JP2010087504A - 太陽エネルギー変換デバイス - Google Patents

太陽エネルギー変換デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2010087504A
JP2010087504A JP2009211331A JP2009211331A JP2010087504A JP 2010087504 A JP2010087504 A JP 2010087504A JP 2009211331 A JP2009211331 A JP 2009211331A JP 2009211331 A JP2009211331 A JP 2009211331A JP 2010087504 A JP2010087504 A JP 2010087504A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
panel
panels
solar
energy
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009211331A
Other languages
English (en)
Inventor
Harold John Hoevel
ハロルド・ジョン・ヘーベル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JP2010087504A publication Critical patent/JP2010087504A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/043Mechanically stacked PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

【課題】 光タンデム型光電池パネルを提供する。
【解決手段】 太陽エネルギー変換デバイスは、上部パネルから下部パネルまでの階層に積層された少なくとも2つのパネルの垂直積層体を備え、パネルの各々は、パネルの垂直積層体内の他のパネルの太陽電池とは異なるエネルギー・バンドギャップを有する太陽電池の整合(マッチング)アレイを含む。垂直積層体内の各パネルは、より高いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を有するパネルが、階層内及び積層体内で、より低いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を含む他のパネルの上に位置するように配置することができる。デバイスの上面は最上部パネルに入射する太陽エネルギーを受け取るように適合される。各上部パネルは、そのエネルギー・バンドギャップより大きい太陽光子エネルギーを有する太陽光の部分を吸収し、より大きい太陽光子エネルギーよりも小さい光子エネルギーを有する太陽光子を、階層内で下方の積層体内で下に位置する残りのパネルの1つまで透過させる。
【選択図】 図1

