JP2010050339A - 半導体製造用下地板および製造方法、板状半導体、太陽電池セル - Google Patents
半導体製造用下地板および製造方法、板状半導体、太陽電池セル Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法に使用する半導体製造用下地板において、半導体製造用下地板の結晶成長面S1が浸漬方向前方部から後方部に延びる溝を有する。さらに、溝は浸漬方向と略平行である。
【選択図】図1
Description
本発明は、成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、該下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法において、該下地板として前記の半導体製造用下地板を用いることを特徴とする。
本発明の半導体製造用下地板(以下、下地板ともいう)について図1を用いて説明する。図1(A)は図2(A)の板状半導体を製造するための下地板である。該下地板は主面S1が結晶成長面を有しており、該結晶成長面には、浸漬方面の側面から連続する溝が形成されている。図1(B)は(A)の溝を通る一点鎖線X1aで切断した時の下地板の断面図である。
板状半導体の製造装置について説明する。本発明の板状半導体を得る装置は、図9に示した装置を用いる場合に、特に効果がある。しかしながら、本発明を実現する装置は、これに限定されることはない。本発明の板状半導体を作製するための製造装置内の概略断面図を図9に示す。
図10において、坩堝昇降台126および坩堝保持部124,125に付設された坩堝121上に熱遮蔽板132の開口部133を有し、その開口部133を移動することが可能な固定台128と半導体製造用下地板Cが固定脚127に接続され、その固定脚127は、冷却器129に接続されている。また、この冷却器129は、角度が変更できる関節部130を有するアーム131に接続されている。ただし、この図において、アームや関節部を移動させる手段、真空排気ができるようなチャンバーなどの装置は示していない。本装置においては、坩堝121上には、熱遮蔽板132が開口されており、下地板Cは任意の軌道を描けるような構成になっている。その下地板C上で結晶が成長し、板状半導体Sが形成されるのである。このとき、下地板Cの温度、半導体融液123の温度などを制御することにより、形成される板状半導体の厚みを制御することが可能になる。この装置においては、アーム131が関節部130を有することにより、下地板Cが移動する構成であるが、アーム131ごと移動する構成であっても構わない。このように、アームごと移動させるような機構を設けることで、基板Cを半導体融液の湯面から同じ深さで浸漬させることが可能となる。
図9に示す板状半導体の製造装置に、本発明の下地板を用いた場合の板状半導体の製造方法について説明する。特に、ここでは、原料にシリコンを用いた場合について、説明する。
作製した板状半導体は、たとえば図4(A)に示すように、スリット部や板状半導体の主面に連続している浸漬方向前方の側面部に成長する板状半導体があるため、そのまま太陽電池セルに使用した場合、従来の太陽電池セル製造プロセスが適用できない。そこで、製造した板状半導体をウエハ状に切断する必要がある。
(板状シリコンの作製)
比抵抗が2Ω・cmになるようにボロン濃度を調整したシリコン原料を、高純度カーボン製坩堝に保護された石英製坩堝内に入れ、図9に示すような装置内に固定した。
Claims (6)
- 成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、該下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法に使用する半導体製造用下地板において、該半導体製造用下地板の結晶成長面が浸漬方向前方部から後方部に延びる溝を有する、該半導体製造用下地板。
- 前記溝が浸漬方向と略平行である請求項1記載の半導体製造用下地板。
- 前記溝が2本以上ある請求項1〜2いずれか記載の半導体製造用下地板。
- 成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、該下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法において、該下地板として請求項1〜3いずれか記載の半導体製造用下地板を用いる半導体の製造方法。
- 請求項4記載の半導体製造方法を用いて製造された板状半導体。
- 請求項5記載の板状半導体のスリット部を切り落として得られたウエハを用いて作製された太陽電池セル。
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Cited By (1)
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US9420502B2 (en) | 2010-08-25 | 2016-08-16 | Lg Electronics Inc. | Method and apparatus for transmitting measurement report message in wireless communication system |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS63151698A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | Hitachi Cable Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
JP2007335744A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Sharp Corp | 固相シートの製造方法および固相シートを利用した太陽電池 |
JP2007331997A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Sharp Corp | 固相シート成長用基体および固相シートの製造方法 |
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