to the first conductivity type impurity diffusion region; and a second conductivity type electrode provided corresponding to the second conductivity type impurity diffusion region; The wiring board has an insulating substrate, a first conductive type wiring and a second conductive type wiring installed on the insulating substrate, and the first conductive type electrode of the back electrode type solar cell is wired. Connected to the first conductive type wiring of the substrate, the second conductive type electrode of the back electrode type solar cell is connected to the second conductive type wiring of the wiring substrate, and at least of the back electrode type solar cell and the wiring substrate On the other hand, the relative position of the back electrode type solar cell with respect to the wiring board A solar cell having a positioning portion for determining.

ここで、本発明の太陽電池において、位置決め部は、配線基板の第1導電型用配線の表面に形成された凹部および配線基板の第2導電型用配線の表面に形成された凹部の少なくとも一方とすることができる。   Here, in the solar cell of the present invention, the positioning portion is at least one of a concave portion formed on the surface of the first conductive type wiring of the wiring substrate and a concave portion formed on the surface of the second conductive type wiring of the wiring substrate. It can be.

また、本発明の太陽電池において、位置決め部は、配線基板の第1導電型用配線の表面に設置された凸部および配線基板の第2導電型用配線の表面に設置された凸部の少なくとも一方とすることができる。   In the solar cell of the present invention, the positioning portion includes at least a convex portion installed on the surface of the first conductive type wiring of the wiring substrate and a convex portion installed on the surface of the second conductive type wiring of the wiring substrate. One can be.

また、本発明の太陽電池において、位置決め部は、配線基板の第1導電型用配線が複数に分離してなる第1導電型用分離配線および配線基板の第2導電型用配線が複数に分離してなる第2導電型用分離配線の少なくとも一方とすることができる。   Further, in the solar cell of the present invention, the positioning portion is divided into a plurality of first conductivity type separation wires formed by separating the first conductivity type wires of the wiring substrate and a plurality of second conductivity type wires of the wiring substrate. Thus, at least one of the separated wirings for the second conductivity type can be obtained.

また、本発明の太陽電池において、位置決め部は、配線基板の絶縁性基板の表面の凹部に設けられた、第1導電型用配線の表面の凹部および第2導電型用配線の表面の凹部の少なくとも一方とすることができる。   Further, in the solar cell of the present invention, the positioning portion is formed by a recess on the surface of the first conductivity type wiring and a recess on the surface of the second conductivity type wiring provided in the recess on the surface of the insulating substrate of the wiring substrate. It can be at least one.

また、本発明の太陽電池において、位置決め部は、配線基板の絶縁性基板の表面に設置されて裏面電極型太陽電池側に突出する凸部とすることができる。ここで、第1導電型用配線の表面の一部および第2導電型用配線の表面の一部の少なくとも一方が凸部で覆われていてもよい。   Moreover, the solar cell of this invention WHEREIN: A positioning part can be made into the convex part which is installed in the surface of the insulating board | substrate of a wiring board, and protrudes in the back electrode type solar cell side. Here, at least one of a part of the surface of the first conductivity type wiring and a part of the surface of the second conductivity type wiring may be covered with a convex portion.

また、本発明の太陽電池において、位置決め部は、裏面電極型太陽電池の半導体基板の裏面側に設置されて配線基板側に突出する凸部とすることができる。   Moreover, the solar cell of this invention WHEREIN: A positioning part can be made into the convex part which is installed in the back surface side of the semiconductor substrate of a back electrode type solar cell, and protrudes in the wiring board side.

また、本発明の太陽電池において、位置決め部は、裏面電極型太陽電池の第1導電型用電極の表面に形成された凹部および裏面電極型太陽電池の第2導電型用電極の表面に形成された凹部の少なくとも一方とすることができる。   In the solar cell of the present invention, the positioning portion is formed on the concave portion formed on the surface of the first conductivity type electrode of the back electrode type solar cell and on the surface of the second conductivity type electrode of the back electrode type solar cell. It may be at least one of the concave portions.

また、本発明の太陽電池において、位置決め部は、裏面電極型太陽電池の第1導電型用電極が複数に分離してなる第1導電型用分離電極および裏面電極型太陽電池の第2導電型用電極が複数に分離してなる第2導電型用分離電極の少なくとも一方とすることができる。   Further, in the solar cell of the present invention, the positioning portion includes a first conductivity type separation electrode in which the first conductivity type electrode of the back electrode type solar cell is separated into a plurality and a second conductivity type of the back electrode type solar cell. It can be set as at least one of the 2nd conductivity type separation electrodes formed by separating the electrodes for use into a plurality.

また、本発明の太陽電池において、位置決め部は、裏面電極型太陽電池の裏面の凹部とすることができる。   Moreover, the solar cell of this invention WHEREIN: A positioning part can be made into the recessed part of the back surface of a back electrode type solar cell.

また、本発明の太陽電池において、位置決め部は、裏面電極型太陽電池の半導体基板の裏面側に設置されて配線基板側に突出する凸部および配線基板の絶縁性基板の表面に設置されて裏面電極型太陽電池側に突出する凸部とすることができる。   Further, in the solar cell of the present invention, the positioning portion is disposed on the back surface side of the semiconductor substrate of the back electrode type solar cell and protrudes toward the wiring substrate side, and is disposed on the surface of the insulating substrate of the wiring substrate. It can be set as the convex part which protrudes in the electrode type solar cell side.

また、本発明の太陽電池において、位置決め部は、配線基板の絶縁性基板の表面に設置されて裏面電極型太陽電池側に突出する凸部とすることができ、その凸部の間に裏面電極型太陽電池の半導体基板が嵌め込まれていてもよい。   Further, in the solar cell of the present invention, the positioning portion can be a convex portion that is installed on the surface of the insulating substrate of the wiring board and protrudes toward the back electrode type solar cell, and the back electrode is between the convex portions. A semiconductor substrate of a type solar cell may be fitted.

また、本発明の太陽電池において、位置決め部は、裏面電極型太陽電池の半導体基板の裏面側に設置されて配線基板側に突出する凸部および配線基板の絶縁性基板の表面に設置されて裏面電極型太陽電池側に突出する凸部とすることができ、裏面電極型太陽電池の半導体基板の裏面側に設置された凸部と、配線基板の絶縁性基板の表面に設置された凸部とが、磁気および静電気の少なくとも一方を帯びていてもよい。   Further, in the solar cell of the present invention, the positioning portion is disposed on the back surface side of the semiconductor substrate of the back electrode type solar cell and protrudes toward the wiring substrate side, and is disposed on the surface of the insulating substrate of the wiring substrate. It can be a convex part protruding to the electrode type solar cell side, a convex part installed on the back side of the semiconductor substrate of the back electrode type solar cell, and a convex part installed on the surface of the insulating substrate of the wiring board, However, it may carry at least one of magnetism and static electricity.

また、本発明は、半導体基板と、半導体基板の裏面側に形成された第1導電型不純物拡散領域および第2導電型不純物拡散領域と、第1導電型不純物拡散領域に対応して設けられた第1導電型用電極と、第2導電型不純物拡散領域に対応して設けられた第2導電型用電極とを有する裏面電極型太陽電池であって、裏面電極型太陽電池に接続される配線基板に対する相対的な位置関係を決めるための位置決め部を有する裏面電極型太陽電池である。   Further, the present invention is provided corresponding to the semiconductor substrate, the first conductivity type impurity diffusion region and the second conductivity type impurity diffusion region formed on the back surface side of the semiconductor substrate, and the first conductivity type impurity diffusion region. A back electrode type solar cell having a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode provided corresponding to the second conductivity type impurity diffusion region, wherein the wiring is connected to the back electrode type solar cell. It is a back electrode type solar cell which has a positioning part for determining the relative positional relationship with respect to a board | substrate.

また、本発明は、裏面電極型太陽電池に接続するための配線基板であって、絶縁性基板と、絶縁性基板に設置された第1導電型用配線と第2導電型用配線とを有しており、配線基板に接続される裏面電極型太陽電池に対する相対的な位置関係を決めるための位置決め部を有する配線基板である。   In addition, the present invention is a wiring board for connecting to a back electrode type solar cell, and includes an insulating substrate, a first conductive type wiring and a second conductive type wiring installed on the insulating substrate. The wiring board has a positioning portion for determining a relative positional relationship with respect to the back electrode type solar cell connected to the wiring board.

さらに、本発明は、裏面電極型太陽電池を配線基板に接続する工程を含み、裏面電極型太陽電池は、半導体基板と、半導体基板の裏面側に形成された第1導電型不純物拡散領域および第2導電型不純物拡散領域と、第1導電型不純物拡散領域に対応して設けられた第1導電型用電極と、第2導電型不純物拡散領域に対応して設けられた第2導電型用電極とを有し、配線基板は、絶縁性基板と、絶縁性基板に設置された第1導電型用配線と第2導電型用配線とを有しており、裏面電極型太陽電池および配線基板の少なくとも一方が、裏面電極型太陽電池の配線基板に対する相対的な位置関係を決めるための位置決め部を有し、接続する工程においては、位置決め部により裏面電極型太陽電池と配線基板との位置関係を決めて、裏面電極型太陽電池の第1導電型用電極を配線基板の第1導電型用配線に接続するとともに、裏面電極型太陽電池の第2導電型用電極を配線基板の第2導電型用配線に接続する太陽電池の製造方法である。   Furthermore, the present invention includes a step of connecting the back electrode type solar cell to a wiring substrate, the back electrode type solar cell comprising a semiconductor substrate, a first conductivity type impurity diffusion region formed on the back side of the semiconductor substrate, and a first electrode. A second conductivity type impurity diffusion region; a first conductivity type electrode provided corresponding to the first conductivity type impurity diffusion region; and a second conductivity type electrode provided corresponding to the second conductivity type impurity diffusion region. The wiring board has an insulating substrate, a first conductive type wiring and a second conductive type wiring installed on the insulating substrate, and the back electrode type solar cell and the wiring substrate At least one has a positioning part for determining the relative positional relationship of the back electrode type solar cell with respect to the wiring substrate, and in the connecting step, the positioning unit sets the positional relationship between the back electrode type solar cell and the wiring substrate. Decide, back electrode type solar power The first conductivity type electrode is connected to the first conductivity type wiring of the wiring substrate, and the second conductivity type electrode of the back electrode type solar cell is connected to the second conductivity type wiring of the wiring substrate. It is a manufacturing method.

ここで、本発明の太陽電池の製造方法は、裏面電極型太陽電池の第1導電型用電極を形成する工程と、裏面電極型太陽電池の第2導電型用電極を形成する工程とを含み、第1導電型用電極を形成する工程および第2導電型用電極を形成する工程の少なくとも一方の工程と同一の工程または連続する工程で位置決め部を形成することが好ましい。   Here, the manufacturing method of the solar cell of the present invention includes a step of forming the first conductivity type electrode of the back electrode type solar cell and a step of forming the second conductivity type electrode of the back electrode type solar cell. It is preferable that the positioning portion is formed in the same step or a continuous step as at least one of the step of forming the first conductivity type electrode and the step of forming the second conductivity type electrode.

また、本発明の太陽電池の製造方法は、配線基板の第1導電型用配線を形成する工程と、配線基板の第2導電型用配線を形成する工程とを含み、第1導電型用配線を形成する工程および第2導電型用配線を形成する工程の少なくとも一方の工程と同一の工程または連続する工程で位置決め部を形成することが好ましい。   Moreover, the manufacturing method of the solar cell of this invention includes the process of forming the wiring for 1st conductivity types of a wiring board, and the process of forming the wiring for 2nd conductivity types of a wiring board, The wiring for 1st conductivity types It is preferable to form the positioning portion in the same step as or a continuous step with at least one of the step of forming the second conductive type wiring and the step of forming the second conductivity type wiring.

本発明によれば、裏面電極型太陽電池の位置合わせを容易に行なうことができるとともに、裏面電極型太陽電池の位置ズレを有効に抑止することができる太陽電池、裏面電極型太陽電池、配線基板および太陽電池の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while being able to perform alignment of a back electrode type solar cell easily, the solar cell which can suppress effectively the position shift of a back electrode type solar cell, a back electrode type solar cell, a wiring board In addition, a method for manufacturing a solar cell can be provided.

以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。   Embodiments of the present invention will be described below. In the drawings of the present invention, the same reference numerals represent the same or corresponding parts.

<実施の形態1>
図1に、本発明の太陽電池の一例の模式的な断面図を示す。図1に示す構成の太陽電池は、裏面電極型太陽電池8と配線基板10とを含んでおり、裏面電極型太陽電池8は配線基板10上に設置されている。
<Embodiment 1>
In FIG. 1, typical sectional drawing of an example of the solar cell of this invention is shown. The solar cell having the configuration shown in FIG. 1 includes a back electrode type solar cell 8 and a wiring substrate 10, and the back electrode type solar cell 8 is installed on the wiring substrate 10.

裏面電極型太陽電池8は、半導体基板1と、半導体基板1の裏面に形成された第1導電型不純物拡散領域2および第2導電型不純物拡散領域3と、第1導電型不純物拡散領域2に接するようにして形成された第1導電型用電極6と、第2導電型不純物拡散領域3に接するようにして形成された第2導電型用電極7とを含んでいる。   The back electrode type solar cell 8 includes a semiconductor substrate 1, a first conductivity type impurity diffusion region 2 and a second conductivity type impurity diffusion region 3 formed on the back surface of the semiconductor substrate 1, and a first conductivity type impurity diffusion region 2. A first conductivity type electrode 6 formed so as to be in contact with each other and a second conductivity type electrode 7 formed so as to be in contact with the second conductivity type impurity diffusion region 3 are included.

この例においては、第1導電型不純物拡散領域2および第2導電型不純物拡散領域3はそれぞれ図1の紙面の表面側および/または裏面側に伸びる帯状に形成されており、第1導電型不純物拡散領域2と第2導電型不純物拡散領域3とは半導体基板1の裏面において交互に所定の間隔をあけて配置されている。   In this example, the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3 are each formed in a strip shape extending to the front side and / or the back side of the paper surface of FIG. The diffusion regions 2 and the second conductivity type impurity diffusion regions 3 are alternately arranged at predetermined intervals on the back surface of the semiconductor substrate 1.

また、裏面電極型太陽電池8の半導体基板1の受光面にはテクスチャ構造などの凹凸構造が形成されており、その凹凸構造を覆うようにして反射防止膜5が形成されている。裏面電極型太陽電池8の半導体基板1の裏面にはパッシベーション膜4が形成されている。   Further, an uneven structure such as a texture structure is formed on the light receiving surface of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8, and an antireflection film 5 is formed so as to cover the uneven structure. A passivation film 4 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8.

また、この例においては、第1導電型用電極6および第2導電型用電極7もそれぞれ図1の紙面の表面側および/または裏面側に伸びる帯状に形成されており、第1導電型用電極6および第2導電型用電極7はそれぞれパッシベーション膜4に設けられた開口部を通して、半導体基板1の裏面の第1導電型不純物拡散領域2および第2導電型不純物拡散領域3に沿って、第1導電型不純物拡散領域2および第2導電型不純物拡散領域3にそれぞれ接するようにして形成されている。   Further, in this example, the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 are also formed in strips extending to the front side and / or the back side of the paper surface of FIG. The electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 pass through the opening provided in the passivation film 4 along the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3 on the back surface of the semiconductor substrate 1, respectively. The first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3 are formed in contact with each other.

一方、配線基板10は、絶縁性基板11と、絶縁性基板11の表面上において所定の形状に形成された第1導電型用配線13および第2導電型用配線12とを含んでいる。   On the other hand, the wiring substrate 10 includes an insulating substrate 11, and a first conductivity type wiring 13 and a second conductivity type wiring 12 formed in a predetermined shape on the surface of the insulating substrate 11.

この例においては、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12もそれぞれ図1の紙面の表面側および/または裏面側に伸びる帯状に形成されており、第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面にはそれぞれ凹状に窪んだ部分である凹部が形成されている。したがって、第1導電型用配線13の表面の凹部および第2導電型用配線12の表面の凹部もそれぞれ図1の紙面の裏面側に伸びる帯状に形成されていることになる。   In this example, the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12 are also formed in a strip shape extending to the front side and / or the back side of the paper surface of FIG. Each of the surface and the surface of the second conductivity type wiring 12 is formed with a concave portion which is a concave portion. Therefore, the recesses on the surface of the first conductivity type wiring 13 and the recesses on the surface of the second conductivity type wiring 12 are also formed in strips extending to the back side of the paper surface of FIG.

そして、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6が、配線基板10の第1導電型用配線13の表面の凹部の窪みの中に収まるように設置されており、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7が、配線基板10の第2導電型用配線12の表面の凹部の窪みの中に収まるようにして設置されている。   The first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is disposed so as to be accommodated in the recess of the concave portion on the surface of the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10. The second conductivity type electrode 7 of the battery 8 is disposed so as to be accommodated in the recess of the recess on the surface of the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10.

これにより、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6が配線基板10の第1導電型用配線13に接して電気的に接続され、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7が配線基板10の第2導電型用配線12に接して電気的に接続されて、太陽電池が構成される。   As a result, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is in contact with and electrically connected to the first conductivity type wire 13 of the wiring substrate 10, and the second conductivity type of the back electrode type solar cell 8. The electrode 7 is in contact with and electrically connected to the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10 to constitute a solar cell.

なお、本発明の図面においては、説明の便宜上、第1導電型不純物拡散領域2、第2導電型不純物拡散領域3、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12はそれぞれ2つずつしか示されていないが、この構成に限定されず、第1導電型不純物拡散領域2、第2導電型不純物拡散領域3、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12の数はそれぞれ2つに限定されるわけではないことは言うまでもない。   In the drawings of the present invention, for convenience of explanation, there are two first conductivity type impurity diffusion regions 2, second conductivity type impurity diffusion regions 3, first conductivity type wires 13, and second conductivity type wires 12. Although only shown one by one, the present invention is not limited to this configuration, and the number of the first conductivity type impurity diffusion region 2, the second conductivity type impurity diffusion region 3, the first conductivity type wiring 13, and the second conductivity type wiring 12. It goes without saying that each is not limited to two.

以下、図1に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。なお、以下においては、裏面電極型太陽電池8の形成方法を最初に説明した後に、配線基板10の形成方法を次に説明し、最後に裏面電極型太陽電池8と配線基板10とを接合して太陽電池を形成する方法について説明するが、本発明においては、裏面電極型太陽電池8と配線基板10の形成順序については特に限定されない。   Hereinafter, an example of the manufacturing method of the solar cell having the configuration shown in FIG. 1 will be described. In the following description, after the method for forming the back electrode solar cell 8 is first described, the method for forming the wiring substrate 10 is described next, and finally the back electrode solar cell 8 and the wiring substrate 10 are joined. In the present invention, the order of forming the back electrode type solar cell 8 and the wiring substrate 10 is not particularly limited.

まず、図2(a)の模式的断面図に示すように、たとえばインゴットからスライスすることなどによって、半導体基板1の表面にスライスダメージ1aが形成された半導体基板1を用意する。   First, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 2A, a semiconductor substrate 1 in which slice damage 1a is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 is prepared by, for example, slicing from an ingot.

ここで、半導体基板1としては、半導体材料からなる基板であれば特には限定なく用いることができ、たとえば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコンなどからなるシリコン基板を用いることができる。また、半導体基板1は、n型またはp型のいずれの導電型を有していてもよく、半導体基板1はn型およびp型のいずれの導電型を有していなくてもよい。   Here, the semiconductor substrate 1 can be used without particular limitation as long as it is a substrate made of a semiconductor material. For example, a silicon substrate made of polycrystalline silicon or single crystal silicon can be used. Further, the semiconductor substrate 1 may have either n-type or p-type conductivity, and the semiconductor substrate 1 may not have any n-type or p-type conductivity.

次に、図2(b)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の表面のスライスダメージ1aを除去する。ここで、スライスダメージ1aの除去は、たとえば半導体基板1が上記のシリコン基板からなる場合には、上記のスライス後のシリコン基板の表面をフッ化水素水溶液と硝酸との混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングすることなどによって行なうことができる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 2B, the slice damage 1a on the surface of the semiconductor substrate 1 is removed. Here, the removal of the slice damage 1a is performed, for example, when the semiconductor substrate 1 is made of the above silicon substrate, the surface of the silicon substrate after the above slice is mixed with an aqueous solution of hydrogen fluoride and nitric acid, sodium hydroxide, or the like. It can be performed by etching with an alkaline aqueous solution or the like.

ここで、スライスダメージ1aの除去後の半導体基板1の大きさおよび形状も特に限定されないが、半導体基板1の厚さをたとえば50μm以上400μm以下とすることができ、特に160μm程度とすることが好ましい。   Here, the size and shape of the semiconductor substrate 1 after removal of the slice damage 1a are not particularly limited, but the thickness of the semiconductor substrate 1 can be set to, for example, 50 μm or more and 400 μm or less, and particularly preferably about 160 μm. .

次に、図2(c)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面に、第1導電型不純物拡散領域2および第2導電型不純物拡散領域3をそれぞれ形成する。ここで、第1導電型不純物拡散領域2は、たとえば、第1導電型不純物を含むガスを用いた気相拡散などの方法により形成することができ、第2導電型不純物拡散領域3は、たとえば、第2導電型不純物を含むガスを用いた気相拡散などの方法により形成することができる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 2C, the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3 are formed on the back surface of the semiconductor substrate 1, respectively. Here, the first conductivity type impurity diffusion region 2 can be formed, for example, by a method such as vapor phase diffusion using a gas containing the first conductivity type impurity, and the second conductivity type impurity diffusion region 3 is, for example, Further, it can be formed by a method such as vapor phase diffusion using a gas containing a second conductivity type impurity.

ここで、第1導電型不純物拡散領域2は、第1導電型不純物を含み、n型またはp型の導電型を示す領域であれば特に限定されない。なお、第1導電型不純物としては、第1導電型がn型である場合にはたとえばリンなどのn型不純物を用いることができ、第1導電型がp型である場合にはたとえばボロンまたはアルミニウムなどのp型不純物を用いることができる。   Here, the first conductivity type impurity diffusion region 2 is not particularly limited as long as it includes the first conductivity type impurity and exhibits n-type or p-type conductivity. As the first conductivity type impurity, for example, an n-type impurity such as phosphorus can be used when the first conductivity type is n-type, and when the first conductivity type is p-type, for example, boron or A p-type impurity such as aluminum can be used.

