KR101221859B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

다양한 프로세스 조건에 있어서, 균일하고, 또한 재현성이 양호한 플라즈마를 생성시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 마이크로파를 전송하는 도파관(5)과, 마이크로파 원으로부터 도파관(5)을 통해 마이크로파를 방사하는 안테나(4)와, 안테나(4)로부터 방사되는 마이크로파를 전파하여 플라즈마 처리 용기(1)의 내부에 투과시키는 천판(3)을 구비하고 있다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 또한, 안테나(4)에 대하여 도파관(5)의 위치가 상대적으로 변화하도록 당해 도파관(5)을 이동시키는 나사 이송 기구(20)를 구비하고 있다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 마이크로파를 이용하여 플라즈마를 발생시키는 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마 처리는, 집적 회로, 액정 회로 기판, 태양전지 등 많은 반도체 디바이스에 널리 이용되고 있다. 플라즈마 처리는, 반도체 제조 과정에서의 Si 등의 박막의 퇴적이나 에칭 공정 등에서 이용되고 있다. 그러나, 보다 고성능이고, 또한 고기능인 제품의 개발, 제조를 위해, 예를 들면, 초미세 가공 기술 등에 대응하는 것이 요구된다. 이 때문에, 압력이 낮은 고진공 상태에 있어서의 고밀도 플라즈마(저기압 고밀도 플라즈마)를 안정되게 생성할 수 있는 마이크로파 플라즈마 처리 장치가 주목받고 있다.
마이크로파 플라즈마 처리 장치는, 마이크로파의 에너지에 의해 기체를 전리시켜 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치이다. 마이크로파는 도파관을 통하여 안테나의 슬롯판으로부터 공급된다. 그리고, 플라즈마 처리 용기(챔버)의 상부 개구에 배치되는 천판(top plate; 유전체창)을 투과하여 플라즈마 처리 용기 내에 방사된다. 이 천판은, 마이크로파를 투과할 수 있는 유전 재료로 형성되어 있다.
마이크로파 플라즈마 처리 장치로서, 피(被)처리 대상을 수용한 플라즈마 처리 용기 내에, 마이크로파 발생기로부터 도파관을 통해 마이크로파를 도입하여, 당해 플라즈마 처리 용기 내에서 플라즈마를 발생시켜, 상기 피처리 대상에 소정의 처리를 시행하도록 한 것이 개시되어 있다(특허문헌 1 참조).
이 마이크로파 플라즈마 처리 장치에서는, 상기 도파관에 매칭 수단을 형성하여, 마이크로파를 도입했을 때에 상기 플라즈마 처리 용기로부터 발생하는 반사 전력을 최대한 없앰으로써, 효율 좋게 플라즈마를 발생시키고 있다.
일본공개특허공보 평09-190900호
마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 초미세 가공 기술 등 고도의 플라즈마 처리를 안정되게 행하기 위해서는, 균일하고, 또한 재현성이 양호한 플라즈마를 발생시키는 것이 중요해진다.
그러나, 마이크로파의 전파 상태는, 마이크로파 플라즈마 처리 장치의 장치 제조 단계에 있어서의 각각의 구성 부재의 공차(tolerance)나, 플라즈마에 의해 발생하는 열에 의해, 안테나 등의 구성 부재가 열팽창하는 것 등의 장치 조건에 따라 변화한다. 또한, 플라즈마의 특성은, 온도, 압력, 가스 종류 등의 플라즈마 발생 조건에 따라서도 변화한다. 이 때문에, 다양한 프로세스 조건(장치 조건, 플라즈마 발생 조건)에 있어서도, 균일하고, 또한 재현성이 양호한 플라즈마를 발생시키는 것은 곤란했다.
이에 대하여, 전술한 바와 같이, 종래의 기술에서는, 효율 좋게 플라즈마를 발생시키기 위해, 반사 전력을 줄임으로써 플라즈마 발생에 기여하는 실효 전력(출력 전력과 반사 전력의 차)을 높이고 있다. 그러나, 균일하고, 또한 재현성이 양호한 플라즈마를 발생시키기 위해서는, 이와 같이 효율 좋게 플라즈마를 발생시키는 것만으로는 불충분하다.
