JP2010078939A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置を例えば液晶滴下法を用いて製造する際、セルギャップを均一にすると共に、歩留りを向上させる。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、第1大型基板(220)上に、シール材を連続して塗布することにより、複数の枠状のシール部(52)を夫々囲むと共に互いに少なくとも1点で交わるように規定された第1閉ループ(510)及び第2閉ループ(520)からなるダミーシール部(60)を形成するダミーシール部形成工程と、第1大型基板及び第2大型基板(210)を、複数の枠状のシール部及びダミーシール部によって貼り合わせる貼合工程とを含む。
【選択図】図4

Description

本発明は、例えば液晶滴下貼り合わせ方式(One Drop Filling;ODF法)を用いて製造される液晶パネル等の電気光学装置を製造可能な電気光学装置の製造方法の技術分野に関する。
この種の電気光学装置の一例である液晶パネルを製造する際には、シール材からなるシール部が形成された一方の基板に液晶材料を滴下した後に、その基板と、種々の電極や薄膜トランジスタアレイ等が設けられた他方の基板とを真空下で貼り合わせる液晶滴下貼り合わせ方式(ODF法)が用いられる場合がある。ODF法によれば、液晶材料をパネル内に封じ込めることを目的として、ディスペンサ等の塗布装置を用いて基板にシール材を塗布し、閉ループ状にシール部を形成する。より具体的には、例えば、シール部を形成する際には、シール部が形成される基板、或いはノズルを移動させることにより、シール材を閉ループ状に描画するディスペンサ描画法、或いは、シール材を閉ループ状に印刷するスクリーン印刷法が用いられる。
また、液晶パネル等の電気光学装置を製造する際には、一対の大型基板をシール部を介して貼り合せた後、当該大型基板より小さいサイズを有する複数の液晶パネルに分離することによって、一対の大型基板から複数の液晶パネルが多面取りされる場合もある。
例えば特許文献1及び2では、大型基板上の複数のシール部を囲むように第1のダミーシールを形成し、この第1のダミーシールを囲むように第2のダミーシールを形成する技術が開示されている。例えば特許文献1及び2によれば、このように第1及び第2のダミーシールを形成することで、各液晶パネルでセルギャップを均一にすることができるとされている。
特開2005−91493号公報 特開2005−266582号公報
しかしながら、上述した特許文献1及び2に開示されたような第1及び第2のダミーシールを、例えば、ディスペンサ描画法を用いてシール材を大型基板上に塗布することにより形成する場合、シール材の吐出始めの部分である始点部分と、シール材の吐出終わり部分である終点部分とを接続する接続部分(或いは「繋ぎ目」)が、大型基板上に2つ形成されることになる。このような2つの接続部分はそれぞれ、シール材が連続して塗布されたシール部分に比べて太くなってしまいやすいため、一対の大型基板間の距離を均一にすることが困難になり、各液晶パネルでセルギャップを十分に均一にすることができないおそれがあるという技術的問題点がある。更に、一対の大型基板から複数の液晶パネルを多面取りすることを目的として、大型基板を切断予定線に沿って切断する際、ダミーシールにおける接続部分が切断予定線に重なっていると、液晶パネルを構成する基板部分に割れ或いは欠けが発生してしまうおそれがある。上述した特許文献1及び2に開示されたように第1及び第2のダミーシールを形成する場合には接続部分が2つ形成されることになるので、例えば接続部分が1つしか形成されない場合と比較して、接続部分が切断予定線に重なってしまう可能性が高くなる。このため、液晶パネルを構成する基板部分に割れ或いは欠けが発生してしまう可能性が高くなるという技術的問題点がある。これにより、液晶パネルの製造プロセスにおける歩留まりの低下を招いてしまうおそれがある。
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えばODF法を用いて例えば液晶パネル等の電気光学装置を製造する際、セルギャップを均一にすることができ、歩留りを向上させることが可能な電気光学装置の製造方法を提供することを課題とする。
本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、第1大型基板の表面に複数の電気光学装置に夫々対応するように複数の枠状のシール部をシール材から形成し、該複数の枠状のシール部の内側に電気光学物質を滴下し、減圧下で前記第1大型基板と第2大型基板とを貼り合わせ、該貼り合わされた第1及び第2大型基板を切断予定線に沿って切断することにより、前記複数の電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記第1又は第2大型基板上に、前記シール材を連続して塗布することにより、前記複数の枠状のシール部を夫々囲むと共に互いに少なくとも1点で交わるように規定された第1及び第2閉ループからなるダミーシール部を形成するダミーシール部形成工程と、前記第1及び第2大型基板を、前記複数の枠状のシール部及び前記ダミーシール部によって貼り合わせる貼合工程とを含む。
