JP2010078616A - 気体排出物を識別する方法とシステム、およびそのようなシステムを備えた設備 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によれば、
分析すべき気体をイオン化する装置(2、6)は、エンクロージャ(3)内に含まれれた気体と接触しかつ分析すべき気体からプラズマを発生させる発生器(6)に結合された専用プラズマ源(2)を備え、
イオン化された気体を分析する装置(4、5)は、プラズマが発生する領域の近傍に位置しかつ発生したプラズマによって放出された放射スペクトルの変動を分析する分光計(5)に接続された放射センサ(4)を備える。
【選択図】図1
Description
分析すべき気体をイオン化する装置は、エンクロージャ内に含まれた気体と接触しかつ分析すべき気体からプラズマを発生させる発生器に結合された専用プラズマ源を備え、
イオン化された気体を分析する装置は、プラズマが発生する領域の近傍に位置しかつ発生したプラズマによって放出された放射スペクトルの変動を分析する分光計に接続された放射センサを備える。
2 専用プラズマ源
3 エンクロージャ
4 放射センサ
5 分光計
6 発生器
7 外部継手
Claims (8)
- 分析すべき気体をイオン化する装置(2、6)と、イオン化された気体を分析する装置(4、5)とを備えた、制御された圧力下でエンクロージャ(3)内の気体を分析するガス分析システムであって、
分析すべき気体をイオン化する前記装置(2、6)が、エンクロージャ(3)内に含まれた気体と接触しかつ分析すべき気体からプラズマを発生させる発生器(6)に結合された専用プラズマ源(2)を備え、
イオン化された気体を分析する前記装置(4、5)が、プラズマが発生する領域の近傍に位置しかつ発生したプラズマによって放出された放射スペクトルの変動を分析する分光計(5)に接続された放射センサ(4)を備えることを特徴とするガス分析システム。 - プラズマ源(2)が共振空洞タイプのマイクロ波源であることを特徴とする請求項1に記載のガス分析システム。
- プラズマ源(2)が表面波伝搬原理を用いたマイクロ波源であることを特徴とする請求項1に記載のガス分析システム。
- プラズマ源(2)が誘導結合プラズマ(ICP)タイプの高周波プラズマ源であることを特徴とする請求項1に記載のガス分析システム。
- 放射センサ(4)が、発生したプラズマによって放出された放射スペクトルをピックアップしてそれを分光計(5)へ伝達する働きをする光ファイバであることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のガス分析システム。
- 気体排出物を監視すべきパイプ(3)内に直列に統合されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のガス分析システム。
- 外部継手(7)を介してパイプ(3)に取り付けられていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のガス分析システム。
- 圧力が制御された少なくとも1つのエンクロージャ(3)と、圧力が制御された前記エンクロージャ内に含まれた気体を分析するガス分析システム(1)とを含んでいる設備であって、ガス分析システム(1)が請求項1から7のいずれか一項に記載のガス分析システムであることを特徴とする設備。
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DE102004061269A1 (de) * | 2004-12-10 | 2006-06-14 | Siemens Ag | Verfahren zum Reinigen eines Werkstückes mit Halogenionen |
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US20080090310A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing termination detection method |
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FR2955927B1 (fr) * | 2010-02-01 | 2012-04-06 | Alcatel Lucent | Dispositif et procede de pilotage d'une operation de deshydratation durant un traitement de lyophilisation |
CN103048377B (zh) * | 2011-10-17 | 2015-06-10 | 中国科学院化学研究所 | 极紫外(euv)光刻胶超高真空热处理检测装置与方法 |
EP2974559B1 (en) | 2013-03-13 | 2020-05-13 | Radom Corporation | Plasma generator using dielectric resonator |
DE102014000343A1 (de) * | 2014-01-11 | 2015-07-16 | Dräger Safety AG & Co. KGaA | Gasmessgerät |
ES2589964B1 (es) * | 2015-04-17 | 2017-09-05 | Abengoa Solar New Technologies, S.A. | Sistema y método de análisis del gas presente en el espacio interanular de receptores solares de tubo |
US10900907B2 (en) | 2017-02-17 | 2021-01-26 | Radom Corporation | Portable plasma source for optical spectroscopy |
KR101931324B1 (ko) * | 2017-09-14 | 2018-12-20 | (주)나노텍 | 셀프 플라즈마 챔버의 오염 억제 장치 |
CN111197157A (zh) * | 2018-11-16 | 2020-05-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置 |
CN109959647B (zh) * | 2019-04-17 | 2021-08-31 | 广东省新材料研究所 | 一种光谱诊断辅助装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01129140A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-22 | Hitachi Ltd | プラズマ発光分光分析装置 |
JPH01227048A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Fujitsu Ltd | 粒子組成分析装置 |
JPH02183140A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-17 | Yokogawa Electric Corp | 微粒子測定装置 |
JPH0411460U (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-30 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3521959A (en) * | 1967-08-29 | 1970-07-28 | Atomic Energy Commission | Method for direct spectrographic analysis of molten metals |
US3843257A (en) * | 1971-11-30 | 1974-10-22 | Monsanto Res Corp | Microwave-excited emission detector |
US3958883A (en) * | 1974-07-10 | 1976-05-25 | Baird-Atomic, Inc. | Radio frequency induced plasma excitation of optical emission spectroscopic samples |
DE2649912A1 (de) * | 1975-11-28 | 1977-06-08 | Macourt | Trennung und analyse von teilchenueberzuegen |
US4629887A (en) * | 1983-03-08 | 1986-12-16 | Allied Corporation | Plasma excitation system |
JP2675561B2 (ja) * | 1987-12-18 | 1997-11-12 | 株式会社日立製作所 | プラズマ微量元素分折装置 |
US4857136A (en) * | 1988-06-23 | 1989-08-15 | John Zajac | Reactor monitoring system and method |
US5671045A (en) * | 1993-10-22 | 1997-09-23 | Masachusetts Institute Of Technology | Microwave plasma monitoring system for the elemental composition analysis of high temperature process streams |
DE19505104A1 (de) * | 1995-02-15 | 1996-08-22 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren und Anordnung zur Bestimmung der Reinheit und/oder des Drucks von Gasen für elektrische Lampen |
JP3571404B2 (ja) * | 1995-03-03 | 2004-09-29 | アネルバ株式会社 | プラズマcvd装置及びその場クリーニング後処理方法 |
US5825485A (en) * | 1995-11-03 | 1998-10-20 | Cohn; Daniel R. | Compact trace element sensor which utilizes microwave generated plasma and which is portable by an individual |
DE19544506C2 (de) * | 1995-11-29 | 2000-08-10 | Peter R Perzl | Vorrichtung und Verfahren zur Analyse von Flüssigkeitszusammensetzungen mit Hilfe direkter Glimmentladung |
US5986747A (en) * | 1998-09-24 | 1999-11-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for endpoint detection in non-ionizing gaseous reactor environments |
US6366346B1 (en) * | 1998-11-19 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for optical detection of effluent composition |
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---|---|---|---|---|
JPH01129140A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-22 | Hitachi Ltd | プラズマ発光分光分析装置 |
JPH01227048A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Fujitsu Ltd | 粒子組成分析装置 |
JPH02183140A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-17 | Yokogawa Electric Corp | 微粒子測定装置 |
JPH0411460U (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-30 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121225 |