JP2010087504A - 太陽エネルギー変換デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 太陽エネルギー変換デバイスは、上部パネルから下部パネルまでの階層に積層された少なくとも2つのパネルの垂直積層体を備え、パネルの各々は、パネルの垂直積層体内の他のパネルの太陽電池とは異なるエネルギー・バンドギャップを有する太陽電池の整合(マッチング)アレイを含む。垂直積層体内の各パネルは、より高いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を有するパネルが、階層内及び積層体内で、より低いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を含む他のパネルの上に位置するように配置することができる。デバイスの上面は最上部パネルに入射する太陽エネルギーを受け取るように適合される。各上部パネルは、そのエネルギー・バンドギャップより大きい太陽光子エネルギーを有する太陽光の部分を吸収し、より大きい太陽光子エネルギーよりも小さい光子エネルギーを有する太陽光子を、階層内で下方の積層体内で下に位置する残りのパネルの1つまで透過させる。
【選択図】 図1
Description
電磁放射−電気エネルギー変換デバイス(EREECD):電磁(光)放射と反応して電気エネルギーを生成するデバイス。
光放射−電気エネルギー変換デバイス(OREECD):光学的電磁放射と反応して電気エネルギーを生成するデバイス。この様なデバイスは、放射吸収デバイス、例えば、光検出器/カウンタ、光電池(太陽電池)又は光駆動電気分解セルなどとすることができる。
光電子エネルギー・デバイス(OED):光学的放射と反応して電子デバイスにより電気エネルギーを生成するデバイス。
TCO(透明導電性酸化物):光学的に透明な導電体。
積層体:太陽光が最上部パネルに入射し、その一部分が下に漏れ又は通過して下層のパネルに至るように配置され、相互に取り付けられた縦列(カスケード)パネル。
スペクトル応答:入射光子の波長において太陽電池により生成される電流量。
電気的直列:電池の電圧が加え合わされるように太陽電池の上部電極を別の太陽電池の下部電極に接続すること。
光学的直列:例えば半導体である1つのデバイスに入射した光がそのデバイス内で部分的に吸収され、残りが下方に通過して他のデバイス(例えば、半導体)に達する配置。
タンデム型太陽電池:入射光が部分的に上層の電池に吸収され、吸収されない部分が下方に通過して下層の電池に達する、太陽電池の積層体。
p/n接合:p型半導体とn型半導体の間の接合により形成されるダイオード。
トンネル接合:高濃度にドープされてダイオード特性ではなくオーミック電気特性を示すp/n接合。
接点グリッド:太陽電池により生成された電流を集めるように、且つ入射太陽光が半導体デバイスである太陽電池の表面の大部分に達するように、相互に接続された低電気抵抗の金属ライン。
ベース:半導体内の接合境界の下にある太陽電池の本体。
バイパス・ダイオード:一群の太陽電池を横切って配置されて過剰電流を分路させ、一群の中の他の電池が照射された状態で遮光される電池の損傷を防止するための、ダイオード。
図1は、タンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイス10を示すが、これは、3つの上部太陽電池12を有する上部太陽電池パネル11と下部太陽電池14を有する下部太陽電池パネル15とを含む2つの太陽電池パネル(光電池パネルの例とし)のタンデム配置の積層体ST1から成る。図示したように、下部太陽電池パネル15は上部太陽電池パネル11の下にあるが、電磁エネルギーが下から供給される場合には構造体を逆さにすることができる。上部太陽電池パネル11は、透明導電性酸化物(TCO)パッド18が取り付けられた上面を有する透明上部基板13を含む。TCOパッド18の上面には、ダイオードである3つの幅広の上部太陽電池が隣り合って平行に狭い間隔で並列される。
図2は、3組のダイオードである太陽電池12、22、及び24がそれぞれ取り付けられた複数(3つ)の太陽電池パネル11、21及び23の別の積層体ST2から成るタンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイス20を示す。太陽電池12、22、及び24は、当業者には良く理解されるように、その上面に形成された上部電極と底面に形成された下部電極との両方を有する。上部電極と下部電極は通常反対の極性を有することになる。例えば、全ての上部電極が負の極性を有し、そして全ての下部電極が正の電極を有するようにすることができ、或いは一貫して逆にすることもできる。
各パネル用の太陽電池として、ある範囲の材料が使用可能である。例えば、図1の上部パネル11には、アモルファス・シリコン(aSi)、ガリウム砒素(GaAs)、テルル化カドミウム亜鉛(CdZnTe)、ガリウムインジウムリン(GaInP)、又はテルル化カドミウム(CdTe)のような、バンドギャップが1.4電子ボルト(eV)に等しいか又はそれ以上である電池を取り付けることができ、一方下部パネルには、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、インジウムガリウム砒素(InGaAs)、窒化ガリウムインジウム(GaInN)、窒化ガリウムインジウム砒素(GaInAsN)、又は二セレン化銅インジウムガリウム(CIGS)のような、バンドギャップが1.1eV又はそれ以下である電池を取り付けることができる。好ましい範囲内のバンドギャップを有する他の材料を用いることもできる。