Description

本発明は光起電型のエネルギー変換デバイス(EDC)に関し、より具体的には光電池(光起電力電池)、例えば、光電池アレイを取り付けたパネルの積層体からなる電池型のECD(光タンデム型光電池パネル)に関する。
定義
電磁放射−電気エネルギー変換デバイス(EREECD):電磁(光)放射と反応して電気エネルギーを生成するデバイス。
光放射−電気エネルギー変換デバイス(OREECD):光学的電磁放射と反応して電気エネルギーを生成するデバイス。この様なデバイスは、放射吸収デバイス、例えば、光検出器/カウンタ、光電池(太陽電池)又は光駆動電気分解セルなどとすることができる。
光電子エネルギー・デバイス(OED):光学的放射と反応して電子デバイスにより電気エネルギーを生成するデバイス。
光電池:2つの電極を有し、表面に入射する紫外線から赤外線に至る範囲の光又は他の放射エネルギーを電力/電圧/電流の形態の電気エネルギーに変換する電気デバイスであり、通常は、反対の電気的極性を有する上部電極と底部電極を有するダイオードである。光電池は電極を通して流れる直流電流を生成する。本明細書で用いる光電池という用語は、上で定義したEREECD、OREECD、及びOEDを含む、放射エネルギーを電気エネルギーに変換する電池の一般名である。
太陽電池:2つの電極を有し、表面に入射する光を電気エネルギーに変換する電気的光起電デバイス(例えば半導体)であり、通常は、反対の電気的極性を有する上部電極と底部電極を有するダイオードである。太陽電池は電極を通して流れる直流電流を生成する。本明細書で用いる太陽電池という用語は、放射エネルギーを電気エネルギーに変換するセルの一般名である。
パネル:ガラス、石英、金属、又は他の材料で作られた基板上に形成される構造体であり、その上に取り付けられた電気的入力及び出力手段を含むことができる複数の太陽電池を有する。
TCO(透明導電性酸化物):光学的に透明な導電体。
積層体:太陽光が最上部パネルに入射し、その一部分が下に漏れ又は通過して下層のパネルに至るように配置され、相互に取り付けられた縦列(カスケード)パネル。
太陽スペクトル:入射光子の波長の関数として利用可能な太陽エネルギーの量であり、ここで各光子のエネルギーは1.24ボルトをミクロン単位の波長で割ったものとする。
スペクトル応答:入射光子の波長において太陽電池により生成される電流量。
電気的並列:加法的に太陽電池電流を生成するように、太陽電池の上部電極及び底部電極を他の太陽電池の上部電極及び底部電極に接続すること。
電気的直列:電池の電圧が加え合わされるように太陽電池の上部電極を別の太陽電池の下部電極に接続すること。
光学的直列:例えば半導体である1つのデバイスに入射した光がそのデバイス内で部分的に吸収され、残りが下方に通過して他のデバイス(例えば、半導体)に達する配置。
タンデム型太陽電池:入射光が部分的に上層の電池に吸収され、吸収されない部分が下方に通過して下層の電池に達する、太陽電池の積層体。
バンドギャップ又はエネルギー・バンドギャップ:特に半導体の価電子帯と伝導帯の間のエネルギー差を含む、半導体デバイスの電気的特性、電流及び電圧出力を決定する半導体デバイスのエネルギー・プロファイル特性。
p/n接合:p型半導体とn型半導体の間の接合により形成されるダイオード。
トンネル接合:高濃度にドープされてダイオード特性ではなくオーミック電気特性を示すp/n接合。
接点グリッド:太陽電池により生成された電流を集めるように、且つ入射太陽光が半導体デバイスである太陽電池の表面の大部分に達するように、相互に接続された低電気抵抗の金属ライン。
電気機器(Load):例えば、電気器具、ヒータ、テレビジョンなど電力源を必要とする、電力を使用するデバイス。
ベース:半導体内の接合境界の下にある太陽電池の本体。
バイパス・ダイオード:一群の太陽電池を横切って配置されて過剰電流を分路させ、一群の中の他の電池が照射された状態で遮光される電池の損傷を防止するための、ダイオード。
異なるバンドギャップを有する複数種類の太陽電池を用いたタンデム型太陽エネルギー変換デバイスを製造する目的は、太陽電池はそれらのバンドギャップに近い光子エネルギーを変換する場合、それらのバンドギャップより遥かに高い光子エネルギーを変換する場合よりも効率的であることによる。太陽スペクトルを複数部分に再分割し、スペクトルの適切な部分内の太陽エネルギーを電気ネルギーに変換するように最適化された複数の太陽電池を用いることにより、全体の効率は著しく向上する。
特定の型のタンデム型太陽電池が当技術分野においてよく知られている。最も一般的な型は、p/n接合を第1の半導体内に形成し、次いでトンネル接合をエピタキシャルに成長させ、高バンドギャップ半導体の第2の接合をまたエピタキシャルに成長させた、モノリシック型である。必要であれば、第2のトンネル接合、及びさらに高いバンドギャップの半導体の第3のp/n接合をまたエピタキシャルに成長させる。各半導体p/n接合が他の半導体p/n接合の上に配置されたタンデム積層体は、そのバンドギャップよりも大きい光子エネルギーの光を吸収し、そのバンドギャップよりも小さい光子エネルギーの残りの光を下層の半導体p/n接合に向けて透過させる。トンネル接合の目的は、低抵抗の「オーミック」コンタクトとして機能して別々のp/n接合を直列に接続し、各電池の電圧を互いに加え合わせることである。接合が直列となるので、積層体中の各p/n接合太陽電池により生成される電流は同じでなければならず、さもなければ電力及びエネルギー変換効率が低下することになる。
どの従来技術にも、タンデム構造体の別々のパネル上の太陽電池を、積層体内の各パネルが実質的に同じ電圧又は電流出力を有するように接続し、パネルを直列に接続して電圧を加え合わせること、又は並列に接続して電流を加え合わせることを可能にするステップが含まれず、それゆえに完成タンデム型エネルギー変換デバイスが2つの電極(通常は電気的「接地」に接続される1つの出力電極及びもう1つの出力電極)だけを有するようにしてエネルギー変換デバイスを単一の電気機器に接続することができない。
本発明により、光起電デバイスは光電池、例えば光起電(即ち、太陽)エネルギー変換デバイス(ECD)電池の積層体を備え、各積層体は、光電池、即ち太陽電池のアレイを有する複数の光電池パネルからなり、各パネルは相互に取り付けられて、放射(太陽)エネルギーが最上部パネルに入射するとき、放射(太陽)エネルギー・スペクトルの一部分がそれにより吸収されて電気エネルギーを生成する。積層パネルの各々の連続したパネルは、上部パネルで吸収されなかった放射(太陽)エネルギー・スペクトルの部分を受け取る。積層体の下方の光電池パネルまで透過されたエネルギーはそこで吸収されて電気エネルギーを生成する。
本発明の一態様において、積層体内の上方のパネルには、より高いエネルギー・バンドギャップを有する光(太陽)電池が取り付けられ、積層体内の下方の次のパネルにはより低いエネルギー・バンドギャップを有する光(太陽)電池が取り付けられる。これら光(太陽)電池は電気的直列及び並列に接続して各パネルが所望の電圧及び電流出力をもたらすようにし、パネルは相互に電気的に接続して、有用な電力に変換された入射太陽エネルギーの量がいずれのパネル単独で生成される量よりも大きくなるようにする。
本発明により、上部パネルから下部パネルまでの階層に積層された少なくとも2つのパネルの垂直積層体を含む光(太陽)エネルギー変換デバイスが提供され、ここでパネルの各々は、パネルの垂直積層体内の他のパネルの光(太陽)電池とは異なるエネルギー・バンドギャップを有する光(太陽)電池の整合(マッチング)アレイを含む。垂直積層体内のパネルの各々は、より高いエネルギー・バンドギャップの光(太陽)電池を有するパネルの1つが、階層内及び積層体内で、より低いエネルギー・バンドギャップの光(太陽)電池を含む他のパネルの上に位置するように配置される。デバイスの最上面は、最上部パネルに入射する光(太陽)エネルギーを受け取るように適合させる。
上部パネルの各々は、そのエネルギー・バンドギャップより大きい太陽光子エネルギーを有する太陽光の部分を吸収し、各上部パネルはより大きい光(太陽)光子エネルギーより小さい光子エネルギーを有する太陽光子を、積層体内の下部に位置するより低い階層の残りのパネルの一つまで透過させる。各パネル内の光(太陽)電池は電気的に直列に接続され、パネルは並列に接続されることが好ましい。或いは、各パネル内の光(太陽)電池は電気的に並列に接続され、パネルは直列に接続されることが好ましい。直列の電気的配置に接続された各々のパネル上の太陽電池の数は、各パネルの所望の出力電圧を、各パネル上の光(太陽)電池の各々の動作電圧で割った値に等しいことが好ましい。2つのパネルの積層体は、GaAs光(太陽)電池が上部パネルに取り付けられ、シリコン太陽電池が下部パネルに取り付けられることが好ましい。
別の実施形態において、上部パネルには、GaAs、GaInP、GaAsP、アモルファス・シリコン、CdTe、及びCdZnTeから成る群から選択される光(太陽)電池が取り付けられ、下部パネルには、結晶シリコン、多結晶シリコン、二セレン化銅インジウムガリウム、ゲルマニウム、窒化ガリウムインジウム、窒化ガリウムインジウム砒素から成る群から選択される光(太陽)電池が取り付けられる。
3つのパネルの積層体は、順番に上から下まで配置された上部パネル、中間パネル及び下部パネルを含み、上部パネルにはエネルギー・バンドギャップが1.7電子ボルトより大きい光(太陽)電池が取り付けられ、下部パネルにはエネルギー・バンドギャップが1.1電子ボルトより小さい光(太陽)電池が取り付けられ、中間パネルにはエネルギー・バンドギャップが上部パネルと下部パネルに取り付けられた電池のバンドギャップの間にある光(太陽)電池が取り付けられることが好ましい。各パネル内の光(太陽)電池は並列させて誘電体スペーサで分離するか又は互いに密着させることが好ましい。
本発明の別の態様によれば、光(太陽)エネルギー変換デバイスは、各々のパネルが異なるエネルギー・バンドギャップを有する光(太陽)電池のアレイを含む積層体内の最上部パネルに入射する光(太陽)エネルギーの方向に配置された少なくとも2つのパネルを含む。パネルは、より高いエネルギー・バンドギャップの光(太陽)電池を有するパネルがより低いエネルギー・バンドギャップの光(太陽)電池を有するパネルの上に位置する垂直積層体に配置され、各パネルはそのエネルギー・バンドギャップより大きい(太陽)光子エネルギーを有する太陽光の部分を吸収するように適合され、そのエネルギー・バンドギャップより小さいエネルギーを有する光(太陽)光子を積層体内の下方のパネルまで透過させるように適合される。
各パネル内の光(太陽)電池が電気的に直列に接続され、パネルは並列に接続される、或いは、各パネル内の光(太陽)電池が電気的に並列に接続され、パネルは直列に接続されることが好ましい。並列の電気的配置に接続された各々のパネル上の光(太陽)電池の数は、各パネルの所望の出力電流を、各パネル上の太陽電池の各々の動作電流で割った値に等しいことが好ましい。