본 발명은, 이러한 상황을 감안하여 이루어진 것으로, 그의 목적은, 다양한 프로세스 조건에 있어서도, 균일하고, 또한 재현성이 양호한 플라즈마가 얻어지는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는,
마이크로파를 이용하여 플라즈마를 플라즈마 처리 용기 내에 발생시켜, 피처리 대상물에 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치로서,
상기 마이크로파를 발생하는 마이크로파 원과,
상기 마이크로파를 전송하는 도파관과,
상기 도파관으로부터 전송된 마이크로파를 방사하는 안테나와,
상기 안테나로부터 방사되는 상기 마이크로파를 전파하여, 상기 플라즈마 처리 용기의 내부에 투과시키는 천판과,
상기 안테나에 대하여 상기 도파관의 위치가 상대적으로 변화하도록 당해 도파관을 이동시키는 위치 조정 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 위치 조정 수단은, 상기 안테나에 접하는 상기 도파관의 일부를, 상기 안테나에 대하여 상대적으로 변위시켜도 좋다.
더욱 바람직하게는, 상기 위치 조정 수단은, 상기 안테나에 대하여 상대 위치 불변으로 되어 있어도 좋다.
더욱 바람직하게는, 상기 도파관은, 내측 도체와, 당해 내측 도체의 외주에 배치된 외측 도체를 갖는 동축(同軸) 도파관이고, 상기 도파관의 일부가 상기 내측 도체라도 좋다.
더욱 바람직하게는, 상기 도파관은, 내측 도체와, 당해 내측 도체의 외주에 배치된 외측 도체를 갖는 동축 도파관이고, 상기 도파관의 일부가 상기 외측 도체라도 좋다.
더욱 바람직하게는, 상기 안테나는, 슬롯판과, 당해 슬롯판에 인접하여 배치된 지파판(遲波板)을 구비하고, 상기 슬롯판에 있어서 복수 쌍의 슬롯이 각각 복수의 동심원의 각 동심원 상에 대략 등(等)각도 간격을 두고 형성되고, 또한 각 한 쌍의 슬롯은 서로 직교하도록 형성되어 있어도 좋다.
더욱 바람직하게는, 상기 안테나를 냉각하는 냉각 수단이, 당해 안테나의 상면에 접촉하고, 또한 겹치도록 형성되어 있어도 좋다.
더욱 바람직하게는, 상기 안테나에 온도 센서를 형성하고, 당해 온도 센서에 의한 측온 결과에 기초하여, 상기 냉각 수단에 흘리는 열매체의 온도를 제어해도 좋다.
더욱 바람직하게는, 상기 플라즈마 처리 용기에 프로브(probe)를 형성하고, 당해 프로브를 이용하여 측정한 플라즈마의 발생 상태에 기초하여, 상기 위치 조정 수단을 통하여 상기 안테나에 대한 상기 도파관의 위치를 상대적으로 변화시켜도 좋다.
더욱 바람직하게는, 상기 슬롯판이 금속으로 이루어지는 것이 좋다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치에 의하면, 다양한 프로세스 조건에 대해서도 균일하고, 또한 재현성이 양호한 플라즈마를 발생시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 전체 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 슬롯판의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 나사 이송 기구 및, 플라즈마 처리 장치의 안테나와 도파관과의 관계를 나타내는 구성의 개략도이며, 도 1에 있어서 1점 쇄선으로 둘러싼 부분(K)에 대응한다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 나사 이송 기구 및, 플라즈마 처리 장치의 안테나와 도파관과의 관계를 나타내는 구성의 개략도이며, 도 1에 있어서 1점 쇄선으로 둘러싼 부분(K)에 대응한다.
도 5는 종래 기술의 플라즈마 처리 장치의 안테나와 도파관과의 관계를 나타내는 구성의 개략도이며, 도 1에 있어서 1점 쇄선으로 둘러싼 부분(K)에 대응한다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 본 발명의 각 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한 도면 중, 동일 또는 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 있다.
