JP2010040986A - Led装置 - Google Patents

Led装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010040986A
JP2010040986A JP2008205454A JP2008205454A JP2010040986A JP 2010040986 A JP2010040986 A JP 2010040986A JP 2008205454 A JP2008205454 A JP 2008205454A JP 2008205454 A JP2008205454 A JP 2008205454A JP 2010040986 A JP2010040986 A JP 2010040986A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
phosphor
led device
covering member
moisture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008205454A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5648235B2 (ja
Inventor
Ryuichiro Morinaka
隆一郎 森中
Makoto Yoshimatsu
良 吉松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hotalux Ltd
Original Assignee
NEC Lighting Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Lighting Ltd filed Critical NEC Lighting Ltd
Priority to JP2008205454A priority Critical patent/JP5648235B2/ja
Publication of JP2010040986A publication Critical patent/JP2010040986A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5648235B2 publication Critical patent/JP5648235B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】粉状の蛍光体を封入した長寿命のLED装置を提供する。
【解決手段】本発明のLED装置10は、セラミック製の基板1と、基板1上に搭載されたLEDチップ2と、LEDチップ2を覆い、かつ基板1に接合されたガラス製の被覆部材5と、基板1と被覆部材5とで形成された空間内に封入された粉状の蛍光体4と、を有する。セラミック製の基板1とガラス製の被覆部材5とは、いずれも外気の水分を透過させず、かつ互いに熱膨張係数が近似してため、接合部分に熱変形に起因する隙間が形成されにくい。このため、LED装置10の内部に水分が混入しにくくなり、水分による蛍光体4の反応劣化を防止することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光ダイオード(以下LED)を搭載したLED装置に関する。
近年、LEDチップからの短波長(紫外〜青)の光により励起され長波長光を発光する蛍光体を用いた、白色光を発光する発光装置が実用化されている。
例えば、特許文献1の図5には、半導体素子104と、耐候性を考慮したセラミックからなる支持基板103と、支持基板に配され半導体素子を被覆する被覆部材101と、発光素子104と対面する凹状の被覆部材101の内壁面に塗布された蛍光体層110とを有する発光装置400が開示されている。また、この特許文献1には、例えば、蛍光体、シラノール(Si(OEt)3OH)、及びエタノールを混合してスラリーを形成し、スラリーをノズルから被覆部材101の透光性部分に吐出させた後、300℃にて3時間加熱してシラノールをSiO2とし、蛍光体を被覆部材101に固着させる方法が開示されている。しかしながら、蛍光体は、水分と反応することで蛍光体が劣化してしまうが、スラリーを形成する際に水分が混入することでLED装置としての寿命が短くなってしまう場合があった。
