JP2021192343A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理容器内のプラズマ密度分布を比較的容易に調整することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置は、基板を収容し、天壁部と側壁部と底壁部により処理空間を画成する処理容器と、天壁部の上方に設けられ、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部およびマイクロ波を処理容器に向けて放射する複数のマイクロ波放射部を有し、天壁部の下方位置に表面波プラズマを生成するためのプラズマ源と、表面波プラズマを生成するためのガスを供給するガス供給部と、天壁部の複数のマイクロ波放射部に対応する位置に設けられた誘電体からなる複数のマイクロ波透過窓と、天壁部の下面に下方に突出するように設けられ、表面波プラズマの密度分布を調整するように配列された複数の凸状部とを有する。【選択図】 図3
Description
本開示は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。
半導体ウエハに対する処理としてプラズマ処理が多用されている。プラズマ処理を行うプラズマ処理装置としては、高密度で低電子温度のプラズマを生成可能なマイクロ波プラズマが注目されている。マイクロ波プラズマを用いたプラズマ処理装置としては、例えば、特許文献1のような、マイクロ波供給部から供給されたマイクロ波を複数のマイクロ波放射部材から放射させ、処理容器の天壁に設けられた複数のマイクロ波透過部材を透過させて処理容器内に生成された表面波プラズマを用いるものが知られている。また、特許文献1には、プラズマ密度を高めるために、天壁に特定の深さの凹部を形成することが記載されている。
本開示は、処理容器内のプラズマ密度分布を比較的容易に調整することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
本開示の一態様に係るプラズマ処理装置は、基板を収容し、天壁部と側壁部と底壁部により処理空間を画成する処理容器と、前記天壁部の上方に設けられ、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部およびマイクロ波を前記処理容器に向けて放射する複数のマイクロ波放射部を有し、前記天壁部の下方位置に表面波プラズマを生成するためのプラズマ源と、前記表面波プラズマを生成するためのガスを供給するガス供給部と、前記天壁部の前記複数のマイクロ波放射部に対応する位置に設けられた誘電体からなる複数のマイクロ波透過窓と、前記天壁部の下面に下方に突出するように設けられ、前記表面波プラズマの密度分布を調整するように配列された複数の凸状部と、を有する。
本開示によれば、処理容器内のプラズマ密度分布を比較的容易に調整することができるプラズマ処理装置が提供される。
以下、添付図面を参照して実施の形態について具体的に説明する。
図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を模式的に示す断面図、図2は図1のプラズマ処理装置のマイクロ波導入装置の構成を示す構成図、図3は図1のプラズマ処理装置における処理容器の天壁部を模式的に示す底面図、図4は図1のプラズマ処理装置におけるマイクロ波放射機構を模式的に示す断面図である。
このプラズマ処理装置100は、処理容器1と、載置台2と、ガス供給部3と、排気装置4と、プラズマ源5と、制御部6とを備えている。
処理容器1は、基板Sを収容するものであり、例えばアルミニウム(Al)およびその合金等の金属材料によって形成され、略円筒形状をなしており、板状の天壁部11および底壁部13と、これらを連結する側壁部12とを有している。天壁部11と側壁部12と低壁部13によって処理空間が画成される。処理容器1がAlで構成されている場合には、内面にアーキング防止のAl2O3皮膜を有していてもよい。また、内面にAl2O3やY2O3等のセラミックコートを形成してもよい。
プラズマ源5は、処理容器1の上部に設けられ、処理容器1内にマイクロ波(電磁波)を供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段として機能する。プラズマ源5については後で詳細に説明する。
天壁部11には、後述する複数の開口部を有しており、複数の開口部には誘電体からなるマイクロ波透過窓63が設けられる。また、天壁部11の下面には、下方に突出する複数の凸状部23が設けられている。複数の凸状部23は、後述するように、プラズマ密度分布を調整するように配列されている。