(제1 실시 형태)
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 마이크로파 플라즈마 처리 장치(이하, 단순히 「플라즈마 처리 장치」라고 함)(1)의 전체 단면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 플라즈마 처리 장치(1)는, 바닥이 있는 사각통 형상의 챔버(플라즈마 처리 용기)(2), 천판(유전체창)(3), 원반 형상의 안테나(4), 도파관(5), 마이크로파 원(6), 냉각 재킷(7), 기판 보지대(保持臺; 8), 진공 펌프(9), 고주파 전원(10), 가스 통로(11), 온도 센서(12)를 구비하고 있다. 안테나(4)는, 금속(실드 부재)으로 이루어지는 슬롯판(4a)과, 당해 슬롯판(4a)의 상방에 인접하여 배치되고, 유전체로 이루어지는 지파판(4b)을 구비하고 있다. 도파관(5)은, 소위 동축 도파관으로, 내측 도체(5b)와, 당해 내측 도체(5b)의 외주측에 마이크로파가 통과하는 원통 형상의 극간을 형성하도록 배치된 원통형의 외측 도체(5a)를 구비하고 있다.
도 2는, 본 발명의 실시 형태에 따른 슬롯판(4a)의 평면도이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 슬롯판(4a)은, 지파판(4b)의 하방에 인접하여 배치되고, 다수의 슬롯(41, 42)이 관통하여 형성되어 있다. 이와 같이, 슬롯판(4a)은 지파판(4b)의 하방에 위치한다. 이 때문에, 마이크로파는, 도파관(5)으로부터 도입된 위치를 중심으로 하여, 지파판(4b)의 면방향으로 퍼지도록 전파한다.
상세하게는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 각 슬롯(41, 42)은, 각각 복수의 동심원의 각 동심원 상에 대략 등각도 간격을 두고 형성되어 있다. 각 슬롯(41, 42)은 서로 직교하도록 형성되어 있다. 그리고, 마이크로파는, 도파관(5)으로부터 도입된 위치를 중심으로 하여, 슬롯판(4a)의 지름 방향으로 전파되어, 각 슬롯(41, 42)을 통과하여 하방에 방사된다. 그리고, 마이크로파는, 천판(3)의 내부에서 반복해서 반사되고 간섭하여 서로 강화되어 정재파를 형성한다. 그리고, 천판(3)의 바로 아래 영역에 있어서, 각 슬롯(41, 42)의 길이 방향에 대하여 수직인 방향으로 플라즈마가 형성된다.
도 1로 되돌아가, 플라즈마 처리 장치(1)의 챔버(2)의 상부 개구는, 천판(3)에 의해 폐색되어 있다. 천판(3) 상에는 안테나(4)가 겹치도록 배치되어 있다.
안테나(4)의 중앙부에는 도파관(5)이 접속되어 있다. 상세하게는, 내측 도체(5b)의 하단부는, 안테나(4)의 슬롯판(4a)에 맞닿아 있다. 지파판(4b)은, 냉각 재킷(7)과 슬롯판(4a)과의 사이에 위치하고 있고, 마이크로파의 파장을 압축하여 단파장측으로 시프트시킨다. 이 지파판(4b)은, 예를 들면 SiO2나 Al2O3 등의 유전체 재료로 구성할 수 있다.
본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 냉각 재킷(7)이 안테나(4)의 상면(편면(片面))에 접촉하고, 또한 겹치도록 형성되어 있다. 이 냉각 재킷(7)의 냉각 유로(7a)에 열매체를 유통시킴으로써, 챔버(2)의 내부에서 플라즈마가 발생할 때에 발생하는 열이 유전체창(3)이나 안테나(4)에 축적되어 고온이 되어도, 그 열을 빼앗아 유전체창(3)이나 안테나(4)를 냉각시킬 수 있다.
도 5는, 종래 기술의 플라즈마 처리 장치의 안테나와 도파관과의 관계를 나타내는 구성의 개략도이며, 도 1에 있어서 1점 쇄선으로 둘러쌓인 부분(K)에 대응한다.