また、第2導電型不純物拡散領域3は、第2導電型不純物を含み、第1導電型不純物拡散領域2とは逆の導電型を示す領域であれば特に限定されない。なお、第2導電型不純物としては、第2導電型がn型である場合にはたとえばリンなどのn型不純物を用いることができ、第2導電型がp型である場合にはたとえばボロンまたはアルミニウムなどのp型不純物を用いることができる。   The second conductivity type impurity diffusion region 3 is not particularly limited as long as it contains the second conductivity type impurity and has a conductivity type opposite to that of the first conductivity type impurity diffusion region 2. As the second conductivity type impurity, for example, an n-type impurity such as phosphorus can be used when the second conductivity type is n-type, and when the second conductivity type is p-type, for example, boron or A p-type impurity such as aluminum can be used.

なお、第1導電型はn型またはp型のいずれの導電型であってもよく、第2導電型は第1導電型と反対の導電型であればよい。すなわち、第1導電型がn型のときは第2導電型がp型となり、第1導電型がp型のときは第2導電型がn型となる。   The first conductivity type may be either n-type or p-type, and the second conductivity type may be any conductivity type opposite to the first conductivity type. That is, when the first conductivity type is n-type, the second conductivity type is p-type, and when the first conductivity type is p-type, the second conductivity type is n-type.

また、第1導電型不純物を含むガスとしては、第1導電型がn型である場合には、たとえばPOCl3のようなリンなどのn型不純物を含むガスを用いることができ、第1導電型がp型である場合には、たとえばBBr3のようなボロンなどのp型不純物を含むガスを用いることができる。 As the gas containing the first conductivity type impurity, when the first conductivity type is n-type, for example, a gas containing an n-type impurity such as phosphorus such as POCl 3 can be used. When the type is p-type, for example, a gas containing p-type impurities such as boron such as BBr 3 can be used.

また、第2導電型不純物を含むガスとしては、第2導電型がn型である場合には、たとえばPOCl3のようなリンなどのn型不純物を含むガスを用いることができ、第2導電型がp型である場合には、たとえばBBr3のようなボロンなどのp型不純物を含むガスを用いることができる。 Further, as the gas containing the second conductivity type impurity, when the second conductivity type is n-type, for example, a gas containing an n-type impurity such as phosphorus such as POCl 3 can be used. When the type is p-type, for example, a gas containing p-type impurities such as boron such as BBr 3 can be used.

次に、図2(d)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面にパッシベーション膜4を形成する。ここで、パッシベーション膜4は、たとえば、熱酸化法またはプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などの方法により形成することができる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 2D, a passivation film 4 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1. Here, the passivation film 4 can be formed by a method such as a thermal oxidation method or a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method.

ここで、パッシベーション膜4としては、たとえば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。   Here, as the passivation film 4, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a stacked body of a silicon oxide film and a silicon nitride film can be used, but is not limited thereto.

また、パッシベーション膜4の厚みは、たとえば0.05μm以上1μm以下とすることができ、特に0.2μm程度とすることが好ましい。   The thickness of the passivation film 4 can be set to, for example, 0.05 μm or more and 1 μm or less, and particularly preferably about 0.2 μm.

次に、図2(e)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の受光面の全面にテクスチャ構造などの凹凸構造を形成した後に、その凹凸構造上に反射防止膜5を形成する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 2E, after forming an uneven structure such as a texture structure on the entire light receiving surface of the semiconductor substrate 1, an antireflection film 5 is formed on the uneven structure. .

ここで、テクスチャ構造は、たとえば、半導体基板1の受光面をエッチングすることにより形成することができる。たとえば、半導体基板1がシリコン基板である場合には、たとえば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液をたとえば70℃以上80℃以下に加熱したエッチング液を用いて半導体基板1の受光面をエッチングすることによって形成することができる。   Here, the texture structure can be formed, for example, by etching the light receiving surface of the semiconductor substrate 1. For example, when the semiconductor substrate 1 is a silicon substrate, the semiconductor is used by using an etching solution in which a solution obtained by adding isopropyl alcohol to an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or potassium hydroxide is heated to 70 ° C. or higher and 80 ° C. or lower, for example. It can be formed by etching the light receiving surface of the substrate 1.

また、反射防止膜5は、たとえばプラズマCVD法などにより形成することができる。なお、反射防止膜5としては、たとえば、窒化シリコン膜などを用いることができるが、これに限定されるものではない。   The antireflection film 5 can be formed by, for example, a plasma CVD method. As the antireflection film 5, for example, a silicon nitride film or the like can be used, but is not limited thereto.

次に、図2(f)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面のパッシベーション膜4の一部を除去することによってコンタクトホール4aおよびコンタクトホール4bを形成する。ここで、コンタクトホール4aは、第1導電型不純物拡散領域2の表面の少なくとも一部を露出させるようにして形成され、コンタクトホール4bは、第2導電型不純物拡散領域3の表面の少なくとも一部を露出させるようにして形成される。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 2F, a part of the passivation film 4 on the back surface of the semiconductor substrate 1 is removed to form a contact hole 4a and a contact hole 4b. Here, the contact hole 4 a is formed so as to expose at least part of the surface of the first conductivity type impurity diffusion region 2, and the contact hole 4 b is at least part of the surface of the second conductivity type impurity diffusion region 3. It is formed so as to be exposed.

なお、コンタクトホール4aおよびコンタクトホール4bはそれぞれ、たとえば、フォトリソグラフィ技術を用いてコンタクトホール4aおよびコンタクトホール4bの形成箇所に対応する部分に開口を有するレジストパターンをパッシベーション膜4上に形成した後にレジストパターンの開口からパッシベーション膜4をエッチングなどにより除去する方法、またはコンタクトホール4aおよびコンタクトホール4bの形成箇所に対応するパッシベーション膜4の部分にエッチングペーストを塗布した後に加熱することによってパッシベーション膜4をエッチングして除去する方法などにより形成することができる。   The contact hole 4a and the contact hole 4b are formed after a resist pattern having openings at portions corresponding to the formation positions of the contact hole 4a and the contact hole 4b is formed on the passivation film 4 by using, for example, photolithography technology. The method of removing the passivation film 4 from the opening of the pattern by etching or the like, or etching the passivation film 4 by applying an etching paste to the portion of the passivation film 4 corresponding to the location where the contact hole 4a and the contact hole 4b are formed and then heating. Then, it can be formed by a removal method or the like.

次に、図2(g)の模式的断面図に示すように、コンタクトホール4aを通して第1導電型不純物拡散領域2に接する第1導電型用電極6と、コンタクトホール4bを通して第2導電型不純物拡散領域3に接する第2導電型用電極7とを形成して、裏面電極型太陽電池8を作製する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 2G, the first conductivity type electrode 6 in contact with the first conductivity type impurity diffusion region 2 through the contact hole 4a and the second conductivity type impurity through the contact hole 4b. A second conductivity type electrode 7 in contact with the diffusion region 3 is formed, and a back electrode type solar cell 8 is produced.

ここで、第1導電型用電極6および第2導電型用電極7としては、たとえば、銀などの金属からなる電極を用いることができるが、これに限定されるものではない。   Here, as the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7, for example, an electrode made of a metal such as silver can be used, but is not limited thereto.

また、第1導電型用電極6および第2導電型用電極7のそれぞれの高さは、たとえば5μm以上50μm以下とすることができ、特に15μm程度とすることが好ましい。   The height of each of the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 can be, for example, not less than 5 μm and not more than 50 μm, particularly preferably about 15 μm.

図3に、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の裏面の一例の模式的な平面図を示す。ここで、裏面電極型太陽電池8の裏面においては、第1導電型用電極6および第2導電型用電極7はそれぞれ帯状に形成されている。そして、帯状の複数の第1導電型用電極6はそれぞれ1つの帯状の第1導電型用集電電極60に接続されており、帯状の複数の第2導電型用電極7はそれぞれ1つの帯状の第2導電型用集電電極70に接続されている。なお、この例においては、第1導電型用集電電極60は、第1導電型用電極6に垂直な方向に伸びるようにして形成されており、第2導電型用集電電極70は、第2導電型用電極7に垂直な方向に伸びるようにして形成されている。   In FIG. 3, the typical top view of an example of the back surface of the back electrode type solar cell 8 produced as mentioned above is shown. Here, on the back surface of the back electrode type solar cell 8, the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 are each formed in a strip shape. Each of the plurality of strip-shaped first conductivity type electrodes 6 is connected to one strip-shaped first conductivity type collector electrode 60, and each of the plurality of strip-shaped second conductivity type electrodes 7 is formed of one strip-shaped electrode. To the second conductivity type collector electrode 70. In this example, the first conductivity type collector electrode 60 is formed to extend in a direction perpendicular to the first conductivity type electrode 6, and the second conductivity type collector electrode 70 is It is formed to extend in a direction perpendicular to the second conductivity type electrode 7.

したがって、図3に示す構成の裏面電極型太陽電池8の裏面においては、1つの第1導電型用集電電極60と複数の第1導電型用電極6とによって1つの櫛形状電極が形成されており、1つの第2導電型用集電電極70と複数の第2導電型用電極7とによって1つの櫛形状電極が形成されている。そして、当該櫛形状電極の櫛歯に相当する第1導電型用電極6と第2導電型用電極7とは互いに向かい合って当該櫛歯を1本ずつ噛み合わせるようにして配置されている。そして、帯状の第1導電型用電極6が接する半導体基板1の裏面部分に帯状の第1導電型不純物拡散領域2が配置されており、帯状の第2導電型用電極7が接する半導体基板1の裏面部分に帯状の第2導電型不純物拡散領域3が配置されている。   Therefore, on the back surface of the back electrode type solar cell 8 having the configuration shown in FIG. 3, one comb-shaped electrode is formed by one first conductivity type collector electrode 60 and a plurality of first conductivity type electrodes 6. One comb-shaped electrode is formed by one second-conductivity-type collecting electrode 70 and a plurality of second-conductivity-type electrodes 7. The first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 corresponding to the comb teeth of the comb-shaped electrode are arranged so as to face each other and mesh the comb teeth one by one. Then, the first conductive impurity diffusion region 2 in the form of a band is disposed on the back surface portion of the semiconductor substrate 1 in contact with the first conductive electrode 6 in the form of a band, and the semiconductor substrate 1 in contact with the second conductive type electrode 7 in the form of a band. A belt-like second conductivity type impurity diffusion region 3 is disposed on the back surface portion of the substrate.

なお、裏面電極型太陽電池8の裏面の電極(第1導電型用電極6、第2導電型用電極7、第1導電型用集電電極60、第2導電型用集電電極70)および不純物拡散領域(第1導電型不純物拡散領域2、第2導電型不純物拡散領域3)の形状、配置および個数はそれぞれ上記の形状に限定されるものではないことは言うまでもない。   The electrodes on the back surface of the back electrode type solar cell 8 (first conductivity type electrode 6, second conductivity type electrode 7, first conductivity type current collecting electrode 60, second conductivity type current collection electrode 70) and Needless to say, the shape, arrangement, and number of the impurity diffusion regions (the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3) are not limited to the above shapes.

また、配線基板10は、たとえば以下のようにして作製することができる。まず、図4(a)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面上に導電層19を形成する。ここで、絶縁性基板11としては、たとえば、ポリエステル、ポリエチレンナフタレートまたはポリイミドなどの樹脂からなる基板を用いることができるが、これに限定されるものではない。また、絶縁性基板11の厚みは、たとえば10μm以上200μm以下とすることができ、特に25μm程度とすることが好ましい。   Moreover, the wiring board 10 can be manufactured as follows, for example. First, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 4A, the conductive layer 19 is formed on the surface of the insulating substrate 11. Here, as the insulating substrate 11, for example, a substrate made of a resin such as polyester, polyethylene naphthalate, or polyimide can be used, but is not limited thereto. The thickness of the insulating substrate 11 can be, for example, 10 μm or more and 200 μm or less, and particularly preferably about 25 μm.

また、導電層19としては、たとえば、銅などの金属からなる層を用いることができるが、これに限定されるものではない。   In addition, as the conductive layer 19, for example, a layer made of a metal such as copper can be used, but is not limited thereto.

次に、図4(b)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面の導電層19上にレジストパターン15aを形成する。ここで、レジストパターン15aは、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12の形成箇所以外の箇所に開口を有する形状に形成する。レジストパターン15aを構成するレジストとしてはたとえば従来から公知のものを用いることができ、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布される。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 4B, a resist pattern 15 a is formed on the conductive layer 19 on the surface of the insulating substrate 11. Here, the resist pattern 15a is formed in a shape having an opening at a place other than the place where the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12 are formed. As the resist constituting the resist pattern 15a, for example, a conventionally known resist can be used, and it is applied by a method such as screen printing, dispenser application or ink jet application.

次に、図4(c)の模式的断面図に示すように、レジストパターン15aから露出している箇所の導電層19を矢印16aの方向に除去することによって導電層19のパターンニングを行ない、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12を形成する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 4C, the conductive layer 19 is patterned by removing the conductive layer 19 exposed from the resist pattern 15a in the direction of the arrow 16a. First conductive type wiring 13 and second conductive type wiring 12 are formed.

ここで、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12としては、導電層19と同様に、銅などの金属からなる材料を用いることができる。また、導電層19の除去は、たとえば、酸やアルカリの溶液を用いたウエットエッチングなどによって行なうことができる。また、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12のそれぞれの高さは、たとえば10μm以上100μm以下とすることができ、特に35μm程度とすることが好ましい。   Here, as the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12, a material made of a metal such as copper can be used as in the conductive layer 19. The conductive layer 19 can be removed by, for example, wet etching using an acid or alkali solution. The height of each of the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring 12 can be, for example, not less than 10 μm and not more than 100 μm, and preferably about 35 μm.

次に、図4(d)の模式的断面図に示すように、第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面からレジストパターン15aをすべて除去する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 4D, the resist pattern 15 a is all removed from the surface of the first conductivity type wiring 13 and the surface of the second conductivity type wiring 12.

次に、図4(e)の模式的断面図に示すように、第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面のそれぞれの一部が露出するようにレジストパターン15bを形成する。レジストパターン15bに関する説明は、レジストパターン15aに関する説明と同様であるため、ここでは省略する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 4E, the resist pattern 15b is exposed so that a part of the surface of the first conductive type wiring 13 and the surface of the second conductive type wiring 12 are exposed. Form. Since the description regarding the resist pattern 15b is the same as the description regarding the resist pattern 15a, it is omitted here.

次に、図4(f)の模式的断面図に示すように、レジストパターン15bから露出している第1導電型用配線13の表面の一部および第2導電型用配線12の表面の一部をそれぞれ矢印16bの方向に除去する。これにより、第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面にそれぞれ凹部が形成される。第1導電型用配線13の表面の一部および第2導電型用配線12の表面の一部の除去に関する説明は、導電層19の除去に関する説明と同様であるため、ここでは省略する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 4F, a part of the surface of the first conductivity type wiring 13 and the surface of the second conductivity type wiring 12 exposed from the resist pattern 15b. Each part is removed in the direction of arrow 16b. Thereby, recesses are formed on the surface of the first conductivity type wiring 13 and the surface of the second conductivity type wiring 12 respectively. The description regarding the removal of a part of the surface of the first conductivity type wiring 13 and the part of the surface of the second conductivity type wiring 12 is the same as the description regarding the removal of the conductive layer 19, and is omitted here.

その後、図4(g)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面、第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面からレジストパターン15bをすべて除去することによって、配線基板10が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 4G, all of the resist pattern 15b is removed from the surface of the insulating substrate 11, the surface of the first conductive type wiring 13, and the surface of the second conductive type wiring 12. By doing so, the wiring board 10 is produced.

図5に、上記のようにして作製した配線基板10の表面の一例の模式的な平面図を示す。ここで、配線基板10の絶縁性基板11の表面上において、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12はそれぞれ帯状に形成されている。また、配線基板10の絶縁性基板11の表面上には帯状の接続用配線14が形成されており、接続用配線14によって第1導電型用配線13と第2導電型用配線12とが電気的に接続されている。なお、接続用配線14は、たとえば、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12と同時に形成することができ、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12と同一の材質を用いることができる。   FIG. 5 shows a schematic plan view of an example of the surface of the wiring board 10 manufactured as described above. Here, on the surface of the insulating substrate 11 of the wiring board 10, the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12 are each formed in a strip shape. In addition, a strip-shaped connection wiring 14 is formed on the surface of the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10, and the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12 are electrically connected by the connection wiring 14. Connected. The connection wiring 14 can be formed simultaneously with the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring 12, for example, and is the same as the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring 12. The material can be used.

なお、配線基板10の表面の配線(第1導電型用配線13、第2導電型用配線12、接続用配線14)の形状、配置および個数はそれぞれ上記のものに限定されない。   In addition, the shape, arrangement, and number of the wirings on the surface of the wiring board 10 (the first conductive type wiring 13, the second conductive type wiring 12, and the connecting wiring 14) are not limited to the above.

その後、図6の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6が配線基板10の第1導電型用配線13の表面の凹部の窪みの中に収まるように設置するとともに、第2導電型用電極7が第2導電型用配線12の表面の凹部の窪みの中に収まるように設置することによって、図1に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 6, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 manufactured as described above is formed on the surface of the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10. The configuration shown in FIG. 1 is provided by being installed so as to fit in the recess of the recess and so that the second conductivity type electrode 7 may be installed in the recess of the recess on the surface of the second conductivity type wiring 12. An example of the solar cell of the present invention is prepared.

以上のようにして作製された太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6が配線基板10の第1導電型用配線13の表面の凹部の窪みの中に収まるように設置され、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7が配線基板10の第2導電型用配線12の表面の凹部の窪みの中に収まるようにして設置される。   In the solar cell manufactured as described above, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is accommodated in the recess of the concave portion on the surface of the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10. The second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is installed so as to fit in the recess of the recess on the surface of the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10.

したがって、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6を配線基板10の第1導電型用配線13の表面の凹部の窪みに設置し、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7を配線基板10の第2導電型用配線12の表面の凹部の窪みに設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12の表面の凹部によって裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is installed in the recess of the concave portion on the surface of the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10, Since the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 only needs to be installed in the recess of the surface of the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10, the alignment of the back electrode type solar cell 8 is easy. In addition, the back electrode solar cell 8 is less likely to be displaced due to the concave portions on the surfaces of the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、上記凹部の側壁によって裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6および第2導電型用電極7の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Furthermore, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if a member such as the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 expands or contracts due to heating in a subsequent sealing step or the like, Since the movement of the first conductive type electrode 6 and the second conductive type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is hindered by the side wall, the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、配線基板10の第1導電型用配線13の表面の凹部および第2導電型用配線12の表面の凹部がそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決めるための位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the concave portion on the surface of the first conductive type wiring 13 and the concave portion on the surface of the second conductive type wiring 12 of the wiring substrate 10 are respectively formed on the wiring substrate 10 of the back electrode type solar cell 8. It becomes a positioning part for determining a relative positional relationship.

なお、上記においては、配線基板10の第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面の双方に凹部を形成したが、第1導電型用配線13の表面または第2導電型用配線12の表面のいずれか一方にのみ凹部を形成してもよい。   In the above description, the concave portions are formed on both the surface of the first conductivity type wiring 13 and the surface of the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10. The recess may be formed only on one of the surfaces of the conductive type wiring 12.

また、上記においては、配線基板10のすべての第1導電型用配線13の表面およびすべての第2導電型用配線12の表面にそれぞれ凹部を形成したが、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12の少なくとも1つの表面に凹部が形成されていればよい。   In the above description, the concave portions are formed on the surfaces of all the first conductivity type wires 13 and all the second conductivity type wires 12 of the wiring board 10. It is sufficient that a recess is formed on at least one surface of the two-conductivity type wiring 12.

また、上記構成の本発明の太陽電池は、たとえばガラス基板のような透明基板と、たとえばポリエステルフィルムのような裏面フィルムとの間のたとえばエチレンビニルアセテートのような透明樹脂中に封止されてもよいことは言うまでもない。   Further, the solar cell of the present invention having the above-described configuration may be sealed in a transparent resin such as ethylene vinyl acetate between a transparent substrate such as a glass substrate and a back film such as a polyester film. Needless to say, it is good.

また、本発明には、複数の裏面電極型太陽電池8を1つの配線基板10上に設置する構成、1つの裏面電極型太陽電池8を1つの配線基板10上に設置する構成および複数の裏面電極型太陽電池8を複数の配線基板10上に設置する構成などがいずれも含まれる。   Further, the present invention has a configuration in which a plurality of back electrode type solar cells 8 are installed on one wiring substrate 10, a configuration in which one back electrode type solar cell 8 is installed on one wiring substrate 10, and a plurality of back surfaces. A configuration in which the electrode type solar cell 8 is installed on a plurality of wiring boards 10 is included.

<実施の形態2>
図7に、本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図を示す。図7に示す構成の太陽電池においては、配線基板10の第1導電型用配線13の表面のそれぞれの両端に裏面電極型太陽電池8側に突出して図7の紙面の表面側および/または裏面側に向かって伸びる凸部18および第2導電型用配線12の表面のそれぞれの両端に裏面電極型太陽電池8側に突出して図7の紙面の表面側および/または裏面側に向かって伸びる凸部18がそれぞれ位置決め部となっている点に特徴がある。
<Embodiment 2>
In FIG. 7, typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention is shown. In the solar cell having the configuration shown in FIG. 7, the both ends of the surface of the first conductive type wiring 13 of the wiring substrate 10 protrude toward the back electrode type solar cell 8 and protrude to the back electrode type solar cell 8 side. 7 projecting toward the back electrode type solar cell 8 at both ends of the surface of the convex portion 18 and the second conductive type wiring 12 extending toward the side, and extending toward the front surface side and / or the back surface side of FIG. The point is that each of the portions 18 is a positioning portion.

以下、図7に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図7に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8については、実施の形態1と同様にして作製される。   Hereinafter, an example of the manufacturing method of the solar cell having the configuration shown in FIG. 7 will be described. The back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 7 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

また、図7に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10は、たとえば以下のようにして作製することができる。   Moreover, the wiring board 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 7 can be manufactured, for example, as follows.