上部パネルの透明性及び固体の最下部パネルは、上層のパネルを透過した光のある部分を下層パネルにより上方へ反射して戻し、付加的な電力出力及び低損失をもたらすことができる。そのような上方反射の便益は、各パネルを貫通する光の量及び下層パネルの反射特性に依存する。
2つのパネルの積層体は、GaAs光(太陽)電池が上部パネルに取り付けられ、シリコン太陽電池が下部パネルに取り付けられることが好ましい。或いは、上部パネルには、GaAs、GaInP、GaAsP、アモルファス・シリコン、CdTe、及びCdZnTeから成る群から選択される太陽電池が取り付けられ、下部パネルには、結晶シリコン、多結晶シリコン、二セレン化銅インジウムガリウム、ゲルマニウム、窒化ガリウムインジウム、窒化ガリウムインジウム砒素から成る群から選択される光(太陽)電池が取り付けられる。
本発明のさらに別の態様によれば、積層体中の3つの光(太陽)電池パネルは、上から下へ順番に配置された上部パネル、中間パネル及び下部パネルを含む。上部パネルには、エネルギー・バンドギャップが約1.7電子ボルトより大きい太陽電池が取り付けられる。下部パネルには、エネルギー・バンドギャップが約1.1電子ボルトより小さい太陽電池が取り付けられる。中間パネルには、エネルギー・バンドギャップが上部パネルと下部パネルに取り付けられた電池のバンドギャップの間にある太陽電池が取り付けられる。一群の光(太陽)電池をユニットとして表し、各ユニットに保護バイパス・ダイオードが含まれることが好ましい。各パネル内の光(太陽)電池は誘電体スペーサで分離するか、又は各パネル内の光(太陽)電池は互いに密着させることが好ましい。
本発明及びその目的と特徴は、添付の図面と共に記述される以下の詳細な説明及び添付の特許請求の範囲からより明白となる。
本発明による、2つの積層された太陽電池パネルから成るタンデム型エネルギー変換(TEC)デバイスを示す。 本発明による、3つの積層された太陽電池パネルから成るタンデム型エネルギー変換(TEC)デバイスを示す。 (A)は本発明による、太陽電池の上部及び下部パネルを有し、各パネル上の太陽電池は電気的直列に接続され、各パネルは並列に接続される、タンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイスを示し、(B)は(A)に示したTEC太陽電池デバイスの略電気回路図である。 (A)は本発明による、太陽電池の上部及び下部パネルを有し、各パネル上の太陽電池は電気的直列ではなく電気的並列に接続され、各パネルは直列に接続される、タンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイスの代替の配置を示す。各パネル上の太陽電池は誘電体スペーサによって互いに分離される。(B)は(A)に示したTEC太陽電池デバイスの電気回路図である。 (A)は、各パネルの太陽電池が互いに密着され、パネルが直列に接続された図4(A)のTEC太陽電池デバイスの変形を示す。(B)は(A)に示したTEC太陽電池デバイスの電気回路図であり、電気的接続は変更されていないので図4(B)と同一である。 (A)は、各パネルの太陽電池が互いに密着され、パネルが並列に接続された図5(A)のTEC太陽電池デバイスの変形を示す。(B)は(A)のTEC太陽電池デバイスの電気回路図であり、パネルの並列電気接続を示す。 (A)は本発明による、交互のp/n及びn/p型の太陽電池が電気的直列に接続されたタンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイスを示す。(B)は(A)のTEC太陽電池デバイスの回路図である。
以下の詳細な記述は、添付の図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態並びに利点及び特徴を説明するものである。
タンデム型太陽電池パネル。
図1は、タンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイス10を示すが、これは、3つの上部太陽電池12を有する上部太陽電池パネル11と下部太陽電池14を有する下部太陽電池パネル15とを含む2つの太陽電池パネル(光電池パネルの例とし)のタンデム配置の積層体ST1から成る。図示したように、下部太陽電池パネル15は上部太陽電池パネル11の下にあるが、電磁エネルギーが下から供給される場合には構造体を逆さにすることができる。上部太陽電池パネル11は、透明導電性酸化物(TCO)パッド18が取り付けられた上面を有する透明上部基板13を含む。TCOパッド18の上面には、ダイオードである3つの幅広の上部太陽電池が隣り合って平行に狭い間隔で並列される。
図解の便宜上、3つの上部太陽電池だけを示すが、もっと多数の太陽電池を同様に用いることができる。上部太陽電池は、その両面に、電気回路内の接続に適合させた導電性電極、即ちアノード及びカソードを有し、直流電流を生成する。上部太陽電池12の各々の上面に上部電極があり、上部太陽電池12の各々の底面に下部電極がある。
全てのダイオードの場合と同様に、当業者には周知のことであるが、太陽電池(ダイオード)の上部電極と下部電極は反対の極性を有する。例えば全ての上部電極を負の極性を有するカソードとすることができ、その場合全ての下部電極は正の極性を有するアノードとなり、或いは、回路内の接続の仕方に応じて逆にすることができる。上部太陽電池12の間の間隔は最小にしてそれらの間を光が殆ど通過しないようにする。TCO層18は、幾つかの上部太陽電池12の組によって吸収されない光を、それを通して透過させる材料から構成される。それゆえ、上部太陽電池12によって吸収されなかった光は透明な上面13を透過して下方の下部太陽電池パネル15に至る。
特に、TCO層18は、酸化インジウム錫、酸化錫、酸化亜鉛などの導電性材料から構成することができる。太陽電池12の下部電極はTCO層18に結合させ、即ち電気的及び機械的に接触させるので、TCO層18は下部電極として用いて、TCO層18の露出端部9のような位置に電気的接続を形成することができる。
下部太陽電池パネル15は底部基板16を含み、この底部基板は、底部導電性基板16の上面に狭い間隔で平行に並列された幾つかの下部太陽電池14が形成された上面を有する。図解の便宜上、4つの太陽電池14だけを図示するが、より多数のものを同様に用いることができる。4つの下部太陽電池14は、上部太陽電池12より幅狭であるが、これもまた、反対の極性を有する上部及び下部電極をその上面及び底面に有するダイオードである。
例えば、上部太陽電池パネル11に関して上述したように、全ての上部電極が負の極性を有することができ、全ての下部電極が正の極性を有することができること、或いはその逆であることが好ましく、またそれは、当業者には良く理解されるように、回路内で電極をどのように接続するかに応じて変更できることが好ましい。導電性底部基板16は透明である必要はなく、金属のような導電性材料で構成することができ、これは下部電極として用いて底部基板16の露出端部19のような位置に電気的接続を形成することができる。
放射エネルギー17は、光、太陽光、又は太陽若しくは他のエネルギー源からの他の放射エネルギーとすることができるが、上部太陽電池12の上面を含む積層体ST1に入射するように下方に向けて図示される。上部太陽電池12のバンドギャップより高い光子エネルギーを有する太陽スペクトルの部分は、大部分がその太陽電池により吸収され、それにより電気エネルギーに変換される。
上部太陽電池12のバンドギャップより低い光子エネルギーを有する太陽スペクトルの部分は、上部太陽電池12、TCO層18及び透明上部基板13を下方に透過して、下部太陽電池パネル15の上面及びその上に取り付けられた下部太陽電池14に至り、そこで下部太陽電池14のバンドギャップより高いエネルギーを有する太陽スペクトルの部分が電気エネルギーに変換される。上部太陽電池12と下部太陽電池14の間の空間は最小幅にして、最小電池面積に対して最大量の太陽光が集められるようにする。さもなければ、上部太陽電池12と下部太陽電池14の間の空間は効率損失もたらすことになる。
図解の便宜上、上部太陽電池パネル11の上には3つの上部太陽電池12だけを示し、下部太陽電池パネル15の上には4つの下部太陽電池だけを示す。実際には、太陽電池パネル11及び15の各々の上の太陽電池の数は、パネルの所望の出力電圧を、その上の個々の太陽電池の出力電圧で割ることにより決定される。
複数タンデム型太陽電池パネル。
図2は、3組のダイオードである太陽電池12、22、及び24がそれぞれ取り付けられた複数(3つ)の太陽電池パネル11、21及び23の別の積層体ST2から成るタンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイス20を示す。太陽電池12、22、及び24は、当業者には良く理解されるように、その上面に形成された上部電極と底面に形成された下部電極との両方を有する。上部電極と下部電極は通常反対の極性を有することになる。例えば、全ての上部電極が負の極性を有し、そして全ての下部電極が正の電極を有するようにすることができ、或いは一貫して逆にすることもできる。
上部パネル11及び中間パネル21は、上部及び中間太陽電池パネル11及び21の底部にある透明上部基板13及び透明中間基板13’から構成され、それらの上面にはそれぞれ上部TCO層18及び中間TCO層18’が形成される。上部TCO層18は、下部電極として用いてその露出端部9のような位置に電気的接続を形成することができる。同様に、中間TCO層18’は下部電極として用いてその露出端部9’のような位置に電気的接続を形成することができる。
図1におけるように、上部パネル11のTCO層18の上面に取り付けられた幾つかの、例えば3つの上部太陽電池12が存在し、それらの下部電極はTCO層18に結合される、即ち、電気的且つ機械的に接触する。図解の便宜上4つだけの電池として図示した、通常は小さな中間太陽電池22は、中間太陽電池22の中間パネル21の中間TCO層18’の上面上に、より多数形成される。
下部太陽電池24は、7つだけ(図解の便宜上)として図示したが、さらに多数が太陽電池24の底部パネル23の導電性基板16’の上面上に形成される。図1と同様に、底部基板16’は透明である必要はなく、金属のような導電性材料で構成することができ、これを下部電極として用いて、底部基板16’の露出端部19’のような位置に電気的接続を形成することができる。太陽光、光、又は他の放射エネルギー17は、図1におけると同様に、上部太陽電池12、及び上部パネル11のTCO層18の露出上面に入射する。