여기에서, 도파관(5)은 안테나(4)에 대하여 고정되어 있다. 그리고, 도파관(5)을 통해 마이크로파가 천판(3)에 도입될 때의 위치는 일정하게 되어 있다.
이러한 플라즈마 처리 장치에서는, 안테나(4) 등의 구성 부재가 열팽창함으로써, 안테나(4)에 있어서의 마이크로파의 전파 상태가 변화하더라도, 도파관(5)은 안테나(4)에 대하여 고정되어 있기 때문에, 마이크로파의 전파 상태를 변경할 수는 없다.
도 3은, 도 1에 있어서 1점 쇄선으로 둘러쌓인 부분(K)에 대응하는 구성의 개략도이다. 도 3은, 본 실시 형태에 따른 위치 조정 수단으로서의 나사 이송 기구(20) 및, 플라즈마 처리 장치에 있어서의 안테나(4) 및 천판(3)과, 도파관(5)과의 위치 관계를 나타낸다.
도 5에 나타낸 종래 기술에 대하여, 본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 도파관(5)의 내측 도체(5b)를 변위 가능하게 지지하는 나사 이송 기구(20)를 구비하고 있다.
상세하게는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 나사 이송 기구(20)는 도파관(5)의 직사각형 도파부(5c) 상에 내측 도체(5b)를 90도의 등각도 간격으로 둘러싼 상태에서 4개 배설되어 있다. 그리고, 4개의 나사 이송 기구(20)는 내측 도체(5b)를 고정 가능하고, 또한, 평면 상의 어느 방향에 대해서도 당해 내측 도체(5b)를 이동 가능하게 구성되어 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 각 나사 이송 기구(20)는, 각각 누름판(21), 고정 나사(22), 조정 나사(23) 및 스토퍼(24)를 구비하고 있다. 각 나사 이송 기구(20)는 안테나(4)에 대하여 상대 위치 불변으로 되어 있다. 이에 따라, 안테나(4)에 대한 내측 도체(5b)의 위치 조정이 용이하고, 또한 확실하게 실행 가능하도록 되어 있다. 누름판(21)은, 내측 도체(5b)의 외주벽에 접촉 가능하도록 직사각형 도파부(5c)의 상부 개구에 형성되어 있다. 또한, 직사각형 도파부(5c)의 상부 개구에 있어서, 누름판(21)의 외주 측에는 스토퍼(24)가 형성되어 있다.
누름판(21)에는, 스토퍼(24)에 나사 결합된 조정 나사(23)의 선단부(先端部)가 나사 삽입되어 있다. 그리고, 이 조정 나사(23)를 회전시킴으로써, 누름판(21)이 내측 도체(5b)의 지름 방향 내측을 향하여 이동 가능하게 되어 있다. 스토퍼(24)는, 내측 도체(5b)가 외측 도체(5a)와 접촉하는 것을 방지하도록, 조정 나사(23)를 최대 회전시켜도 내측 도체(5b)가 외측 도체(5a)와 닿지 않는 위치에 형성되어 있다. 그리고, 누름판(21)을 내측 도체(5b)의 외주벽에 접촉시킨 상태에서 조정 나사(23)를 회전시킴으로써, 당해 누름판(21)을 통해, 외측 도체(5a)에 접촉시키는 일 없이 내측 도체(5b)의 위치를 조정 가능하게 되어 있다.
또한, 누름판(21)의 상면으로부터 고정 나사(22)가 조정 나사(23)의 측부에 맞닿아, 당해 조정 나사(23)의 회전을 저지 가능하게 나사 삽입되어 있다.
본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 내측 도체(5b)의 위치 결정을 행하려면 4개의 나사 이송 기구(20)의 조정 나사(23)를 회전시켜, 누름판(21)을 통해 내측 도체(5b)를 지름 방향의 임의의 위치에 이동시킨다. 그리고, 위치 결정하는 포인트에서, 누름판(21)을 내측 도체(5b)의 외주벽에 접촉시킨 상태에서 고정 나사(22)를 단단히 조임으로써, 내측 도체(5b)를 고정시킨다.