側壁部12は、処理容器1に隣接する搬送室(図示せず)との間で基板Sの搬入出を行うための搬入出口14を有している。搬入出口14はゲートバルブ15により開閉されるようになっている。底壁部13には排気装置4が設けられている。排気装置4は底壁部13に接続された排気管16に設けられ、真空ポンプと圧力制御バルブを備えている。排気装置4の真空ポンプにより排気管16を介して処理容器1内が排気される。処理容器1内の圧力は圧力制御バルブにより制御される。
載置台2は、処理容器1の内部に配置され、基板Sを載置する。載置台2は、円板状をなしており、例えば、AlN等のセラミックスからなっている。載置台2は、処理容器1の底部中央から上方に延びる円筒状の例えばAlN等のセラミックスからなる支持部材20により支持されている。載置台2の外縁部には基板Sをガイドするためのガイドリング81が設けられている。また、載置台2の内部には、基板Sを昇降するための昇降ピン(図示せず)が載置台2の上面に対して突没可能に設けられている。さらに、載置台2の内部には抵抗加熱型のヒータ82が埋め込まれており、このヒータ82はヒータ電源83から給電されることにより載置台2を介してその上の基板Sを加熱する。また、載置台2には、熱電対(図示せず)が挿入されており、熱電対からの信号に基づいて、基板Sの加熱温度を制御可能となっている。さらに、載置台2内のヒータ82の上方には、基板Sと同程度の大きさの電極84が埋設されており、この電極84には、高周波バイアス電源22が電気的に接続されている。この高周波バイアス電源22から載置台2に、イオンを引き込むための高周波バイアスが印加される。なお、高周波バイアス電源22はプラズマ処理の特性によっては設けなくてもよい。
ガス供給部3は、プラズマ処理に必要なガスを処理容器1内に供給するためのものである。ガスとしては、Arガス等の希ガスからなるプラズマ生成ガス、プラズマ処理のための処理ガスが用いられ、処理ガスはプラズマ処理に応じて種々のものが用いられる。プラズマ処理としては、例えば、窒化珪素(SiN)膜の成膜を行うことができ、その場合は、例えば、処理ガスとして、原料ガスであるSi原料ガス、反応ガスであるN2ガスを用いることができる。
ガス供給部3は、これらのガスを供給するための複数のガス供給源、各ガス供給源に接続された配管、配管に設けられたバルブや流量制御器等を有するガス供給機構92を有している。また、ガス供給部3は、ガス供給機構92からのガスを導く共通の配管91をさらに有しており、配管91は天壁部11に設けられた凸状部23に接続されている。凸状部23にはガス流路23aが形成されており、凸状部23から処理容器1内へガスが供給されるようになっている。すなわち、凸状部23はガス導入ノズル(ガス導入部)としても機能する。なお、処理容器1内へのガスの導入は、凸状部23以外から行い、凸状部23をガス導入部として機能させなくてもよい。
プラズマ源5は、前述のように、処理容器1の上方に設けられ、処理容器1内にマイクロ波(電磁波)を導入してプラズマを生成するプラズマ生成手段として機能する。図1に示すように、プラズマ源5は、マイクロ波出力部30と、アンテナユニット40とを有する。
マイクロ波出力部30は、マイクロ波を生成するとともに、マイクロ波を複数の経路に分配して出力するものである。マイクロ波出力部30は、図2に示すように、マイクロ波電源31と、マイクロ波発振器32と、アンプ33と、分配器34とを有している。マイクロ波発振器32はソリッドステートであり、例えば、860MHzでマイクロ波を発振(例えば、PLL発振)させる。なお、マイクロ波の周波数は、860MHzに限らず、2.45GHz、8.35GHz、5.8GHz、1.98GHz等、700MHzから10GHzの範囲のものを用いることができる。アンプ33は、マイクロ波発振器32によって発振されたマイクロ波を増幅するものである。分配器34は、アンプ33によって増幅されたマイクロ波を複数の経路に分配するものであり、入力側と出力側のインピーダンスを整合させながらマイクロ波を分配する。
アンテナユニット40は、マイクロ波出力部30から出力されたマイクロ波を処理容器1内に導入するものである。アンテナユニット40は、図2に示すように、複数のアンテナモジュール41を含んでいる。複数のアンテナモジュール41は、それぞれ、分配器34によって分配されたマイクロ波を処理容器1内に導入する。複数のアンテナモジュール41の構成は全て同一である。各アンテナモジュール41は、分配されたマイクロ波を主に増幅して出力するアンプ部42と、アンプ部42から出力されたマイクロ波を処理容器1内に放射するマイクロ波放射部43とを有する。