図1及び図2に示した太陽電池は、パネルを並列に接続するための要件である、各パネルから同じ正味の電圧出力が生ずるように、下方のパネル上でサイズが減少する。このデバイス・サイズに関する要件は、電圧出力の代りに電流出力を同じにする必要があるときにパネルを直列に接続する場合には不要である。
光、太陽光又は他の放射エネルギー源17の太陽スペクトルのうち、上部パネル11の上部太陽電池12のバンドギャップより高い光子エネルギーを有する部分は、大部分が上部太陽電池12によって吸収されて電気エネルギーに変換される。しかし、上部太陽電池12のバンドギャップより低い光子エネルギーを有する太陽スペクトルの部分は、上部太陽電池12、TCO層18及び透明上部基板13を透過して下方のパネル21に至り、そこで中間太陽電池22のバンドギャップより高いエネルギーを有する太陽スペクトルの部分が電気エネルギーに変換される。
中間パネル21内の中間太陽電池22のバンドギャップより高い太陽スペクトルの部分は、太陽電池22によって吸収される。残りのエネルギー、即ち、中間太陽電池22のバンドギャップより低い光子エネルギーを有する太陽スペクトルの部分は、中間TCO層18’及び透明中間基板13’を透過して下方の底部パネル23上の底部電池24に至り、そこで太陽エネルギーが吸収されて電気エネルギーに変換される。
各パネル上の太陽電池は全て同じサイズにする必要はない。必要なのは、所望の出力を得るように、各パネル上の電池を電気的直列、並列、又は直列と並列の組合せに接続することである。単一のパネル上に異なるバンドギャップの太陽電池を用いることは、そうすることで特別の便益が得られる場合に可能である。しかし、一般には、個々のパネルの各々の上に同じバンドギャップの太陽電池を取り付けることが好ましい。
異なるバンドギャップを有する太陽電池材料。
各パネル用の太陽電池として、ある範囲の材料が使用可能である。例えば、図1の上部パネル11には、アモルファス・シリコン(aSi)、ガリウム砒素(GaAs)、テルル化カドミウム亜鉛(CdZnTe)、ガリウムインジウムリン(GaInP)、又はテルル化カドミウム(CdTe)のような、バンドギャップが1.4電子ボルト(eV)に等しいか又はそれ以上である電池を取り付けることができ、一方下部パネルには、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、インジウムガリウム砒素(InGaAs)、窒化ガリウムインジウム(GaInN)、窒化ガリウムインジウム砒素(GaInAsN)、又は二セレン化銅インジウムガリウム(CIGS)のような、バンドギャップが1.1eV又はそれ以下である電池を取り付けることができる。好ましい範囲内のバンドギャップを有する他の材料を用いることもできる。
図2の上部電池12に対しては、aSi、ガリウムインジウムリン(GaInP)、アルミニウムガリウムリン(AlGaP)、ガリウムアルミニウム砒素(GaAlAs)、及びガリウム砒素リン(GaAsP)のような、1.7eVに等しいか又はそれ以上のようなさらに高いバンドギャップを有する材料が好ましいが、ここでバンドギャップは半導体合金の組成によって調整することができる。
中間パネル21に関して、中間太陽電池22は、シリコン(Si)、ガリウム砒素(GaAs)、ガリウムインジウム砒素(GaInAs)、CIGS,及び窒化ガリウムインジウム砒素(GaInAsN)のような、バンドギャップが1.7eV未満で1.0eV以上である半導体で作成することができる。
下部パネル23に関して、太陽電池は、GaInAs、シリコンゲルマニウム(SiGe)、Ge、ガリウムアンチモン(GaSb)、及びこれらの材料の合金のような、バンドギャップが1.1eV未満である半導体で作成することができ、ここでバンドギャップは合金の組成によって決定される。
図1におけると同様に、パネル11、21、及び23の上の電池12、22、及び24の数は、パネルの所望の電圧出力及び個々の電池の電圧出力によって決定される。
分離したTCOパッド上の直列接続された太陽電池を有するTEC太陽電池パネル。
図3(A)は、上部パネル25及び下部パネル31から成る2つの太陽電池パネルの積層体ST3を備えたタンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイス30の別の実施形態を示し、ここで、上部パネル25上の太陽電池は第1の組の電気的直列接続に接続され、下部パネル31上の太陽電池は第2の組の電気的直列接続に接続される。図3(B)は図3(A)に示したTEC太陽電池デバイス30の略電気回路図である。
図3(A)において、上部パネル25は、透明誘電体基板37の上に並べて形成された2つのTCOパッド26A及び26Bの上面に形成されたダイオードである2つの太陽電池27A及び27Bを含む。TCOパッド26A及び26Bは電極として用いて、太陽電池27A及び27Bの底部電極から回路内の次の素子への電気的接続を形成する。導電性相互接続28は、TCO層26Aを右側の太陽電池27Bの上部電極に接続して、上部パネル25上の2つの太陽電池27A及び27Bを電気的直列に接続する。具体的には、左側太陽電池27Aの底部電極が左側TCO層26Aの上面に直接接触によって接続され、このTCO層26Aが相互接続28に接続され、次に相互接続28が右側太陽電池27Bの上部電極に接続される。
要するに、上部パネル25上で、左側太陽電池27Aの底面が、隣の右側太陽電池27Bの上面に、相互接続28に接続する左側TCO層26Aを通じて接続され、その結果直列に接続された電池の電圧が加え合わされる。端子T1は電線路34によりコネクタA1に接続され、コネクタA1は左側太陽電池27Aの上部電極に直接接触により接続される。右側太陽電池27Bの底部電極は、右側TCOパッド26Bの上面との直接接触によりコネクタB1に接続され、コネクタB1は電線路36により右の外部端子T2に接続される。
図3(A)において、下部パネル31は4つの太陽電池33A、33B、33C及び33Dの組を含み、これらの各々は、底部基板38の上に形成された4つのTCOパッド32A、32B、32C、及び32Dの組の中のそれぞれ1つの上面上に形成される。太陽電池33A、33B、33C及び33Dは、TCOパッド32A、32B、32C、及び32D、並びに、一組の導電性相互接続35A、35B、及び35Cによって、上部パネル25に関する前述の接続と同様に、電気的直列に接続される。下部パネル31において、左から右へ電池33A、33B、及び33Cの各々の底面は、それぞれ右側の隣接する太陽電池33B、33C及び33Dの上面に、対応するTCOパッド32A、32B、又は32C、並びに、対応する導電性相互接続35A、35B、及び35Cによって接続され、その結果、同じく直列に接続された電池の電圧が加え合わされる。
パネル25及び31の左側電極A1及びA2は、電線路34によって互いに接続され、この電線路34がそれら両方を端子T1に接続する。パネル25及び31の右側電極B1及びB2は、電線路36によって互いに接続され、そして端子T2に接続され、この電線路36がパネル25と31を並列に接続して2パネルTEC太陽電池デバイス30を2端子デバイスにし、パネル25と31が並列に接続されるので各パネルの電圧は同じにされる。これは、直列に接続される電池の数を、所望の電圧出力を各パネル上の太陽電池の電圧出力で割った値に等しくすることにより実施される。
例えば、所望の電圧出力が16ボルトであるならば、パネル25上の太陽電池27が1ボルトの出力を有する場合、16個の電池を相互接続28により直列に接続し、一方、下部パネル31の電池33が0.5ボルトの出力を有する場合、32個の電池33を直列に接続する。太陽電池27A/27Bは、例えば、1ボルト出力のGaAsとすることができ、電池33は0.5ボルト出力のSiとすることができる。
図2に示すような3つ又はそれ以上のパネルのエネルギー変換デバイスは、直列接続される電池の数が所望の全出力電圧を各パネル上の太陽電池の出力電圧で割った値に等しいという点で、同じ原理により構成することができる。所望の全出力電圧を生成するように各パネル上で直列に接続した電池の一群は、本発明の目的のための「ユニット」と呼ぶことができる。各ユニットは同じ電圧出力を有し、パネルは複数のユニットを含むことができる。ユニットは各パネル上で並列に接続してより多くの電流出力を得ることができる。
図3(B)の略電気回路図に示すように、TEC太陽電池デバイス30はまた、太陽電池27A/27Bの上部パネル用の上部バイパス・ダイオードD1、及び太陽電池33A/33B/33C/33Dの下部パネル用の下部バイパス・ダイオードD2を組み込んで、他の電池が太陽光に露出されたままで一群の電池が太陽光から遮光される場合に、TEC太陽電池デバイス30を保護することができる。
誘電体スペーサで分離されたパネル上の太陽電池を有する直列に接続された太陽電池パネル。
図4(A)は、上部パネル41及び下部パネル51の積層体ST4を備えたTEC太陽電池デバイス40Aの代替の配置を示し、ここで上部パネル41には一組の上部太陽電池43が含まれ、下部パネル51には一組の下部太陽電池53が含まれ、これらの太陽電池はパネル内で、電気的直列に接続されずに、電気的並列に接続される。端子T3は、電線路54によりコネクタA3に接続され、コネクタA3は上部パネル41内の左側太陽電池43の上部電極に直接接触により接続される。右側太陽電池53の底部電極は、導電性基板15の上面との直接接触によりコネクタA6に接続され、コネクタA6は電線路59により端子T6に接続される。
図4(B)は、図4(A)に示したTEC太陽電池デバイス40Aの略電気回路図である。上部パネル41と下部パネル51は電気的直列に接続することができる。この場合、各パネルにより供給される電流を同じにする必要がある。上部パネル41と下部パネル51は完成エネルギー変換デバイス内で並行ではなく直列に接続されるので、2つのパネル、即ち上部パネル41と下部パネル51の電圧出力が加え合わされる。
図4(A)において、上部パネル41は誘電体スペーサ47で分離された上部太陽電池43(ダイオード)を含み、下部パネル51は誘電体スペーサ57で分離された下部太陽電池53(ダイオード)を含む。上部パネル41の上部太陽電池43は、図1におけると同様に、上部透明基板13の上面に形成されたTCO層39の上に取り付けられた下部電極を有し、その結果、上部太陽電池43のバンドギャップより小さいエネルギーの太陽光は下部パネル51及び下部太陽電池53まで透過することになる。上部パネル41上で、TCO導電性層39は上部太陽電池43の裏面の下部電極への電気的接続をもたらし、それらを相互に接続する。