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、第1及び第2大型基板のうち一方は、例えば、複数の画素電極並びに該複数の画素電極に電気的に接続された配線及び電子素子が形成された素子基板を複数含んでなる。第1及び第2大型基板のうち他方は、複数の画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板を複数含んでなる。本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、例えばODF法が採用されており、第1大型基板の表面に複数の枠状のシール部を例えば紫外線硬化樹脂等のシール材から形成し、該複数の枠状のシール部内に例えば液晶等の電気後光学物質を滴下した後に、貼合工程によって第1及び第2大型基板を貼り合わせる。貼り合わされた第1及び第2大型基板を切断予定線に沿って切断することで、例えば素子基板及び対向基板として構成される一対の基板間に例えば液晶等である電気光学物質が挟持された電気光学装置が複数製造される。このように製造された電気光学装置では、その動作時に、例えば光源から入射された光が各画素において電気光学物質を透過して表示光として出射されることにより、画像表示が行われる。
本発明では特に、ダミーシール部形成工程において、例えばディスペンサ等の塗布装置を用いてシール材を連続して(言い換えれば「一筆書きで」)塗布することにより、複数の枠状のシール部を夫々囲むと共に互いに少なくとも1点で交わるように規定された第1及び第2閉ループからなるダミーシール部を形成する。
よって、複数の枠状のシール部を二重に囲むようにダミーシール部を形成することができる。従って、減圧下において貼り合わされた第1及び第2大型基板間におけるダミーシール部とシール部との間に密閉空間が形成されるので、第1及び第2大型基板間のギャップが均一になるように、第1及び第2大型基板に対して大気圧を加えることができる。これにより、貼り合わされた第1及び第2大型基板を切断予定線に沿って切断することにより形成される複数の電気光学装置を夫々構成する一対の基板間の距離(言い換えれば、セルギャップ)を均一にすることができる。更に、仮に、ダミーシール部のうち第1閉ループに沿ってシール材を塗布することにより形成された部分と、ダミーシール部のうち第2閉ループに沿ってシール材を塗布することにより形成された部分とのいずれか一方が途中で切れてしまったとしても、ダミーシール部とシール部との間に密閉空間を形成することができる(即ち、ダミーシール部とシール部との間の空間の気密性を維持することができる)。
更に、ダミーシール部における、シール材を塗布し始める開始部分とシール材を塗布し終える終了部分とを接続する接続部分或いは繋ぎ目が1つだけとなるように、ダミーシール部を形成することができる。よって、例えば、仮に、ダミーシール部が2つの別個の(互いに交わらない)閉ループ状に形成され、ダミーシール部の接続部分或いは繋ぎ目が2つ形成される場合と比較して、第1及び第2大型基板間のギャップをより均一にすることができる。更に、ダミーシール部の接続部分或いは繋ぎ目が、切断予定線と重なってしまうことを低減或いは防止できる。よって、貼り合わされた第1及び第2大型基板を切断する際に、複数の電気光学装置を夫々構成する一対の基板に割れ或いは欠けが発生してしまうことを低減或いは防止できる。従って、歩留りを向上させることができる。加えて、例えばディスペンサ等の塗布装置を用いてシール材を塗布する際の塗布装置の管理が容易となる。更に加えて、例えば、仮に、ダミーシール部が2つの別個の(互いに交わらない)閉ループ状に形成する場合と比較して、ダミーシール部を形成するのに要する時間を短縮することができる。
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、セルギャップが均一な複数の電気光学装置を容易に製造することができると共に歩留りを向上させることができる。
本発明に係る電気光学装置の製造方法の一態様では、前記ダミーシール部形成工程は、前記ダミーシール部における前記シール材を塗布し始める開始部分と前記シール材を塗布し終える終了部分とが、前記第1及び第2閉ループが交わる一の交点に一致するように、前記シール材を塗布する。
この態様によれば、シール材を連続して塗布する際、シール材が第1又は第2大型基板上における同一部分に複数回重ねて塗布されるのを低減できる。即ち、シール材が複数回重ねて塗布される部分を少なくすることができ、第1及び第2大型基板間のギャップをより均一にすることができる。