アンプ部42は、位相器45と、可変ゲインアンプ46と、メインアンプ47と、アイソレータ48とを有する。位相器45は、マイクロ波の位相を変化させる。可変ゲインアンプ46は、メインアンプ47に入力されるマイクロ波の電力レベルを調整する。メインアンプ47は、ソリッドステートアンプとして構成される。アイソレータ48は、メインアンプ47に向かう反射マイクロ波を分離する。
図1に示すように、複数のマイクロ波放射部43は、天壁部11に配置された複数のマイクロ波透過窓63に対応する位置に設けられる。
図3に示すように、複数のマイクロ波透過窓63は、天壁部11の中心部に1個と、その周囲の外周部に等間隔に6個、合計7個設けられている。中心部の1個のマイクロ波透過窓63は中心側マイクロ波透過部111を構成し、外周部の6個のマイクロ波透過窓63は外周側マイクロ波透過部112を構成する。外周側マイクロ波透過部112の6個のマイクロ波透過窓63は、その中心が天壁部11の中心を中心とする仮想円115上に位置するように配置されている。好適な例では、中心側マイクロ波透過部111のマイクロ波透過窓63は、その中心が天壁部11の中心と一致した位置に設けられ、外周側マイクロ波透過部112の6個のマイクロ波透過窓63は、正六角形を構成するように配置される。そして、中心側マイクロ波透過部111のマイクロ波透過窓63と、外周側マイクロ波透過部112の隣接するマイクロ波透過窓63とは、それらの中心を結ぶことにより正三角形が形成される位置に存在する。なお、マイクロ波透過窓63の数およびマイクロ波放射部43の配置は図3の例に限らず、これらの数も7個に限らない。図3の例では、複数の凸状部23は、中心側マイクロ波透過部111を取り囲むように円周状に配列されている。
各マイクロ波放射部43は、図4に示すように、同軸管51と、給電部55と、チューナ54と、平面アンテナ61と、遅波材62とを有する。同軸管51は、筒状をなす外側導体52および外側導体52内に外側導体52と同軸状に設けられた内側導体53を有し、それらの間にマイクロ波伝送路を有する。
給電部55は、アンプ部42からの増幅されたマイクロ波をマイクロ波伝送路に給電するものである。給電部55には、外側導体52の上端部の側方から同軸ケーブルによりアンプ部42で増幅されたマイクロ波が導入される。例えば、給電部55によりマイクロ波を放射することにより外側導体52と内側導体53との間のマイクロ波伝送路にマイクロ波電力が給電され、マイクロ波電力がマイクロ波伝送路に沿って下方に伝播される。
平面アンテナ61は、内側導体53の下端部に接続され、同軸管51からのマイクロ波を処理容器1内に放射するためのものであり、導体、例えば表面が金メッキされた銅板またはアルミニウム板からなる。平面アンテナ61は、貫通するように形成されたスロット61aを有している。スロット61aの形状は、マイクロ波が効率良く放射されるように適宜設定される。スロット61aには誘電体が挿入されていてもよい。
遅波材62は、平面アンテナ61の上面側に配置され、外側導体52の下端に嵌め込まれている。遅波材62は、真空よりも大きい誘電率を有する材料によって形成されており、その厚さによりマイクロ波の位相を調整することができ、マイクロ波の放射エネルギーが最大となるようにすることができる。遅波材62を構成する誘電体材料としては、例えば、石英やセラミックス、ポリテトラフルオロエチレン樹脂等のフッ素系樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
マイクロ波放射部43から放射されたマイクロ波は、対応するマイクロ波透過窓63を透過して処理容器1内に至り、表面波プラズマを生成する。マイクロ波透過窓63も遅波材62と同様の誘電体材料で構成することができ、マイクロ波をTEモードで効率的に放射することができるような形状をなしている。
チューナ54は、負荷のインピーダンスをマイクロ波電源31の特性インピーダンスに整合させるものである。チューナ54は、スラグチューナを構成している。例えば図4に示すように、チューナ54は、2つのスラグ71a、71bと、これら2つのスラグをそれぞれ独立して駆動するアクチュエータ72と、このアクチュエータ72を制御するチューナコントローラ73とを有している。スラグ71a、71bは、同軸管51の平面アンテナ61よりも基端部側(上端部側)の部分に配置されている。