同様に、下部パネル51上で、下部太陽電池53が取り付けられた導電性基板15は、下部太陽電池53の裏面の下部電極を互いに電気的に接続する。上部太陽電池43の前面上の上部電極、及び下部太陽電池53の前面上の上部電極は、それぞれ図4(B)に示すように、それぞれ上部コネクタ45及び下部コネクタ55により電気的並列に接続される。太陽電池43及び53の上部電極は、A3及び上部コネクタ45及び下部コネクタ55の各端部における上部電極への接続点間の機械的間隔を考慮して、上部電極に対するデュアル接続を伴うように示した。
互いに密着したパネル内電池を有する電気的直列に接続された太陽電池パネル。
図5(A)及び(B)は図4(A)及び(B)の代替の配置を示し、この場合、誘電体スペーサ47及び57が省かれてパネル41及び51の上の太陽電池は互いに密着し、他の点では構造体及び回路は同じである。図5(A)に示すように、図4(A)の積層体ST4内の、個々の電池43及び53をそれぞれ隣接する電池から絶縁する随意的な誘電体スペーサ47及び57が、図5(A)に示した本発明の実施形態から省かれている。図4(A)と対比すると、図5(A)の積層体ST5は、それぞれ互いに密着した太陽電池43及び53の代替的な並列接続を含む。図5(B)に示した回路図は、電気的接続が変更されていないので、図4(B)と同一である。
図4(A)及び図5(A)の上部パネル41において、コネクタ45は上部パネル41の上部太陽電池43の上部電極を互いに電気的に接続する。底部のTCO導電層39は上部パネル41の上部太陽電池43の下部電極を接続する。従って、太陽電池43は、左上の太陽電池43上のコネクタA3と、TCO導電層39の右側端部の上面上のコネクタA4との間で並列に接続される。
下部パネル51において、下部太陽電池53の頂部の下部コネクタ55、及び下部パネル51の底部の導電性基板15は、下部パネル内の下部太陽電池53を、左上の太陽電池53上のコネクタA5と、下部基板15の右側端部の上面上のコネクタA6との間で互いに並列に接続するように設けられる。
上部パネル41のコネクタA3及びA4、並びに下部パネル51のコネクタA5及びA6は、上部パネル41と下部パネル51を互いに直列又は並列に接続するように設けられる。例えば、図4(A)及び(B)、図5(A)及び(B)に示すように、コネクタA4及びA5は互いに接続してパネルを電気的直列に配置して太陽電池デバイス40Aの出力電圧がコネクタA3及びA6を横切って現れるようにすることができる。それらの結合は、どれがエネルギー変換デバイスの外部接続電極、即ち出力電極であるかを決定する。
各パネルは、パネルを電気的直列に接続するためには、同じ電流出力を有する必要がある。各パネル上で並列に接続する必要がある電池の数は、全出力電流を各電池の出力電流で割った値となる。例えば、各パネルが6アンペアの出力電流を供給するように意図する場合、各電池が0.5アンペアを出力する場合には12個の電池を並列に接続し、各電池が0.4アンペアを出力する場合には15個の電池を並列に接続する。
互いに密着したパネル内電池を有する並列に接続された太陽電池パネル。
或いは、当業者には良く理解されるように、図5(A)及び(B)の変形である図6(A)及び(B)は、パネル41と51を電気的並列に接続するための、ライン58Aで互いに接続されたコネクタA3及びA5,並びにライン58Bで互いに接続されたコネクタA4及びA6を示す。
所望の電流を出力するように並列接続された太陽電池の群の各々は、一ユニットと考えることができる。パネルは、各々が同じ電流出力を有する複数のユニットを含むことができる。各パネル上のユニットは、直列に接続して実質的に定電流で電圧を加え合わせることができ、或いは、さらに並列に接続して実質的に定電圧でより多くの電流を得ることができる。各ユニットはまた、他の電池が太陽光に露出されたままで一群の電池が太陽光から遮光される場合に、ユニットを保護するためのバイパス・ダイオードを組み込むことができる。
物理的に反転し直列に接続された隣接する太陽電池を有する太陽電池パネル。
図7(A)は本発明による、交互のp/n及びn/p型の太陽電池が電気的直列に接続されたタンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイスを示す。図7(B)は図7(A)に示したTEC太陽電池デバイスの回路図である。図7(A)はパネル60上の一組の太陽電池63A、64A、63B、64B、63C及び64Cの交互の直列接続を示し、これには一組の3つのTCOパッド62A、62B及び62Cの上に形成された第1の組のダイオードであるp−n型太陽電池セル63A、63B及び63C、並びに、第2の組のやはりダイオードである、上下逆の、即ち物理的に反転したn−p型太陽電池64A、64B及び64Cが含まれる。
太陽電池63A、64A、63B、64B、63C及び64Cは、その下に他の太陽電池パネル(図解の便宜上図示せず)がある場合には透明である基板61の上面上に並列させる。連続して並列させた第1の組の太陽電池63A、63B、63C及び第2の組の太陽電池64A、64B、64Cの極性は、それらの極性が上部から底部へ反転するために、p/n接合からn/p接合へ、次いでp/n接合へ、次いでn/p接合へ、など互い違いになる。換言すれば、パネル60は、n型上面及びp型底面を有する太陽電池64A、64B、64Cと並列させた、p型上面及びn型底面を有する幾つかの太陽電池63A、63B、及び63Cから成る。
導電性TCOパッド62A、62B、及び62Cは隣接する電池の電圧を加え合わせ、接続電極65A及び65Bは、TCOパッド62A及び62Bの上に配置された隣接する電池64A及び64Bの対の電圧、及びTCOパッド62B及び62Cの上に配置された隣接する電池64B及び63Cの対の電圧を加え合わせる。
パネル60の外部接続用に設けられた外部電極66及び67は、それぞれ電池63A及び電池64Cに接続される。電池63Aのアノードは外部電極66に接続され、電池63AのカソードはTCO層62Aに接続及び結合される。電池64AのアノードはTCO層62Aに接続及び結合され、電池64Aのカソードは接続電極65Aに接続される。次に電池63Bのアノードは接続電極65Aに接続され、電池63BのカソードはTCO層62Bに接続及び結合される。電池64BのアノードはTCO層62Bに接続及び結合され、電池64Bのカソードは接続電極65Bに接続される。次に電池63Cのアノードは接続電極65Bに接続され、電池63CのカソードはTCO層62Cに接続及び結合される。電池64CのアノードはTCO層62Cに接続及び結合され、電池64Cのカソードは外部電極67に接続される。図7(B)は、上に詳述した外部電極66と67の間のデバイスの接続を示す。
図7(A)のパネル60のような、パネル積層体内の各パネルは、所望のパネルの全出力電圧を各電池の出力電圧で割った値に等しい数の直列接続された電池を含む。
例えば、パネル60は、各々が実質的に定電流で1ボルトを出力する16個の電池の群を含むことができ、第2のパネルは、各々が実質的に定電流で0.5ボルトを出力する32個の電池の群を含むことができる。所望の電圧出力を得るように直列に接続された電池の群はユニットを表す。パネルはより高い電圧出力用に直列に接続された複数のユニット、又はより高い電流出力用に並列に接続された複数のユニット、又は直列及び並列接続を組合せた複数のユニットを含むことができる。各ユニット又はユニットの群にバイパス・ダイオードを組み込んで、部分的な太陽光の遮光に対してユニットを保護することができる。バイパス・ダイオードはまた、ユニット内の電池群と共に用いて部分的な太陽光の遮光に対して電池群を保護することができる。
タンデム型エネルギー変換(TEC)デバイスは、互いに並列に接続され従って同じ電圧出力を有するパネルから成り、等しい電流出力を必要とする直列に接続されたパネルよりも優れている。入射太陽スペクトルは日にわたり年にわたって変化するので、一組の直列接続されたパネルの電流出力はスペクトルの変化に伴って直線的に変化するが、一方、並列接続されたパネルの電圧出力はスペクトルの変化に伴って対数的に変化し、そのような太陽スペクトル変化に対する並列パネル接続の感受性を、直列パネル接続よりも小さくする。
各パネル上の太陽電池及びパネル自体の直列及び並列接続の組合せは、電圧及び電流出力の所望の結果をもたらすように作ることができることは、当業者には明白であろう。
本発明の重要な特徴は、太陽電池パネルを光学的直列に配置して、各パネルが入射太陽スペクトルの一部分を吸収して残りを透過させ、次にパネルを電気的直列に接続(この場合、各パネルは同じ電流を出力する必要がある)してそれらの電圧出力を加え合わせるように、或いは、電気的並列に接続(この場合、各パネルは同じ電圧出力を出力する必要がある)してそれらの電流出力を加え合わせるようにすることである。
各パネルを別々に作成して、それらを作成プロセスの最後に組み合せることの付加的な利点は、各太陽電池を別々に製造することができ、従って、各材料が温度、厚さ、必要ならば表面コーティングのタイプなど異なるプロセス条件を必要とする可能性があることを考慮に入れて、最適化処理を行うことができることである。次に最適化された太陽電池パネルを組み合せて、タンデム手法の高い性能/効率を実現する。
本発明の前記の記述は、本発明の例示的な特定の実施形態を明確に説明するので、当業者であれば、本発明は、添付の特許請求の趣旨及び範囲内の変更により実施することができること、即ち、本発明の趣旨及び範囲から逸脱せずに、形態及び細部に変更を施すことができることを認識するであろう。上に開示された装置及び方法に対する本発明の範囲内に入る変更は、当業者にはただちに明白となるであろう。
従って、本発明は、上記のその例示的な実施形態に関連して開示したが、変更を施して本発明の趣旨及び範囲内に入り得る他の実施形態をもたらすことができ、全てのそのような変更は本発明の範囲内に入り、そして本発明は添付の特許請求の範囲により定められる対象物を包含することを理解されたい。
9、19、19’:露出端部
10、20、30、40A:タンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイス
11、25、41:上部太陽電池パネル
12、27A、27B、43:上部太陽電池
13:透明上部基板
13’:透明中間基板
14、24、53:下部太陽電池
15、23、31、33A、33B、33C、33D、51:下部太陽電池パネル
16、16’、38:底部基板
17:放射エネルギー
18、18’、26A、26B、32A、32B、32C、32D、39:透明導電性酸化物(TCO)パッド(TCO層)
21:中間太陽電池パネル
22:中間太陽電池
28、35A、35B、35C:導電性相互接続
34、36、54、58、58A、58B、59:電気ライン
37:透明誘電体基板
45、55:コネクタ
47、57:誘電体スペーサ
60:パネル
62A、62B、62C:TCOパッド
63A、64A、63B、64B、63C、64C:太陽電池
65A、65B:接続電極
66、67:外部電極