まず、図8(a)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面上に導電層19を形成した後に、図8(b)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面の導電層19上にレジストパターン15aを形成する。   First, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 8A, after forming the conductive layer 19 on the surface of the insulating substrate 11, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. A resist pattern 15 a is formed on the conductive layer 19 on the surface of the substrate 11.

次に、図8(c)の模式的断面図に示すように、レジストパターン15aから露出している箇所の導電層19を矢印16aの方向に除去することによって導電層19のパターンニングを行なって第1導電型用配線13および第2導電型用配線12を形成した後に、図8(d)の模式的断面図に示すように、第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面からレジストパターン15aをすべて除去する。ここまでの工程は、実施の形態1と同様である。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 8C, the conductive layer 19 is patterned by removing the conductive layer 19 exposed from the resist pattern 15a in the direction of the arrow 16a. After forming the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring 12, as shown in the schematic sectional view of FIG. 8D, the surface of the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring The resist pattern 15a is completely removed from the surface of the wiring 12. The steps so far are the same as those in the first embodiment.

次に、図8(e)の模式的断面図に示すように、第1導電型用配線13の表面上および第2導電型用配線12の表面上にそれぞれ、たとえば銅などの金属を含む金属ペースト17を塗布する。ここで、金属ペースト17としては、たとえば、金属粒子と有機溶剤とを含むペースト状のものを用いることができ、金属ペースト17は、たとえば、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布することができる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 8E, a metal containing a metal such as copper, for example, on the surface of the first conductivity type wiring 13 and on the surface of the second conductivity type wiring 12 respectively. Paste 17 is applied. Here, as the metal paste 17, for example, a paste-like material containing metal particles and an organic solvent can be used, and the metal paste 17 is applied by a method such as screen printing, dispenser application, or inkjet application, for example. be able to.

また、金属ペースト17は、第1導電型用配線13の表面のそれぞれの両端および第2導電型用配線12の表面のそれぞれの両端に塗布される。また、金属ペースト17は、第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面の反対側に突出し、図8(e)の紙面の裏側に伸びるようにして塗布される。さらに、金属ペースト17は、第1導電型用配線13の表面の両端に塗布される金属ペースト17が互いに向かい合うとともに、第2導電型用配線12の表面の両端に塗布される金属ペースト17も互いに向かい合うようにして塗布される。   The metal paste 17 is applied to both ends of the surface of the first conductivity type wiring 13 and both ends of the surface of the second conductivity type wiring 12. Further, the metal paste 17 is applied so as to protrude on the opposite side of the surface of the first conductivity type wiring 13 and the surface of the second conductivity type wiring 12 and to extend to the back side of the paper surface of FIG. Further, the metal paste 17 is applied to both ends of the surface of the first conductive type wiring 13 and the metal paste 17 applied to both ends of the surface of the second conductive type wiring 12 is also mutually connected. It is applied so as to face each other.

その後、上記のようにして塗布された金属ペースト17を焼成することによって、図8(f)の模式的断面図に示すように、第1導電型用配線13の表面の両端および第2導電型用配線12の表面の両端にそれぞれ凸部18が形成されることによって、配線基板10が作製される。   Thereafter, by firing the metal paste 17 applied as described above, both ends of the surface of the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type as shown in the schematic sectional view of FIG. By forming convex portions 18 at both ends of the surface of the wiring 12 for wiring, the wiring substrate 10 is manufactured.

ここで、凸部18は、金属ペースト17から有機溶媒などを除去した残部から構成されるため、凸部18の形状は金属ペースト17と同様の形状とすることができる。すなわち、この例において、凸部18は、第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面の反対側に突出し、図8(f)の紙面の表面側および/または裏面側に伸びるようにして形成されている。さらに、凸部18は、第1導電型用配線13の表面の両端および第2導電型用配線12の表面の両端にそれぞれ形成されている。   Here, since the convex part 18 is comprised from the remainder which removed the organic solvent etc. from the metal paste 17, the shape of the convex part 18 can be made into the same shape as the metal paste 17. FIG. That is, in this example, the protrusion 18 protrudes on the opposite side of the surface of the first conductive type wiring 13 and the surface of the second conductive type wiring 12, and is on the front side and / or the back side of the paper surface of FIG. It is formed to extend to the side. Further, the protrusions 18 are formed at both ends of the surface of the first conductivity type wiring 13 and at both ends of the surface of the second conductivity type wiring 12, respectively.

その後、図9の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6が配線基板10の第1導電型用配線13の表面の両端にそれぞれ形成された凸部18の間に収まるように設置するとともに、第2導電型用電極7が配線基板10の第2導電型用配線12の表面の両端にそれぞれ形成された凸部18の間に収まるように設置することによって、図7に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic sectional view of FIG. 9, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 produced as described above is formed on the surface of the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10. The second conductive type electrodes 7 are installed so as to fit between the convex portions 18 formed at both ends, and the convex portions 18 formed at both ends of the surface of the second conductive type wiring 12 of the wiring substrate 10. The solar cell of the present invention having the configuration shown in FIG.

以上のようにして作製された本実施の形態の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6が配線基板10の第1導電型用配線13の表面の両端にそれぞれ形成された凸部18の間に収まるように設置され、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7が配線基板10の第2導電型用配線12の表面の両端にそれぞれ形成された凸部18の間に収まるようにして設置される。   In the solar cell of the present embodiment manufactured as described above, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is respectively provided at both ends of the surface of the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10. The second conductive type electrodes 7 of the back electrode type solar cell 8 were respectively formed at both ends of the surface of the second conductive type wiring 12 of the wiring substrate 10 so as to fit between the formed convex portions 18. It is installed so as to fit between the convex portions 18.

したがって、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6を配線基板10の第1導電型用配線13の表面の両端にそれぞれ形成された凸部18の間に設置し、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7を配線基板10の第2導電型用配線12の表面の両端にそれぞれ形成された凸部18の間に設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、凸部18によって裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, in the present embodiment, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is connected to the surface of the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10. The second conductive type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is formed on both ends of the surface of the second conductive type wiring 12 of the wiring substrate 10, respectively. Since it suffices to install it between the convex portions 18, the alignment of the back electrode type solar cell 8 is facilitated, and the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 is hardly caused by the convex portion 18.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、上記凸部18によって裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6および第2導電型用電極7の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Furthermore, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if the member such as the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 expands or contracts due to heating in the subsequent sealing step or the like, the convex portion Since the movement of the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is hindered by 18, the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、配線基板10の第1導電型用配線13の表面の凸部18および第2導電型用配線12の表面の凸部18がそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決めるための位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the convex portion 18 on the surface of the first conductive type wiring 13 of the wiring substrate 10 and the convex portion 18 on the surface of the second conductive type wiring 12 are respectively formed on the back electrode solar cell 8. It becomes a positioning part for determining the relative positional relationship with respect to the wiring board 10.

なお、上記においては、配線基板10の第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面の双方に凸部18を形成したが、第1導電型用配線13の表面または第2導電型用配線12の表面のいずれか一方にのみ凸部18を形成してもよい。   In the above description, the protrusions 18 are formed on both the surface of the first conductivity type wiring 13 and the surface of the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10, but the surface of the first conductivity type wiring 13 or The convex portion 18 may be formed only on one of the surfaces of the second conductivity type wiring 12.

また、上記においては、配線基板10のすべての第1導電型用配線13の表面およびすべての第2導電型用配線12の表面にそれぞれ凸部18を形成したが、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12の少なくとも1つの表面に凸部18が形成されていればよい。   In the above description, the protrusions 18 are formed on the surfaces of all the first conductivity type wires 13 and all the second conductivity type wires 12 of the wiring board 10. The protrusion 18 may be formed on at least one surface of the second conductivity type wiring 12.

また、本実施の形態においては、金属ペースト17から凸部18を形成しているため、凸部18は導電性物質から形成されているが、凸部18の材質は導電性物質に限定されない。ただし、凸部18が導電性物質から形成されている場合には、裏面電極型太陽電池8の電極と配線基板10の配線との電気的な接続の信頼性が向上する点で好ましい。   In the present embodiment, since the convex portion 18 is formed from the metal paste 17, the convex portion 18 is formed of a conductive material, but the material of the convex portion 18 is not limited to the conductive material. However, when the convex part 18 is formed from an electroconductive substance, it is preferable at the point which the reliability of the electrical connection of the electrode of the back surface electrode type solar cell 8 and the wiring of the wiring board 10 improves.

また、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。   In addition, since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description is omitted here.

<実施の形態3>
図10に、本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図を示す。図10に示す構成の太陽電池においては、配線基板10の絶縁性基板11の表面の一方の端部に第1導電型用配線13が複数に分離してなる第1導電型用分離配線13aと第1導電型用分離配線13bとが形成されるとともに、配線基板10の絶縁性基板11の表面の他方の端部に第2導電型用配線12が複数に分離してなる第2導電型用分離配線12aと第2導電型用分離配線12bとが形成されており、第1導電型用分離配線13a、第1導電型用分離配線13b、第2導電型用分離配線12aおよび第2導電型用分離配線12bがそれぞれ位置決め部となっている点に特徴がある。
<Embodiment 3>
In FIG. 10, typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention is shown. In the solar cell having the configuration shown in FIG. 10, a first conductivity type separation wiring 13 a formed by separating a plurality of first conductivity type wirings 13 at one end of the surface of the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10, and The first conductivity type separation wiring 13b is formed, and the second conductivity type wiring 12 is separated into a plurality of parts at the other end of the surface of the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10. An isolation wiring 12a and a second conductivity type isolation wiring 12b are formed. The first conductivity type isolation wiring 13a, the first conductivity type isolation wiring 13b, the second conductivity type isolation wiring 12a and the second conductivity type are formed. The feature is that each of the separation wirings 12b is a positioning portion.

以下、図10に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図10に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8については、実施の形態1と同様にして作製される。   Hereinafter, an example of the manufacturing method of the solar cell having the configuration shown in FIG. 10 will be described. Back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 10 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

また、図10に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10は、たとえば以下のようにして作製することができる。   Moreover, the wiring board 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 10 can be manufactured, for example, as follows.

まず、図11(a)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面上に導電層19を形成した後に、図11(b)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面の導電層19上にレジストパターン15aを形成する。ここで、レジストパターン15aは、第1導電型用配線13、第1導電型用分離配線13a、第1導電型用分離配線13b、第2導電型用配線12、第2導電型用分離配線12aおよび第2導電型用分離配線12bの形成箇所以外の箇所に開口を有するように形成される。   First, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 11A, after forming the conductive layer 19 on the surface of the insulating substrate 11, the insulating property as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. A resist pattern 15 a is formed on the conductive layer 19 on the surface of the substrate 11. Here, the resist pattern 15a includes the first conductivity type wiring 13, the first conductivity type separation wiring 13a, the first conductivity type separation wiring 13b, the second conductivity type wiring 12, and the second conductivity type separation wiring 12a. And it forms so that it may have an opening in locations other than the formation location of the 2nd conductivity type separation wiring 12b.

次に、図11(c)の模式的断面図に示すように、レジストパターン15aから露出している箇所の導電層19を矢印16aの方向に除去することによって導電層19のパターンニングを行なって、第1導電型用配線13、第1導電型用分離配線13a、第1導電型用分離配線13b、第2導電型用配線12、第2導電型用分離配線12aおよび第2導電型用分離配線12bを形成する。ここで、第1導電型用分離配線13aおよび第1導電型用分離配線13bは1対で第1導電型用配線13となり、第2導電型用分離配線12aおよび第2導電型用分離配線12bは1対で第2導電型用配線12となる。   Next, as shown in the schematic sectional view of FIG. 11C, the conductive layer 19 is patterned by removing the conductive layer 19 exposed from the resist pattern 15a in the direction of the arrow 16a. First conductivity type wiring 13, first conductivity type separation wiring 13a, first conductivity type separation wiring 13b, second conductivity type wiring 12, second conductivity type separation wiring 12a, and second conductivity type separation A wiring 12b is formed. Here, the first conductive type separation wiring 13a and the first conductive type separation wiring 13b form a pair of first conductive type wirings 13, and the second conductive type separation wiring 12a and the second conductive type separation wiring 12b. Are a pair of second conductivity type wirings 12.

次に、図11(d)の模式的断面図に示すように、第1導電型用配線13、第1導電型用分離配線13a、第1導電型用分離配線13b、第2導電型用配線12、第2導電型用分離配線12aおよび第2導電型用分離配線12bの表面からレジストパターン15aをすべて除去することによって配線基板10を作製することができる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 11D, the first conductive type wiring 13, the first conductive type separating wiring 13a, the first conductive type separating wiring 13b, and the second conductive type wiring. 12, the wiring substrate 10 can be produced by removing all the resist patterns 15a from the surfaces of the second conductive type separation wiring 12a and the second conductive type separation wiring 12b.

その後、図12の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の端部の第1導電型用電極6が配線基板10の第1導電型用分離配線13aと第1導電型用分離配線13bとの間隙に収まるように設置するとともに、裏面電極型太陽電池8の端部の第2導電型用電極7が配線基板10の第2導電型用分離配線12aと第2導電型用分離配線12bとの間隙に収まるように設置する。これにより、裏面電極型太陽電池8の内部の第1導電型用電極6が配線基板10の内部の第1導電型用配線13と接して電気的に接続され、裏面電極型太陽電池8の内部の第2導電型用電極7が配線基板10の内部の第2導電型用配線12と接して電気的に接続されて、図10に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 12, the first conductivity type electrode 6 at the end of the back electrode type solar cell 8 produced as described above is the first conductivity type separation wiring of the wiring substrate 10. The second conductive type electrode 7 at the end of the back electrode type solar cell 8 is installed in the gap between the first conductive type separated wiring 13b and the second conductive type separated wiring 13b. 12a and the second conductive type separation wiring 12b. As a result, the first conductivity type electrode 6 inside the back electrode type solar cell 8 is in contact with and electrically connected to the first conductivity type wire 13 inside the wiring substrate 10, and the inside of the back electrode type solar cell 8. The second conductivity type electrode 7 is in contact with and electrically connected to the second conductivity type wiring 12 inside the wiring substrate 10 to produce an example of the solar cell of the present invention having the configuration shown in FIG.

以上のようにして作製された本実施の形態の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6が配線基板10の第1導電型用分離配線13aと第1導電型用分離配線13bとの間隙に収まるように設置され、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7が配線基板10の第2導電型用分離配線12aと第2導電型用分離配線12bとの間隙に収まるようにして設置される。   In the solar cell of the present embodiment manufactured as described above, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is connected to the first conductivity type separation wiring 13a of the wiring substrate 10 and the first conductivity type. The second conductive type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is disposed so as to fit in the gap between the second conductive type separated wiring 12a and the second conductive type separated wiring 12b. It is installed to fit in the gap.

したがって、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6を配線基板10の第1導電型用分離配線13aと第1導電型用分離配線13bとの間隙に設置し、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7を配線基板10の第2導電型用分離配線12aと第2導電型用分離配線12bとの間隙に設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、これらの分離配線によって裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, in the present embodiment, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is connected to the first conductivity type separation wiring 13a of the wiring substrate 10 and the first type. The second conductive type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is installed in the gap with the first conductive type separated wiring 13b, and the second conductive type separated wiring 12a and the second conductive type separated wiring 12b of the wiring substrate 10 are used. Therefore, the back electrode type solar cell 8 can be easily aligned, and the back electrode type solar cell 8 is less likely to be misaligned by these separated wirings.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、上記の第1導電型用分離配線13a、第1導電型用分離配線13b、第2導電型用分離配線12aおよび第2導電型用分離配線12bによって裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6および第2導電型用電極7の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Furthermore, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if the member such as the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 expands or contracts due to heating in the subsequent sealing step or the like, The first conductivity type electrode 6 of the back electrode solar cell 8 and the first conductivity type separation wiring 13a, the first conductivity type separation wiring 13b, the second conductivity type separation wiring 12a, and the second conductivity type separation wiring 12b Since the movement of the second conductivity type electrode 7 is hindered, the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、配線基板10の第1導電型用分離配線13a、第1導電型用分離配線13b、第2導電型用分離配線12aおよび第2導電型用分離配線12bがそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   In other words, in the present embodiment, the first conductivity type isolation wiring 13a, the first conductivity type isolation wiring 13b, the second conductivity type isolation wiring 12a, and the second conductivity type isolation wiring 12b of the wiring substrate 10 are respectively provided. The positioning portion determines the relative positional relationship of the back electrode type solar cell 8 with respect to the wiring substrate 10.

なお、上記においては、配線基板10の絶縁性基板11の表面の一方の端部に第1導電型用配線13が分離してなる第1導電型用分離配線13aおよび第1導電型用分離配線13bを形成するとともに、配線基板10の絶縁性基板11の表面の他方の端部に第2導電型用配線12が分離してなる第2導電型用分離配線12aおよび第2導電型用分離配線12bをそれぞれ形成したが、本発明においては、配線基板10の絶縁性基板11の表面上に形成された第1導電型用配線13および第2導電型用配線12の少なくとも1つが分離されて所定の間隙を有する第1導電型用分離配線および/または第2導電型用分離配線となっていればよい。   In the above description, the first conductivity type isolation wiring 13a and the first conductivity type isolation wiring are formed by separating the first conductivity type wiring 13 at one end of the surface of the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10. 13b, and the second conductivity type separation wiring 12a and the second conductivity type separation wiring formed by separating the second conductivity type wiring 12 from the other end of the surface of the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10. In the present invention, at least one of the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring 12 formed on the surface of the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 is separated and predetermined. The first conductivity type separation wiring and / or the second conductivity type separation wiring having a gap of 2 mm may be used.

また、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。   In addition, since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description is omitted here.

<実施の形態4>
図13に、本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図を示す。図13に示す構成の太陽電池においては、配線基板10の絶縁性基板11の表面に凹部が設けられるとともに、絶縁性基板11の表面の凹部に導電性シード層82と金属メッキ層84との積層体からなる第1導電型用配線13および第2導電型用配線12が交互に設けられており、第1導電型用配線13の表面の凹部および第2導電型用配線12の表面の凹部がそれぞれ位置決め部となっている点に特徴がある。
<Embodiment 4>
In FIG. 13, typical sectional drawing of the other example of the solar cell of this invention is shown. In the solar cell having the configuration shown in FIG. 13, a recess is provided on the surface of the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10, and a conductive seed layer 82 and a metal plating layer 84 are stacked in the recess on the surface of the insulating substrate 11. The first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12 made of a body are alternately provided, and the concave portion on the surface of the first conductive type wiring 13 and the concave portion on the surface of the second conductive type wiring 12 are provided. Each is characterized by a positioning part.

以下、図13に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図13に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8については、実施の形態1と同様にして作製される。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIG. 13 will be described. The back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 13 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

また、図13に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10は、たとえば以下のようにして作製することができる。   Moreover, the wiring board 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 13 can be manufactured as follows, for example.

まず、図14(a)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面に型押し機81を押し付けることによって、絶縁性基板11の表面に窪みである凹部11aを形成する。この例においては、凹部11aが、たとえば図14(a)の紙面の裏側に向かう帯状に形成されるが、この形状に限定されるものではない。   First, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 14A, a depression 11 a that is a depression is formed on the surface of the insulating substrate 11 by pressing the embossing machine 81 against the surface of the insulating substrate 11. In this example, the concave portion 11a is formed in a band shape toward the back side of the paper surface of FIG. 14A, for example, but is not limited to this shape.

次に、図14(b)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面に導電性シード層82を形成する。ここで、導電性シード層82は、たとえばPVD(Physical Vapor Deposition)法または無電解メッキ法などによって金属などの導電体膜を絶縁性基板11の表面に積層することによって形成することができる。また、導電性シード層82の材質は、導電性物質であれば特に限定されない。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 14B, a conductive seed layer 82 is formed on the surface of the insulating substrate 11. Here, the conductive seed layer 82 can be formed by laminating a conductive film such as a metal on the surface of the insulating substrate 11 by, for example, a PVD (Physical Vapor Deposition) method or an electroless plating method. The material of the conductive seed layer 82 is not particularly limited as long as it is a conductive substance.

次に、図14(c)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面の凹部11aに対応する箇所に開口部を有するレジストパターン83を形成する。なお、レジストパターン83に関する説明は、実施の形態1のレジストパターン15aに関する説明と同様であるため、ここでは省略する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 14C, a resist pattern 83 having openings at positions corresponding to the recesses 11a on the surface of the insulating substrate 11 is formed. Note that the description of the resist pattern 83 is the same as the description of the resist pattern 15a of the first embodiment, and is omitted here.

次に、図14(d)の模式的断面図に示すように、導電性シード層82上にたとえば銅などの金属をメッキして金属メッキ層84を形成する。ここでは、導電性シード層82上に金属メッキ層84を形成しているが、金属メッキ層84の代わりに、導電性物質からなる導電層を導電性シード層82上に形成してもよい。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 14D, a metal plating layer 84 is formed on the conductive seed layer 82 by plating a metal such as copper. Although the metal plating layer 84 is formed on the conductive seed layer 82 here, a conductive layer made of a conductive material may be formed on the conductive seed layer 82 instead of the metal plating layer 84.

次に、図14(e)の模式的断面図に示すように、レジストパターン83をすべて除去することによって絶縁性基板11の表面上に、導電性シード層82と金属メッキ層84との積層体からなる第1導電型用配線13および第2導電型用配線12が形成された配線基板10を作製することができる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 14E, a laminate of the conductive seed layer 82 and the metal plating layer 84 is formed on the surface of the insulating substrate 11 by removing the resist pattern 83. The wiring substrate 10 on which the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12 made of the above are formed can be manufactured.