スラグ71a,71bは、板状かつ環状をなし、セラミックス等の誘電体材料で構成され、同軸管51の外側導体52と内側導体53の間に配置されている。また、アクチュエータ72は、例えば、内側導体53の内部に設けられた、それぞれスラグ71a,71bが螺合する2本のねじを回転させることによりスラグ71a,71bを個別に駆動する。そして、チューナコントローラ73からの指令に基づいて、アクチュエータ72によって、スラグ71a,71bを上下方向に移動させる。チューナコントローラ73は、終端部のインピーダンスが50Ωになるように、スラグ71a,71bの位置を調整する。
メインアンプ47と、チューナ54と、平面アンテナ61とは近接配置されている。そして、チューナ54と平面アンテナ61とは集中定数回路を構成し、かつ共振器として機能する。平面アンテナ61の取り付け部分には、インピーダンス不整合が存在するが、チューナ54によりプラズマ負荷に対して直接チューニングするので、プラズマを含めて高精度でチューニングすることができる。このため、平面アンテナ61における反射の影響を解消することができる。
天壁部11に設けられた複数の凸状部23は、複数のマイクロ波放射部43から対応するマイクロ波透過窓63を透過したマイクロ波によって生成される表面波プラズマの密度分布を調整するように配列されている。すなわち、図5に示すように、凸状部23が存在しない場合のマイクロ波透過窓63から透過したマイクロ波によって生成される表面波プラズマの水平方向の広がりを、凸状部23により意図的に阻止し、プラズマ密度分布を調整する。
図6に示す凸状部23の高さHおよび隣接する凸状部23の間の隙間Dは、それぞれ10mm以上および50mm以下であることが好ましい。高さHの好ましい範囲を10mm以上としたのは、プラズマの分布幅が狭い高圧条件では、電子密度実測データは図7に示すようになり、天壁から10mm程度の位置に電子密度のピークが存在するからである。確実にプラズマ分布調整を行う観点からは、Hは20mm以上が好ましい。また、隙間Dの好ましい範囲を50mm以下としたのは、分布幅の広い低圧条件では、電子密度実測データは図8に示すようになり、Dが50mm以下であれば、プラズマ密度分布の狭窄効果が得られるからである。なお、凸状部23の径については特に制限はないが、5mm以上が好ましい。
凸状部23の形状は特に限定されない。図9の(a)に示すように断面が円形とすることができるが、円形である必要はなく、例えば(b)のように断面が楕円であってもよい。(a)、(b)では先端が曲面となっているが、平面でもよい。また、(c)、(d)のような変形したものであってもよい。
図3では、複数の凸状部23の配置の一例として、中心側マイクロ波透過部111を構成するマイクロ波透過窓63と、外周側マイクロ波透過部112を構成する6個のマイクロ波透過窓63の間の位置に、中心側マイクロ波透過部111のマイクロ波透過窓63を囲むように複数の凸状部23が配列されている。より具体的には、複数の凸状部23は、天壁部11の中心を中心とする仮想円116上に配置されている。このように、複数の凸状部23を中心側マイクロ波透過部111のマイクロ波透過窓63を囲むように、さらには天壁部11の中心を中心とする仮想円116上に配置することにより、径方向のプラズマ密度分布を調整することができる。
径方向のプラズマ密度分布を調整する場合、凸状部23の位置は、天壁部11の中心を中心とし、外周側マイクロ波透過部112のマイクロ波透過窓63の中心位置を円周の位置とする仮想円115よりも中心側であることが好ましい。これにより、外周側マイクロ波透過部112に対応するプラズマの密度分布を径方向に調整して、基板Sに対するプラズマ処理の均一性を高めることができる。
表面波プラズマは、天壁部11の近傍でマイクロ波透過窓63の中心(径方向距離=0mm)から外側に広がり、その密度分布は図10のようになる。図10は、天壁部11の近傍として天壁部11の下面から15mm下方の位置での典型的な条件におけるプラズマの広がりを示すものである。図10からプラズマ密度の半値半幅は86mmであるから、プラズマの広がりの典型的な値として半値半幅付近の90mmを採用することができる。
また、凸状部23は、外側マイクロ波透過部112に対応して生成された表面波プラズマに作用可能な位置に設けられることが好ましい。
具体的には、外周側マイクロ波透過部112のマイクロ波透過窓63の中心から処理容器1の側壁部12までの距離が90mm以上であれば、プラズマは側壁部12の影響を強く受けないと考えられる。そのような場合に、凸状部23が外周側マイクロ波透過部112のマイクロ波透過窓63の中心から90mm以内の位置に設けられれば、凸状部23がプラズマに作用して天壁部11の径方向中心側へのプラズマの広がりを阻止する効果が有効に発揮され、径方向のプラズマ密度分布を調整する効果が大きくなる。