Claims (20)

  1. 太陽エネルギー変換デバイスであって、
    上部パネルから下部パネルへ階層的に積層された少なくとも2つのパネルの垂直積層体
    を備え、
    前記パネルの各々は太陽電池の整合アレイを含み、前記太陽電池はパネルの前記垂直積層体内の他のパネルの太陽電池とは異なるエネルギー・バンドギャップを有し、
    前記垂直積層体内の前記パネルの各々は、より高いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を有する前記パネルが前記階層内かつ前記積層体内でより低いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を含む前記パネルの他のものより上に位置するように、配置され、
    前記デバイスの上面は、最上部パネルに入射した太陽エネルギーを受け取るように適合させ、
    各々の前記上部パネルは、それの前記エネルギー・バンドギャップより大きい太陽光子エネルギーを有する太陽光の部分を吸収し、各々の前記上部パネルは、前記より大きい太陽光子エネルギーよりも小さい光子エネルギーを有する太陽光子を、前記階層内でより低くかつ前記積層体内でより低く配置された前記パネルの残りの1つまで透過させる、
    エネルギー変換デバイス。
  2. 各前記パネル内の前記太陽電池は電気的直列に接続され、前記パネルは並列に接続される、請求項1に記載のエネルギー変換デバイス。
  3. 各前記パネル内の前記太陽電池は電気的並列に接続され、前記パネルは直列に接続される、請求項1に記載のエネルギー変換デバイス。
  4. 並列の電気的配置に接続された前記パネルの各々の上の太陽電池の数は、各前記パネルの所望の出力電圧を各前記パネル上の各前記太陽電池の動作電圧で割った値に等しい、請求項2に記載のエネルギー変換デバイス。
  5. 前記上部パネル上に取り付けられたGaAs太陽電池と、前記下部パネル上に取り付けられたシリコン太陽電池とを有する2つのパネルの積層体を備えた、請求項4に記載のエネルギー変換デバイス。
  6. GaAs、GaInP、GaAsP、アモルファス・シリコン、CdTe、及びCdZnTeから成る群から選択された太陽電池が取り付けられた前記上部パネルと、
    結晶シリコン、多結晶シリコン、二セレン化銅インジウムガリウム、ゲルマニウム、窒化ガリウムインジウム、及び窒化ガリウムインジウム砒素から成る群から選択された太陽電池が取り付けられた前記下部パネルと
    を備えた、請求項4に記載のエネルギー変換デバイス。
  7. 上部から底部まで順番に配置された、上部パネル、中間パネル及び下部パネルを含む前記パネルの3つの積層体
    を備え、
    前記上部パネルには、エネルギー・バンドギャップが1.7電子ボルトより大きい太陽電池が取り付けられ、
    前記下部パネルには、エネルギー・バンドギャップが1.1電子ボルトより小さい太陽電池が取り付けられ、
    前記中間パネルには、バンドギャップが前記上部パネルと前記下部パネルに取り付けられた前記電池のバンドギャップの中間にある太陽電池が取り付けられる、
    請求項4に記載のエネルギー変換デバイス。
  8. 各前記パネル内の前記太陽電池は誘電体スペーサによって分離される、請求項1に記載のエネルギー変換デバイス。
  9. 一群の前記太陽電池がユニットとして表され、保護バイパス・ダイオードが各ユニット内に含まれる、請求項8に記載のエネルギー変換デバイス。
  10. 各前記パネル内の前記太陽電池は、並列配置されて互いに密着するか又は誘電体スペーサによって分離される、請求項1に記載のエネルギー変換デバイス。
  11. 太陽エネルギー変換デバイスであって、
    最上部パネルに入射する太陽エネルギーの方向に配置された少なくとも2つのパネル
    を備え、
    前記パネルの各々は異なるエネルギー・バンドギャップを有する太陽電池のアレイを含み、
    前記パネルは、より高いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を有する前記パネルがより低いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を有する前記パネルの上に位置する垂直積層体に配置され、
    前記パネルの各々は、そのエネルギー・バンドギャップより大きい太陽光子エネルギーを有する太陽光の部分を吸収するように適合され、そのエネルギー・バンドギャップより小さいエネルギーを有する太陽光子を前記積層体内のより下の前記パネルまで透過させるように適合される、
    エネルギー変換デバイス。
  12. 各前記パネル内の前記太陽電池は電気的直列に接続され、前記パネルは並列に接続される、請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。
  13. 各前記パネル内の前記太陽電池は電気的並列に接続され、前記パネルは直列に接続される、請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。
  14. 並列の電気的配置に接続された各前記パネル上の太陽電池の数は、各前記パネルの所望の出力電流を各前記パネル上の各前記太陽電池の動作電流で割った値に等しい、請求項13に記載のエネルギー変換デバイス。
  15. 並列の電気的配置に接続された各前記パネル上の太陽電池の数は、各前記パネルの所望の出力電圧を各前記パネル上の各前記太陽電池の動作電圧で割った値に等しい、請求項12に記載のエネルギー変換デバイス。
  16. 上部の前記パネルの上に取り付けられたGaAs太陽電池と、下部の前記パネルの上に取り付けられたシリコン太陽電池とを有する2つのパネルの積層体を備えた、請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。
  17. GaAs、GaInP、GaAsP、アモルファス・シリコン、CdTe、及びCdZnTeから成る群から選択された太陽電池が取り付けられた上部パネルと、
    結晶シリコン、多結晶シリコン、二セレン化銅インジウムガリウム、ゲルマニウム、窒化ガリウムインジウム、又は窒化ガリウムインジウム砒素から成る群から選択された太陽電池が取り付けられた、下部の前記パネルと
    を備えた、請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。
  18. 上部から底部まで順番に配置された、上部パネル、中間パネル及び下部パネルを含む3つの前記パネルの積層体
    を備え、
    前記上部パネルには、エネルギー・バンドギャップが1.7電子ボルトより大きい太陽電池が取り付けられ、
    前記下部パネルには、エネルギー・バンドギャップが1.1電子ボルトより小さい太陽電池が取り付けられ、
    前記中間パネルには、バンドギャップが前記上部パネルと前記下部パネルに取り付けられた前記電池のバンドギャップの中間にある太陽電池が取り付けられる、
    請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。
  19. 一群の前記太陽電池がユニットとして表され、保護バイパス・ダイオードが各ユニット内に含まれる、請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。
  20. 各前記パネル内の前記太陽電池は、並列配置されて誘電体スペーサによって分離されるか又は互いに密着する、請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。
JP2009211331A 2008-10-01 2009-09-14 太陽エネルギー変換デバイス Pending JP2010087504A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/242,962 US8138410B2 (en) 2008-10-01 2008-10-01 Optical tandem photovoltaic cell panels