その後、図15の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の端部の第1導電型用電極6が配線基板10の第1導電型用配線13の表面の凹部の窪みの中に収まるように設置され、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7が配線基板10の第2導電型用配線12の表面の凹部の窪みの中に収まるようにして設置される。これにより、裏面電極型太陽電池8の内部の第1導電型用電極6が配線基板10の内部の第1導電型用配線13と接して電気的に接続され、裏面電極型太陽電池8の内部の第2導電型用電極7が配線基板10の内部の第2導電型用配線12と接して電気的に接続されて、図13に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 15, the first conductivity type electrode 6 at the end of the back electrode type solar cell 8 produced as described above is connected to the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10. The second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is placed in the recess of the surface of the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10. Installed to fit. As a result, the first conductivity type electrode 6 inside the back electrode type solar cell 8 is in contact with and electrically connected to the first conductivity type wire 13 inside the wiring substrate 10, and the inside of the back electrode type solar cell 8. The second conductivity type electrode 7 is in contact with and electrically connected to the second conductivity type wiring 12 inside the wiring substrate 10 to produce an example of the solar cell of the present invention having the configuration shown in FIG.

以上のようにして作製された太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6が、配線基板10の第1導電型用配線13の表面の凹部の窪みの中に収まるように設置され、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7が、配線基板10の第2導電型用配線12の表面の凹部の窪みの中に収まるようにして設置される。   In the solar cell manufactured as described above, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 fits in the recess of the recess of the surface of the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10. The second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is installed so as to fit in the recess of the recess on the surface of the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10.

したがって、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6を配線基板10の第1導電型用配線13の表面の凹部の窪みに設置し、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7を配線基板10の第2導電型用配線12の表面の凹部の窪みに設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12のそれぞれの表面の凹部により裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is installed in the recess of the concave portion on the surface of the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10, Since the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 only needs to be installed in the recess of the surface of the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10, the alignment of the back electrode type solar cell 8 is easy. In addition, the back electrode solar cell 8 is less likely to be misaligned by the concave portions on the surfaces of the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring 12.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、上記凹部の側壁によって裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6および第2導電型用電極7の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Furthermore, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if a member such as the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 expands or contracts due to heating in a subsequent sealing step or the like, Since the movement of the first conductive type electrode 6 and the second conductive type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is hindered by the side wall, the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、配線基板10の第1導電型用配線13の表面の凹部および第2導電型用配線12の表面の凹部がそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the concave portion on the surface of the first conductive type wiring 13 and the concave portion on the surface of the second conductive type wiring 12 of the wiring substrate 10 are respectively formed on the wiring substrate 10 of the back electrode type solar cell 8. It becomes a positioning part that determines the relative positional relationship.

なお、上記においては、配線基板10の第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面の双方に凹部を形成したが、第1導電型用配線13の表面または第2導電型用配線12の表面のいずれか一方にのみ凹部を形成してもよい。   In the above description, the concave portions are formed on both the surface of the first conductivity type wiring 13 and the surface of the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10. The recess may be formed only on one of the surfaces of the conductive type wiring 12.

また、上記においては、配線基板10のすべての第1導電型用配線13の表面およびすべての第2導電型用配線12の表面にそれぞれ凹部を形成したが、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12の少なくとも1つの表面に凹部が形成されていればよい。   In the above description, the concave portions are formed on the surfaces of all the first conductivity type wires 13 and all the second conductivity type wires 12 of the wiring board 10. It is sufficient that a recess is formed on at least one surface of the two-conductivity type wiring 12.

また、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。   In addition, since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description is omitted here.

<実施の形態5>
図16に、本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図を示す。図16に示す構成の太陽電池においては、配線基板10の第1導電型用配線13と第2導電型用配線12との間のそれぞれの領域に裏面電極型太陽電池8側に突出して図16の紙面の表面側および/または裏面側に向かって伸びる絶縁性の凸部101が位置決め部となっている点に特徴がある。
<Embodiment 5>
FIG. 16 shows a schematic cross-sectional view of another example of the solar cell of the present invention. In the solar cell having the configuration shown in FIG. 16, each region between the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10 protrudes toward the back electrode type solar cell 8 side. There is a feature in that the insulating convex portion 101 extending toward the front surface side and / or the back surface side of the paper is a positioning portion.

以下、図16に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図16に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8については、実施の形態1と同様にして作製される。   Hereinafter, an example of the manufacturing method of the solar cell having the configuration shown in FIG. 16 will be described. The back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 16 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

また、図16に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10は、たとえば以下のようにして作製することができる。   Moreover, the wiring board 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 16 can be manufactured, for example, as follows.

まず、図17(a)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面上に導電層19を形成した後に、図17(b)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面の導電層19上にレジストパターン15aを形成する。   First, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 17A, after forming the conductive layer 19 on the surface of the insulating substrate 11, the insulating property as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. A resist pattern 15 a is formed on the conductive layer 19 on the surface of the substrate 11.

次に、図17(c)の模式的断面図に示すように、レジストパターン15aから露出している箇所の導電層19を矢印16aの方向に除去することによって導電層19のパターンニングを行なって第1導電型用配線13および第2導電型用配線12を形成した後に、図17(d)の模式的断面図に示すように、第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面からレジストパターン15aをすべて除去する。ここまでの工程は、実施の形態1と同様である。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 17C, the conductive layer 19 is patterned by removing the conductive layer 19 exposed from the resist pattern 15a in the direction of the arrow 16a. After forming the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring 12, as shown in the schematic sectional view of FIG. 17D, the surface of the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring The resist pattern 15a is completely removed from the surface of the wiring 12. The steps so far are the same as those in the first embodiment.

次に、図17(e)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面における第1導電型用配線13と第2導電型用配線12との間の領域にそれぞれ絶縁性の凸部101を形成することによって、配線基板10が作製される。ここで、絶縁性の凸部101は、絶縁性物質からなり、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12のそれぞれよりも背が高く形成されるものであれば特に限定されないが、たとえば、ガラスを含むペースト状のガラスペーストや絶縁性のレジストなどをたとえばスクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布した後に紫外線照射または加熱などの処理によって硬化させたものなどを用いることができる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 17 (e), insulative regions are formed in regions between the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12 on the surface of the insulating substrate 11. By forming the convex portion 101, the wiring substrate 10 is manufactured. Here, the insulating convex portion 101 is not particularly limited as long as it is made of an insulating material and is formed taller than each of the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12. For example, a paste-like glass paste containing glass or an insulating resist is applied by a method such as screen printing, dispenser application or inkjet application, and then cured by treatment such as ultraviolet irradiation or heating. Can do.

その後、図18の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6が配線基板10の隣り合う絶縁性の凸部101の間に収まるように設置するとともに、第2導電型用電極7が配線基板10の隣り合う絶縁性の凸部101の間に収まるように設置することによって、図16に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 18, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 produced as described above is located between the adjacent insulating projections 101 of the wiring substrate 10. 16 and the second conductivity type electrode 7 so as to fit between the adjacent insulating projections 101 of the wiring board 10, so that the solar cell of the present invention having the configuration shown in FIG. An example is made.

以上のようにして作製された本実施の形態の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6が配線基板10の隣り合う絶縁性の凸部101の間に収まるように設置され、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7が配線基板10の隣り合う絶縁性の凸部101の間に収まるようにして設置される。   In the solar cell according to the present embodiment manufactured as described above, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 fits between the adjacent insulating projections 101 of the wiring board 10. The second conductive type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is installed so as to be fitted between the adjacent insulating convex portions 101 of the wiring board 10.

したがって、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6を配線基板10の隣り合う絶縁性の凸部101の間に収まるように設置し、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7を配線基板10の隣り合う絶縁性の凸部101の間に収まるように設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、凸部101によって裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, in the present embodiment, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is disposed between the adjacent insulating projections 101 of the wiring board 10. So that the second conductive type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 can be installed between the adjacent insulating projections 101 of the wiring substrate 10. The alignment of the battery 8 is facilitated, and the back electrode solar cell 8 is less likely to be misaligned by the convex portion 101.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、上記凸部101によって裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6および第2導電型用電極7の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Furthermore, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if the member such as the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 expands or contracts due to heating in the subsequent sealing step or the like, the convex portion Since the movement of the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is hindered by 101, the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、配線基板10の凸部101がそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the convex portions 101 of the wiring substrate 10 are positioning portions that determine the relative positional relationship of the back electrode solar cell 8 with respect to the wiring substrate 10.

なお、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。   Since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description is omitted here.

<実施の形態6>
図19に、本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図を示す。図19に示す構成の太陽電池においては、配線基板10の第1導電型用配線13と第2導電型用配線12との間のそれぞれの領域に裏面電極型太陽電池8側に突出して図19の紙面の表面側および/または裏面側に向かって伸びる絶縁性の凸部101が位置決め部となっており、第1導電型用配線13の表面の一部および第2導電型用配線12の表面の一部がそれぞれ凸部101で覆われている点に特徴がある。
<Embodiment 6>
FIG. 19 shows a schematic cross-sectional view of another example of the solar cell of the present invention. In the solar cell having the configuration shown in FIG. 19, each region of the wiring substrate 10 between the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring 12 protrudes toward the back electrode type solar cell 8 side. Insulating convex portions 101 extending toward the front surface side and / or the back surface side of the paper surface serve as positioning portions, and a part of the surface of the first conductivity type wiring 13 and the surface of the second conductivity type wiring 12 Is characterized in that a part of each is covered with a convex portion 101.

以下、図19に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図19に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8については、実施の形態1と同様にして作製される。   Hereinafter, an example of the manufacturing method of the solar cell having the configuration shown in FIG. 19 will be described. The back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 19 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

また、図19に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10は、たとえば図20(a)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面における第1導電型用配線13と第2導電型用配線12との間の領域の絶縁性の凸部101が第1導電型用配線13の表面の一部および第2導電型用配線12の表面の一部をそれぞれ覆うように形成することによって配線基板10が作製される。   In addition, the wiring substrate 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 19 includes the first conductive type wiring 13 and the first wiring 13 on the surface of the insulating substrate 11 as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. Insulating protrusions 101 in the region between the two-conductivity-type wirings 12 are formed so as to cover part of the surface of the first-conductivity-type wiring 13 and part of the surface of the second-conductivity-type wiring 12. Thus, the wiring board 10 is manufactured.

その後、図20(b)の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6が配線基板10の隣り合う絶縁性の凸部101の間に収まるように設置するとともに、第2導電型用電極7が配線基板10の隣り合う絶縁性の凸部101の間に収まるように設置することによって、図19に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   After that, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 20B, the first conductive type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 produced as described above is adjacent to the insulating convex portion of the wiring board 10. 19, the second conductive type electrode 7 is installed so as to be accommodated between the adjacent insulating convex portions 101 of the wiring board 10, thereby the present invention having the configuration shown in FIG. 19. An example of a solar cell is produced.

以上のようにして作製された本実施の形態の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6が配線基板10の隣り合う絶縁性の凸部101の間に収まるように設置され、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7が配線基板10の隣り合う絶縁性の凸部101の間に収まるようにして設置される。   In the solar cell according to the present embodiment manufactured as described above, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 fits between the adjacent insulating projections 101 of the wiring board 10. The second conductive type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is installed so as to be fitted between the adjacent insulating convex portions 101 of the wiring board 10.

したがって、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6を配線基板10の隣り合う絶縁性の凸部101の間に収まるように設置し、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7を配線基板10の隣り合う絶縁性の凸部101の間に収まるように設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、凸部101によって裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, in the present embodiment, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is disposed between the adjacent insulating projections 101 of the wiring board 10. So that the second conductive type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 can be installed between the adjacent insulating projections 101 of the wiring substrate 10. The alignment of the battery 8 is facilitated, and the back electrode solar cell 8 is less likely to be misaligned by the convex portion 101.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、上記凸部101によって裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6および第2導電型用電極7の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Furthermore, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if the member such as the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 expands or contracts due to heating in the subsequent sealing step or the like, the convex portion Since the movement of the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is hindered by 101, the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、配線基板10の凸部101がそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the convex portions 101 of the wiring substrate 10 are positioning portions that determine the relative positional relationship of the back electrode solar cell 8 with respect to the wiring substrate 10.

なお、上記においては、すべての第1導電型用配線13の表面の一部およびすべての第2導電型用配線12の表面の一部がそれぞれ凸部101で覆われているが、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12の少なくとも1つの表面の一部が凸部101で覆われていればよい。   In the above, a part of the surface of all the first conductivity type wirings 13 and a part of the surface of all the second conductivity type wirings 12 are covered with the convex portions 101, respectively. It is only necessary that at least one surface of the mold wiring 13 and the second conductivity type wiring 12 is covered with the convex portion 101.

また、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1および実施の形態5と同様であるため、ここでは説明を省略する。   In addition, since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first and fifth embodiments, the description thereof is omitted here.

<実施の形態7>
図21に、本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図を示す。図21に示す構成の太陽電池においては、配線基板10の第1導電型用配線13と第2導電型用配線12との間の一部の領域において裏面電極型太陽電池8側に突出して図21の紙面の表面側および/または裏面側に向かって伸びる絶縁性の凸部101が位置決め部となっており、絶縁性の凸部101に隣接する第1導電型用配線13の表面の一部および第2導電型用配線12の表面の一部がそれぞれ凸部101で覆われている点に特徴がある。
<Embodiment 7>
FIG. 21 shows a schematic cross-sectional view of another example of the solar cell of the present invention. In the solar cell having the configuration shown in FIG. 21, a part of the wiring substrate 10 between the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring 12 projects toward the back electrode type solar cell 8 side. Insulating convex portions 101 extending toward the front surface side and / or the back surface side of the paper surface 21 are positioning portions, and a part of the surface of the first conductive type wiring 13 adjacent to the insulating convex portion 101 is used. Further, the second conductive type wiring 12 is characterized in that a part of the surface is covered with the convex portion 101.

以下、図21に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図21に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8については、実施の形態1と同様にして作製される。   Hereinafter, an example of the manufacturing method of the solar cell having the configuration shown in FIG. 21 will be described. The back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 21 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

また、図21に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10は、たとえば図22(a)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面における第1導電型用配線13と第2導電型用配線12との間の領域の絶縁性の凸部101が第1導電型用配線13の表面の一部および第2導電型用配線12の表面の一部をそれぞれ覆うように形成するとともに、第1導電型用配線13と第2導電型用配線12との間に絶縁性の凸部101が形成されない領域を設けることによって配線基板10が作製される。   In addition, the wiring substrate 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 21 includes the first conductive type wiring 13 and the first wiring 13 on the surface of the insulating substrate 11 as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. Insulating protrusions 101 in the region between the two-conductivity-type wirings 12 are formed so as to cover part of the surface of the first-conductivity-type wiring 13 and part of the surface of the second-conductivity-type wiring 12. In addition, the wiring substrate 10 is manufactured by providing a region where the insulating convex portion 101 is not formed between the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12.

その後、図22(b)の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の隣り合う第1導電型用電極6と第2導電型用電極7との間に配線基板10の絶縁性の凸部101が収まるように設置することによって、図21に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   After that, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 22B, the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 produced as described above are adjacent to each other. The solar cell of the present invention having the configuration shown in FIG. 21 is manufactured by placing the insulating projections 101 of the wiring board 10 so as to be accommodated therebetween.

以上のようにして作製された本実施の形態の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の隣り合う第1導電型用電極6と第2導電型用電極7との間に絶縁性の凸部101が収まるように設置され設置される。   In the solar cell of the present embodiment manufactured as described above, an insulating projection is provided between the first conductive type electrode 6 and the second conductive type electrode 7 adjacent to each other in the back electrode type solar cell 8. The unit 101 is installed and installed so as to be accommodated.

したがって、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の隣り合う第1導電型用電極6と第2導電型用電極7との間に配線基板10の絶縁性の凸部101が収まるように設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、絶縁性の凸部101により裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, in the present embodiment, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the wiring is provided between the adjacent first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8. Since it is sufficient that the insulating convex portion 101 of the substrate 10 is accommodated, the alignment of the back electrode solar cell 8 is facilitated, and the positional deviation of the back electrode solar cell 8 by the insulating convex portion 101 is facilitated. Is less likely to occur.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、上記凸部101によって裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6および第2導電型用電極7の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Furthermore, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if the member such as the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 expands or contracts due to heating in the subsequent sealing step or the like, the convex portion Since the movement of the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is hindered by 101, the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、配線基板10の凸部101がそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the convex portions 101 of the wiring substrate 10 are positioning portions that determine the relative positional relationship of the back electrode solar cell 8 with respect to the wiring substrate 10.

なお、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1、実施の形態5および実施の形態6と同様であるため、ここでは説明を省略する。   Note that the description of the present embodiment other than the above is the same as that of the first embodiment, the fifth embodiment, and the sixth embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

<実施の形態8>
図23に、本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図を示す。図23に示す構成の太陽電池においては、配線基板10の端部において裏面電極型太陽電池8側に突出して図23の紙面の表面側および/または裏面側に向かって伸びる絶縁性の凸部101が位置決め部となっており、絶縁性の凸部101に隣接する第1導電型用配線13の表面の一部および第2導電型用配線12の表面の一部がそれぞれ絶縁性の凸部101で覆われている点に特徴がある。
<Eighth embodiment>
In FIG. 23, typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention is shown. In the solar cell having the configuration shown in FIG. 23, an insulating convex portion 101 that protrudes toward the back electrode type solar cell 8 at the end of the wiring substrate 10 and extends toward the front surface side and / or the back surface side of FIG. Is a positioning portion, and a part of the surface of the first conductive type wiring 13 adjacent to the insulating convex part 101 and a part of the surface of the second conductive type wiring 12 are insulated convex parts 101, respectively. It is characterized by being covered with.

以下、図23に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図23に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8については、実施の形態1と同様にして作製される。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIG. 23 will be described. The back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 23 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

また、図23に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10は、たとえば図24(a)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面の両端部のみに、第1導電型用配線13の表面の一部および第2導電型用配線12の表面の一部をそれぞれ覆うように絶縁性の凸部101を形成することによって配線基板10が作製される。   In addition, the wiring substrate 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 23 has the first conductivity type only at both ends of the surface of the insulating substrate 11, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. The wiring substrate 10 is manufactured by forming the insulating convex portions 101 so as to cover a part of the surface of the wiring 13 for use and a part of the surface of the wiring 12 for the second conductivity type.

その後、図24(b)の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8のすべての第1導電型用電極6およびすべての第2導電型用電極7が、配線基板10の両端の絶縁性の凸部101の間に収まるように設置することによって、図23に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 24B, all the first conductivity type electrodes 6 and all the second conductivity type electrodes 7 of the back electrode type solar cell 8 produced as described above. However, the solar cell of the present invention having the configuration shown in FIG. 23 is manufactured by installing the wiring board 10 so as to fit between the insulating convex portions 101 at both ends.

以上のようにして作製された本実施の形態の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8のすべての第1導電型用電極6およびすべての第2導電型用電極7が配線基板10の両端の絶縁性の凸部101の間に収まるように設置される。   In the solar cell of the present embodiment manufactured as described above, all the first conductivity type electrodes 6 and all the second conductivity type electrodes 7 of the back electrode type solar cell 8 are connected to both ends of the wiring substrate 10. It installs so that it may be settled between the insulating convex parts 101.

したがって、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8のすべての第1導電型用電極6およびすべての第2導電型用電極7が配線基板10の両端の絶縁性の凸部101の間に収まるように設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, in the present embodiment, when the back electrode type solar cell 8 is installed, all the first conductivity type electrodes 6 and all the second conductivity type electrodes 7 of the back electrode type solar cell 8 are connected to the wiring board. 10 so that the back electrode solar cell 8 can be easily positioned and misalignment of the back electrode solar cell 8 is less likely to occur. .

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、上記凸部101によって裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6および第2導電型用電極7の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Furthermore, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if the member such as the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 expands or contracts due to heating in the subsequent sealing step or the like, the convex portion Since the movement of the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is hindered by 101, the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、配線基板10の凸部101がそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the convex portions 101 of the wiring substrate 10 are positioning portions that determine the relative positional relationship of the back electrode solar cell 8 with respect to the wiring substrate 10.

なお、本実施の形態においては、絶縁性の凸部101の代わりに導電性の凸部101を用いてもよい。   In the present embodiment, the conductive convex portion 101 may be used instead of the insulating convex portion 101.

また、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1、実施の形態5および実施の形態6と同様であるため、ここでは説明を省略する。   In addition, since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the fifth embodiment, and the sixth embodiment, the description thereof is omitted here.

<実施の形態9>
図25に、本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図を示す。図25に示す構成の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の半導体基板1の裏面のパッシベーション膜4の表面上の第1導電型用電極6と第2導電型用電極7との間の領域に半導体基板1側とは反対側に突出する絶縁性の凸部151が設置されており、絶縁性の凸部151が位置決め部となっている点に特徴がある。
<Embodiment 9>
FIG. 25 shows a schematic cross-sectional view of another example of the solar cell of the present invention. In the solar cell having the configuration shown in FIG. 25, the gap between the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 on the surface of the passivation film 4 on the back surface of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8. The region is provided with an insulating convex portion 151 that protrudes on the side opposite to the semiconductor substrate 1 side, and the insulating convex portion 151 is a positioning portion.

以下、図25に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図25に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10については、実施の形態1と同様にして作製される。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIG. 25 will be described. Wiring substrate 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 25 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

また、図25に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8は、たとえば図26(a)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面のパッシベーション膜4の表面上に絶縁性の凸部151を形成して作製される。   Further, the back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 25 is formed on the surface of the passivation film 4 on the back surface of the semiconductor substrate 1 as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. Insulating projections 151 are formed.

ここで、凸部151は、絶縁性物質からなり、第1導電型用電極6および第2導電型用電極7よりも背が高く形成されるものであれば特に限定されないが、たとえば、ガラスを含むペースト状のガラスペーストや絶縁性のレジストなどをたとえばスクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布した後に紫外線照射または加熱などの処理によって硬化させたものなどを用いることができる。   Here, the convex portion 151 is not particularly limited as long as it is made of an insulating material and is formed taller than the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7. For example, a paste-like glass paste, an insulating resist, or the like, which has been applied by a method such as screen printing, dispenser application, or inkjet application, and then cured by a process such as ultraviolet irradiation or heating can be used.

その後、図26(b)の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6を配線基板10の第1導電型用配線13上に接するようにして設置し、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7を配線基板10の第2導電型用配線12上に接するようにして設置することによって、図25に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 26B, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 produced as described above is used as the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10. FIG. 25 shows that the second conductive type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is placed so as to be in contact with the second conductive type wiring 12 of the wiring substrate 10. An example of the solar cell of the present invention having the configuration is produced.