外周側マイクロ波透過部112のマイクロ波透過窓63の中心から側壁部12までの距離が90mm未満であれば、プラズマは側壁部12の影響を強く受けるようになると考えられる。このとき、図11に示すように、凸状部23と側壁部12との間にプラズマ密度のピークが存在するように凸状部23の位置を設定することにより、凸状部23がプラズマに有効に作用し、天壁部11の径方向中心側へのプラズマの広がりを阻止する効果を有効に発揮できると考えられる。すなわち、外周側のマイクロ透過窓63が側壁部12に近い場合は、側壁部12からの距離が半値全幅に相当する距離である180mm以内の位置に凸状部23を設置すれば、側壁部12と凸状部23との間にプラズマを閉じ込めることができ、プラズマ密度分布を径方向において調整する効果が大きくなる。
制御部6は、典型的にはコンピュータからなり、プラズマ処理装置100の各部を制御するようになっている。制御部6はプラズマ処理装置100のプロセスシーケンスおよび制御パラメータであるプロセスレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えており、選択されたプロセスレシピに従って所定の制御を行うことが可能である。
次に、このようなプラズマ処理装置100によるプラズマ処理について説明する。
プラズマ処理装置100によりプラズマ処理を行う際には、ガス供給部3からガス導入ノズルとして機能する凸状部23を介してプラズマ生成ガスを処理容器1の天壁部11の直下に供給するとともに、処理容器1内にプラズマ源5からマイクロ波を供給してプラズマを着火させる。
プラズマ処理装置100によりプラズマ処理を行う際には、ガス供給部3からガス導入ノズルとして機能する凸状部23を介してプラズマ生成ガスを処理容器1の天壁部11の直下に供給するとともに、処理容器1内にプラズマ源5からマイクロ波を供給してプラズマを着火させる。
このとき、マイクロ波は、プラズマ源5のマイクロ波出力部30から複数に分配して出力され、アンテナユニット40の複数のアンテナモジュール41に導かれる。
各アンテナモジュール41では、マイクロ波は、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ47で個別に増幅され、各マイクロ波放射部43に給電され、同軸管51を伝送されて平面アンテナ61に至る。その際に、チューナ54のスラグ71aおよびスラグ71bによりインピーダンスが自動整合される。このため、マイクロ波は、電力反射が実質的にない状態で、チューナ54から遅波材62を経て平面アンテナ61のスロット61aから放射される。そして、マイクロ波は、さらにマイクロ波透過窓63を透過し、プラズマに接するマイクロ波透過窓63の表面(下面)を伝播し表面波を形成する。各平面アンテナ61からのマイクロ波電力は、処理容器1内で空間合成され、天壁部11の直下領域に希ガス、例えばArガスによる表面波プラズマが生成される。
そして、プラズマが着火したタイミングで、ガス供給部3からガス導入ノズルとして機能する凸状部23を介して処理ガスを供給し、処理ガスをプラズマ化させ、基板Sにプラズマ処理を行う。プラズマ処理として、例えば、処理ガスとして、原料ガスであるSi原料ガス、反応ガスであるN2ガスを用いた窒化珪素(SiN)膜の成膜が行われる。
なお、プラズマ生成ガスと処理ガスを同時にプラズマ生成領域に供給してプラズマを着火してもよく、また、プラズマ生成ガスを用いずに、処理ガスをプラズマ生成領域に供給して直接プラズマを着火してもよい。
プラズマ処理装置100では、複数のマイクロ波放射部43からマイクロ波を放射して極力均一なプラズマを生成し、基板Sに対する均一なプラズマ処理を行うため、マイクロ波放射部43およびそれに対応するマイクロ波透過窓63の配置位置を適正化し、放射条件も厳密に調整する。
しかし、プラズマ密度分布の調整に凸状部23を用いない場合は、それでもなお、処理によっては十分な処理の均一性が得られない場合がある。例えば、Si原料ガスとN2ガスを用いて窒化珪素(SiN)膜を成膜する場合、図12に示すように、膜中のSiとNの比率の指標であるSiN膜の屈折率(RI値)が、基板S(半導体ウエハ)の中心から100mm程度の外周部で落ち込む現象が生じる場合がある。
このようなプラズマ処理の不均一を解消するためには、プラズマ密度分布調整する手法が求められる。