본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에 의하면, 나사 이송 기구(20)를 이용함으로써, 안테나(4) 및 천판(3)에 대한 도파관(5)의 내측 도체(5b)의 위치, 즉, 안테나(4) 및 천판(3)에 있어서의 마이크로파의 도입 위치를 변화시킬 수 있다. 그리고, 마이크로파의 도입 위치에 의해, 천판(3) 내에 전파되는 마이크로파의 소밀(粗密) 위치 패턴이 상이한 것을 이용하여, 당해 마이크로파에 의해 형성되는 플라즈마 밀도 분포를 변화시킬 수 있다. 그 한편으로, 플라즈마 밀도 분포가 변화하는 경우라도 나사 이송 기구(20)를 이용함으로써, 안테나(4) 및 천판(3)에 있어서의 마이크로파의 도입 위치를 변화시켜, 소정의 플라즈마 밀도 분포를 유지할 수 있다.
본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 도파관(5)의 내측 도체(5b)의 위치에 대해서는, 실제로 피처리 기판(W)에 대하여 플라즈마 처리를 행하여, 그 처리 결과에 따라서 최적화할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마 처리 장치(1)의 기동시나 플라즈마 처리 개시시로부터 일정 기간 경과마다 피처리 기판(W)을 발취하여, 그의 처리 상태로부터 플라즈마 밀도 분포의 확인을 행한다. 그리고, 피처리 기판(W)과 내측 도체(5b)의 위치와의 대조를 행하여, 최적의 플라즈마 밀도 분포가 얻어지는 위치를 결정할 수 있다.
또한, 플라즈마의 발생 상태를 챔버(2) 내에 설치한 프로브 등으로 리얼타임으로 측정하여, 얻어진 정보를 플라즈마 처리 장치(1)의 제어 장치에 피드백할 수도 있다. 그리고, 당해 제어 장치에 의해 서보모터(servomotor) 등을 통하여 나사 이송 기구(20)의 조정 나사(23)를 회전 구동시킴으로써, 내측 도체(5b)의 위치를 최적화할 수 있다. 이와 같이 플라즈마의 발생 상태에 기초하여, 도파관(5)의 위치를 조정함으로써, 플라즈마 밀도 분포의 제어가 자동적으로 행해진다. 이 방법에 의하면, 플라즈마 밀도 분포를 신속하고, 또한 재현성 좋게 안정시킬 수 있다. 이 경우, 전술한 방법과 상이하게, 피처리 기판(W)이 소용없게 되지 않기 때문에 생산성을 보다 향상시킬 수 있다.
이하, 본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)를 사용한 반도체 기판(피처리 기판(W))의 플라즈마 처리에 대해서 설명한다.
도 1에 나타내는 상태에서, 진공 펌프(9)를 이용하여 챔버(2) 내를 배기·감압하여, 진공 상태로 한다. 다음으로, 마이크로파 원(6)으로부터 도파관(5)을 통해 마이크로파를 안테나(4)에 공급한다.
그러면, 마이크로파는, 안테나(4)의 지름 방향으로 슬롯판(4a)과 지파판(4b)의 사이를 전파하면서, 슬롯판(4a)의 각 슬롯(41, 42)으로부터 하방으로 방사된다. 그리고, 마이크로파는 천판(3)을 투과한다. 그리고, 이 마이크로파에 의해, 챔버(2) 내에 있어서 각 슬롯(41, 42)의 길이 방향에 대하여 수직인 방향으로 플라즈마가 발생한다. 그리고, 플라즈마는 천판(3)의 바로 아래 영역에 있어서 면방향으로 균등하게 퍼지게 된다.
또한, 마이크로파는, 도파관(5)으로부터 도입된 위치를 중심으로 하여, 슬롯판(4a)의 지름 방향으로 파장을 소정의 길이로 유지한 채, 반사를 반복하면서 천판(3) 내로 전파된다. 그리고, 천판(3)의 내부에서 반복하여 반사되고, 간섭하여 서로 강화되어 정재파를 형성한다. 그리고, 마이크로파는, 천판(3) 내에서 소밀 위치 패턴을 형성한다. 이 때문에, 챔버(2) 내에서 플라즈마 밀도 분포를 형성하여 안정된다. 또한, 마이크로파는, 천판(3)의 내부를, 그의 편파면(偏波面)을 회전시켜 원편파(圓偏波)를 형성하면서 진행한다.