以上のようにして作製された本実施の形態の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の半導体基板1の裏面側の凸部151が、配線基板10の第1導電型用配線13と第2導電型用配線12との間の間隙に収まるように設置される。   In the solar cell of the present embodiment manufactured as described above, the convex portion 151 on the back surface side of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8 is connected to the first conductivity type wiring 13 and the first wiring 13 of the wiring substrate 10. It is installed so as to fit in the gap between the two conductivity type wirings 12.

したがって、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の半導体基板1の裏面側の凸部151を、配線基板10の第1導電型用配線13と第2導電型用配線12との間の間隙に収まるように設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、凸部151によって裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, in the present embodiment, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the convex portion 151 on the back side of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8 is replaced with the first conductive type wiring of the wiring substrate 10. 13 and the second conductive type wiring 12 may be installed so as to fit in the gap, and thus the positioning of the back electrode solar cell 8 is facilitated, and the convex portion 151 allows the back electrode solar cell 8 to be aligned. Misalignment is less likely to occur.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、上記凸部151によって配線基板10の第1導電型用配線13と第2導電型用配線12の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Furthermore, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if the member such as the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 expands or contracts due to heating in the subsequent sealing step or the like, the convex portion Since the movement of the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12 of the wiring substrate 10 is hindered by 151, the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の凸部151が、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the convex portion 151 of the back electrode type solar cell 8 serves as a positioning portion that determines the relative positional relationship of the back electrode type solar cell 8 with respect to the wiring substrate 10.

なお、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。   Since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description is omitted here.

<実施の形態10>
図27に、本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図を示す。図27に示す構成の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の裏面の第1導電型用電極6の表面に形成された凹部および第2導電型用電極7の表面に形成された凹部が位置決め部となっている点に特徴がある。
<Embodiment 10>
FIG. 27 shows a schematic cross-sectional view of another example of the solar cell of the present invention. In the solar cell having the configuration shown in FIG. 27, there are a recess formed on the surface of the first conductivity type electrode 6 on the back surface of the back electrode type solar cell 8 and a recess formed on the surface of the second conductivity type electrode 7. It is characterized in that it is a positioning part.

以下、図27に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図27に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10については、実施の形態1と同様にして作製される。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIG. 27 will be described. The wiring substrate 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 27 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

また、図27に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8は、たとえば以下のようにして作製することができる。   Moreover, the back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 27 can be manufactured, for example, as follows.

まず、図28(a)の模式的断面図に示すように、たとえばインゴットからスライスすることなどによって半導体基板1の表面にスライスダメージ1aが形成された半導体基板1を用意し、図28(b)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の表面のスライスダメージ1aを除去する。   First, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 28A, a semiconductor substrate 1 is prepared in which slice damage 1a is formed on the surface of the semiconductor substrate 1, for example, by slicing from an ingot. As shown in the schematic cross-sectional view, the slice damage 1a on the surface of the semiconductor substrate 1 is removed.

次に、図28(c)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面に、第1導電型不純物拡散領域2および第2導電型不純物拡散領域3をそれぞれ形成し、図28(d)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面にパッシベーション膜4を形成する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 28C, the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3 are respectively formed on the back surface of the semiconductor substrate 1, and FIG. As shown in the schematic sectional view of d), a passivation film 4 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1.

次に、図28(e)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の受光面の全面にテクスチャ構造などの凹凸構造を形成した後に、その凹凸構造上に反射防止膜5を形成する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 28E, after forming an uneven structure such as a texture structure on the entire light receiving surface of the semiconductor substrate 1, an antireflection film 5 is formed on the uneven structure. .

次に、図28(f)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面のパッシベーション膜4の一部を除去することによってコンタクトホール4aおよびコンタクトホール4bを形成する。ここまでの工程は実施の形態1と同様である。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 28 (f), the contact hole 4 a and the contact hole 4 b are formed by removing a part of the passivation film 4 on the back surface of the semiconductor substrate 1. The steps so far are the same as those in the first embodiment.

次に、図28(g)の模式的断面図に示すように、コンタクトホール4aを通して第1導電型不純物拡散領域2に接する第1導電型用電極6と、コンタクトホール4bを通して第2導電型不純物拡散領域3に接する第2導電型用電極7とを形成して、裏面電極型太陽電池8を作製する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 28G, the first conductivity type electrode 6 in contact with the first conductivity type impurity diffusion region 2 through the contact hole 4a and the second conductivity type impurity through the contact hole 4b. A second conductivity type electrode 7 in contact with the diffusion region 3 is formed, and a back electrode type solar cell 8 is produced.

ここで、第1導電型用電極6の表面の凹部および第2導電型用電極7の表面の凹部はそれぞれ、たとえば銅などの金属を含む金属ペーストを塗布し、金属ペーストのダレを利用して、塗布された金属ペーストの表面に窪みを形成した後に、乾燥させることによって形成することができる。なお、金属ペーストとしては、たとえば、金属を含むペースト状のものを用いることができ、金属ペーストは、たとえば、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布することができる。   Here, each of the recesses on the surface of the first conductivity type electrode 6 and the recesses on the surface of the second conductivity type electrode 7 is applied with a metal paste containing a metal such as copper, and the sagging of the metal paste is used. After forming a depression on the surface of the applied metal paste, it can be formed by drying. In addition, as a metal paste, the paste-form thing containing a metal can be used, for example, and a metal paste can be apply | coated by methods, such as screen printing, dispenser application | coating, or inkjet application | coating, for example.

その後、図29の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6を配線基板10の第1導電型用配線13上に接するようにして設置し、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7を配線基板10の第2導電型用配線12上に接するようにして設置することによって、図27に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 29, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 produced as described above is brought into contact with the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10. 27, the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is installed so as to be in contact with the second conductivity type wiring 12 of the wiring board 10, and the book having the configuration shown in FIG. An example of the inventive solar cell is made.

以上のようにして作製された本実施の形態の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6の表面の凹部の窪みに配線基板10の第1導電型用配線13を収めるようにして設置され、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7の表面の凹部の窪みに配線基板10の第2導電型用配線12を収めるようにして設置される。   In the solar cell of the present embodiment manufactured as described above, the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10 is recessed in the recess of the surface of the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8. And the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10 is installed in the recess of the concave portion on the surface of the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8.

したがって、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6の表面の凹部の窪みに配線基板10の第1導電型用配線13を収めるようにして設置し、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7の表面の凹部の窪みに配線基板10の第2導電型用配線12を収めるようにして設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、第1導電型用電極6の表面の凹部および第2導電型用電極7の表面の凹部により、裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, in the present embodiment, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the first conductivity type of the wiring substrate 10 is recessed in the recess of the surface of the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8. The wiring 13 is placed so as to be accommodated, and the second conductivity type wiring 12 of the wiring substrate 10 is placed in the recess of the concave portion on the surface of the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8. Therefore, the positioning of the back electrode solar cell 8 is facilitated, and the back electrode solar cell 8 is formed by the recesses on the surface of the first conductivity type electrode 6 and the recesses on the surface of the second conductivity type electrode 7. The positional deviation is less likely to occur.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6の表面の凹部および第2導電型用電極7の表面の凹部によって配線基板10の第1導電型用電極6と第2導電型用電極7の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Further, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if a member such as the insulating substrate 11 of the wiring board 10 expands or contracts due to heating in a subsequent sealing process or the like, the back electrode type solar cell 8 is provided. The first conductive type electrode 6 and the second conductive type electrode 7 of the wiring substrate 10 are moved by the concave portion on the surface of the first conductive type electrode 6 of the solar cell 8 and the concave portion of the surface of the second conductive type electrode 7. Therefore, the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6の表面の凹部および第2導電型用電極7の表面の凹部がそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the recesses on the surface of the first conductivity type electrode 6 and the recesses on the surface of the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 are respectively connected to the wiring of the back electrode type solar cell 8. This is a positioning unit that determines the relative positional relationship with respect to the substrate 10.

なお、上記においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6の表面および裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7の表面の双方に凹部を形成したが、第1導電型用電極6の表面または第2導電型用電極7の表面のいずれか一方にのみ凹部を形成してもよい。   In the above description, the concave portions are formed on both the surface of the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 and the surface of the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8. You may form a recessed part only in either one of the surface of the electrode 6 for conductivity types, or the surface of the electrode 7 for 2nd conductivity types.

また、上記においては、裏面電極型太陽電池8のすべての第1導電型用電極6および第2導電型用電極7の表面にそれぞれ凹部を形成したが、第1導電型用電極6および第2導電型用電極7の少なくとも1つの表面に凹部が形成されていればよい。   Moreover, in the above, although the recessed part was formed in the surface of all the electrodes 6 and 2 for the 2nd conductivity type 7 of the back electrode type solar cell 8, respectively, the electrode 6 for the 1st conductivity type and the 2nd It is sufficient that a recess is formed on at least one surface of the conductivity type electrode 7.

なお、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。   Since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description is omitted here.

<実施の形態11>
図30に、本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図を示す。図30に示す構成の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の裏面の第1導電型用電極が複数に分離してなる第1導電型用分離電極6aおよび第1導電型用分離電極6b、ならびに裏面電極型太陽電池8の裏面の第2導電型用電極が複数に分離してなる第2導電型用分離電極7aおよび第2導電型用分離電極7bが位置決め部となっている点に特徴がある。
<Embodiment 11>
FIG. 30 shows a schematic cross-sectional view of another example of the solar cell of the present invention. In the solar cell having the configuration shown in FIG. 30, the first conductivity type separation electrode 6a and the first conductivity type separation electrode 6b formed by separating the first conductivity type electrode on the back surface of the back electrode type solar cell 8 into a plurality of pieces. In addition, the second conductivity type separation electrode 7a and the second conductivity type separation electrode 7b formed by separating the second conductivity type electrode on the back surface of the back electrode type solar cell 8 into a plurality of portions serve as positioning portions. There are features.

以下、図30に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図30に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10については、実施の形態1と同様にして作製される。   Hereinafter, an example of the manufacturing method of the solar cell having the configuration shown in FIG. 30 will be described. Wiring substrate 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 30 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

また、図30に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8は、たとえば以下のようにして作製することができる。   Moreover, the back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 30 can be manufactured, for example, as follows.

まず、図31(a)の模式的断面図に示すように、たとえばインゴットからスライスすることなどによって、半導体基板1の表面にスライスダメージ1aが形成された半導体基板1を用意し、図31(b)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の表面のスライスダメージ1aを除去する。   First, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 31A, a semiconductor substrate 1 in which slice damage 1a is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 by, for example, slicing from an ingot is prepared, and FIG. ), The slice damage 1a on the surface of the semiconductor substrate 1 is removed.

次に、図31(c)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面に、第1導電型不純物拡散領域2と第2導電型不純物拡散領域3とをそれぞれ交互に形成し、図31(d)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面にパッシベーション膜4を形成する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 31C, the first conductivity type impurity diffusion regions 2 and the second conductivity type impurity diffusion regions 3 are alternately formed on the back surface of the semiconductor substrate 1, respectively. As shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 31D, a passivation film 4 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1.

次に、図31(e)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の受光面の全面にテクスチャ構造などの凹凸構造を形成した後に、その凹凸構造上に反射防止膜5を形成する。ここまでの工程は実施の形態1と同様である。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 31 (e), after forming an uneven structure such as a texture structure on the entire light receiving surface of the semiconductor substrate 1, an antireflection film 5 is formed on the uneven structure. . The steps so far are the same as those in the first embodiment.

次に、図31(f)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面のパッシベーション膜4の一部を除去することによってコンタクトホール4aおよびコンタクトホール4bを形成する。ここで、コンタクトホール4aは、第1導電型用分離電極6aおよび第1導電型用分離電極6bのそれぞれの形状に第1導電型不純物拡散領域2の表面が露出するように形成され、コンタクトホール4bは、第2導電型用分離電極7aおよび第2導電型用分離電極7bのそれぞれの形状に第2導電型不純物拡散領域3の表面が露出するように形成される。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 31 (f), the contact hole 4 a and the contact hole 4 b are formed by removing a part of the passivation film 4 on the back surface of the semiconductor substrate 1. Here, the contact hole 4a is formed so that the surface of the first conductivity type impurity diffusion region 2 is exposed in the shape of each of the first conductivity type separation electrode 6a and the first conductivity type separation electrode 6b. 4b is formed such that the surface of the second conductivity type impurity diffusion region 3 is exposed in the shape of each of the second conductivity type separation electrode 7a and the second conductivity type separation electrode 7b.

次に、図31(g)の模式的断面図に示すように、コンタクトホール4aを通して第1導電型不純物拡散領域2に接する第1導電型用分離電極6aおよび第1導電型用分離電極6b、ならびに第2導電型不純物拡散領域3に接する第2導電型用分離電極7aおよび第2導電型用分離電極7bを形成して、裏面電極型太陽電池8を作製する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 31 (g), the first conductivity type separation electrode 6a and the first conductivity type separation electrode 6b in contact with the first conductivity type impurity diffusion region 2 through the contact hole 4a, Then, the second conductivity type separation electrode 7a and the second conductivity type separation electrode 7b in contact with the second conductivity type impurity diffusion region 3 are formed, and the back electrode type solar cell 8 is fabricated.

なお、第1導電型用電極6は1対の第1導電型用分離電極6aと第1導電型用分離電極6bとの組み合わせからなり、第2導電型用電極7は1対の第2導電型用分離電極7aと第2導電型用分離電極7bとの組み合わせからなる。   The first conductivity type electrode 6 is a combination of a pair of first conductivity type separation electrodes 6a and a first conductivity type separation electrode 6b, and the second conductivity type electrode 7 is a pair of second conductivity type electrodes. It consists of a combination of a mold separation electrode 7a and a second conductivity type separation electrode 7b.

その後、図32の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の隣り合う第1導電型用分離電極6aと第1導電型用分離電極6bとの間の間隙に配線基板10の第1導電型用配線13を収めるようにして設置し、裏面電極型太陽電池8の隣り合う第2導電型用分離電極7aと第2導電型用分離電極7bとの間の間隙に配線基板10の第2導電型用配線12を収めるようにして設置することによって、図30に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 32, between the adjacent first conductivity type separation electrode 6a and the first conductivity type separation electrode 6b of the back electrode type solar cell 8 produced as described above. The first conductive type wiring 13 of the wiring substrate 10 is placed in the gap between the second conductive type separation electrode 7a and the second conductive type separation electrode 7b adjacent to the back electrode type solar cell 8. An example of the solar cell of the present invention having the configuration shown in FIG. 30 is produced by placing the second conductive type wiring 12 of the wiring board 10 in the gap therebetween.

以上のようにして作製された本実施の形態の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の隣り合う第1導電型用分離電極6aと第1導電型用分離電極6bとの間の間隙に配線基板10の第1導電型用電極13を収めるようにして設置し、裏面電極型太陽電池8の隣り合う第2導電型用分離電極7aと第2導電型用分離電極7bとの間の間隙に配線基板10の第2導電型用電極12を収めるようにして設置される。   In the solar cell of the present embodiment manufactured as described above, in the gap between the adjacent first conductivity type separation electrode 6a and the first conductivity type separation electrode 6b of the back electrode type solar cell 8. The first conductive type electrode 13 of the wiring board 10 is installed so as to be accommodated, and a gap between the adjacent second conductive type separation electrode 7a and the second conductive type separation electrode 7b of the back electrode type solar cell 8 is provided. The second conductive type electrode 12 of the wiring board 10 is installed in the housing.

したがって、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の隣り合う第1導電型用分離電極6aと第1導電型用分離電極6bとの間の間隙に配線基板10の第1導電型用電極13を収めるようにして設置し、隣り合う第2導電型用分離電極7aと第2導電型用分離電極7bとの間の間隙に配線基板10の第2導電型用電極12を収めるようにして設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、これらの分離電極によって裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, in the present embodiment, when the back electrode type solar cell 8 is installed, it is between the first conductivity type separation electrode 6a and the first conductivity type separation electrode 6b adjacent to the back electrode type solar cell 8. The first conductive type electrode 13 of the wiring board 10 is placed in a gap between the second conductive type separation electrode 7a and the adjacent second conductive type separation electrode 7b. Therefore, the back electrode type solar cell 8 can be easily positioned and the back electrode type solar cell 8 can be misaligned by the separation electrodes. It becomes difficult.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用分離電極6a、第1導電型用分離電極6b、第2導電型用分離電極7aおよび第2導電型用分離電極7bによって配線基板10の第1導電型用配線13と第2導電型用配線12の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Further, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if a member such as the insulating substrate 11 of the wiring board 10 expands or contracts due to heating in a subsequent sealing process or the like, the back electrode type solar cell 8 is provided. First conductive type separation electrode 6a, first conductive type separation electrode 6b, second conductive type separation electrode 7a, and second conductive type separation electrode 7b of solar cell 8 are connected to the first conductive type wiring of wiring substrate 10. 13 and the movement of the second conductivity type wiring 12 are hindered, so that the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用分離電極6a、第1導電型用分離電極6b、第2導電型用分離電極7aおよび第2導電型用分離電極7bがそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the first conductivity type separation electrode 6a, the first conductivity type separation electrode 6b, the second conductivity type separation electrode 7a, and the second conductivity type separation electrode of the back electrode type solar cell 8 are used. 7b is a positioning portion that determines the relative positional relationship of the back electrode type solar cell 8 with respect to the wiring substrate 10.

なお、上記においては、裏面電極型太陽電池8の裏面のすべての電極を分離電極(第1導電型用分離電極6a、第1導電型用分離電極6b、第2導電型用分離電極7aおよび第2導電型用分離電極7b)としたが、裏面電極型太陽電池8の裏面の一部の電極のみを分離電極としてもよい。   In the above description, all electrodes on the back surface of the back electrode type solar cell 8 are separated electrodes (first conductivity type separation electrode 6a, first conductivity type separation electrode 6b, second conductivity type separation electrode 7a and second electrode Although the two-conductivity type separation electrode 7b), only a part of the electrodes on the back surface of the back electrode type solar cell 8 may be used as the separation electrode.

また、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。   In addition, since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description is omitted here.

<実施の形態12>
図33に、本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図を示す。図33に示す構成の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の裏面の凹部が位置決め部となっている点に特徴がある。
<Embodiment 12>
FIG. 33 shows a schematic cross-sectional view of another example of the solar cell of the present invention. The solar cell having the configuration shown in FIG. 33 is characterized in that a concave portion on the back surface of the back electrode type solar cell 8 serves as a positioning portion.

以下、図33に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図33に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10については、実施の形態1と同様にして作製される。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIG. 33 will be described. The wiring substrate 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 33 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

また、図33に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8は、たとえば以下のようにして作製することができる。   Moreover, the back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 33 can be manufactured, for example, as follows.

まず、図34(a)の模式的断面図に示すように、たとえばインゴットからスライスすることなどによって生じたスライスダメージ1aを除去した半導体基板1を用意する。   First, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 34A, a semiconductor substrate 1 is prepared from which slice damage 1a caused by, for example, slicing from an ingot is removed.

次に、図34(b)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面に凹部1bを設ける。   Next, as shown in the schematic sectional view of FIG. 34 (b), a recess 1 b is provided on the back surface of the semiconductor substrate 1.

次に、図34(c)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面に凹部1bに、第1導電型不純物拡散領域2と第2導電型不純物拡散領域3とをそれぞれ交互に形成し、図34(d)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面にパッシベーション膜4を形成する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 34 (c), the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3 are alternately formed in the recess 1b on the back surface of the semiconductor substrate 1, respectively. Then, a passivation film 4 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1 as shown in the schematic cross-sectional view of FIG.

次に、図34(e)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の受光面の全面にテクスチャ構造などの凹凸構造を形成した後に、その凹凸構造上に反射防止膜5を形成する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 34 (e), after an uneven structure such as a texture structure is formed on the entire light receiving surface of the semiconductor substrate 1, an antireflection film 5 is formed on the uneven structure. .

次に、図34(f)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面のパッシベーション膜4の一部を除去することによって、第1導電型不純物拡散領域2の表面および第2導電型不純物拡散領域3の表面をそれぞれ露出させる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 34 (f), the surface of the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity are removed by removing a part of the passivation film 4 on the back surface of the semiconductor substrate 1. The surface of the type impurity diffusion region 3 is exposed.

次に、図34(g)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面のパッシベーション膜4から露出している第1導電型不純物拡散領域2の表面に第1導電型用電極6を形成するとともに、半導体基板1の裏面のパッシベーション膜4から露出している第2導電型不純物拡散領域3の表面に第2導電型用電極7を形成することによって裏面電極型太陽電池8が作製される。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 34G, the first conductivity type electrode 6 is formed on the surface of the first conductivity type impurity diffusion region 2 exposed from the passivation film 4 on the back surface of the semiconductor substrate 1. And a second conductivity type electrode 7 is formed on the surface of the second conductivity type impurity diffusion region 3 exposed from the passivation film 4 on the back surface of the semiconductor substrate 1, thereby producing a back electrode type solar cell 8. Is done.

その後、図35の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6と配線基板10の第1導電型用配線13とを接触させ、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7と配線基板10の第2導電型用配線12とを接触させるように裏面電極型太陽電池8を設置することによって、図33に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 35, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 manufactured as described above and the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10 are brought into contact with each other. FIG. 33 shows that the back electrode type solar cell 8 is placed so that the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 and the second conductivity type wire 12 of the wiring substrate 10 are brought into contact with each other. An example of the solar cell of the present invention having the configuration is produced.

以上のようにして作製された本実施の形態の太陽電池においては、裏面電極型太陽電池8の裏面の凹部に配線基板10の第1導電型用配線13および第2導電型用配線12を収めるようにして裏面電極型太陽電池8が設置される。   In the solar cell of the present embodiment manufactured as described above, the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12 of the wiring substrate 10 are housed in the concave portion on the back surface of the back electrode type solar cell 8. In this way, the back electrode type solar cell 8 is installed.