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第1及び第2閉ループは、1点で交わる。
この態様によれば、シール材を連続して塗布する際、シール材が第1又は第2大型基板上における同一部分に複数回重ねて塗布されるのを低減できる。即ち、シール材が複数回重ねて塗布される部分を少なくすることができ、第1及び第2大型基板間のギャップをより均一にすることができる。
尚、第1及び第2閉ループは、複数の点で交わるように規定されてもよい。この場合にも、シール材を連続して塗布することによりダミーシール部を形成することで、第1及び第2大型基板間のギャップを相応に均一にすることができる。
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記ダミーシール部形成工程は、前記ダミーシール部における前記シール材を塗布し始める開始部分と前記シール材を塗布し終える終了部分とが、前記切断予定線に重ならないように、前記シール材を塗布する。
この態様によれば、貼り合わされた第1及び第2大型基板を切断予定線に沿って切断する際に、複数の電気光学装置を夫々構成する一対の基板に割れ或いは欠けが発生してしまうことをより確実に低減或いは防止できる。
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第1及び第2閉ループは、前記複数の枠状のシール部の外周に沿って規定されている。
この態様によれば、減圧下において貼り合わされた第1及び第2大型基板間における複数の枠状のシール部の各々の周囲の気圧をより均一にすることができる。よって、第1及び第2大型基板間のギャップをより均一にすることができる。
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明に係る電気光学装置の製造方法の一例である液晶装置の製造方法を例にとる。
<第1実施形態>
第1実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図1から図7を参照して説明する。
先ず、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によって製造される液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。図2は、図1のII−II’断面図である。
図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置100では、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に、本発明に係る「電気光学物質」の一例である液晶からなる液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール部52により相互に接着されている。
シール部52は、平面的に見て、TFTアレイ基板10上の画像表示領域10aを囲むように枠状に形成されている。シール部52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂等のシール材から形成されている。シール部52には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(基板間ギャップ或いはセルギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材56が含まれている。
図1において、シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。
尚、データ線駆動回路101は、シール部52が配置されたシール領域の内側に位置する領域に形成されてもよく、データ線駆動回路101の一部が、シール部52が配置されたシール領域に形成されてもよい。更に、走査線駆動回路102についても同様にシール領域の外側に位置する領域に形成されてもよく、一部がシール領域に形成されてもよい。
図2において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用のTFT(Thin Film Transistor)や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域10aには、画素スイッチング用TFTや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極9がマトリクス状に設けられている。画素電極9上には、配向膜16が形成されている。
他方、対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板20上の画像表示領域10a内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜23上(図2中遮光膜23より下側)に、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明材料からなる対向電極21が複数の画素電極9と対向して例えばベタ状に形成されている。対向電極21上(図2中対向電極21より下側)には配向膜22が形成されている。