그리고, 챔버(2) 내에, 아르곤(Ar) 또는 크세논(Xe) 등의 플라즈마 여기용 가스가 공급되면, 전술한 마이크로파의 에너지에 의해 챔버(2) 내에서 기체가 전리되어, 플라즈마가 생성된다. 여기에서는, 예를 들면, 소위 플라즈마 CVD(Plasma Chemical Vapor Deposition) 등의 플라즈마 처리를 시행할 수 있다. 즉, 도시하지 않은 하단 가스 공급 수단 등에 의해, 박막 형성용 가스를 챔버(2) 내에 공급한다.그리고, 당해 가스를 활성화시킴으로써, 기판 보지대(8)에 설치한 반도체 기판인 피처리 기판(W)에 Si 등의 박막을 퇴적한다. 이와 같이, 챔버(2) 내에 피처리 기판(W)을 반입하여 박막을 퇴적한 후, 플라즈마 처리 후에 반출하는 일련의 흐름을 반복함으로써, 소정 매수의 피처리 기판(W)에 대하여 연속하여 플라즈마 처리를 행할 수 있다.
여기에서, 플라즈마가 발생할 때에 열이 생성되어, 천판(3)이나 안테나(4)에 열이 축적되어 고온이 되는 경우가 있다. 그렇게 되면, 천판(3)의 열변형을 유발하여, 천판(3) 내를 전파하는 전자파의 강도 분포 및 플라즈마 밀도 분포에 영향을 준다.
그 때문에, 본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 냉각 재킷(7)의 냉각 유로(7a)에 열매체를 유통시켜 천판(3)이나 안테나(4)를 냉각함으로써, 그러한 악영향을 해소하고 있다.
게다가, 본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 금속으로 형성되어 가장 고온이 되기 쉬운 안테나(4)에 온도 센서(12)를 형성하고 있다. 그리고, 당해 온도 센서(12)에 의한 측온 결과를, 플라즈마 처리 장치(1)를 제어하는 제어 장치(도시하지 않음)에 피드백하고 있다. 그리고, 제어장치에 의해 냉각 유로(7a)에 흘리는 열매체의 양을 조정하면서, 열매체의 온도를 제어하고 있다. 이에 따라, 천판(3)의 온도가 보다 확실히 일정하게 유지되고 있다.
그러나, 이와 같이 안테나(4)의 냉각을 행해도, 안테나(4)를 충분히 냉각할 수 없는 경우가 있다. 이 때문에, 천판(3) 내의 전자계(電磁界) 분포 및 플라즈마 밀도 분포가 불균일해지는 원인이 되는 경우가 있다. 또한, 플라즈마 발생 조건(온도, 압력, 가스의 종류 등)에 의해, 균일하고, 또한 재현성이 양호한 플라즈마가 얻어지지 않는 경우가 있다.
이에 대하여, 본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에 의하면, 나사 이송 기구(20)를 이용함으로써, 최적의 플라즈마 밀도 분포가 얻어지는 위치로 도파관(5)의 내측 도체(5b)를 변위시킬 수 있다. 즉, 본 실시 형태에 의하면, 나사 이송 기구(20)에 의해 도파관(5)의 내측 도체(5b)를 이동시킴으로써, 안테나(4)에 대한 도파관(5)의 위치를 상대적으로 변화시킬 수 있다. 이에 따라, 챔버(2) 등의 구성 부재가 열팽창하거나, 플라즈마 발생 조건이 변화함으로써, 천판(3)에 있어서의 마이크로파의 전파 상태가 변화해도, 안테나(4)에 대한 마이크로파의 도입 위치를 변경할 수 있다. 그리고, 천판(3)에 있어서의 마이크로파의 전파 상태를 변경하여, 다양한 프로세스 조건에 대해서도 균일하고, 또한 재현성이 양호한 플라즈마를 발생시킬 수 있게 된다.