したがって、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の裏面の凹部に配線基板10の第1導電型用配線13および第2導電型用配線12を収めるようにして設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、裏面電極型太陽電池8の裏面の凹部によって裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, in the present embodiment, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring of the wiring substrate 10 are formed in the recesses on the back surface of the back electrode type solar cell 8. 12, the back electrode solar cell 8 can be easily positioned, and the back electrode solar cell 8 is less likely to be misaligned by the recess on the back surface of the back electrode solar cell 8. Become.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、裏面電極型太陽電池8の裏面の凹部によって配線基板10の第1導電型用電極6と第2導電型用電極7の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Further, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if a member such as the insulating substrate 11 of the wiring board 10 expands or contracts due to heating in a subsequent sealing process or the like, the back electrode type solar cell 8 is provided. Since the movement of the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 of the wiring substrate 10 is hindered by the recesses on the back surface of the solar cell 8, it is possible to effectively suppress the positional deviation of the back electrode type solar cell 8. it can.

すなわち、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の裏面の凹部がそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the recesses on the back surface of the back electrode type solar cell 8 serve as positioning portions that determine the relative positional relationship of the back electrode type solar cell 8 with respect to the wiring substrate 10.

なお、上記においては、裏面電極型太陽電池8の裏面に複数の凹部を形成したが、裏面電極型太陽電池8の裏面に少なくとも1つの凹部を形成すればよい。   In the above, a plurality of recesses are formed on the back surface of the back electrode type solar cell 8, but at least one recess may be formed on the back surface of the back electrode type solar cell 8.

また、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。   In addition, since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description is omitted here.

<実施の形態13>
図36に、本発明の太陽電池の一例の模式的な断面図を示す。図36に示す構成の太陽電池は、裏面電極型太陽電池8の半導体基板1の裏面側の両端にそれぞれ設置されて配線基板10側に突出して図36の紙面の表面側および/または裏面側に向かって伸びる凸部221および配線基板10の絶縁性基板11の表面の両端にそれぞれ設置されて裏面電極型太陽電池8側に突出して図36の紙面の裏面側に向かって伸びる凸部222が位置決め部となっている点に特徴がある。
<Embodiment 13>
FIG. 36 shows a schematic cross-sectional view of an example of the solar cell of the present invention. The solar cell having the configuration shown in FIG. 36 is installed at both ends of the back surface side of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8 and protrudes toward the wiring substrate 10 so as to be on the front surface side and / or back surface side of FIG. 36 are positioned on both ends of the surface of the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 and protruded toward the back electrode type solar cell 8 to extend toward the back side of the paper surface of FIG. It is characteristic in that it is a part.

以下、図36に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。まず、図37(a)の模式的断面図に示すように、たとえばインゴットからスライスすることなどによって、半導体基板1の表面にスライスダメージ1aが形成された半導体基板1を用意し、図37(b)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の表面のスライスダメージ1aを除去する。   Hereinafter, an example of the manufacturing method of the solar cell having the configuration shown in FIG. 36 will be described. First, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 37A, a semiconductor substrate 1 in which slice damage 1a is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 by, for example, slicing from an ingot is prepared, and FIG. ), The slice damage 1a on the surface of the semiconductor substrate 1 is removed.

次に、図37(c)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面に、第1導電型不純物拡散領域2および第2導電型不純物拡散領域3をそれぞれ形成し、図37(d)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面にパッシベーション膜4を形成する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 37C, the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3 are respectively formed on the back surface of the semiconductor substrate 1, and FIG. As shown in the schematic sectional view of d), a passivation film 4 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1.

次に、図37(e)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の受光面の全面にテクスチャ構造などの凹凸構造を形成した後に、その凹凸構造上に反射防止膜5を形成する。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 37 (e), after an uneven structure such as a texture structure is formed on the entire light receiving surface of the semiconductor substrate 1, an antireflection film 5 is formed on the uneven structure. .

次に、図37(f)の模式的断面図に示すように、半導体基板1の裏面のパッシベーション膜4の一部を除去することによってコンタクトホール4aおよびコンタクトホール4bを形成する。ここで、コンタクトホール4aは、第1導電型用電極6の形状に第1導電型不純物拡散領域2の表面が露出するように形成され、コンタクトホール4bは、第2導電型用電極7の形状に第2導電型不純物拡散領域3の表面が露出するように形成される。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 37 (f), the contact hole 4 a and the contact hole 4 b are formed by removing a part of the passivation film 4 on the back surface of the semiconductor substrate 1. Here, the contact hole 4 a is formed so that the surface of the first conductivity type impurity diffusion region 2 is exposed in the shape of the first conductivity type electrode 6, and the contact hole 4 b is formed in the shape of the second conductivity type electrode 7. The surface of the second conductivity type impurity diffusion region 3 is exposed.

次に、図37(g)の模式的断面図に示すように、コンタクトホール4aを通して第1導電型不純物拡散領域2に接する第1導電型用電極6と、コンタクトホール4bを通して第2導電型不純物拡散領域3に接する第2導電型用電極7とを形成するとともに、半導体基板1の裏面のパッシベーション膜4の表面の両端にそれぞれ半導体基板1側とは反対側に突出する凸部221もこれらの電極と同一工程で形成して裏面電極型太陽電池8を作製する。ここで、凸部221は、第1導電型用電極6および第2導電型用電極7と同一の材質で構成される。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 37 (g), the first conductivity type electrode 6 in contact with the first conductivity type impurity diffusion region 2 through the contact hole 4a, and the second conductivity type impurity through the contact hole 4b. The second conductivity type electrode 7 that is in contact with the diffusion region 3 is formed, and the protrusions 221 that protrude to the opposite side of the semiconductor substrate 1 side from both ends of the surface of the passivation film 4 on the back surface of the semiconductor substrate 1 The back electrode type solar cell 8 is produced by forming in the same process as the electrode. Here, the convex portion 221 is made of the same material as the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7.

一方、図38(a)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面上に導電層19を形成し、図38(b)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面の導電層19上にレジストパターン15aを形成する。   On the other hand, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 38A, a conductive layer 19 is formed on the surface of the insulating substrate 11, and as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. A resist pattern 15 a is formed on the conductive layer 19 on the surface of 11.

次に、図38(c)の模式的断面図に示すように、レジストパターン15aから露出している箇所の導電層19を矢印16aの方向に除去することによって導電層19のパターンニングを行なうことによって、第1導電型用配線13と第2導電型用配線12と凸部222とを同一工程で形成する。ここで、凸部222は、第1導電型用配線13と第2導電型用配線12と同一の材質で構成される。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 38C, the conductive layer 19 is patterned by removing the conductive layer 19 exposed from the resist pattern 15a in the direction of the arrow 16a. Thus, the first conductive type wiring 13, the second conductive type wiring 12, and the convex portion 222 are formed in the same process. Here, the convex portion 222 is made of the same material as the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12.

次に、図38(d)の模式的断面図に示すように、第1導電型用配線13の表面および第2導電型用配線12の表面からレジストパターン15aをすべて除去して配線基板10が作製される。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 38D, all of the resist pattern 15a is removed from the surface of the first conductive type wiring 13 and the surface of the second conductive type wiring 12, and the wiring substrate 10 is formed. Produced.

その後、図39の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の凸部221が、配線基板10の表面の端部の凸部222と第1導電型用配線13との間の間隙および配線基板10の表面の端部の凸部222と第2導電型用配線12との間の間隙にそれぞれ収まるように設置する。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 39, the convex portion 221 of the back electrode type solar cell 8 produced as described above is different from the convex portion 222 at the end of the surface of the wiring substrate 10 and the first conductivity type. It is installed so as to fit in the gap between the wiring 13 for use and the gap between the convex portion 222 at the end of the surface of the wiring board 10 and the wiring 12 for the second conductivity type.

これにより、裏面電極型太陽電池8の第1導電型用電極6と配線基板10の第1導電型用配線13とが接するとともに、裏面電極型太陽電池8の第2導電型用電極7と配線基板10の第2導電型用配線12とが接することによって、図36に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thus, the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 and the first conductivity type wiring 13 of the wiring substrate 10 are in contact with each other, and the second conductivity type electrode 7 and the wiring of the back electrode type solar cell 8 are connected. An example of the solar cell of the present invention having the configuration shown in FIG. 36 is produced by contacting the second conductivity type wiring 12 of the substrate 10.

したがって、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の凸部221を配線基板10の凸部222と第1導電型用配線13との間の間隙および配線基板10の凸部222と第2導電型用配線12との間の間隙にそれぞれ収まるように設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the convex portion 221 of the back electrode type solar cell 8 is replaced with the gap between the convex portion 222 of the wiring substrate 10 and the first conductive type wiring 13 and the wiring substrate 10. Since it only needs to be installed in the gap between the convex portion 222 and the second conductive type wiring 12, it is easy to align the back electrode solar cell 8 and the position of the back electrode solar cell 8. Misalignment is less likely to occur.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、裏面電極型太陽電池8の凸部221と配線基板10の凸部222とによって、裏面電極型太陽電池8の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Further, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if a member such as the insulating substrate 11 of the wiring board 10 expands or contracts due to heating in a subsequent sealing process or the like, the back electrode type solar cell 8 is provided. Since the convex portion 221 of the solar cell 8 and the convex portion 222 of the wiring substrate 10 prevent the movement of the back electrode type solar cell 8, the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の凸部221と、配線基板10の凸部222とがそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the convex portion 221 of the back electrode type solar cell 8 and the convex portion 222 of the wiring substrate 10 determine the relative positional relationship between the back electrode type solar cell 8 and the wiring substrate 10. It becomes a positioning part.

なお、凸部221および凸部222の形状、配置および個数は上記のものに限定されず、凸部221および凸部222がそれぞれ裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を所定の範囲内に収める位置決め部として機能する形状、配置および個数であればよい。   In addition, the shape, arrangement | positioning, and number of the convex part 221 and the convex part 222 are not limited to the above-mentioned thing, The convex part 221 and the convex part 222 have the relative positional relationship with respect to the wiring board 10 of the back electrode type solar cell 8, respectively. Any shape, arrangement, and number that function as a positioning portion that falls within a predetermined range may be used.

また、凸部221は、第1導電型用電極6および/または第2導電型用電極7と同一工程で形成してもよく、第1導電型用電極6および第2導電型用電極7と同一の材質から形成してもよいが、本実施の形態のように、凸部221と、第1導電型用電極6および第2導電型用電極7とを同一工程で、かつ同一の材質で形成することによって製造効率が向上する傾向にある点で好ましい。なお、凸部221は、第1導電型用電極6の形成工程および/または第2導電型用電極7の形成工程と連続する工程(第1導電型用電極6の形成工程および/または第2導電型用電極7の形成工程の直前の工程および/または直後の工程)で形成してもよい。   The convex portion 221 may be formed in the same process as the first conductivity type electrode 6 and / or the second conductivity type electrode 7, and the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 Although the same material may be used, the convex portion 221 and the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 are formed in the same process and the same material as in the present embodiment. The formation is preferable in that the manufacturing efficiency tends to be improved. In addition, the convex part 221 is a process (formation process of the 1st conductivity type electrode 6 and / or 2nd) which continues with the formation process of the electrode 6 for 1st conductivity type, and / or the formation process of the electrode 7 for 2nd conductivity types. You may form in the process immediately before the formation process of the electrode 7 for conductive types, and / or the process immediately after.

また、凸部222は、第1導電型用配線13および/または第2導電型用配線12と同一工程で形成してもよく、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12と同一の材質から形成してもよいが、本実施の形態のように、凸部222と、第1導電型用配線13および第2導電型用配線12とを同一工程で、かつ同一の材質で形成することによって製造効率が向上する傾向にある点で好ましい。なお、凸部222は、第1導電型用配線13の形成工程および/または第2導電型用配線12の形成工程と連続する工程(第1導電型用配線13の形成工程および/または第2導電型用配線12の形成工程の直前の工程および/または直後の工程)で形成してもよい。   The convex portion 222 may be formed in the same process as the first conductivity type wiring 13 and / or the second conductivity type wiring 12, and the first conductivity type wiring 13 and the second conductivity type wiring 12 Although the same material may be used, the protrusion 222, the first conductive type wiring 13 and the second conductive type wiring 12 are formed in the same process and the same material as in the present embodiment. The formation is preferable in that the production efficiency tends to be improved. The convex portion 222 is a step that continues with the step of forming the first conductive type wiring 13 and / or the step of forming the second conductive type wiring 12 (the step of forming the first conductive type wiring 13 and / or the second step). You may form in the process immediately before the formation process of the wiring 12 for conductive types, and / or the process immediately after.

また、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。   In addition, since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description is omitted here.

<実施の形態14>
図40に、本発明の太陽電池の一例の模式的な断面図を示す。図40に示す構成の太陽電池は、配線基板10の表面の両端にそれぞれ設置されて裏面電極型太陽電池8側に突出して図40の紙面の裏面側に向かって伸びる凸部251が位置決め部となっている点に特徴がある。
<Embodiment 14>
In FIG. 40, typical sectional drawing of an example of the solar cell of this invention is shown. The solar cell having the configuration shown in FIG. 40 has convex portions 251 that are installed at both ends of the surface of the wiring substrate 10 and project toward the back electrode type solar cell 8 and extend toward the back side of the paper surface of FIG. There is a feature in that.

以下、図40に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図40に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8については、実施の形態1と同様にして作製される。   Hereinafter, an example of the manufacturing method of the solar cell having the configuration shown in FIG. 40 will be described. The back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 40 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

また、図40に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10は、たとえば以下のようにして作製することができる。   Moreover, the wiring board 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 40 can be manufactured, for example, as follows.

まず、実施の形態1と同様にして、図41(a)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面上に所定の形状にパターンニングされた第1導電型用配線13および第2導電型用配線12を設置する。   First, in the same manner as in the first embodiment, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 41A, the first conductive type wiring 13 patterned in a predetermined shape on the surface of the insulating substrate 11 and The second conductivity type wiring 12 is installed.

次に、図41(b)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面の両端にそれぞれ凸部251を形成することによって配線基板10が作製される。ここで、凸部251としては、たとえば、ガラスを含むペースト状のガラスペーストや、エポキシ、アクリル、ポリイミド、ポリアミドイミドおよびシリコーンなどの樹脂の少なくとも1種などをたとえばスクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布した後に紫外線照射または加熱などの処理によって硬化させたものなどを用いることができるが、これに限定されるものではない。なお、凸部251は、裏面電極型太陽電池8の半導体基板1を厚さ方向にわたって収めることができるように形成することができる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 41B, the wiring substrate 10 is manufactured by forming the convex portions 251 at both ends of the surface of the insulating substrate 11 respectively. Here, as the convex portion 251, for example, a paste-like glass paste containing glass or at least one kind of resin such as epoxy, acrylic, polyimide, polyamideimide, and silicone is used, for example, screen printing, dispenser application, inkjet application, or the like. Although what was hardened | cured by the process of ultraviolet irradiation or a heating after apply | coating by the method of this can be used, it is not limited to this. In addition, the convex part 251 can be formed so that the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8 can be accommodated over the thickness direction.

その後、図42の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した配線基板10の表面の両端の凸部251の間の間隙に裏面電極型太陽電池8の半導体基板1が収まるように設置することによって、図40に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 42, the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8 is accommodated in the gap between the convex portions 251 at both ends of the surface of the wiring substrate 10 manufactured as described above. As a result, an example of the solar cell of the present invention having the configuration shown in FIG. 40 is produced.

したがって、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、配線基板10の表面の両端の凸部251の間の間隙に裏面電極型太陽電池8の半導体基板1が収まるように設置すればよいため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、凸部251によって裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Therefore, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8 may be installed in the gap between the convex portions 251 at both ends of the surface of the wiring substrate 10. The alignment of the back electrode solar cell 8 is facilitated, and the convex portion 251 makes it difficult for the back electrode solar cell 8 to be misaligned.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、配線基板10の表面の両端にそれぞれ設置された凸部251によって、裏面電極型太陽電池8の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Further, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if the member such as the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 expands or contracts due to heating in the subsequent sealing process or the like, the wiring substrate 10 Since the movement of the back surface electrode type solar cell 8 is hindered by the convex portions 251 respectively installed at both ends of the surface, the displacement of the back surface electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、配線基板10の表面の両端にそれぞれ設置された凸部251がそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   That is, in the present embodiment, the convex portions 251 respectively installed at both ends of the front surface of the wiring substrate 10 are positioning portions that determine the relative positional relationship of the back electrode type solar cell 8 with respect to the wiring substrate 10.

なお、凸部251の形状、配置および個数は上記のものに限定されず、凸部251が裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を所定の範囲内に収める位置決め部として機能する形状、配置および個数であればよい。   In addition, the shape, arrangement | positioning, and number of the convex parts 251 are not limited to the above, and the convex part 251 is a positioning part that keeps the relative positional relationship of the back electrode type solar cell 8 with respect to the wiring substrate 10 within a predetermined range. Any functional shape, arrangement and number may be used.

また、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。   In addition, since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description is omitted here.

<実施の形態15>
図43(a)に本発明の太陽電池の一例の模式的な断面図を示し、図43(b)に図43(a)の43b−43bに沿った模式的な断面図を示す。図43(a)および図43(b)に示す構成の太陽電池は、裏面電極型太陽電池8の半導体基板1の裏面側の両端に設置されて配線基板10側に突出する凸部272および凸部282、ならびに配線基板10の絶縁性基板11の表面の両端に設置されて裏面電極型太陽電池8側に突出する凸部272および凸部282がそれぞれ位置決め部となっており、裏面電極型太陽電池8の凸部272および配線基板10の凸部282、ならびに裏面電極型太陽電池8の凸部282および配線基板10の凸部272がそれぞれ磁気を帯びている点に特徴がある。
<Embodiment 15>
FIG. 43 (a) shows a schematic cross-sectional view of an example of the solar cell of the present invention, and FIG. 43 (b) shows a schematic cross-sectional view along 43b-43b of FIG. 43 (a). 43 (a) and 43 (b), the solar cell having the configuration shown in FIGS. 43 (a) and 43 (b) is provided at both ends on the back surface side of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8 and protrudes toward the wiring substrate 10 side. The protrusions 272 and the protrusions 282 that are installed at both ends of the surface of the insulating substrate 11 of the wiring board 10 and the part 282 and protrude toward the back electrode solar cell 8 side are positioning parts, respectively. The convex portion 272 of the battery 8 and the convex portion 282 of the wiring substrate 10 and the convex portion 282 of the back electrode type solar cell 8 and the convex portion 272 of the wiring substrate 10 are characterized by magnetism.

以下、図43(a)および図43(b)に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図43(a)および図43(b)に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8については、たとえば以下のようにして作製することができる。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIGS. 43 (a) and 43 (b) will be described. The back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIGS. 43A and 43B can be manufactured, for example, as follows.

まず、実施の形態1と同様にして、図44(a)の模式的断面図に示す構成の裏面電極型太陽電池8を作製する。   First, in the same manner as in the first embodiment, the back electrode type solar cell 8 having the configuration shown in the schematic cross-sectional view of FIG.

次に、図44(b)の模式的断面図に示すように、裏面電極型太陽電池8の裏面のパッシベーション膜4の表面の両端にそれぞれ、磁性体紛を含む磁性体ペースト271をたとえばスクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布する。その後、磁性体ペースト271は、たとえば紫外線照射または加熱などの処理によって硬化させられる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 44B, a magnetic paste 271 containing magnetic powder is applied to each of both ends of the surface of the passivation film 4 on the back surface of the back electrode type solar cell 8, for example, by screen printing. Application by a method such as dispenser application or inkjet application. Thereafter, the magnetic paste 271 is cured by a process such as ultraviolet irradiation or heating.

次に、図44(c)の模式的断面図に示すように、裏面電極型太陽電池8の裏面のパッシベーション膜4の表面上の磁性体ペースト271を強磁性体で磁化することによって、裏面電極型太陽電池8の半導体基板1側に突出する凸部272および凸部282を形成する。これにより、図43(a)および図43(b)に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8が作製される。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 44C, the back surface electrode is obtained by magnetizing the magnetic paste 271 on the surface of the passivation film 4 on the back surface of the back electrode type solar cell 8 with a ferromagnetic material. A convex portion 272 and a convex portion 282 that protrude toward the semiconductor substrate 1 of the solar cell 8 are formed. Thereby, the back surface electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIGS. 43A and 43B is manufactured.

ここで、凸部272と凸部282とは反対の磁極を示す磁性体からなり、たとえば、凸部272の磁極がS極である場合には凸部282の磁極がN極となり、凸部272の磁極がN極である場合には凸部282の磁極がS極となる。   Here, the convex portion 272 and the convex portion 282 are made of a magnetic material having opposite magnetic poles. For example, when the magnetic pole of the convex portion 272 is an S pole, the magnetic pole of the convex portion 282 becomes an N pole, and the convex portion 272 When the magnetic pole is an N pole, the magnetic pole of the convex portion 282 is an S pole.

図43(a)および図43(b)に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10については、たとえば以下のようにして作製することができる。   For example, the wiring substrate 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIGS. 43A and 43B can be manufactured as follows.

また、実施の形態1と同様にして、図45(a)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面上に所定の形状にパターンニングされた第1導電型用配線13および第2導電型用配線12を設置する。   Similarly to the first embodiment, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 45A, the first conductivity type wiring 13 patterned in a predetermined shape on the surface of the insulating substrate 11 and The second conductivity type wiring 12 is installed.

次に、図45(b)の模式的断面図に示すように、配線基板10の表面の両端にそれぞれ、磁性体紛を含む磁性体ペースト281をたとえばスクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布する。その後、磁性体ペースト281は、たとえば紫外線照射または加熱などの処理によって硬化させられる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 45 (b), a magnetic paste 281 containing magnetic powder is applied to both ends of the surface of the wiring substrate 10, respectively, for example, by screen printing, dispenser coating or ink jet coating. Apply by. Thereafter, the magnetic paste 281 is cured by a process such as ultraviolet irradiation or heating.

次に、図45(c)の模式的断面図に示すように、裏面電極型太陽電池8の裏面のパッシベーション膜4の表面上の磁性体ペースト271を強磁性体で磁化することによって、裏面電極型太陽電池8の半導体基板1側に突出する凸部272および凸部282を形成する。これにより、図43(a)および図43(b)に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10が作製される。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 45C, the back surface electrode is obtained by magnetizing the magnetic paste 271 on the surface of the passivation film 4 on the back surface of the back electrode type solar cell 8 with a ferromagnetic material. A convex portion 272 and a convex portion 282 that protrude toward the semiconductor substrate 1 of the solar cell 8 are formed. Thereby, the wiring board 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIGS. 43A and 43B is manufactured.