図3(A)は、上部パネル25及び下部パネル31から成る2つの太陽電池パネルの積層体ST3を備えたタンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイス30の別の実施形態を示し、ここで、上部パネル25上の太陽電池は第1の組の電気的直列接続に接続され、下部パネル31上の太陽電池は第2の組の電気的直列接続に接続される。図3(B)は図3(A)に示したTEC太陽電池デバイス30の略電気回路図である。
図4(A)は、上部パネル41及び下部パネル51の積層体ST4を備えたTEC太陽電池デバイス40Aの代替の配置を示し、ここで上部パネル41には一組の上部太陽電池43が含まれ、下部パネル51には一組の下部太陽電池53が含まれ、これらの太陽電池はパネル内で、電気的直列に接続されずに、電気的並列に接続される。端子T3は、電線路54によりコネクタA3に接続され、コネクタA3は上部パネル41内の左側太陽電池43の上部電極に直接接触により接続される。右側太陽電池53の底部電極は、導電性基板15の上面との直接接触によりコネクタA6に接続され、コネクタA6は電線路59により端子T6に接続される。
図5(A)及び(B)は図4(A)及び(B)の代替の配置を示し、この場合、誘電体スペーサ47及び57が省かれてパネル41及び51の上の太陽電池は互いに密着し、他の点では構造体及び回路は同じである。図5(A)に示すように、図4(A)の積層体ST4内の、個々の電池43及び53をそれぞれ隣接する電池から絶縁する随意的な誘電体スペーサ47及び57が、図5(A)に示した本発明の実施形態から省かれている。図4(A)と対比すると、図5(A)の積層体ST5は、それぞれ互いに密着した太陽電池43及び53の代替的な並列接続を含む。図5(B)に示した回路図は、電気的接続が変更されていないので、図4(B)と同一である。
或いは、当業者には良く理解されるように、図5(A)及び(B)の変形である図6(A)及び(B)は、パネル41と51を電気的並列に接続するための、ライン58Aで互いに接続されたコネクタA3及びA5,並びにライン58Bで互いに接続されたコネクタA4及びA6を示す。
図7(A)は本発明による、交互のp/n及びn/p型の太陽電池が電気的直列に接続されたタンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイスを示す。図7(B)は図7(A)に示したTEC太陽電池デバイスの回路図である。図7(A)はパネル60上の一組の太陽電池63A、64A、63B、64B、63C及び64Cの交互の直列接続を示し、これには一組の3つのTCOパッド62A、62B及び62Cの上に形成された第1の組のダイオードであるp−n型太陽電池セル63A、63B及び63C、並びに、第2の組のやはりダイオードである、上下逆の、即ち物理的に反転したn−p型太陽電池64A、64B及び64Cが含まれる。
10、20、30、40A:タンデム型エネルギー変換(TEC)太陽電池デバイス
11、25、41:上部太陽電池パネル
12、27A、27B、43:上部太陽電池
13:透明上部基板
13’:透明中間基板
14、24、53:下部太陽電池
15、23、31、33A、33B、33C、33D、51:下部太陽電池パネル
16、16’、38:底部基板
17:放射エネルギー
18、18’、26A、26B、32A、32B、32C、32D、39:透明導電性酸化物(TCO)パッド(TCO層)
21:中間太陽電池パネル
22:中間太陽電池
28、35A、35B、35C:導電性相互接続
34、36、54、58、58A、58B、59:電気ライン
37:透明誘電体基板
45、55:コネクタ
47、57:誘電体スペーサ
60:パネル
62A、62B、62C:TCOパッド
63A、64A、63B、64B、63C、64C:太陽電池
65A、65B:接続電極
66、67:外部電極
Claims (20)
- 太陽エネルギー変換デバイスであって、
上部パネルから下部パネルへ階層的に積層された少なくとも2つのパネルの垂直積層体
を備え、
前記パネルの各々は太陽電池の整合アレイを含み、前記太陽電池はパネルの前記垂直積層体内の他のパネルの太陽電池とは異なるエネルギー・バンドギャップを有し、
前記垂直積層体内の前記パネルの各々は、より高いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を有する前記パネルが前記階層内かつ前記積層体内でより低いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を含む前記パネルの他のものより上に位置するように、配置され、
前記デバイスの上面は、最上部パネルに入射した太陽エネルギーを受け取るように適合させ、
各々の前記上部パネルは、それの前記エネルギー・バンドギャップより大きい太陽光子エネルギーを有する太陽光の部分を吸収し、各々の前記上部パネルは、前記より大きい太陽光子エネルギーよりも小さい光子エネルギーを有する太陽光子を、前記階層内でより低くかつ前記積層体内でより低く配置された前記パネルの残りの1つまで透過させる、
エネルギー変換デバイス。 - 各前記パネル内の前記太陽電池は電気的直列に接続され、前記パネルは並列に接続される、請求項1に記載のエネルギー変換デバイス。
- 各前記パネル内の前記太陽電池は電気的並列に接続され、前記パネルは直列に接続される、請求項1に記載のエネルギー変換デバイス。