プラズマ密度分布は、マイクロ波放射部43(マイクロ波透過窓63)の配置、処理容器1の寸法、ガス種などでほぼ自動的に決まってしまうため調整が難しい。マイクロ波放射部43(マイクロ波透過窓63)の配置を変更することでプラズマ密度分布を調整することも考えられる。例えば、図12の状態を改善するために、図13のように外周側マイクロ波透過部112のマイクロ波透過窓63を外側へずらしてプラズマを外側にシフトさせることが想定される。しかし、実際には図14に示すように側壁部12の影響でプラズマを十分に外側へシフトさせることができず、所望の効果を得難いことが判明した。また、マイクロ波放射部43(マイクロ波透過窓63)の配置を変更することは、装置設計を変更することになり大掛かりである。
そこで、本実施形態では、処理容器1の天壁部11の下面に、下方に突出するように複数の凸状部23を設け、かつこれら複数の凸状部23を表面波プラズマの密度分布を調整するように配列する。凸状部23は、処理容器1内の天壁部11の近傍部分に生成される表面波プラズマの径方向の広がりを阻止することができるので、処理に応じて所望のプラズマが形成されるように、プラズマ密度分布の調整が可能となる。
具体的手順は以下の通りとなる。
特定条件のプラズマ処理について、凸状部23の影響がないときのプラズマの状態(プラズマ処理の均一性またはプラズマ密度分布)を予め把握しておく。そして、天壁部11の下面に、生成された表面波プラズマが所望のプラズマの密度分布に調整されるような配列で複数の凸状部23を設ける。そして、そのような凸状部23を有する天壁部11を用いたプラズマ処理装置100にて、上記手順により当該特定条件のプラズマ処理を実施する。
特定条件のプラズマ処理について、凸状部23の影響がないときのプラズマの状態(プラズマ処理の均一性またはプラズマ密度分布)を予め把握しておく。そして、天壁部11の下面に、生成された表面波プラズマが所望のプラズマの密度分布に調整されるような配列で複数の凸状部23を設ける。そして、そのような凸状部23を有する天壁部11を用いたプラズマ処理装置100にて、上記手順により当該特定条件のプラズマ処理を実施する。
凸状部23によりプラズマ密度分布を調整する手法は、天壁部11に複数の凸状部23を適切な位置に設けるだけでよいので、大掛かりな装置設計等の変更が不要であり、比較的容易にプラズマ密度分布調整することができる。また、基本的なプラズマ密度分布を大きく変更せずに、適度な調整を行うことができる。さらに、プラズマ密度分布を調整したい部分に応じて凸状部23を設ける位置を調整することにより、きめ細かいプラズマ密度調整を行うことができる。
また、表面波プラズマは、天壁部11の近傍に生成されるプラズマであるため、その密度分布制御のためには、凸状部23の高さHは上述したように10mm以上、好ましくは20mm以上と短くてよい。
上記特許文献1では、天壁に特定深さの凹部を形成することが記載されているが、凹部は電界を閉じ込めてプラズマ密度を上昇させるために用いられ、プラズマ密度分布は意図しておらず、また、実際にプラズマ密度分布の調整にはほとんど寄与しない。また、特許文献1の図3(a)、(b)には、「比較例」として、天壁部に凸状部を設けた例が示されているが、その図4(b)をみると、凹部を設けた場合よりも電子密度が低いことが示されているのみであり、プラズマ密度分布を調整する効果については記載されていない。
なお、複数のマイクロ波放射部から処理容器内にマイクロ波を供給するタイプのプラズマ処理装置として、従来から処理容器内へガスを導入するためのガス導入ノズルを天壁部から下方に突出して設けたものが知られている(例えば特開2014−183297号公報)。しかし、このような従来技術では、ガス導入ノズルは、例えばガスを天壁表面から離れた位置に供給すること等を意図しており、プラズマ密度分布を調整することを意図するものではない。
また、図3のように、凸状部23を天壁部11の中心を中心とする仮想円116上に配置することにより、径方向のプラズマ密度分布を調整することができる。特に、凸状部23の位置は、天壁部11の中心を中心とし、外周側マイクロ波透過部112のマイクロ波透過窓63の中心位置を円周の位置とする仮想円115よりも天壁部11の中心側であることが好ましい。また、凸状部23は、外側マイクロ波透過部112に対応して生成された表面波プラズマに作用可能な位置に設けられることが好ましい。具体的には、外周側マイクロ波透過部112のマイクロ波透過窓63の中心から処理容器1の側壁部12までの距離が90mm以上の場合に、凸状部23が外周側マイクロ波透過部112のマイクロ波透過窓63の中心から90mm以内の位置に設けられることが好ましい。また、外周側マイクロ波透過部112のマイクロ波透過窓63の中心から側壁部12までの距離が90mm未満である場合に、凸状部23を側壁部12から半値半幅の2倍である半値全幅付近の180mm以内の位置に設けることが好ましい。これらの好ましい範囲を満たすことにより、プラズマ密度分布を径方向に調整する効果が大きくなる。