その後、図46(a)の模式的断面図および図46(b)の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の裏面の凸部272と配線基板10の表面の凸部282とが接し、裏面電極型太陽電池8の裏面の凸部282と配線基板10の表面の凸部272とが接するように裏面電極型太陽電池8を設置することによって、図43(a)および図43(b)に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。なお、図46(b)は、図46(a)の46b−46bに沿った模式的な断面図である。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 46 (a) and the schematic cross-sectional view of FIG. 46 (b), the convex portion 272 and the wiring board on the back surface of the back electrode type solar cell 8 manufactured as described above. By installing the back electrode solar cell 8 so that the convex portion 282 on the front surface of the back surface 10 contacts the convex portion 282 on the back surface of the back electrode solar cell 8 and the convex portion 272 on the surface of the wiring substrate 10 contact each other. An example of the solar cell of the present invention having the configuration shown in FIGS. 43 (a) and 43 (b) is produced. Note that FIG. 46B is a schematic cross-sectional view taken along 46b-46b in FIG.

したがって、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の裏面の凸部272と配線基板10の表面の凸部282とが磁力によって引き合い、裏面電極型太陽電池8の裏面の凸部282と配線基板10の表面の凸部272とが磁力によって引き合うため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、当該磁力によって裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Accordingly, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the convex portion 272 on the back surface of the back electrode type solar cell 8 and the convex portion 282 on the surface of the wiring substrate 10 attract each other by magnetic force, and the back surface of the back electrode type solar cell 8. The protrusions 282 of the wiring board 10 and the protrusions 272 on the surface of the wiring board 10 attract each other by magnetic force, so that the back electrode solar cell 8 can be easily aligned and the back electrode solar cell 8 is also misaligned by the magnetic force. It becomes difficult.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、裏面電極型太陽電池8の裏面の凸部272と配線基板10の表面の凸部282とは磁力を利用して接続され、裏面電極型太陽電池8の裏面の凸部282と配線基板10の表面の凸部272とは磁力を利用して接続されていることから、これらの磁力により裏面電極型太陽電池8の移動が妨げられ、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Further, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if a member such as the insulating substrate 11 of the wiring board 10 expands or contracts due to heating in a subsequent sealing process or the like, the back electrode type solar cell 8 is provided. The convex portion 272 on the back surface of the solar cell 8 and the convex portion 282 on the surface of the wiring substrate 10 are connected using magnetic force, and the convex portion 282 on the back surface of the back electrode solar cell 8 and the convex portion on the surface of the wiring substrate 10 are connected. Since it is connected with the magnetic field 272 using magnetic force, the movement of the back electrode type solar cell 8 is prevented by these magnetic forces, and the positional deviation of the back electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の磁気を帯びている凸部272および凸部282、ならびに配線基板10の磁気を帯びている凸部272および凸部282がそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   In other words, in the present embodiment, the convex portions 272 and the convex portions 282 that are magnetized in the back electrode type solar cell 8 and the convex portions 272 and the convex portions 282 that are magnetic in the wiring substrate 10 are respectively provided on the back surface. It becomes a positioning part which determines the relative positional relationship with respect to the wiring board 10 of the electrode type solar cell 8.

なお、磁気を帯びている凸部272および凸部282の形状、配置および個数は上記のものに限定されず、凸部272および凸部282が裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を所定の範囲内に収める位置決め部として機能する形状、配置および個数であればよい。   In addition, the shape, arrangement, and number of the convex portions 272 and the convex portions 282 that are magnetized are not limited to those described above, and the convex portions 272 and the convex portions 282 are relative to the wiring substrate 10 of the back electrode type solar cell 8. Any shape, arrangement, and number may be used as long as the positioning portion fits within a predetermined range.

また、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。   In addition, since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description is omitted here.

<実施の形態16>
図47に本発明の太陽電池の一例の模式的な断面図を示す。図47に示す構成の太陽電池は、裏面電極型太陽電池8の半導体基板1の裏面側の両端に設置されて配線基板10側に突出する凸部312、ならびに配線基板10の絶縁性基板11の表面の両端に設置されて裏面電極型太陽電池8側に突出する凸部322がそれぞれ位置決め部となっており、裏面電極型太陽電池8の凸部312および配線基板10の凸部322がそれぞれ静電気を帯びている点に特徴がある。
<Embodiment 16>
FIG. 47 shows a schematic cross-sectional view of an example of the solar cell of the present invention. The solar cell having the configuration shown in FIG. 47 includes protrusions 312 that are installed at both ends of the back surface side of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8 and project toward the wiring substrate 10, and the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10. Protrusions 322 installed at both ends of the front surface and projecting toward the back electrode solar cell 8 are positioning portions, and the convex portions 312 of the back electrode solar cell 8 and the protrusions 322 of the wiring substrate 10 are respectively static. It is characterized by a point.

以下、図47に示す構成の太陽電池の製造方法の一例について説明する。図47に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8については、たとえば以下のようにして作製することができる。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIG. The back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 47 can be manufactured as follows, for example.

まず、実施の形態1と同様にして、図48(a)の模式的断面図に示す構成の裏面電極型太陽電池8を作製する。   First, in the same manner as in the first embodiment, the back electrode type solar cell 8 having the configuration shown in the schematic cross-sectional view of FIG.

次に、図48(b)の模式的断面図に示すように、裏面電極型太陽電池8の裏面のパッシベーション膜4の表面の両端にそれぞれ、ガラスを含むガラスペースト311をたとえばスクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布する。その後、ガラスペースト311は、たとえば加熱などの処理によって硬化させられる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 48B, glass paste 311 containing glass is applied to both ends of the surface of the passivation film 4 on the back surface of the back electrode type solar cell 8, for example, by screen printing or dispenser application. Alternatively, it is applied by a method such as inkjet application. Thereafter, the glass paste 311 is cured by a process such as heating.

次に、図48(c)の模式的断面図に示すように、裏面電極型太陽電池8の裏面のパッシベーション膜4上で硬化したガラスペースト311の表面に正の電荷を生じさせることによって正の静電気を帯びた凸部312を形成する。これにより、図47に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池8が作製される。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 48 (c), positive charges are generated on the surface of the glass paste 311 hardened on the passivation film 4 on the back surface of the back electrode type solar cell 8 by generating positive charges. A convex portion 312 having static electricity is formed. Thereby, back electrode type solar cell 8 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 47 is manufactured.

ここで、ガラスペースト311の表面に正の電荷を生じさせる方法としては、たとえば、ガラスペースト311の表面をアクリル板で摩擦する方法またはイオナイザーを用いる方法などを用いることができる。   Here, as a method of generating a positive charge on the surface of the glass paste 311, for example, a method of rubbing the surface of the glass paste 311 with an acrylic plate or a method using an ionizer can be used.

また、図47に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10については、たとえば以下のようにして作製することができる。まず、実施の形態1と同様にして、図49(a)の模式的断面図に示すように、絶縁性基板11の表面上に所定の形状にパターンニングされた第1導電型用配線13および第2導電型用配線12を設置する。   Moreover, the wiring board 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 47 can be manufactured as follows, for example. First, in the same manner as in the first embodiment, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 49A, the first conductivity type wiring 13 patterned in a predetermined shape on the surface of the insulating substrate 11 and The second conductivity type wiring 12 is installed.

次に、図49(b)の模式的断面図に示すように、配線基板10の表面の両端にそれぞれ、アクリル樹脂を含む樹脂ペースト321をたとえばスクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布する。その後、樹脂ペースト321は、たとえば紫外線照射または加熱などの処理によって硬化させられる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 49B, a resin paste 321 containing an acrylic resin is applied to both ends of the surface of the wiring substrate 10 by a method such as screen printing, dispenser application, or inkjet application, for example. To do. Thereafter, the resin paste 321 is cured by a process such as ultraviolet irradiation or heating.

次に、図49(c)の模式的断面図に示すように、配線基板10の表面上で硬化した樹脂ペースト321の表面に負の電荷を生じさせることによって負の静電気を帯びた凸部322を形成する。これにより、図47に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板10が作製される。ここで、樹脂ペースト321の表面に負の電荷を生じさせる方法としては、たとえば、樹脂ペースト321の表面をガラス板で摩擦する方法などを用いることができる。   Next, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 49 (c), a negative charge is generated on the surface of the resin paste 321 cured on the surface of the wiring substrate 10, thereby causing negatively charged convex portions 322. Form. Thereby, the wiring board 10 included in the solar cell having the configuration shown in FIG. 47 is manufactured. Here, as a method of generating a negative charge on the surface of the resin paste 321, for example, a method of rubbing the surface of the resin paste 321 with a glass plate can be used.

その後、図50の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池8の裏面の凸部312と配線基板10の表面の凸部322とが接するように裏面電極型太陽電池8を設置することによって、図47に示す構成の本発明の太陽電池の一例が作製される。   Thereafter, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 50, the back electrode is formed so that the convex portion 312 on the back surface of the back electrode solar cell 8 produced as described above and the convex portion 322 on the surface of the wiring substrate 10 are in contact with each other. By installing the solar cell 8, an example of the solar cell of the present invention having the configuration shown in FIG. 47 is produced.

したがって、裏面電極型太陽電池8の設置時においては、裏面電極型太陽電池8の裏面の凸部312と配線基板10の表面の凸部322とが静電気力によって引き合うため、裏面電極型太陽電池8の位置合わせが容易になるとともに、裏面電極型太陽電池8の位置ズレも生じにくくなる。   Accordingly, when the back electrode type solar cell 8 is installed, the convex portion 312 on the back surface of the back electrode type solar cell 8 and the convex portion 322 on the surface of the wiring substrate 10 attract each other by electrostatic force. Is easily aligned, and the back electrode solar cell 8 is less likely to be misaligned.

さらには裏面電極型太陽電池8を一旦設置した後には、その後の封止工程などにおける加熱によって、配線基板10の絶縁性基板11などの部材が膨張または収縮した場合であっても、裏面電極型太陽電池8の裏面の凸部312と配線基板10の表面の凸部322とが静電気力を利用して接続されており、この静電気力により裏面電極型太陽電池8の移動が妨げられるため、裏面電極型太陽電池8の位置ズレを有効に抑止することができる。   Further, after the back electrode type solar cell 8 is once installed, even if a member such as the insulating substrate 11 of the wiring board 10 expands or contracts due to heating in a subsequent sealing process or the like, the back electrode type solar cell 8 is provided. Since the convex part 312 on the back surface of the solar cell 8 and the convex part 322 on the surface of the wiring substrate 10 are connected using electrostatic force, the movement of the back electrode type solar cell 8 is hindered by this electrostatic force. The positional deviation of the electrode type solar cell 8 can be effectively suppressed.

すなわち、本実施の形態においては、裏面電極型太陽電池8の静電気を帯びている凸部312および配線基板10の静電気を帯びている凸部322がそれぞれ、裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を決める位置決め部となる。   In other words, in the present embodiment, the convex portion 312 charged with static electricity of the back electrode type solar cell 8 and the convex portion 322 charged with static electricity of the wiring substrate 10 are respectively connected to the wiring substrate 10 of the back electrode type solar cell 8. It becomes a positioning part which determines the relative positional relationship with respect to.

なお、静電気を帯びている凸部312および凸部322の形状、配置および個数は上記のものに限定されず、凸部312および凸部322が裏面電極型太陽電池8の配線基板10に対する相対的な位置関係を所定の範囲内に収める位置決め部として機能する形状、配置および個数であればよい。   The shape, arrangement, and number of the convex portions 312 and the convex portions 322 that are charged with static electricity are not limited to those described above, and the convex portions 312 and the convex portions 322 are relative to the wiring substrate 10 of the back electrode type solar cell 8. Any shape, arrangement, and number may be used as long as the positioning portion fits within a predetermined range.

また、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。   In addition, since the description other than the above in the present embodiment is the same as that in the first embodiment, the description is omitted here.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明によれば、裏面電極型太陽電池の位置合わせを容易に行なうことができるとともに、裏面電極型太陽電池の位置ズレを有効に抑止することができる太陽電池、裏面電極型太陽電池、配線基板および太陽電池の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while being able to perform alignment of a back electrode type solar cell easily, the solar cell which can suppress effectively the position shift of a back electrode type solar cell, a back electrode type solar cell, a wiring board In addition, a method for manufacturing a solar cell can be provided.

本発明の太陽電池の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of an example of the solar cell of this invention. (a)〜(g)は、図1に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(g) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the back electrode type solar cell contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 本発明に用いられる裏面電極型太陽電池の一例の裏面の模式的な平面図である。It is a typical top view of the back surface of an example of the back electrode type solar cell used for this invention. (a)〜(g)は、図1に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(g) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the wiring board contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 本発明に用いられる配線基板の一例の表面の模式的な平面図である。It is a typical top view of the surface of an example of the wiring board used for this invention. 図1に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)〜(f)は、図7に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(f) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the wiring board contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 図7に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)〜(d)は、図10に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(d) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the wiring board contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 図10に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which illustrates a part of manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)〜(e)は、図13に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(e) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the wiring board contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 図13に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)〜(e)は、図16に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(e) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the wiring board contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 図16に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)は図19に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図であり、(b)は図19に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。(A) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the wiring board contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 19, (b) of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)は図21に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図であり、(b)は図21に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。(A) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the wiring board contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 21, (b) is a manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)は図23に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図であり、(b)は図23に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。(A) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the wiring board contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 23, (b) of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)は図25に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池の一例の模式的な断面図であり、(b)は図25に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。(A) is typical sectional drawing of an example of the back electrode type solar cell contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 25, (b) is a manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. It is typical sectional drawing which illustrates a part. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)〜(g)は、図27に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(g) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the back surface electrode type solar cell contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 図27に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)〜(g)は、図30に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(g) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the back surface electrode type solar cell contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 図30に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)〜(g)は、図33に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(g) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the back electrode type solar cell contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 図33に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)〜(g)は、図36に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(g) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the back electrode type solar cell contained in the solar cell of the structure shown in FIG. (a)〜(d)は、図36に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(d) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the wiring board contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 図36に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)および(b)は、図40に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A) And (b) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the wiring board contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 図40に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of a structure shown in FIG. (a)は本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図であり、(b)は(a)の43b−43bに沿った模式的な断面図である。(A) is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention, (b) is typical sectional drawing along 43b-43b of (a). (a)〜(c)は、図43に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(c) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the back electrode type solar cell contained in the solar cell of the structure shown in FIG. (a)〜(c)は、図43に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(c) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the wiring board contained in the solar cell of the structure shown in FIG. (a)は図43に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図であり、(b)は(a)の46b−46bに沿った模式的な断面図である。(A) is typical sectional drawing which illustrates a part of manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. 43, (b) is typical sectional drawing in alignment with 46b-46b of (a). FIG. 本発明の太陽電池の他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another example of the solar cell of this invention. (a)〜(c)は、図47に示す構成の太陽電池に含まれる裏面電極型太陽電池を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(c) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the back electrode type solar cell contained in the solar cell of the structure shown in FIG. (a)〜(c)は、図47に示す構成の太陽電池に含まれる配線基板を製造する方法の一例を図解する模式的な断面図である。(A)-(c) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of manufacturing the wiring board contained in the solar cell of the structure shown in FIG. 図47に示す構成の太陽電池の製造方法の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。It is typical sectional drawing illustrating a part of manufacturing process of the manufacturing method of the solar cell of the structure shown in FIG. (a)は裏面電極型太陽電池の複数を電気的に接続して太陽電池を作製する方法の一例を図解する模式的な断面図であり、(b)は(a)で作製した太陽電池を透明樹脂中に封止する工程の一例を図解する模式的な断面図である。(A) is typical sectional drawing illustrating an example of the method of producing a solar cell by electrically connecting several back electrode type solar cells, (b) is the solar cell produced in (a). It is typical sectional drawing illustrating an example of the process sealed in transparent resin. (a)は裏面電極型太陽電池の複数を電気的に接続して太陽電池を作製する方法の他の一例を図解する模式的な断面図であり、(b)は(a)で作製した太陽電池を透明樹脂中に封止する工程の一例を図解する模式的な断面図である。(A) is typical sectional drawing illustrating another example of the method of producing a solar cell by electrically connecting a plurality of back electrode type solar cells, and (b) is the sun produced in (a). It is typical sectional drawing illustrating an example of the process of sealing a battery in transparent resin. (a)は裏面電極型太陽電池の複数を電気的に接続して太陽電池を作製する方法のさらに他の一例を図解する模式的な断面図であり、(b)は(a)で作製した太陽電池を透明樹脂中に封止する工程の一例を図解する模式的な断面図である。(A) is typical sectional drawing which illustrates another example of the method of producing a solar cell by electrically connecting several back electrode type solar cells, (b) was produced in (a). It is typical sectional drawing illustrating an example of the process of sealing a solar cell in transparent resin.

符号の説明Explanation of symbols

1 半導体基板、1a スライスダメージ、1b,11a 凹部、2 第1導電型不純物拡散領域、3 第2導電型不純物拡散領域、4 パッシベーション膜、4a,4b コンタクトホール、5 反射防止膜、6 第1導電型用電極、6a,6b 第1導電型用分離電極、7 第2導電型用電極、7a,7b 第2導電型用分離電極、8,80 裏面電極型太陽電池、9 パッシベーション膜、10,100 配線基板、11 絶縁性基板、12 第2導電型用配線、12a 第2導電型用分離配線、12b 第1導電型用分離配線、13 第1導電型用配線、14 接続用配線、15a,15b,83 レジストパターン、16a,16b 矢印、17 金属ペースト、18,101,151,221,222,251,272,282,312,322 凸部、19 導電層、60 第1導電型用集電電極、70 第2導電型用集電電極、81 型押し機、82 導電性シード層、84 金属メッキ層、271,281 磁性体ペースト、311 ガラスペースト、321 樹脂ペースト、341 絶縁性接着剤、342 ガラス基板、343,344 エチレンビニルアセテート、345 バックフィルム、351 導電性接着剤。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor substrate, 1a Slice damage, 1b, 11a recessed part, 2 1st conductivity type impurity diffusion area, 3 2nd conductivity type impurity diffusion area, 4 Passivation film, 4a, 4b Contact hole, 5 Antireflection film, 6 1st conductivity Type electrode, 6a, 6b First conductivity type separation electrode, 7 Second conductivity type electrode, 7a, 7b Second conductivity type separation electrode, 8, 80 Back electrode type solar cell, 9 Passivation film, 10, 100 Wiring board, 11 Insulating board, 12 Second conductivity type wiring, 12a Second conductivity type separation wiring, 12b First conductivity type separation wiring, 13 First conductivity type wiring, 14 Connection wiring, 15a, 15b 83, resist pattern, 16a, 16b arrow, 17 metal paste, 18, 101, 151, 221, 222, 251, 272, 282, 312, 322 Convex part, 19 conductive layer, 60 first conductive type current collecting electrode, 70 second conductive type current collecting electrode, 81 embossing machine, 82 conductive seed layer, 84 metal plating layer, 271,281 magnetic paste, 311 Glass paste, 321 Resin paste, 341 Insulating adhesive, 342 Glass substrate, 343, 344 Ethylene vinyl acetate, 345 Back film, 351 Conductive adhesive.

