JP2010043135A5 - - Google Patents
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請求項2に記載のリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体は、請求項1に記載されたもので、下記化学式(IV)
(化学式(IV)中、Y 1 〜Y 3 は、互いに同一又は異なり、水素原子;ヒドロキシル基;メルカプト基;炭素数を1〜20とし直鎖状若しくは分岐鎖状で未置換、パーシャルフルオロ置換、パーフルオロ置換、若しくは置換基含有のアルキル基;炭素数を1〜20とし直鎖状若しくは分岐鎖状で未置換、パーシャルフルオロ置換、パーフルオロ置換若しくは置換基含有のアラルキル基;又は、アリール基、アミノ基、アルコキシル基、フェノキシ基、及びチオエーテル基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。n1〜n3は、互いに同一又は異なり、1〜4の整数である。R´は互いに同一又は異なり、炭素数を1〜20とし直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシル基、フェノキシ基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。)
で表されることを特徴とする。
請求項3に係る請求項1に記載のリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体の製造方法は、
下記式(II)
(化学式(II)中、Z1〜Z12は、前記式(I)と同一であり、Xはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハロゲン原子を示す。)
で表わされるハロゲン化ホウ素サブフタロシアニンを、下記式(III)
R1R2PO2H・・・・・(III)
(化学式(III)中、R1、R2は、は互いに同一又は異なり、炭素数を1〜20とし直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アラルキル基、フェニル基、アルコキシル基、フェノキシ基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。)
で示される化合物と反応させる工程を有する、前記式(I)で表されるリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体の製造方法であることを特徴とする。
請求項4に記載の製造方法は、請求項3に記載されたもので、前記リン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体が、前記化学式(IV)で表されることを特徴とする。
で表されることを特徴とする。
請求項3に係る請求項1に記載のリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体の製造方法は、
下記式(II)
で表わされるハロゲン化ホウ素サブフタロシアニンを、下記式(III)
R1R2PO2H・・・・・(III)
(化学式(III)中、R1、R2は、は互いに同一又は異なり、炭素数を1〜20とし直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アラルキル基、フェニル基、アルコキシル基、フェノキシ基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。)
で示される化合物と反応させる工程を有する、前記式(I)で表されるリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体の製造方法であることを特徴とする。
請求項4に記載の製造方法は、請求項3に記載されたもので、前記リン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体が、前記化学式(IV)で表されることを特徴とする。
Claims (5)
- 下記化学式(IV)
で表されることを特徴とする請求項1に記載のリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体。 - 下記式(II)
で表わされるハロゲン化ホウ素サブフタロシアニンを、下記式(III)
R1R2PO2H・・・・・(III)
(化学式(III)中、R1、R2は、は互いに同一又は異なり、炭素数を1〜20とし直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、アラルキル基、フェニル基、アルコキシル基、フェノキシ基から選ばれ置換基を有していてもよい基を示す。)
で示される化合物と反応させる工程を有する、下記式(I)
で表されるリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体の製造方法。 - 前記リン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体が、下記化学式(IV)
で表されることを特徴とする請求項3に記載の製造方法。 - 請求項1記載のリン誘導体置換サブフタロシアニン誘導体を含有する光学膜。
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