液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
尚、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図3を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
図3において、本実施形態に係る液晶装置100の画像表示領域10aには、複数の画素部500がマトリクス状に配列されている。複数の画素部500には、それぞれ、画素電極9と該画素電極9をスイッチング制御するためのTFT30とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線6がTFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6に書き込む画像信号VS1、VS2、…、VSnは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線6同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
また、TFT30のゲートに走査線11が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線11にパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号VS1、VS2、…、VSnを所定のタイミングで書き込む。
画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号VS1、VS2、…、VSnは、対向基板20(図2参照)に形成された対向電極21(図2参照)との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9と対向電極21との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70が付加されている。蓄積容量70の一方の電極は、画素電極9と並列してTFT30のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、容量配線400に電気的に接続されている。
次に、上述のように構成された液晶装置を製造する、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図4から図7を参照して説明する。
図4は、一対の大型基板が貼り合わされてなる貼り合わせ基板の構成を概略的に示す平面図である。図5は、図4のV−V’断面図である。尚、図4では、大型基板210及び220を重ねて示しているため、各大型基板の基板面を規定する周縁は相互に重なっている。また、図5では、後述する大気圧開放工程において、貼り合わせ基板230に大気圧が加わる様子を矢印Fによって模式的に示している。
図4及び図5において、本実施形態に係る液晶装置の製造方法は、一対の大型基板210及び220が液晶層50を挟持するようにシール部52及びダミーシール部60によって貼り合わされてなる貼り合わせ基板230を複数の部分100aに分離することによって、図1から図3を参照して上述した液晶装置100を複数並行して製造可能な液晶装置の製造方法であり、液晶滴下工程(ODF工程)を含んでいる。
図6は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を順に示すフローチャートである。
図6において、先ず、TFTアレイ基板10(図1及び図2参照)となるべき複数の基板部分を含む大型基板210上に、図1から図3を参照して上述した画素電極9、画素スイッチング用のTFT30等の各種素子、並びにデータ線駆動回路101及び走査線駆動回路104等の各回路部を、TFTアレイ基板10となるべき複数の基板部分の各々に形成する(ステップS10)。尚、大型基板210は、本発明に係る「第2大型基板」の一例である。
次に、大型基板210の基板面のうち液晶層50(図5参照)に面することになる側(即ち、画素電極9が形成された側)に配向膜を形成する(ステップS11)。
次に、大型基板210上に形成された配向膜にラビング処理を施した後、このラビング処理によって生じた塵埃を除去するための洗浄を行う(ステップS12)。
一方、上述したステップS10からS12に係る工程と並行して、対向基板20(図1及び図2参照)となるべき複数の基板部分を含む大型基板220上に、図1及び図2を参照して上述した遮光膜23、額縁遮光膜53及び対向電極21を、対向基板20となるべき複数の基板部分の各々に形成する(ステップS20)。
