JP2010040493A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ処理装置の導波管5は外側導体5aと内側導体5bからなる軸管の部分と、軸管の上部にある矩形導波部5cとを備える。ねじ送り機構20は、矩形導波部5c上に内側導体5bを囲うように等間隔に4つ設けられ、平面上のどの方向にも内側導体5bを移動させることができる。ねじ送り機構20は、押さえ板21、固定ネジ22、調整ネジ23、ストッパ24を備える。直接に内側導体5bを押さえ板21で支持することができ、押さえ板21に備えた固定ネジ22を締めることで、内側導体5bの位置を固定する。調整ネジ23により、内側導体5bを、外側導体5aに触れない範囲内で移動させることが可能である。
【選択図】図2
Description
マイクロ波を用いてプラズマを処理容器内に発生させ、被処理対象物にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記マイクロ波を発生させるマイクロ波源と、
前記マイクロ波を伝送させる導波管と、
前記マイクロ波源から前記導波管を介して、前記マイクロ波を前記処理容器内に放射するアンテナと、
前記アンテナに接して前記マイクロ波を前記処理容器内に透過させる誘電体窓と、
前記導波管の位置と、前記アンテナの位置と、を相対的に変化するように移動させることができる位置調整手段と、
を備えることを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の断面図である。図2は、図1の1点鎖線の囲み部分Kの構成概略図である。実施の形態1に係る位置調整手段を示しており、アンテナと導波管の関係を示す。
図4は本発明の実施の形態2に係る、プラズマ処理装置のアンテナと導波管の関係を示す構成概略図である。プラズマ処理装置1は図1と同じものを用いており、1点鎖線の囲み部分Kを示す。図5に示した現行品に対し本実施の形態2では、導波管5を移動でき、かつ、固定できるねじ送り機構30を備える。
2 チャンバ(プラズマ処理容器)
3 天板(誘電体窓)
4 アンテナ
5 導波管
5a 外側導体
5b 内側導体
5c 矩形導波部
7 冷却ジャケット
20、30 ねじ送り機構
21、31 押さえ板
22、32 固定ネジ
23、33 調整ネジ
24 ストッパ
Claims (5)
- マイクロ波を用いてプラズマを処理容器内に発生させ、被処理対象物にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記マイクロ波を発生させるマイクロ波源と、
前記マイクロ波を伝送させる導波管と、
前記マイクロ波源から前記導波管を介して、前記マイクロ波を前記処理容器内に放射するアンテナと、
前記アンテナに接して前記マイクロ波を前記処理容器内に透過させる誘電体窓と、
前記導波管の位置と、前記アンテナの位置と、を相対的に変化するように移動させることができる位置調整手段と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記位置調整手段は、前記導波管に備えられ、前記アンテナに接する前記導波管の一部を、前記導波管の本体に対して相対的に変位させることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記位置調整手段は、前記アンテナに対する位置が固定して備えられ、少なくとも前記アンテナに接する前記導波管の一部を、前記アンテナに対して相対的に変位させることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導波管は、内側導体と外側導体を備える同軸導波管であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導波管の一部は、前記同軸導波管の前記内側導体であることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
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---|---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
JP2001060557A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2003188103A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004055614A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2007258595A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置と方法 |
JP2008041323A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置と方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024024232A1 (ja) * | 2022-07-27 | 2024-02-01 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
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