次に、本実施形態の効果を確認した結果について説明する。
ここでは、図3と同様に、天壁部にマイクロ波を透過する7つのマイクロ波透過窓63を設け、さらに、複数の凸状部を設けた2種類のプラズマ処理装置によるプラズマ処理をシミュレートした。一つは、凸状部23を、プラズマ密度分布を調整する機能を有する位置である、外周側マイクロ波透過部12のマイクロ波透過窓63の中心位置を円周の位置とする仮想円115から天壁部11の中心側に70mmの距離の位置に設けた実施形態のプラズマ処理装置である。他の一つは、凸状部23を、プラズマ密度分布を調整する機能を有しない位置である、外周側マイクロ波透過部12のマイクロ波透過窓63の中心位置を円周の位置とする仮想円115から天壁部11の中心側に95mmの距離の位置に設けたリファレンス(ref.)のプラズマ処理装置である。具体的には、これらの装置を用いて、300mmの半導体ウエハ上にSi原料ガスとN2ガスを用いて窒化珪素(SiN)膜を成膜する場合についてシミュレートした。その際のRI分布のシミュレーション結果を図15に示す。この図に示すように、リファレンスの場合は、図12と同様、ウエハの中心から100mm程度の位置でRI値が落ち込んでいるが、本実施形態に従ってプラズマ密度分布調整用の凸状部を設けた場合は、RI値が均一化されていることがわかる。なお、ここではパワー比率等の条件は最適化していないが、これらを最適化することによりさらにRI分布の均一性は高まると考えられる。
ここでは、図3と同様に、天壁部にマイクロ波を透過する7つのマイクロ波透過窓63を設け、さらに、複数の凸状部を設けた2種類のプラズマ処理装置によるプラズマ処理をシミュレートした。一つは、凸状部23を、プラズマ密度分布を調整する機能を有する位置である、外周側マイクロ波透過部12のマイクロ波透過窓63の中心位置を円周の位置とする仮想円115から天壁部11の中心側に70mmの距離の位置に設けた実施形態のプラズマ処理装置である。他の一つは、凸状部23を、プラズマ密度分布を調整する機能を有しない位置である、外周側マイクロ波透過部12のマイクロ波透過窓63の中心位置を円周の位置とする仮想円115から天壁部11の中心側に95mmの距離の位置に設けたリファレンス(ref.)のプラズマ処理装置である。具体的には、これらの装置を用いて、300mmの半導体ウエハ上にSi原料ガスとN2ガスを用いて窒化珪素(SiN)膜を成膜する場合についてシミュレートした。その際のRI分布のシミュレーション結果を図15に示す。この図に示すように、リファレンスの場合は、図12と同様、ウエハの中心から100mm程度の位置でRI値が落ち込んでいるが、本実施形態に従ってプラズマ密度分布調整用の凸状部を設けた場合は、RI値が均一化されていることがわかる。なお、ここではパワー比率等の条件は最適化していないが、これらを最適化することによりさらにRI分布の均一性は高まると考えられる。
以上、実施形態について説明したが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
例えば、上記実施形態では、図16(a)に示すように、凸状部23を、天壁部11の中心を中心とする仮想円116上に配置した例を示し、これにより径方向のプラズマ密度分布を調整する例を示したが、凸状部23の配置はこれに限るものではない。例えば、図16(b)に示すように、凸状部23を天壁部11の径方向に並べて、周方向のプラズマ密度分布を調整するようにしてもよいし、図16(c)に示すように、凸状部23を円弧状に並べて、径方向と周方向が混合した方向のプラズマ密度分布を調整するようにしてもよい。
また、上記実施形態では、天壁部11の中央に中心側マイクロ波透過部111を構成する1個のマイクロ波透過窓63を配置し、天壁部11の外周部に外周側マイクロ波透過部112を構成する6個のマイクロ波透過窓63を配置した例を示した。しかし、これに限らず、天壁部の任意の位置に複数のマイクロ波透過窓を配置したプラズマ処理装置であってよい。
また、上記実施形態では、プラズマ処理装置としてSiN膜を成膜する成膜装置を例にとって示したが、他の膜の成膜装置であってもよいし、エッチング等の成膜以外のプラズマ処理装置であってもよい。
1;処理容器
2;載置台
3;ガス供給部