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010087504A true JP2010087504A (ja) 2010-04-15

Family

ID=42056084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009211331A Pending JP2010087504A (ja) 2008-10-01 2009-09-14 太陽エネルギー変換デバイス

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8138410B2 (ja)
JP (1) JP2010087504A (ja)
CN (1) CN101714582B (ja)
TW (1) TW201027774A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101357059B1 (ko) 2011-11-24 2014-02-05 (재)한국나노기술원 전류 매칭 구조의 다중접합 태양전지
JP2014519718A (ja) * 2011-06-16 2014-08-14 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ソーラー光起電システムのためのブースター被膜
WO2016208034A1 (ja) * 2015-06-25 2016-12-29 株式会社 東芝 太陽電池モジュール
JPWO2017057029A1 (ja) * 2015-09-28 2018-07-19 シャープ株式会社 薄膜化合物太陽電池、薄膜化合物太陽電池の製造方法、薄膜化合物太陽電池アレイおよび薄膜化合物太陽電池アレイの製造方法
US10439552B2 (en) 2014-05-28 2019-10-08 Perumala Corporation Photovoltaic systems with intermittent and continuous recycling of light
JP2021132233A (ja) * 2016-09-21 2021-09-09 株式会社東芝 太陽電池モジュール及び太陽光発電システム
US11398577B2 (en) 2013-09-24 2022-07-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Multi-junction solar cell
WO2022259461A1 (ja) * 2021-06-10 2022-12-15 株式会社東芝 タンデム太陽電池