次に、大型基板220の基板面のうち液晶層50に面することになる側(即ち、対向電極21が形成された側)に配向膜を形成する(ステップS21)。
次に、大型基板220上に形成された配向膜にラビング処理を施した後、このラビング処理によって生じた塵埃を除去するための洗浄を行う(ステップS22)。
次に、シール部形成工程において、大型基板220の基板面のうち液晶層50に面することになる側に、対向基板20となるべき複数の基板部分に対応してシール部52を複数形成する(ステップS23)。この際、シール部52を、大型基板220に、例えば、ディスペンサ等の塗布装置を用いて例えば紫外線硬化型樹脂等のシール材を枠状に塗布(或いは描画)することにより形成する。シール材には、図2を参照して上述したギャップ材56が混入されている。
次に、ダミーシール部形成工程において、大型基板220の基板面のうち液晶層50に面することになる側(言い換えれば、複数のシール部52が形成された側)に、複数のシール部52を囲むようにダミーシール部60を例えば紫外線硬化型樹脂等のシール材から形成する(ステップS24)。尚、ダミーシール部形成工程については、後に、図4から図6に加えて図7を参照して詳細に説明するが、ダミーシール部60は、複数のシール部52を囲む第1ダミーシール部分61と、該第1ダミーシール部分61より外側で複数のシール部52を囲むと共に第1ダミーシール部分61の一部と交わる第2ダミーシール部分62とを有するように形成されている。また、ダミーシール部60を形成するシール材には、シール部52を形成するシール材に混入されているギャップ材56と同様のギャップ材が混入されている。
次に、液晶滴下工程において、大型基板220上に形成された複数の枠状のシール部52内(言い換えれば、複数のシール部52に夫々囲まれた複数の領域)に液晶を滴下する(ステップS25)。
尚、本実施形態では、複数のシール部52及びダミーシール部60を、対向基板20となるべき複数の基板部分を含む大型基板220上に形成する例を挙げて説明するが、複数のシール部52及びダミーシール部60の少なくとも一方を、TFTアレイ基板10となるべき複数の基板部分を含む大型基板210上に形成してもよい。即ち、例えば、複数の枠状のシール部52を大型基板210上に形成して、大型基板210上に形成された複数の枠状のシール部52内に液晶を滴下してもよいし、ダミーシール部60を大型基板210上に形成してもよい。
次に、貼り合わせ工程において、上述したステップS10からS12に係る工程を経た大型基板210と、上述したステップS20からS25に係る工程を経た大型基板220とを、真空雰囲気中で、シール部52及びダミーシール部60を押しつぶすようにして貼り合わせることによって、貼り合わせ基板230を形成する(ステップS30)。この際、シール部52とダミーシール部60(より具体的には、第1ダミーシール部分61)との間には、密閉空間700(図5参照)が形成され、第1ダミーシール部分61と第2ダミーシール部分62との間には、密閉空間800(図5参照)が形成される。
次に、大気圧開放工程において、貼り合わせ基板230を真空雰囲気下から大気圧に開放する(ステップS31)。これにより、貼り合わせ基板230には、図5に矢印Fとして示すように、大気圧が加わる。ここで、密閉空間700及び800は、貼り合わせ基板230が大気圧に開放された後も真空状態に維持される。このため、大気圧より低い気圧の密閉空間700及び800は、その空間の気圧を大気圧に近づけるように体積を縮小する。これにより、大型基板210及び220間のギャップ(或いは間隔)を小さくするように作用する圧力が貼り合わせ基板230に加わる。よって、大型基板210及び220間のギャップは、シール部52及びダミーシール部60を構成するシール材に含まれるギャップ材の大きさによって規定されることになる。
次に、シール硬化工程において、シール部52及びダミーシール部60に例えば紫外線等の光を照射することにより、シール部52及びダミーシール部60を硬化させる(ステップS32)。
次に、切断工程において、貼り合わせ基板230を、例えばスクライブ及びブレイク等によって、切断予定線L1に沿って切断する(ステップS33)。これにより、貼り合わせ基板230が、複数の液晶装置100に対応する複数の部分100aの各々に分離される。
以上の工程を経て、一対の大型基板210及び220からODF法を用いて複数の液晶装置100を製造することができる。
次に、上述したダミーシール部形成工程について、図4から図6に加えて図7を参照して詳細に説明する。図7は、ダミーシール形成予定線を示す平面図である。このダミーシール形成予定線は、本実施形態におけるシール材の塗布位置を分かりやすく説明するために用いる概念的なものであり、ディスペンサ等の塗布装置に予めプログラミングされたデータに基づくものである。