또한, 본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에 의하면, 나사 이송 기구(20)를 이용함으로써, 전술한 바와 같은, 소정 매수의 피처리 기판(W)에 대하여 연속하여 플라즈마 처리를 행한다. 이에 따라, 본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에 의하면, Si 등의 박막을 퇴적하는 경우나, 에칭 처리의 조건을 변경하는 경우 등, 프로세스 조건이 다양하게 변화하여 플라즈마 밀도 분포가 변화하는 경우라도, 플라즈마 밀도 분포를 조정하여 플라즈마 밀도 분포를 안정화시킬 수 있다. 즉, 균일하고, 또한 재현성이 양호한 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이 결과, 플라즈마 처리에 의한 처리 효율을 높게 유지하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에 의하면, 나사 이송 기구(20)는 플라즈마 처리 장치(1)의 챔버(2)의 외측에 구비되어 있다. 따라서, 이 나사 이송 기구(20)에 의하면, 챔버(2) 내의 압력이나 도입하는 가스의 유량을 변경하는 일 없이, 내측 도체(5b)의 위치 변경을 간단하게 행할 수 있다. 또한, 챔버(2) 내에서 플라즈마 밀도 분포가 변화된 경우라도, 나사 이송 기구(20)에 의해 안테나(4) 및 천판(3)에 있어서의 마이크로파의 도입 위치를 변화시킴으로써, 천판(3) 내에서 전자계 분포의 대칭성을 정돈하여 챔버(2) 내에 균일한 플라즈마 밀도 분포를 형성할 수 있다. 또한, 나사 이송 기구(20)를 이용하여 내측 도체(5b)의 위치 변경을 행함으로써, 상이한 플라즈마 발생 조건에서 연속하여 플라즈마 처리를 행하는 경우라도 항상 최적인 전자계 분포를 재현하여, 플라즈마 밀도 분포를 안정화할 수 있다.
(제2 실시 형태)
본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)는, 도 1에 나타낸 제1 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)와 동일한 구조인 것으로, 대응하는 구성 부재에 도 1과 동일한 부호를 붙이고 그의 설명을 생략한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 도 4에 나타낸 제1 실시 형태의 슬롯판(4a)을 이용하고 있다.
도 4는, 도 1에 있어서 1점 쇄선으로 둘러쌓인 부분(K)에 상당하는 구성의 개략도이다. 도 4는, 제2 실시 형태에 따른 위치 조정 수단으로서의 나사 이송 기구(30) 및, 플라즈마 처리 장치에 있어서의 안테나(4) 및 천판(3)과, 도파관(5)과의 위치 관계를 나타낸다.
도 5에 나타낸 종래 기술에 대하여, 본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 도파관(5)의 외측 도체(5a)를 변위 가능하게 지지하는 나사 이송 기구(30)를 구비하고 있다.
상세하게는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 나사 이송 기구(30)는, 냉각 재킷(7) 상에 외측 도체(5a)를 90도의 등각도 간격으로 둘러싼 상태에서 4개 배설되어 있다. 그리고, 4개의 나사 이송 기구(30)는, 외측 도체(5a)를 고정 가능하고, 또한 평면 상의 어느 방향에 대해서도 당해 외측 도체(5a)를 이동 가능하게 구성되어 있다.
각 나사 이송 기구(30)는, 각각 누름판(31), 고정 나사(32) 및 조정 나사(33)를 구비하고 있다. 각 나사 이송 기구(30)는 안테나(4)에 대하여 상대 위치 불변으로 되어 있다. 이에 따라, 안테나(4)에 대한 외측 도체(5a)의 위치 조정이 용이하고, 또한 확실히 실행 가능하게 되어 있다. 누름판(31)은, 외측 도체(5a)의 외주벽에 접촉 가능하도록, 냉각 재킷(7) 상에 형성되어 있다.
