JP2010043135A5 - - Google Patents

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請求項２に記載のリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体は、請求項１に記載されたもので、下記化学式(IV)
Figure 2010043135
 （化学式（IV）中、Ｙ １ 〜Ｙ ３ は、互いに同一又は異なり、水素原子；ヒドロキシル基；メルカプト基；炭素数を１〜２０とし直鎖状若しくは分岐鎖状で未置換、パーシャルフルオロ置換、パーフルオロ置換、若しくは置換基含有のアルキル基；炭素数を１〜２０とし直鎖状若しくは分岐鎖状で未置換、パーシャルフルオロ置換、パーフルオロ置換若しくは置換基含有のアラルキル基；又は、アリール基、アミノ基、アルコキシル基、フェノキシ基、及びチオエーテル基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。ｎ１〜ｎ３は、互いに同一又は異なり、１〜４の整数である。Ｒ´は互いに同一又は異なり、炭素数を１〜２０とし直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシル基、フェノキシ基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。）
で表されることを特徴とする。
請求項３に係る請求項１に記載のリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体の製造方法は、
下記式（II）
Figure 2010043135
 （化学式（II）中、Ｚ１〜Ｚ１２は、前記式（Ｉ）と同一であり、Ｘはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハロゲン原子を示す。）
で表わされるハロゲン化ホウ素サブフタロシアニンを、下記式（III）
Ｒ１Ｒ２ＰＯ２Ｈ・・・・・（III）
（化学式（III）中、Ｒ１、Ｒ２は、は互いに同一又は異なり、炭素数を１〜２０とし直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アラルキル基、フェニル基、アルコキシル基、フェノキシ基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。）
で示される化合物と反応させる工程を有する、前記式（Ｉ）で表されるリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体の製造方法であることを特徴とする。
請求項４に記載の製造方法は、請求項３に記載されたもので、前記リン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体が、前記化学式(IV)で表されることを特徴とする。

Claims (5)

  1. 下記式（Ｉ）
    Figure 2010043135
     （化学式（Ｉ）中、Ｚ１〜Ｚ１２は、互いに同一又は異なり、水素原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、アルキル含有基、パーシャルフルオロアルキル含有基、パーフルオロアルキル含有基、アラルキル含有基、パーシャルフルオロアラルキル含有基、パーフルオロアラルキル含有基、アリール基、アミノ基、アルコキシル基、又はチオエーテル基であることを特徴とする。Ｒ１、Ｒ２は互いに同一又は異なり、アルキル基、アラルキル基、フェニル基、アルコキシル基、フェノキシ基である。）
    で表されるリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体。
  2. 下記化学式(IV)
    Figure 2010043135
     （化学式（IV）中、Ｙ １ 〜Ｙ ３ は、互いに同一又は異なり、水素原子；ヒドロキシル基；メルカプト基；炭素数を１〜２０とし直鎖状若しくは分岐鎖状で未置換、パーシャルフルオロ置換、パーフルオロ置換、若しくは置換基含有のアルキル基；炭素数を１〜２０とし直鎖状若しくは分岐鎖状で未置換、パーシャルフルオロ置換、パーフルオロ置換若しくは置換基含有のアラルキル基；又は、アリール基、アミノ基、アルコキシル基、フェノキシ基、及びチオエーテル基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。ｎ１〜ｎ３は、互いに同一又は異なり、１〜４の整数である。Ｒ´は互いに同一又は異なり、炭素数を１〜２０とし直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシル基、フェノキシ基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。）
    で表されることを特徴とする請求項１に記載のリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体。
  3. 下記式（II）
    Figure 2010043135
     （化学式（II）中、Ｚ１〜Ｚ１２は、前記式（Ｉ）と同一であり、Ｘはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハロゲン原子を示す。）
    で表わされるハロゲン化ホウ素サブフタロシアニンを、下記式（III）
    Ｒ１Ｒ２ＰＯ２Ｈ・・・・・（III）
    （化学式（III）中、Ｒ１、Ｒ２は、は互いに同一又は異なり、炭素数を１〜２０とし直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アラルキル基、フェニル基、アルコキシル基、フェノキシ基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。）
    で示される化合物と反応させる工程を有する、下記式（Ｉ）
    Figure 2010043135
     （化学式（Ｉ）中、Ｚ１〜Ｚ１２、Ｒ１、Ｒ２は前記に同じ。）
    で表されるリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体の製造方法。
  4. 前記リン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体が、下記化学式(IV)
    Figure 2010043135
     （化学式（IV）中、Ｙ １ 〜Ｙ ３ は、互いに同一又は異なり、水素原子；ヒドロキシル基；メルカプト基；炭素数を１〜２０とし直鎖状若しくは分岐鎖状で未置換、パーシャルフルオロ置換、パーフルオロ置換、若しくは置換基含有のアルキル基；炭素数を１〜２０とし直鎖状若しくは分岐鎖状で未置換、パーシャルフルオロ置換、パーフルオロ置換若しくは置換基含有のアラルキル基；又は、アリール基、アミノ基、アルコキシル基、フェノキシ基、及びチオエーテル基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。ｎ１〜ｎ３は、互いに同一又は異なり、１〜４の整数である。Ｒ´は互いに同一又は異なり、炭素数を１〜２０とし直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシル基、フェノキシ基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。）
    で表されることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
  5. 請求項１記載のリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体を含有する光学膜。
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