図7において、本実施形態では特に、ダミーシール部形成工程(ステップS24)において、大型基板220上に、複数の枠状のシール部52を夫々囲むと共に互いに点P1で交わるように規定された第1閉ループ510及び第2閉ループ520からなるダミーシール形成予定線500に沿って、例えばディスペンサ等の塗布装置を用いてシール材を連続して(言い換えれば「一筆書きで」)塗布することによりダミーシール部60を形成する。第1閉ループ510は、複数のシール部520の外周に沿って複数のシール部520を囲む閉ループとして規定されている。第2閉ループ520は、第1閉ループ510の外側で第1閉ループ510に沿って複数のシール部520を囲むと共に第1閉ループ510と点P1で互いに交わる閉ループとして規定されている。第1ダミーシール部分61(図4参照)は、ダミーシール部60のうち第1閉ループ510に沿って形成された部分であり、第2ダミーシール部分62(図4参照)は、ダミーシール部60のうち第2閉ループ520に沿って形成された部分である。
より具体的には、ダミーシール部形成工程において、大型基板220上に例えばディスペンサ等の塗布装置を用いてシール材を塗布する際、ダミーシール形成予定線500における第1閉ループ510と第2閉ループ520とが交わる点P1を開始点として、シール材を第1閉ループ510に沿って矢印A1方向に塗布し始めて、第1閉ループ510に沿ってシール材を塗布する。第1閉ループ510に沿ってシール材を塗布し終えるとそのまま続いてシール材を点P1から第2閉ループ520に沿って矢印A2方向に塗布し始め、第2閉ループ520に沿ってシール材を塗布する。このように、シール材をダミーシール形成予定線500に沿って連続的に塗布する。言い換えれば、ダミーシール形成予定線500における第1閉ループ510及び第2閉ループ520を、点P1を開始点及び終了点として、一筆書きで順番になぞるように、シール材を塗布する。
尚、貼り合わせ工程(ステップS30)において密閉空間700或いは800を形成するためには、ダミーシール部形成工程において、ダミーシール形成予定線500に沿ってシール材を塗布する際、シール材を塗布し始める開始部分とシール材を塗布し終える終了部分とが互いに重なるようにシール材を塗布する必要があるが、ダミーシール部形成工程においてシール材を塗布した時点で開始部分と終了部分とが重なる必要はない(言い換えれば、ダミーシール部形成工程においてシール材を塗布した時点では開始部分と終了部分とが離れていてもよい)。即ち、ダミーシール部形成工程においては、貼り合わせ工程或いは大気圧開放工程(ステップS31)においてダミーシール部60が押しつぶされることにより開始部分と終了部分とが繋がる程度に、開始部分と終了部分とが近接するようにシール材を塗布してもよい。例えば、図8(a)に第1変形例として示すように、ダミーシール部形成工程において、互いに点Q1で交わるように規定された第1閉ループ510a及び第2閉ループ520aからなるダミーシール形成予定線500aに沿ってシール材を塗布する際、点Q1とは異なる点B1を開始点とし、点Q1とは異なる点B2を終了点としてシール材を塗布してもよい。ここに図8は、第1変形例におけるシール材の塗布方法を説明するための概念図である。より具体的には、先ず、点B1から第2閉ループ520aに沿ってシール材を塗布する。第2閉ループ520aに沿って点Q1までシール材を塗布し終えるとそのまま続いて点Q1から第1閉ループ510aを点B2まで塗布する。このようにシール材を塗布することで、図8(b)に拡大して示すように、シール材を塗布した時点では、シール材を塗布し始める開始部分710aと、シール材を塗布し終える終了部分710bとは重ならない。また、開始部分710a及び終了部分710bは、点Q1を通過する部分710cと重ならない。この場合にも、貼り合わせ工程或いは大気圧開放工程(ステップS31)において開始部分710a及び終了部分710bが押しつぶされることにより開始部分710a及び終了部分710bとが繋がる。よって、大型基板210及び220間におけるダミーシール部60とシール部52との間に密閉空間を形成することができる。或いは、例えば、図9(a)に第2変形例として示すように、ダミーシール部形成工程において、互いに点R1で交わるように規定された第1閉ループ510b及び第2閉ループ520bからなるダミーシール形成予定線500bに沿ってシール材を塗布する際、点R1とは異なる点C1を開始点とし、点R1とは異なる点C2を終了点としてシール材を塗布してもよい。ここに図9は、第2変形例におけるシール材の塗布方法を説明するための概念図である。より具体的には、先ず、点C1から第1閉ループ510bに沿ってシール材を塗布する。第1閉ループ510bに沿って点R1までシール材を塗布し終えるとそのまま続いて点R1から第2閉ループ520bを点B2まで塗布する。このようにシール材を塗布することで、図9(b)に拡大して示すように、シール材を塗布した時点では、シール材を塗布し始める開始部分720aと、シール材を塗布し終える終了部分720bとは重ならない。また、開始部分720a及び終了部分720bは、点R1を通過する部分720cと重ならない。この場合にも、貼り合わせ工程或いは大気圧開放工程(ステップS31)において開始部分720a及び終了部分720bが押しつぶされることにより開始部分720a及び終了部分720bとが繋がる。よって、大型基板210及び220間におけるダミーシール部60とシール部52との間に密閉空間を形成することができる。
