JP4413050B2 - 板状半導体、それを用いた太陽電池および板状半導体製造用下地板 - Google Patents
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Description
本発明はまた、板状半導体を成長させる面に凹凸形状を有する、上記の第1の態様のいずれかに記載の板状半導体を製造するために用いる下地板であって、上記成長させる面の周縁部は線状の凸部を有し、該周縁部の内側にある主面部は点状の凹凸形状を有することを特徴とする板状半導体製造用下地板を提供する。
本発明の板状半導体の製造装置について説明する。本発明の板状半導体を得る装置は、図15に示した装置を用いる場合に、特に効果がある。しかしながら、本発明を実現する装置は、これに限定されることはない。本発明の板状半導体を作製するための製造装置内の概略断面図を図15に示す。
次に、図15に示す板状半導体の製造装置に、本発明の下地板を用いた場合の板状半導体の製造方法について説明する。特に、ここでは、原料にシリコンを用いた場合について、説明する。
比抵抗が2Ω・cmになるようにボロン濃度を調整したシリコン原料を、高純度カーボン製坩堝に保護された石英製坩堝内に入れ、図15に示すような装置内に固定した。
(太陽電池の作製)
次に、成長させた板状シリコンにおいて、下地板の平面F1から成長した部分のみを切断し、太陽電池のプロセスに通し、太陽電池を作製した。
Claims (8)
- 表面に凹凸形状を有する板状半導体において、該板状半導体は主面部と周縁部とからなり、該板状半導体の周縁部における最低板厚が、該板状半導体の主面部における凹部の最低板厚よりも厚く、
前記主面部における凹凸形状は、点状の凹凸形状であり、
前記周縁部が線状の凹凸形状を有することを特徴とする、板状半導体。 - 表面に凹凸形状を有する板状半導体において、該板状半導体は主面部と周縁部とからなり、該板状半導体の周縁部における最低板厚が、該板状半導体の主面部における凹部の最低板厚よりも厚く、
前記主面部における凹凸形状は、点状の凹凸形状であり、
前記周縁部における凹凸の間隔が、前記主面部の凹凸の間隔よりも小さいことを特徴とする、板状半導体。 - 前記周縁部が平滑部を有することを特徴とする、請求項1または2に記載の板状半導体。
- 前記周縁部における凹凸の間隔が、前記主面部の凹凸の間隔よりも小さいことを特徴とする、請求項1に記載の板状半導体。
- 前記周縁部が、上記線状の凹凸形状と平滑および主面部の凹凸よりも間隔が小さい凹凸とからなることを特徴とする、請求項1または2に記載の板状半導体。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の板状半導体を用いた太陽電池。
- 板状半導体を成長させる面に凹凸形状を有する、請求項1に記載の板状半導体を製造するために用いる下地板であって、前記成長させる面の周縁部は線状の凸部を有し、該周縁部の内側にある主面部は点状の凹凸形状を有することを特徴とする、板状半導体製造用下地板。
- 板状半導体を成長させる面に凹凸形状を有する、請求項2に記載の板状半導体を製造するために用いる下地板であって、前記成長させる面の周縁部は点状の凸部を有し、該周縁部の凹凸間隔は該周縁部の内側にある主面部の凹凸間隔よりも狭く、該周縁部の内側にある主面部は点状の凹凸形状を有することを特徴とする、板状半導体製造用下地板。
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