一方、スラリーを形成することなく、蛍光体を粉状のまま用いると発光効率が高くなることが知られている。これは、蛍光体が粉状であることから、励起光を吸収しやすく、かつ発光を取り出しやすいためである。特に、硫化物系の蛍光体は、合成が容易であることから高い純度のものが得られるのでより高効率化することができる。さらに、粉状の蛍光体は、加熱や被覆部材への固着といった工程が封入に際して不要であるため、安価なLED装置を提供することが期待できる。
特開2006−93372号公報
上述のように粉状の蛍光体はスラリー化された蛍光体よりも発光効率が高く、かつ安価なLED装置を提供できる。しかしながら、粉状であることからスラリー化された蛍光体よりも水分を取り込みやすく、劣化が急速に進んでしまい、その結果、LED装置の長寿命化を実現することが困難であった。
そこで、本発明は上記課題に鑑み、粉状の蛍光体を封入した長寿命のLED装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明のLED装置は、セラミック製の基板と、基板上に搭載されたLEDチップと、LEDチップを覆い、かつ基板に接合されたガラス製の被覆部材と、基板と被覆部材とで形成された空間内に封入された粉状の蛍光体と、を有するものである。
本発明によれば、粉状の蛍光体を封入したLED装置であっても長寿命化することができる。
図1に本実施形態のLED装置の模式的な断面図を示す。
本実施形態のLED装置10は、基板1と、基板1上に搭載されたLEDチップ2と、LEDチップ2を覆い、かつ基板1に金属接合された被覆部材5と、基板1と被覆部材5とで形成された空間内に封入された粉状の蛍光体4とを有する。
基板1は、後述するLEDチップ2の他、導体配線などが配置されるものであり、その材料としては、例えば、Al23、AlN等のセラミックが用いられる。本実施形態において基板1をセラミック製としたのは、セラミックが水分を透過させない性質を有する点に着目したことによる。また、セラミックの熱膨張係数は、例えば、Al23を材料とした場合、7.1×10-6/℃程度であるが、この数値は、後述するガラス製の被覆部材5は8〜10×10-6/℃程度に近い値といえる。つまり、基板1をセラミック製とすることで熱膨張率をガラス製の被覆部材5の熱膨張率に近づけることができる。同程度の熱膨張率の材質を用いた基板1及び被覆部材5はLEDチップ2の発熱に対して同程度に伸縮することとなるので、基板1と被覆部材5との接合部分に熱変形に起因する隙間が形成されにくくなり、当該隙間から水分が内部に浸入するのを防止することができる。このように、基板1をセラミック製とすることで、蛍光体4と水分との接触を阻止することができる。
さらに、基板1をセラミックとすることで、LED装置10を1枚のセラミック基板上に一括して形成した後、個片化する製造方法を採用できるため、製造コストを下げることができる。その他、セラミックは、LEDチップ2が発光する紫外光に対する耐候性、及びLEDチップ2の発熱に対する耐熱性を併せ持つ点においても基板1の材料として好ましい。
なお、基板1にガラスエポキシ等、樹脂を含有する材料は適用できない。樹脂材料は、外気中の水分を透過させる透湿性を有するため、外気に含まれる水分が樹脂を透過して内部に浸入してしまうためである。また、本実施形態においては、基板1に金属を適用するのも好ましくない。金属自体に透湿性がない点では好適である。しかしながら、ガラスと金属では互いに熱膨張係数が大きく異なるため、熱変形によりガラスと金属の接合部分に隙間が形成されてその隙間から水分が浸入してしまう可能性が高くなるためである。また、金属基板の場合、セラミック基板のような一括形成後に個片化する製造方法が採用できないため、コストが高くなるためである。
LEDチップ2は、その発光波長が350nmから470nmの間であり、近紫外から青色の発光光を発光するものが用いられる。また、LEDチップ2の表面には、エポキシ樹脂等に比べ光劣化しにくいシリコン樹脂からなるコーティング層3が形成されている。LEDチップ2は基板1に対してAuSn等の金属接合材や光劣化しにくいシリコン樹脂Agペースト等によって固定される。また、フリップチップ実装されるLEDチップ2は、基板1に形成された導体配線と電気的に接続させるため、Agペースト、ITOペースト、カーボンペースト、金属バンプ等を用いることができる。