Claims (19)

裏面電極型太陽電池と、
配線基板とを含み、
前記裏面電極型太陽電池は、半導体基板と、前記半導体基板の裏面側に形成された第1導電型不純物拡散領域および第2導電型不純物拡散領域と、前記第1導電型不純物拡散領域に対応して設けられた第1導電型用電極と、前記第2導電型不純物拡散領域に対応して設けられた第2導電型用電極とを有し、
前記配線基板は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板に設置された第1導電型用配線と第2導電型用配線とを有しており、
前記裏面電極型太陽電池の前記第1導電型用電極が前記配線基板の前記第1導電型用配線に接続され、
前記裏面電極型太陽電池の前記第2導電型用電極が前記配線基板の前記第2導電型用配線に接続されており、
前記裏面電極型太陽電池および前記配線基板の少なくとも一方が、前記裏面電極型太陽電池の前記配線基板に対する相対的な位置関係を決めるための位置決め部を有する、太陽電池。
A back electrode type solar cell;
Including a wiring board,
The back electrode type solar cell corresponds to a semiconductor substrate, a first conductivity type impurity diffusion region and a second conductivity type impurity diffusion region formed on the back side of the semiconductor substrate, and the first conductivity type impurity diffusion region. A first conductivity type electrode provided in correspondence with the second conductivity type impurity diffusion region, and a second conductivity type electrode provided corresponding to the second conductivity type impurity diffusion region,
The wiring board has an insulating substrate, a first conductive type wiring and a second conductive type wiring installed on the insulating substrate,
The first conductivity type electrode of the back electrode type solar cell is connected to the first conductivity type wiring of the wiring substrate;
The second conductivity type electrode of the back electrode type solar cell is connected to the second conductivity type wiring of the wiring substrate;
A solar cell in which at least one of the back electrode type solar cell and the wiring substrate has a positioning portion for determining a relative positional relationship of the back electrode type solar cell with respect to the wiring substrate.
前記位置決め部は、前記配線基板の前記第1導電型用配線の表面に形成された凹部および前記配線基板の前記第2導電型用配線の表面に形成された凹部の少なくとも一方であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。   The positioning portion is at least one of a recess formed on the surface of the first conductivity type wiring of the wiring board and a recess formed on the surface of the second conductivity type wiring of the wiring board. The solar cell according to claim 1. 前記位置決め部は、前記配線基板の前記第1導電型用配線の表面に設置された凸部および前記配線基板の前記第2導電型用配線の表面に設置された凸部の少なくとも一方であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。   The positioning part is at least one of a convex part installed on the surface of the first conductive type wiring of the wiring board and a convex part installed on the surface of the second conductive type wiring of the wiring board. The solar cell according to claim 1, wherein: 前記位置決め部は、前記配線基板の前記第1導電型用配線が複数に分離してなる第1導電型用分離配線および前記配線基板の前記第2導電型用配線が複数に分離してなる第2導電型用分離配線の少なくとも一方であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。   The positioning portion includes a first conductive type separation wiring formed by separating the first conductive type wiring of the wiring board into a plurality of pieces and a second conductive type wiring of the wiring board divided into a plurality of pieces. The solar cell according to claim 1, wherein the solar cell is at least one of two-conductivity type separation wirings. 前記位置決め部は、前記配線基板の前記絶縁性基板の表面の凹部に設けられた、前記第1導電型用配線の表面の凹部および前記第2導電型用配線の表面の凹部の少なくとも一方であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。   The positioning portion is at least one of a concave portion on the surface of the first conductive type wiring and a concave portion on the surface of the second conductive type wiring provided in a concave portion on the surface of the insulating substrate of the wiring substrate. The solar cell according to claim 1, wherein: 前記位置決め部は、前記配線基板の前記絶縁性基板の表面に設置されて前記裏面電極型太陽電池側に突出する凸部であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。   2. The solar cell according to claim 1, wherein the positioning portion is a convex portion that is provided on a surface of the insulating substrate of the wiring substrate and protrudes toward the back electrode type solar cell. 前記第1導電型用配線の表面の一部および前記第2導電型用配線の表面の一部の少なくとも一方が前記凸部で覆われていることを特徴とする、請求項6に記載の太陽電池。   7. The sun according to claim 6, wherein at least one of a part of a surface of the first conductive type wiring and a part of a surface of the second conductive type wiring is covered with the convex portion. battery. 前記位置決め部は、前記裏面電極型太陽電池の前記半導体基板の裏面側に設置されて前記配線基板側に突出する凸部であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。   2. The solar cell according to claim 1, wherein the positioning portion is a convex portion that is installed on a back surface side of the semiconductor substrate of the back electrode type solar cell and protrudes toward the wiring substrate side. 前記位置決め部は、前記裏面電極型太陽電池の前記第1導電型用電極の表面に形成された凹部および前記裏面電極型太陽電池の前記第2導電型用電極の表面に形成された凹部の少なくとも一方であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。   The positioning portion includes at least a recess formed on the surface of the first conductivity type electrode of the back electrode solar cell and a recess formed on the surface of the second conductivity type electrode of the back electrode solar cell. The solar cell according to claim 1, wherein the solar cell is one side. 前記位置決め部は、前記裏面電極型太陽電池の前記第1導電型用電極が複数に分離してなる第1導電型用分離電極および前記裏面電極型太陽電池の前記第2導電型用電極が複数に分離してなる第2導電型用分離電極の少なくとも一方であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。   The positioning part includes a plurality of first conductivity type separation electrodes formed by separating the first conductivity type electrodes of the back electrode type solar cell and a plurality of second conductivity type electrodes of the back electrode type solar cell. 2. The solar cell according to claim 1, wherein the solar cell is at least one of the second conductivity type separation electrodes separated into two. 前記位置決め部は、前記裏面電極型太陽電池の裏面の凹部であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。   The solar cell according to claim 1, wherein the positioning portion is a concave portion on a back surface of the back electrode type solar cell. 前記位置決め部は、前記裏面電極型太陽電池の前記半導体基板の裏面側に設置されて前記配線基板側に突出する凸部および前記配線基板の前記絶縁性基板の表面に設置されて前記裏面電極型太陽電池側に突出する凸部であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。   The positioning portion is disposed on the back surface side of the semiconductor substrate of the back electrode type solar cell and protrudes toward the wiring substrate side, and is disposed on the surface of the insulating substrate of the wiring substrate and the back electrode type. The solar cell according to claim 1, wherein the solar cell is a convex portion protruding toward the solar cell. 前記位置決め部は、前記配線基板の前記絶縁性基板の表面に設置されて前記裏面電極型太陽電池側に突出する凸部であり、
前記凸部の間に前記裏面電極型太陽電池の前記半導体基板が嵌め込まれていることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。
The positioning part is a convex part that is installed on the surface of the insulating substrate of the wiring board and protrudes toward the back electrode type solar cell side,
The solar cell according to claim 1, wherein the semiconductor substrate of the back electrode type solar cell is fitted between the convex portions.
前記位置決め部は、前記裏面電極型太陽電池の前記半導体基板の裏面側に設置されて前記配線基板側に突出する凸部および前記配線基板の前記絶縁性基板の表面に設置されて前記裏面電極型太陽電池側に突出する凸部であり、
前記裏面電極型太陽電池の前記半導体基板の裏面側に設置された前記凸部と、前記配線基板の前記絶縁性基板の表面に設置された前記凸部とが、磁気および静電気の少なくとも一方を帯びていることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。
The positioning portion is disposed on the back surface side of the semiconductor substrate of the back electrode type solar cell and protrudes toward the wiring substrate side, and is disposed on the surface of the insulating substrate of the wiring substrate and the back electrode type. It is a convex part protruding to the solar cell side,
The convex portion provided on the back side of the semiconductor substrate of the back electrode type solar cell and the convex portion provided on the surface of the insulating substrate of the wiring substrate bear at least one of magnetism and static electricity. The solar cell according to claim 1, wherein:
半導体基板と、
前記半導体基板の裏面側に形成された第1導電型不純物拡散領域および第2導電型不純物拡散領域と、
前記第1導電型不純物拡散領域に対応して設けられた第1導電型用電極と、
前記第2導電型不純物拡散領域に対応して設けられた第2導電型用電極とを有する裏面電極型太陽電池であって、
前記裏面電極型太陽電池に接続される配線基板に対する相対的な位置関係を決めるための位置決め部を有する、裏面電極型太陽電池。
A semiconductor substrate;
A first conductivity type impurity diffusion region and a second conductivity type impurity diffusion region formed on the back side of the semiconductor substrate;
A first conductivity type electrode provided corresponding to the first conductivity type impurity diffusion region;
A back electrode type solar cell having a second conductivity type electrode provided corresponding to the second conductivity type impurity diffusion region,
The back electrode type solar cell which has a positioning part for determining the relative positional relationship with respect to the wiring board connected to the said back electrode type solar cell.
裏面電極型太陽電池に接続するための配線基板であって、
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板に設置された第1導電型用配線と第2導電型用配線とを有しており、
前記配線基板に接続される裏面電極型太陽電池に対する相対的な位置関係を決めるための位置決め部を有する、配線基板。
A wiring board for connecting to a back electrode type solar cell,
An insulating substrate;
A first conductive type wiring and a second conductive type wiring installed on the insulating substrate;
The wiring board which has a positioning part for determining the relative positional relationship with respect to the back electrode type solar cell connected to the said wiring board.
裏面電極型太陽電池を配線基板に接続する工程を含み、
前記裏面電極型太陽電池は、半導体基板と、前記半導体基板の裏面側に形成された第1導電型不純物拡散領域および第2導電型不純物拡散領域と、前記第1導電型不純物拡散領域に対応して設けられた第1導電型用電極と、前記第2導電型不純物拡散領域に対応して設けられた第2導電型用電極とを有し、
前記配線基板は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板に設置された第1導電型用配線と第2導電型用配線とを有しており、
前記裏面電極型太陽電池および前記配線基板の少なくとも一方が、前記裏面電極型太陽電池の前記配線基板に対する相対的な位置関係を決めるための位置決め部を有し、
前記接続する工程においては、前記位置決め部により前記裏面電極型太陽電池と前記配線基板との位置関係を決めて、前記裏面電極型太陽電池の前記第1導電型用電極を前記配線基板の前記第1導電型用配線に接続するとともに、前記裏面電極型太陽電池の前記第2導電型用電極を前記配線基板の前記第2導電型用配線に接続する、太陽電池の製造方法。
Including a step of connecting the back electrode type solar cell to the wiring board,
The back electrode type solar cell corresponds to a semiconductor substrate, a first conductivity type impurity diffusion region and a second conductivity type impurity diffusion region formed on the back side of the semiconductor substrate, and the first conductivity type impurity diffusion region. A first conductivity type electrode provided in correspondence with the second conductivity type impurity diffusion region, and a second conductivity type electrode provided corresponding to the second conductivity type impurity diffusion region,
The wiring board has an insulating substrate, a first conductive type wiring and a second conductive type wiring installed on the insulating substrate,
At least one of the back electrode type solar cell and the wiring substrate has a positioning part for determining a relative positional relationship of the back electrode type solar cell with respect to the wiring substrate,
In the connecting step, the positional relationship between the back electrode solar cell and the wiring substrate is determined by the positioning portion, and the first conductivity type electrode of the back electrode solar cell is connected to the first electrode of the wiring substrate. A method for manufacturing a solar cell, wherein the second conductivity type electrode of the back electrode type solar cell is connected to the second conductivity type wire of the wiring substrate while being connected to the one conductivity type wire.
前記裏面電極型太陽電池の前記第1導電型用電極を形成する工程と、
前記裏面電極型太陽電池の前記第2導電型用電極を形成する工程とを含み、
前記第1導電型用電極を形成する工程および前記第2導電型用電極を形成する工程の少なくとも一方の工程と同一の工程または連続する工程で前記位置決め部を形成することを特徴とする、請求項17に記載の太陽電池の製造方法。
Forming the first conductivity type electrode of the back electrode type solar cell;
Forming the second conductivity type electrode of the back electrode type solar cell,
The positioning portion is formed in the same step as or a continuous step with at least one of the step of forming the first conductivity type electrode and the step of forming the second conductivity type electrode. Item 18. A method for producing a solar cell according to Item 17.
前記配線基板の第1導電型用配線を形成する工程と、
前記配線基板の第2導電型用配線を形成する工程とを含み、
前記第1導電型用配線を形成する工程および前記第2導電型用配線を形成する工程の少なくとも一方の工程と同一の工程または連続する工程で前記位置決め部を形成することを特徴とする、請求項17に記載の太陽電池の製造方法。
Forming a wiring for the first conductivity type of the wiring board;
Forming a second conductive type wiring of the wiring board,
The positioning portion is formed in the same step as or at least one of the steps of forming the first conductive type wiring and forming the second conductive type wiring. Item 18. A method for producing a solar cell according to Item 17.
JP2008259888A 2008-10-06 2008-10-06 Solar battery, backside contact solar battery, wiring substrate, and method of manufacturing solar battery Pending JP2010092981A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008259888A JP2010092981A (en) 2008-10-06 2008-10-06 Solar battery, backside contact solar battery, wiring substrate, and method of manufacturing solar battery

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008259888A JP2010092981A (en) 2008-10-06 2008-10-06 Solar battery, backside contact solar battery, wiring substrate, and method of manufacturing solar battery

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010092981A true JP2010092981A (en) 2010-04-22

Family

ID=42255439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008259888A Pending JP2010092981A (en) 2008-10-06 2008-10-06 Solar battery, backside contact solar battery, wiring substrate, and method of manufacturing solar battery

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010092981A (en)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012002270A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 シャープ株式会社 Solar cell provided with wiring sheet, solar cell module, and method for manufacturing solar cell provided with wiring sheet
WO2012002271A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 シャープ株式会社 Solar cell, solar cell provided with wiring, solar cell module, and method for manufacturing solar cell provided with wiring
JP2012033757A (en) * 2010-07-30 2012-02-16 Sharp Corp Solar cell and method of manufacturing rear surface passivation film
JP2012033573A (en) * 2010-07-28 2012-02-16 Mazda Motor Corp On-vehicle solar cell panel and mounting structure thereof
JP2012080041A (en) * 2010-10-06 2012-04-19 Sharp Corp Solar cell module
WO2012053329A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-26 シャープ株式会社 Wiring sheet, solar battery cell having wiring sheet attached thereto, solar battery module, solar battery cell, process for manufacturing solar battery cell having wiring sheet attached thereto, and process for manufacturing solar battery module
WO2012057075A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 シャープ株式会社 Back contact solar cell with wiring board, and method for manufacturing back contact solar cell with wiring board
WO2012073935A1 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 シャープ株式会社 Rear surface electrode-type solar battery cell, solar battery module, solar battery wafer, and solar battery module production method
WO2012081613A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 シャープ株式会社 Solar battery and solar battery manufacturing method
WO2012132118A1 (en) * 2011-03-30 2012-10-04 シャープ株式会社 Method for manufacturing solar battery cell with wiring board, and method for manufacturing solar battery module
WO2012133415A1 (en) * 2011-03-30 2012-10-04 日立化成工業株式会社 Resin paste, solar cell, method for manufacturing solar cell, resin film, and semiconductor device
WO2013002044A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 シャープ株式会社 Solar cell module and solar cell mounting method
JP2013058808A (en) * 2012-12-25 2013-03-28 Sharp Corp Solar battery and method for manufacturing solar battery
JP2013214603A (en) * 2012-04-02 2013-10-17 Sharp Corp Method for manufacturing solar cell with wiring sheet and method for manufacturing solar cell module
JP2014072403A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Wiring board for solar cell, solar cell with wiring board using the same and method for manufacturing the same
JP2014072402A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Wiring board for solar cell, solar cell with wiring board using the same and method for manufacturing the same
JP2014072404A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Wiring board for solar cell, solar cell with wiring board using the same and method for manufacturing the same
KR20140105450A (en) * 2011-10-31 2014-09-01 케빈 마이클 코클리 Interdigitated foil interconnect for rear-contact solar cells
JP2014532293A (en) * 2011-09-02 2014-12-04 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ エナジーズ アルタナティブス Non-planar photovoltaic device
KR20150100148A (en) * 2014-02-24 2015-09-02 엘지전자 주식회사 Solar cell and solar cell module
WO2019111491A1 (en) 2017-12-04 2019-06-13 株式会社カネカ Solar cell and electronic device provided with said solar cell
JP2019531199A (en) * 2016-07-28 2019-10-31 エックス デベロップメント エルエルシー Customized robot installation based on field collected measurements
US10644178B2 (en) 2015-03-31 2020-05-05 Kaneka Corporation Solar battery and solar battery module
WO2021060098A1 (en) * 2019-09-27 2021-04-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 Imaging element

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06130408A (en) * 1992-10-21 1994-05-13 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JPH08330360A (en) * 1995-05-31 1996-12-13 Nec Corp Semiconductor device and its manufacture
JPH1117050A (en) * 1997-06-20 1999-01-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Circuit board and manufacture thereof
WO2008090718A1 (en) * 2007-01-25 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Solar battery cell, solar battery array, solar battery module and method for manufacturing solar battery array

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06130408A (en) * 1992-10-21 1994-05-13 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JPH08330360A (en) * 1995-05-31 1996-12-13 Nec Corp Semiconductor device and its manufacture
JPH1117050A (en) * 1997-06-20 1999-01-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Circuit board and manufacture thereof
WO2008090718A1 (en) * 2007-01-25 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Solar battery cell, solar battery array, solar battery module and method for manufacturing solar battery array

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012002270A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 シャープ株式会社 Solar cell provided with wiring sheet, solar cell module, and method for manufacturing solar cell provided with wiring sheet
WO2012002271A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 シャープ株式会社 Solar cell, solar cell provided with wiring, solar cell module, and method for manufacturing solar cell provided with wiring
JP2012015359A (en) * 2010-07-01 2012-01-19 Sharp Corp Solar battery cell with wiring sheet, solar battery module and method for manufacturing solar battery cell with wiring sheet
JP2012015360A (en) * 2010-07-01 2012-01-19 Sharp Corp Solar battery cell with wiring, solar battery module and method for manufacturing solar battery cell with wiring
CN103081117A (en) * 2010-07-01 2013-05-01 夏普株式会社 Solar cell, solar cell provided with wiring, solar cell module, and method for manufacturing solar cell provided with wiring
JP2012033573A (en) * 2010-07-28 2012-02-16 Mazda Motor Corp On-vehicle solar cell panel and mounting structure thereof
JP2012033757A (en) * 2010-07-30 2012-02-16 Sharp Corp Solar cell and method of manufacturing rear surface passivation film
JP2012080041A (en) * 2010-10-06 2012-04-19 Sharp Corp Solar cell module
WO2012053329A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-26 シャープ株式会社 Wiring sheet, solar battery cell having wiring sheet attached thereto, solar battery module, solar battery cell, process for manufacturing solar battery cell having wiring sheet attached thereto, and process for manufacturing solar battery module
JP2012089729A (en) * 2010-10-21 2012-05-10 Sharp Corp Wiring sheet, solar cell with wiring sheet, solar cell module, solar cell, method of manufacturing solar cell with wiring sheet, and method of manufacturing solar cell module
JP2012099565A (en) * 2010-10-29 2012-05-24 Sharp Corp Backside contact solar battery cell having wiring board, solar cell module, and manufacturing method of backside contact solar battery cell having wiring board
WO2012057075A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 シャープ株式会社 Back contact solar cell with wiring board, and method for manufacturing back contact solar cell with wiring board
WO2012073935A1 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 シャープ株式会社 Rear surface electrode-type solar battery cell, solar battery module, solar battery wafer, and solar battery module production method
JP2012119602A (en) * 2010-12-03 2012-06-21 Sharp Corp Back electrode type solar cell, solar cell module, solar cell wafer and method of manufacturing solar cell module
WO2012081613A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 シャープ株式会社 Solar battery and solar battery manufacturing method
JP2012129461A (en) * 2010-12-17 2012-07-05 Sharp Corp Solar battery and method for manufacturing the same
CN103250261A (en) * 2010-12-17 2013-08-14 夏普株式会社 Solar battery and solar battery manufacturing method
US20130298988A1 (en) * 2010-12-17 2013-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Solar battery and method of manufacturing solar battery
WO2012132118A1 (en) * 2011-03-30 2012-10-04 シャープ株式会社 Method for manufacturing solar battery cell with wiring board, and method for manufacturing solar battery module
WO2012133415A1 (en) * 2011-03-30 2012-10-04 日立化成工業株式会社 Resin paste, solar cell, method for manufacturing solar cell, resin film, and semiconductor device
JP2012209447A (en) * 2011-03-30 2012-10-25 Sharp Corp Manufacturing method of solar cell with wiring board and manufacturing method of solar cell module
WO2013002044A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 シャープ株式会社 Solar cell module and solar cell mounting method
JP2014532293A (en) * 2011-09-02 2014-12-04 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ エナジーズ アルタナティブス Non-planar photovoltaic device
KR101954476B1 (en) 2011-10-31 2019-03-05 셀링크 코포레이션 Interdigitated foil interconnect for rear-contact solar cells
KR20140105450A (en) * 2011-10-31 2014-09-01 케빈 마이클 코클리 Interdigitated foil interconnect for rear-contact solar cells
JP2013214603A (en) * 2012-04-02 2013-10-17 Sharp Corp Method for manufacturing solar cell with wiring sheet and method for manufacturing solar cell module
JP2014072404A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Wiring board for solar cell, solar cell with wiring board using the same and method for manufacturing the same
JP2014072402A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Wiring board for solar cell, solar cell with wiring board using the same and method for manufacturing the same
JP2014072403A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Wiring board for solar cell, solar cell with wiring board using the same and method for manufacturing the same
JP2013058808A (en) * 2012-12-25 2013-03-28 Sharp Corp Solar battery and method for manufacturing solar battery
KR20150100148A (en) * 2014-02-24 2015-09-02 엘지전자 주식회사 Solar cell and solar cell module
KR102233882B1 (en) * 2014-02-24 2021-03-30 엘지전자 주식회사 Solar cell and solar cell module
US10644178B2 (en) 2015-03-31 2020-05-05 Kaneka Corporation Solar battery and solar battery module
JP2019531199A (en) * 2016-07-28 2019-10-31 エックス デベロップメント エルエルシー Customized robot installation based on field collected measurements
JP2021000722A (en) * 2016-07-28 2021-01-07 エックス デベロップメント エルエルシー Robot installation customized based on measurement collected on site
JP7111782B2 (en) 2016-07-28 2022-08-02 エックス デベロップメント エルエルシー Customized robot installation based on measurements collected on site
WO2019111491A1 (en) 2017-12-04 2019-06-13 株式会社カネカ Solar cell and electronic device provided with said solar cell
WO2021060098A1 (en) * 2019-09-27 2021-04-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 Imaging element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010092981A (en) Solar battery, backside contact solar battery, wiring substrate, and method of manufacturing solar battery
WO2010110083A1 (en) Back electrode type solar cell, wiring sheet, solar cell provided with wiring sheet, solar cell module, method for manufacturing solar cell provided with wiring sheet, and method for manufacturing solar cell module
JP4944240B1 (en) Back electrode type solar cell, back electrode type solar cell with wiring sheet, solar cell module, method for manufacturing back electrode type solar cell with wiring sheet, and method for manufacturing solar cell module
KR101152010B1 (en) Solar battery module substrate and solar battery module
JP5450595B2 (en) Solar cell with wiring sheet, solar cell module, method for manufacturing solar cell with wiring sheet, and method for manufacturing solar cell module
JP5273728B2 (en) Solar cell with wiring sheet and solar cell module
JP4656996B2 (en) Solar cell
KR20100021045A (en) Thin film type solar cell and method for manufacturing the same
KR20130067219A (en) Photoelectric module and manufacturing method thereof
WO2010150749A1 (en) Solar cell, solar cell with wiring sheet attached, and solar cell module
JP5149339B2 (en) Solar cell with wiring, solar battery module, and method for manufacturing solar cell with wiring
JP2010283052A (en) Wiring sheet, back electrode type solar cell, solar cell with wiring sheet, and solar cell module
JP5172783B2 (en) Solar cell with wiring sheet and solar cell module
KR100366350B1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US11049981B2 (en) Photovoltaic device and solar cell string including photovoltaic devices
JP5084874B2 (en) Solar cell with wiring sheet, solar cell module, and method for manufacturing solar cell with wiring sheet
WO2016027530A1 (en) Photoelectric conversion device
JP2011003735A (en) Back electrode type solar cell, solar cell with wiring sheet, and solar cell module
JP6748688B2 (en) Photoelectric conversion device
JP5349664B2 (en) Solar cell module and method for manufacturing solar cell module
WO2021171953A1 (en) Solar cell and method for producing solar cell
JP2013062308A (en) Solar cell, manufacturing method of solar cell, and solar cell module
WO2012053329A1 (en) Wiring sheet, solar battery cell having wiring sheet attached thereto, solar battery module, solar battery cell, process for manufacturing solar battery cell having wiring sheet attached thereto, and process for manufacturing solar battery module
KR20150062792A (en) Solar cell module and solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110223

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120319

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120327

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120524

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121106

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130305