よって、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、複数の枠状のシール部52を二重に囲むようにダミーシール部60を形成することができる。従って、仮に、ダミーシール部60のうち第1閉ループ510に沿ってシール材を塗布することにより形成された第1ダミーシール部分61と、ダミーシール部60のうち第2閉ループ520に沿ってシール材を塗布することにより形成された第2ダミーシール部分62とのいずれか一方が途中で切れてしまったとしても、ダミーシール部60とシール部52との間に密閉空間を形成することができる(即ち、ダミーシール部60とシール部52との間の空間の気密性を維持することができる)。これにより、図6を参照して上述した大気圧開放工程(ステップS31)において、貼り合わせ基板230を真空雰囲気下から大気圧に開放させた際、貼り合わせ基板230に対してより確実に均一に圧力を加えることができる。
更に、ダミーシール部60における、シール材を塗布し始める開始部分とシール材を塗布し終える終了部分とを接続する接続部分(或いは繋ぎ目)65(図4参照)が1つだけとなるように、ダミーシール部60を形成することができる。よって、例えば、仮に、ダミーシール部60が2つの別個の(互いに交わらない)閉ループ状に形成され、ダミーシール部60の接続部分或いは繋ぎ目が2つ形成される場合と比較して、大型基板210及び220間のギャップをより均一にすることができる。
加えて、ダミーシール部60の接続部分65が、切断予定線L1と重なってしまうことを低減できる。よって、切断工程(ステップS33)において、貼り合わせ基板230を切断予定線L1に沿って切断する際に、複数の液晶装置100を夫々構成することになる複数の部分100a(例えば、大型基板210におけるTFTアレイ基板10となる複数の基板部分や、大型基板220における対向基板20となる複数の基板部分)に割れ或いは欠けが発生してしまうことを低減或いは防止できる。従って、歩留りを向上させることができる。
更に加えて、例えばディスペンサ等の塗布装置を用いてシール材を塗布する際の塗布装置の管理が容易となる。また、例えば、仮に、ダミーシール部60が2つの別個の(互いに交わらない)閉ループ状に形成する場合と比較して、ダミーシール部60を形成するのに要する時間を短縮することができる。
本実施形態では特に、ダミーシール部形成工程において、ダミーシール部60におけるシール材を塗布し始める開始部分とシール材を塗布し終える終了部分とが、ダミーシール形成予定線500における第1閉ループ510及び第2閉ループ520が交わる交点P1に一致するように、シール材を塗布する。よって、ダミーシール形成予定線500に沿ってシール材を連続して塗布する際、シール材がダミーシール形成予定線500における同一部分に複数回重ねて塗布されるのを低減できる。即ち、大型基板220上におけるシール材が複数回重ねて塗布される部分を少なくすることができ、大型基板210及び220間のギャップをより均一にすることができる。従って、複数の液晶装置100の各のTFTアレイ基板10及び対向基板20間のギャップ(言い換えればセルギャップ)を均一にすることができる。
更に、本実施形態では特に、第1閉ループ510及び第2閉ループ520は、点P1の1点のみで交わるように規定されている。よって、ダミーシール形成予定線500に沿ってシール材を連続して塗布する際、シール材がダミーシール形成予定線500における同一部分に複数回重ねて塗布されるのを確実に低減できる。
加えて、本実施形態では特に、ダミーシール部形成工程において、ダミーシール部60におけるシール材を塗布し始める開始部分とシール材を塗布し終える終了部分とが、切断予定線L1に重ならないように、シール材を塗布する。即ち、シール材を塗布し始める開始点及び塗布し終える終了点としての点P1は、切断予定線L1と重ならないように規定されている。よって、ダミーシール部60における接続部分65が、切断予定線L1と重なってしまうことを確実に防止できる。従って、切断工程(ステップS33)において、貼り合わせ基板230を切断予定線L1に沿って切断する際に、複数の液晶置100を夫々構成することになる複数の部分100aに割れ或いは欠けが発生してしまうことを低減或いは防止できる。従って、歩留りを向上させることができる。