被覆部材5は、半球形状に形成された、例えばケイ酸塩ガラス等を材料とした透明ガラスが用いられている。ガラス素材を被覆部材5に用いたのは、基板1と同様に、ガラスが水分を透過させない性質を有する点に着目したことによるものである。よって、被覆部材5についても、基板1と同様に、樹脂、あるいは樹脂を混入した材料は適用できない。また、LEDチップ2の発光及び蛍光体4の励起光を外部に効率良く取り出すため、被覆部材5の表面は粗面5aとなっている。粗面5aは被覆部材5の表面をエッチングすることにより形成するものであってもよい。なお、基板1と被覆部材5とを接合している金属接合部6には、AuSn、SnAgCu等の低融点金属が用いられている。
蛍光体4は、LEDチップ2の発光により励起し、長波長を発光する複数の蛍光物質が、スラリー化等されずに粉状のまま、基板1と被覆部材5とで形成される空間内に封入されている。より厳密には、本実施形態の場合、蛍光体4は、基板1と、被覆部材5と、後述するコーティング層3とによって囲まれた空間内に存在している。蛍光体4としては、硫化物系、窒化物系、酸窒化物系等が用いられる。例えば、
1.Sc系Ce付活酸化物蛍光体(緑色)とEu付活アルミニウムシリコンナイトライド系窒化物蛍光体(赤色)
2.Eu付活酸化物蛍光体(緑〜黄色)とEu付活アルミニウムシリコンナイトライド系窒化物蛍光体(赤色)
3.Eu付活チオガレート系硫化物蛍光体(緑〜黄色)とEu付活アルカリ系硫化物蛍光体(橙〜赤色)
4.Eu付活シリケイト系酸化物蛍光体(緑〜黄色)とEu付活アルカリ系硫化物蛍光体(橙〜赤色)
等を組み合わせた蛍光体4を用いても良いが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、本実施形態においては、蛍光体4としては、特に硫化物系の蛍光体を用いるのが好適である。硫化物系の蛍光物質は、合成が容易であることから高純度のものを生成可能であり、発光効率を高めることができるためである。また、蛍光体4を粉状の状態で用いることで、励起光を吸収しやすく、かつ発光を取り出しやすくすることができるため、発光効率が高くなる。もっとも、硫化物系の場合、水分と反応しやすく、特に粉状の場合、水分を取り込みやすい。よって、硫化物系であって粉状である、本実施形態の蛍光体4を水分劣化から保護する必要がある。本発明者らの実施した試験によると、硫化物系蛍光体を温度60℃、湿度90%の環境下にて24時間放置しておくと、その発光強度は、温度60℃、湿度90%、0時間における発光強度の50%にまで低下することが明らかとなった。一方、蛍光体4をガラスで封止した場合、温度60℃、湿度90%の環境下に500時間放置しても、その発光強度は低下しなかった。よって、水分反応を起こさせないために、蛍光体4は、上述したガラス製の被覆部材5とセラミック製の基板1とで形成された空間内に、N2減圧化の下、封入されている。
以上のとおり、本実施形態のLED装置10は、硫化物系であってかつ粉状の蛍光体4を用いているため、発光効率が高い。また、蛍光体4は、粉状のまま用いるため、スラリー化する工程が不要であり、加えて単に基板1と被覆部材5とで形成される空間内に封入するのみであるので、加熱や被覆部材5への固着といった工程も不要となり、LED装置10を安価に提供することができる。
また、本実施形態のLED装置10は、基板1をセラミック製とし、被覆部材5をガラス製としているため、外気に含まれる水分がこれら基板1及び被覆部材5を透過して内部に封入された蛍光体4へと達してしまうのを防止することができる。さらに、セラミックとガラスとは熱膨張係数が互いに近いため、LEDチップ2の発熱による変形が生じても接合部分に隙間が生じにくいので、当該隙間からの水分浸入を防止することができる。このように、水分反応により蛍光体4が劣化してしまうことがないため、高効率の本実施形態のLED装置10の長寿命化を図ることができる。
本発明のLED装置の一例の模式的な側断面図である。
符号の説明
1 基板
2 LEDチップ
3 コーティング層
4 蛍光体
5a 粗面
5 被覆部材
6 金属接合部
10 LED装置