- 並列の電気的配置に接続された前記パネルの各々の上の太陽電池の数は、各前記パネルの所望の出力電圧を各前記パネル上の各前記太陽電池の動作電圧で割った値に等しい、請求項2に記載のエネルギー変換デバイス。
- 前記上部パネル上に取り付けられたGaAs太陽電池と、前記下部パネル上に取り付けられたシリコン太陽電池とを有する2つのパネルの積層体を備えた、請求項4に記載のエネルギー変換デバイス。
- GaAs、GaInP、GaAsP、アモルファス・シリコン、CdTe、及びCdZnTeから成る群から選択された太陽電池が取り付けられた前記上部パネルと、
結晶シリコン、多結晶シリコン、二セレン化銅インジウムガリウム、ゲルマニウム、窒化ガリウムインジウム、及び窒化ガリウムインジウム砒素から成る群から選択された太陽電池が取り付けられた前記下部パネルと
を備えた、請求項4に記載のエネルギー変換デバイス。 - 上部から底部まで順番に配置された、上部パネル、中間パネル及び下部パネルを含む前記パネルの3つの積層体
を備え、
前記上部パネルには、エネルギー・バンドギャップが1.7電子ボルトより大きい太陽電池が取り付けられ、
前記下部パネルには、エネルギー・バンドギャップが1.1電子ボルトより小さい太陽電池が取り付けられ、
前記中間パネルには、バンドギャップが前記上部パネルと前記下部パネルに取り付けられた前記電池のバンドギャップの中間にある太陽電池が取り付けられる、
請求項4に記載のエネルギー変換デバイス。 - 各前記パネル内の前記太陽電池は誘電体スペーサによって分離される、請求項1に記載のエネルギー変換デバイス。
- 一群の前記太陽電池がユニットとして表され、保護バイパス・ダイオードが各ユニット内に含まれる、請求項8に記載のエネルギー変換デバイス。
- 各前記パネル内の前記太陽電池は、並列配置されて互いに密着するか又は誘電体スペーサによって分離される、請求項1に記載のエネルギー変換デバイス。
- 太陽エネルギー変換デバイスであって、
最上部パネルに入射する太陽エネルギーの方向に配置された少なくとも2つのパネル
を備え、
前記パネルの各々は異なるエネルギー・バンドギャップを有する太陽電池のアレイを含み、
前記パネルは、より高いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を有する前記パネルがより低いエネルギー・バンドギャップの太陽電池を有する前記パネルの上に位置する垂直積層体に配置され、
前記パネルの各々は、そのエネルギー・バンドギャップより大きい太陽光子エネルギーを有する太陽光の部分を吸収するように適合され、そのエネルギー・バンドギャップより小さいエネルギーを有する太陽光子を前記積層体内のより下の前記パネルまで透過させるように適合される、
エネルギー変換デバイス。 - 各前記パネル内の前記太陽電池は電気的直列に接続され、前記パネルは並列に接続される、請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。
- 各前記パネル内の前記太陽電池は電気的並列に接続され、前記パネルは直列に接続される、請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。
- 並列の電気的配置に接続された各前記パネル上の太陽電池の数は、各前記パネルの所望の出力電流を各前記パネル上の各前記太陽電池の動作電流で割った値に等しい、請求項13に記載のエネルギー変換デバイス。
- 並列の電気的配置に接続された各前記パネル上の太陽電池の数は、各前記パネルの所望の出力電圧を各前記パネル上の各前記太陽電池の動作電圧で割った値に等しい、請求項12に記載のエネルギー変換デバイス。
- 上部の前記パネルの上に取り付けられたGaAs太陽電池と、下部の前記パネルの上に取り付けられたシリコン太陽電池とを有する2つのパネルの積層体を備えた、請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。
- GaAs、GaInP、GaAsP、アモルファス・シリコン、CdTe、及びCdZnTeから成る群から選択された太陽電池が取り付けられた上部パネルと、
結晶シリコン、多結晶シリコン、二セレン化銅インジウムガリウム、ゲルマニウム、窒化ガリウムインジウム、又は窒化ガリウムインジウム砒素から成る群から選択された太陽電池が取り付けられた、下部の前記パネルと
を備えた、請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。 - 上部から底部まで順番に配置された、上部パネル、中間パネル及び下部パネルを含む3つの前記パネルの積層体
を備え、
前記上部パネルには、エネルギー・バンドギャップが1.7電子ボルトより大きい太陽電池が取り付けられ、
前記下部パネルには、エネルギー・バンドギャップが1.1電子ボルトより小さい太陽電池が取り付けられ、
前記中間パネルには、バンドギャップが前記上部パネルと前記下部パネルに取り付けられた前記電池のバンドギャップの中間にある太陽電池が取り付けられる、
請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。 - 一群の前記太陽電池がユニットとして表され、保護バイパス・ダイオードが各ユニット内に含まれる、請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。
- 各前記パネル内の前記太陽電池は、並列配置されて誘電体スペーサによって分離されるか又は互いに密着する、請求項11に記載のエネルギー変換デバイス。
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