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110017257A1 (en) * 2008-08-27 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar module and method for current matching between a plurality of first photovoltaic devices and second photovoltaic devices
US9515218B2 (en) 2008-09-04 2016-12-06 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings
US8299472B2 (en) 2009-12-08 2012-10-30 Young-June Yu Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors
US8748799B2 (en) 2010-12-14 2014-06-10 Zena Technologies, Inc. Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors
US20140150857A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-05 Zena Technologies, Inc. Multi-junction multi-tab photovoltaic devices
US9478685B2 (en) 2014-06-23 2016-10-25 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same
US8916769B2 (en) 2008-10-01 2014-12-23 International Business Machines Corporation Tandem nanofilm interconnected semiconductor wafer solar cells
CN101872793B (zh) * 2010-07-02 2013-06-05 福建钧石能源有限公司 叠层太阳能电池及其制造方法
KR20120034964A (ko) 2010-10-04 2012-04-13 삼성전자주식회사 기판, 상기 기판을 포함하는 태양 전지 및 이들의 제조 방법
US8426725B2 (en) * 2010-12-13 2013-04-23 Ascent Solar Technologies, Inc. Apparatus and method for hybrid photovoltaic device having multiple, stacked, heterogeneous, semiconductor junctions
CN102148275A (zh) * 2011-03-16 2011-08-10 常州天合光能有限公司 一种太阳能电池组件
KR20120111657A (ko) * 2011-04-01 2012-10-10 삼성전자주식회사 태양 전지
US9337363B2 (en) 2011-05-11 2016-05-10 International Business Machines Corporation Low resistance, low reflection, and low cost contact grids for photovoltaic cells
US20120318318A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Solopower, Inc. Cigs based thin film solar cells having shared bypass diodes
KR101428146B1 (ko) * 2011-12-09 2014-08-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
EP2808902A4 (en) * 2012-01-27 2015-09-23 Kyocera Corp PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
TWI506807B (zh) * 2012-02-03 2015-11-01 Chia Gee Wang 太陽能電池製造方法
US20140305486A1 (en) * 2012-02-23 2014-10-16 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Intergrated multi-junction photovoltaic device
US9287431B2 (en) * 2012-12-10 2016-03-15 Alliance For Sustainable Energy, Llc Superstrate sub-cell voltage-matched multijunction solar cells
EP3050114A4 (en) * 2013-09-27 2017-05-03 Intel Corporation Methods to achieve high mobility in cladded iii-v channel materials
US11811360B2 (en) * 2014-03-28 2023-11-07 Maxeon Solar Pte. Ltd. High voltage solar modules
US10079571B2 (en) 2014-05-28 2018-09-18 Perumala Corporation Photovoltaic systems with intermittent and continuous recycling of light
US9287428B2 (en) * 2014-05-06 2016-03-15 Perumala Corporation Photovoltaic systems with intermittent and continuous recycling of light
US10097135B2 (en) 2014-05-06 2018-10-09 Perumala Corporation Photovoltaic systems with intermittent and continuous recycling of light
CN104103706A (zh) * 2014-06-30 2014-10-15 浙江晶科能源有限公司 一种新型光伏组件
DE102015006379B4 (de) * 2015-05-18 2022-03-17 Azur Space Solar Power Gmbh Skalierbare Spannungsquelle
WO2018129353A1 (en) 2017-01-05 2018-07-12 Brilliant Light Power, Inc. Extreme and deep ultraviolet photovoltaic cell
US20200161486A1 (en) * 2018-11-20 2020-05-21 Kyocera Document Solutions Inc. Method and apparatus for channeling light for stacked solar cell
CN113437221A (zh) * 2021-05-21 2021-09-24 华为技术有限公司 电池组件以及用于制备电池组件的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5789269A (en) * 1980-09-26 1982-06-03 Licentia Gmbh Solar battery unit
JPS6030163A (ja) * 1983-07-28 1985-02-15 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池モジユ−ル
JPS62198171A (ja) * 1986-02-25 1987-09-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置
JP2005277113A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 積層型太陽電池モジュール
JP2007234795A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Sharp Corp 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールストリング、太陽電池アレイ、太陽光発電システムおよび電力ケーブル
JP2010519731A (ja) * 2007-02-16 2010-06-03 ナノグラム・コーポレイション 太陽電池構造体、光起電モジュール及びこれらに対応する方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4017332A (en) 1975-02-27 1977-04-12 Varian Associates Solar cells employing stacked opposite conductivity layers
US4094704A (en) 1977-05-11 1978-06-13 Milnes Arthur G Dual electrically insulated solar cells
US4295002A (en) * 1980-06-23 1981-10-13 International Business Machines Corporation Heterojunction V-groove multijunction solar cell
DE3124581A1 (de) 1980-09-26 1982-05-19 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Solarzellenanordnung
US4400868A (en) 1980-12-29 1983-08-30 Varian Associates, Inc. Method of making a transparent and electrically conductive bond
US4400577A (en) 1981-07-16 1983-08-23 Spear Reginald G Thin solar cells
US4461922A (en) 1983-02-14 1984-07-24 Atlantic Richfield Company Solar cell module
US4658086A (en) * 1985-06-03 1987-04-14 Chevron Research Company Photovoltaic cell package assembly for mechanically stacked photovoltaic cells
US4638111A (en) 1985-06-04 1987-01-20 Atlantic Richfield Company Thin film solar cell module
DE3727823A1 (de) 1987-08-20 1989-03-02 Siemens Ag Tandem-solarmodul
CH685272A5 (de) * 1993-06-29 1995-05-15 Pms En Ag Solarzellen-Anlage.
DE69920608T2 (de) * 1998-03-19 2005-10-06 Toyota Jidosha K.K., Toyota Solarzellenbatterie
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
JP2001308354A (ja) 2000-04-24 2001-11-02 Sharp Corp 積層型太陽電池
JP4171162B2 (ja) * 2000-05-30 2008-10-22 三洋電機株式会社 光起電力素子およびその製造方法
JP3797871B2 (ja) * 2000-12-05 2006-07-19 シャープ株式会社 宇宙用ソーラーパネルおよびその修理方法
US6515217B1 (en) * 2001-09-11 2003-02-04 Eric Aylaian Solar cell having a three-dimensional array of photovoltaic cells enclosed within an enclosure having reflective surfaces
US7217882B2 (en) 2002-05-24 2007-05-15 Cornell Research Foundation, Inc. Broad spectrum solar cell
US8115093B2 (en) * 2005-02-15 2012-02-14 General Electric Company Layer-to-layer interconnects for photoelectric devices and methods of fabricating the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5789269A (en) * 1980-09-26 1982-06-03 Licentia Gmbh Solar battery unit
JPS6030163A (ja) * 1983-07-28 1985-02-15 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池モジユ−ル
JPS62198171A (ja) * 1986-02-25 1987-09-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置
JP2005277113A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 積層型太陽電池モジュール
JP2007234795A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Sharp Corp 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールストリング、太陽電池アレイ、太陽光発電システムおよび電力ケーブル
JP2010519731A (ja) * 2007-02-16 2010-06-03 ナノグラム・コーポレイション 太陽電池構造体、光起電モジュール及びこれらに対応する方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014519718A (ja) * 2011-06-16 2014-08-14 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ソーラー光起電システムのためのブースター被膜
KR101357059B1 (ko) 2011-11-24 2014-02-05 (재)한국나노기술원 전류 매칭 구조의 다중접합 태양전지
US11398577B2 (en) 2013-09-24 2022-07-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Multi-junction solar cell
US10439552B2 (en) 2014-05-28 2019-10-08 Perumala Corporation Photovoltaic systems with intermittent and continuous recycling of light
WO2016208034A1 (ja) * 2015-06-25 2016-12-29 株式会社 東芝 太陽電池モジュール
JPWO2017057029A1 (ja) * 2015-09-28 2018-07-19 シャープ株式会社 薄膜化合物太陽電池、薄膜化合物太陽電池の製造方法、薄膜化合物太陽電池アレイおよび薄膜化合物太陽電池アレイの製造方法
JP2021132233A (ja) * 2016-09-21 2021-09-09 株式会社東芝 太陽電池モジュール及び太陽光発電システム
WO2022259461A1 (ja) * 2021-06-10 2022-12-15 株式会社東芝 タンデム太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
US20130056043A1 (en) 2013-03-07
CN101714582A (zh) 2010-05-26
TW201027774A (en) 2010-07-16
US20100078056A1 (en) 2010-04-01
US9882076B2 (en) 2018-01-30
US8138410B2 (en) 2012-03-20
CN101714582B (zh) 2012-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9882076B2 (en) Optical tandem photovoltaic cell panels
US10043929B1 (en) Spectrally adaptive multijunction photovoltaic thin film device and method of producing same
US9006558B2 (en) Solar panel having monolithic multicell photovoltaic modules of different types
US20170018675A1 (en) Multi-junction photovoltaic micro-cell architectures for energy harvesting and/or laser power conversion
KR20160138491A (ko) 고전압 태양광 모듈
EP3016148A1 (en) Dual layer photovoltaic device
US11482633B2 (en) Voltage matched multijunction solar cell
KR101923658B1 (ko) 태양전지 모듈
US20140202515A1 (en) Booster films for solar photovoltaic systems
US9735309B2 (en) Monolithically integrated thin-film electronic conversion unit for lateral multijunction thin-film solar cells
CN103280465A (zh) 一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件
KR20110045246A (ko) 태양 전지 셀 및 이를 구비한 태양 전지 모듈
JPWO2006025260A1 (ja) 積層型有機無機複合高効率太陽電池
KR20150049259A (ko) 정션 박스 및 이를 구비한 태양광 모듈
KR101070435B1 (ko) 태양전지 모듈
US20140174500A1 (en) Concentrator system
WO2018116644A1 (ja) 太陽電池セル
KR20120111657A (ko) 태양 전지
US20120298169A1 (en) Multi-junction Photovoltaic Cells
KR20160076813A (ko) 태양 전지 모듈
WO2017059068A1 (en) Multi-junction photovoltaic micro-cell architectures for energy harvesting and/or laser power conversion
JPH0470789B2 (ja)
JP2011035150A (ja) 光電変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120419

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130612

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130618

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130722

RD12 Notification of acceptance of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432

Effective date: 20130722

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20130722

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140225

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140430

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140930

RD14 Notification of resignation of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434

Effective date: 20141003