Claims (5)

  1. セラミック製の基板と、
    前記基板上に搭載されたLEDチップと、
    前記LEDチップを覆い、かつ前記基板に接合されたガラス製の被覆部材と、
    前記基板と前記被覆部材とで形成された空間内に封入された粉状の蛍光体と、を有するLED装置。
  2. 硫化物系の前記蛍光体を有する、請求項1に記載のLED装置。
  3. 前記空間内には不活性ガスが封入されている、請求項1または2に記載のLED装置。
  4. 前記基板と前記被覆部材とは金属接合されている、請求項1ないし3のいずれか1項に記載のLED装置。
  5. 前記被覆部材の表面は粗面化されている、請求項1ないし4のいずれか1項に記載のLED装置。
JP2008205454A 2008-08-08 2008-08-08 Led装置 Active JP5648235B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008205454A JP5648235B2 (ja) 2008-08-08 2008-08-08 Led装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008205454A JP5648235B2 (ja) 2008-08-08 2008-08-08 Led装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010040986A true JP2010040986A (ja) 2010-02-18
JP5648235B2 JP5648235B2 (ja) 2015-01-07

Family

ID=42013172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008205454A Active JP5648235B2 (ja) 2008-08-08 2008-08-08 Led装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5648235B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012107263A3 (de) * 2011-02-11 2012-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement mit lichtdurchlässiger abdeckung und verfahren zu dessen herstellung
JP2013138043A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子の実装方法
JP2015057826A (ja) * 2013-09-16 2015-03-26 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
WO2017047412A1 (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
JP2017058654A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
KR20170082887A (ko) * 2016-01-07 2017-07-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
WO2021153106A1 (ja) * 2020-01-29 2021-08-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置及び照明装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347601A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード照明装置
JP2006093372A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置
JP2007123390A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Kyocera Corp 発光装置
JP2007266568A (ja) * 2006-03-02 2007-10-11 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置およびその形成方法
JP2008060542A (ja) * 2006-08-03 2008-03-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、及びこれを備えた光源装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347601A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード照明装置
JP2006093372A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置
JP2007123390A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Kyocera Corp 発光装置
JP2007266568A (ja) * 2006-03-02 2007-10-11 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置およびその形成方法
JP2008060542A (ja) * 2006-08-03 2008-03-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、及びこれを備えた光源装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012107263A3 (de) * 2011-02-11 2012-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement mit lichtdurchlässiger abdeckung und verfahren zu dessen herstellung
US9018661B2 (en) 2011-02-11 2015-04-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
JP2013138043A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子の実装方法
JP2015057826A (ja) * 2013-09-16 2015-03-26 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
WO2017047412A1 (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
JP2017058654A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
KR20170082887A (ko) * 2016-01-07 2017-07-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR102562090B1 (ko) 2016-01-07 2023-08-02 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
WO2021153106A1 (ja) * 2020-01-29 2021-08-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置及び照明装置
JP2021118326A (ja) * 2020-01-29 2021-08-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置及び照明装置
JP7403072B2 (ja) 2020-01-29 2023-12-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置及び照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5648235B2 (ja) 2015-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5284006B2 (ja) 発光装置
JP5648235B2 (ja) Led装置
JP4920497B2 (ja) 光半導体装置
JP3891115B2 (ja) 発光装置
KR101202110B1 (ko) 발광 장치
TWI450423B (zh) 發光裝置
JP2007088472A (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
US7737457B2 (en) Phosphor down converting element for an LED package and fabrication method
JP4661147B2 (ja) 半導体装置
KR102074027B1 (ko) 광전자 반도체 소자의 제조 방법 및 광전자 반도체 소자
JP4430264B2 (ja) 表面実装型発光装置
JP2008060542A (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、及びこれを備えた光源装置
JP4748411B2 (ja) 発光デバイス、発光デバイスの色度調節方法及び照明装置
JP2004071908A (ja) 発光装置
JP2009130237A (ja) 発光装置
JP2006179520A (ja) 半導体装置
JP7436907B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR101762223B1 (ko) 형광체를 포함하는 led 칩 봉지부재의 제조 방법
CN105051443A (zh) 具有发光材料的密闭密封光照器件及其制造方法
EP3447810B1 (en) Light emitting device
US8981399B2 (en) Method of fabricating light emitting diode package with surface treated resin encapsulant and the package fabricated by the method
JP2006303548A (ja) 発光装置
WO2013021518A1 (ja) 発光装置
JP4165592B2 (ja) 発光装置
JP2005333014A (ja) Ledランプ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120529

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130226

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20131211

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140602

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140609

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140826

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140917

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141023

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5648235

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250