4;排気装置
5;プラズマ源
6;制御部
11;天壁部
23;凸状部
43;マイクロ波放射部
63;マイクロ波透過窓
100;プラズマ処理装置
S;基板
2;載置台
3;ガス供給部
4;排気装置
5;プラズマ源
6;制御部
11;天壁部
23;凸状部
43;マイクロ波放射部
63;マイクロ波透過窓
100;プラズマ処理装置
S;基板
Claims (9)
- 基板を収容し、天壁部と側壁部と底壁部により処理空間を画成する処理容器と、
前記天壁部の上方に設けられ、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部およびマイクロ波を前記処理容器に向けて放射する複数のマイクロ波放射部を有し、前記天壁部の下方位置に表面波プラズマを生成するためのプラズマ源と、
前記表面波プラズマを生成するためのガスを供給するガス供給部と、
前記天壁部の前記複数のマイクロ波放射部に対応する位置に設けられた誘電体からなる複数のマイクロ波透過窓と、
前記天壁部の下面に、下方に突出するように設けられ、前記表面波プラズマの密度分布を調整するように配列された複数の凸状部と、
を有する、プラズマ処理装置。 - 前記天壁部において、複数の前記マイクロ波透過窓は、前記天壁部の中心側の中心側透過部を構成するマイクロ波透過窓と、その外周側の外周側透過部を構成するマイクロ波透過窓に分かれており、複数の前記凸状部は、前記中心側透過部を囲むように配列されている、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記外周側透過部は、複数の前記マイクロ波透過窓が、前記天壁部の中心を中心とする仮想円上に位置するように構成され、
複数の前記凸状部は、前記天壁部の中心を中心とし、前記外周側マイクロ波透過部を構成する複数の前記マイクロ波透過窓の中心位置を円周の位置とする仮想円よりも中心側であり、かつ前記外周側マイクロ波透過部に対応して生成された表面波プラズマに作用可能な位置に設けられる、請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記外周側マイクロ波透過部を構成するマイクロ波透過窓の中心位置が、前記処理容器の前記側壁部から90mm以上の場合に、前記凸状部は、前記外周側マイクロ波透過部を構成する複数の前記マイクロ波透過窓の中心位置から90mm以内の位置に設けられる、請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記外周側マイクロ波透過部を構成するマイクロ波透過窓の中心位置が、前記処理容器の前記側壁部から90mmより小さい場合に、前記凸状部は、前記処理容器の前記側壁部から180mm以内の位置に設けられる、請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記凸状部の長さは10mm以上である、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記凸状部の互いに隣接するものの間の隙間は50mm以下である、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記凸状部は、前記ガス供給部から供給されたガスを前記処理容器内に導入するガス導入部として機能する、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 基板を収容し、天壁部と側壁部と底壁部により処理空間を画成する処理容器と、前記天壁部の上方に設けられ、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部、およびマイクロ波を前記処理容器に向けて放射する複数のマイクロ波放射部を有し、前記天壁部の下方位置に表面波プラズマを生成するためのプラズマ源と、前記表面波プラズマを生成するためのガスを供給するガス供給部と、前記天壁部の前記複数のマイクロ波放射部に対応する位置に設けられた誘電体からなる複数のマイクロ波透過窓とを有するプラズマ処理装置において、特定条件のプラズマ処理のプラズマの状態を予め把握することと、
前記天壁部の下面に、下方に突出するように、生成された表面波プラズマが所望のプラズマの密度分布に調整されるような配列で複数の凸状部を設けることと、
前記凸状部が設けられた天壁部を用いたプラズマ処理装置により、基板に対して前記特定条件のプラズマ処理を行うことと、
を有するプラズマ処理方法。
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