更に加えて、本実施形態では特に、第1閉ループ510及び第2閉ループ520は、複数のシール部52の外周に沿って規定されており、第1ダミーシール部分61と複数のシール部52の外周との距離d2が、互いに隣り合うシール部52間の距離d1と殆ど或いは実践上完全に同じになるように、複数のシール部52及びダミーシール部60を形成する。よって、大気圧開放工程(ステップS31)において貼り合わせ基板230が真空雰囲気下から大気圧に開放された際に、貼り合わせ基板230の大型基板210及び220間における複数のシール部52の各々の周囲の密閉空間700の気圧をより均一にすることができる。よって、大型基板210及び220間のギャップをより均一にすることができる。
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、セルギャップが均一な複数の液晶装置100を製造することができると共に歩留りを向上させることができる。
なお、本実施形態では円形の大型基板を例にとって説明したが、四角形の大型基板についても同様に適用可能である。この場合には、大型基板の4辺に沿って複数のシール部52及びダミーシール部60を形成する。
また、本実施形態では複数のシール部52の外周に沿ってダミーシール部60を矩形状に形成したが、液晶装置100の面積が小さい場合には、大型基板の外周に沿ってダミーシール部60を環状に形成することも可能である。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
第1実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図1のII−II’断面図である。 第1実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。 第1実施形態における一対の大型基板が貼り合わされてなる貼り合わせ基板の構成を概略的に示す平面図である。 図4のV−V’断面図である。 第1実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を順に示すフローチャートである。 第1実施形態におけるダミーシール形成予定線を示す平面図である。 第1変形例におけるシール材の塗布方法を示す概念図である。 第2変形例におけるシール材の塗布方法を示す概念図である。
符号の説明
6…データ線、9…画素電極、10…TFTアレイ基板、10a…画像表示領域、11…走査線、20…対向基板、21…対向電極、23…遮光膜、50…液晶層、52…シール部、53…額縁遮光膜、60…ダミーシール部、61…第1ダミーシール部分、62…第2ダミーシール部分、101…データ線駆動回路、102…外部回路接続端子、104…走査線駆動回路、106…上下導通端子、210、220…大型基板、500…ダミーシール形成予定線、510…第1閉ループ、520…第2閉ループ

Claims (5)

  1. 第1大型基板の表面に複数の電気光学装置に夫々対応するように複数の枠状のシール部をシール材から形成し、該複数の枠状のシール部の内側に電気光学物質を滴下し、減圧下で前記第1大型基板と第2大型基板とを貼り合わせ、該貼り合わされた第1及び第2大型基板を切断予定線に沿って切断することにより、前記複数の電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
    前記第1又は第2大型基板上に、前記シール材を連続して塗布することにより、前記複数の枠状のシール部を夫々囲むと共に互いに少なくとも1点で交わるように規定された第1及び第2閉ループからなるダミーシール部を形成するダミーシール部形成工程と、
    前記第1及び第2大型基板を、前記複数の枠状のシール部及び前記ダミーシール部によって貼り合わせる貼合工程と
    を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  2. 前記ダミーシール部形成工程は、前記ダミーシール部における前記シール材を塗布し始める開始部分と前記シール材を塗布し終える終了部分とが、前記第1及び第2閉ループが交わる一の交点に一致するように、前記シール材を塗布することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
  3. 前記第1及び第2閉ループは、1点で交わることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置の製造方法。
  4. 前記ダミーシール部形成工程は、前記ダミーシール部における前記シール材を塗布し始める開始部分と前記シール材を塗布し終える終了部分とが、前記切断予定線に重ならないように、前記シール材を塗布することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
  5. 前記第1及び第2閉ループは、前記複数の枠状のシール部の外周に沿って規定されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
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