누름판(31)에는, 나사 이송 기구 본체(30a)에 나사 결합된 조정 나사(33)의 선단부가 나사 삽입되어 있다. 그리고, 이 조정 나사(33)를 회전시킴으로써, 누름판(31)이 외측 도체(5a)의 지름 방향 내측을 향하여 이동 가능하게 되어 있다. 그리고, 누름판(31)을 외측 도체(5a)의 외주벽에 접촉시킨 상태에서 조정 나사(33)를 회전시킴으로써, 당해 누름판(31)을 통해 외측 도체(5a)의 위치를 조정 가능하게 되어 있다.
또한, 나사 이송 기구 본체(30a)의 상면으로부터 고정 나사(32)가 조정 나사(33)의 측부에 맞닿아, 당해 조정 나사(33)의 회전을 저지 가능하게 나사 삽입되어 있다.
본 실시 형태에서는, 외측 도체(5a)의 위치 결정을 행하려면 4개의 나사 이송 기구(30)의 조정 나사(33)을 회전시켜, 누름판(31)을 통해 외측 도체(5a)를 지름 방향의 임의의 위치로 이동시킨다. 그리고, 위치 결정하는 포인트에서, 누름판(31)을 외측 도체(5a)의 외주벽에 접촉시킨 상태에서 고정 나사(32)를 단단히 조임으로써, 외측 도체(5a)를 고정시킨다.
본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에 의하면, 나사 이송 기구(30)를 이용함으로써, 안테나(4) 및 천판(3)에 대한 도파관(5)의 외측 도체(5a)의 위치, 즉, 안테나(4) 및 천판(3)에 있어서의 마이크로파의 도입 위치를 변화시킬 수 있다. 그리고, 마이크로파의 도입 위치에 의해, 천판(3) 내에 전파되는 마이크로파의 소밀 위치 패턴이 상이한 것을 이용하여, 당해 마이크로파에 의해 형성되는 플라즈마 밀도 분포를 변화시킬 수 있다. 그 한편으로, 플라즈마 밀도 분포가 변화하는 경우라도 나사 이송 기구(30)를 이용함으로써, 안테나(4) 및 천판(3)에 있어서의 마이크로파의 도입 위치를 변화시켜 소정의 플라즈마 밀도 분포를 유지할 수 있다.
본 실시 형태의 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 도파관(5)의 외측 도체(5a)의 위치에 대해서는, 실제로 피처리 기판(W)에 대하여 플라즈마 처리를 행하여 그 처리 결과에 따라서 최적화할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마 처리 장치(1)의 기동시나 플라즈마 처리 개시시로부터 일정 기간 경과마다 피처리 기판(W)을 발취하여, 그의 처리 상태로부터 플라즈마 밀도 분포의 확인을 행한다. 그리고, 피처리 기판(W)과 외측 도체(5a)의 위치와의 대조를 행하여, 최적의 플라즈마 밀도 분포가 얻어지는 위치를 결정할 수 있다.
또한, 플라즈마의 발생 상태를 챔버(2) 내에 설치한 프로브 등을 이용하여 리얼타임으로 측정하여, 얻어진 정보를 플라즈마 처리 장치(1)의 제어 장치에 피드백할 수도 있다. 그리고, 당해 제어 장치에 의해 서보모터 등을 통하여 나사 이송 기구(30)의 조정 나사(33)를 회전 구동시킴으로써, 외측 도체(5a)의 위치를 최적화할 수 있다. 이와 같이 플라즈마의 발생 상태에 기초하여 도파관(5)의 위치를 조정함으로써, 플라즈마 밀도 분포의 제어가 자동적으로 행해진다. 이 방법에 의하면, 플라즈마 밀도 분포를 신속하고, 또한 재현성 좋게 안정시킬 수 있다. 이 경우, 전술한 방법과 상이하게, 피처리 기판(W)이 소용없게 되지 않기 때문에, 생산성을 보다 향상시킬 수 있다.
그리고, 본 제2 실시 형태에 의하면, 전술한 제1 실시 형태와 동일한 작용 효과가 얻어지게 된다.
또한, 본 발명의 기술적 사상에 따른 플라즈마 처리는, 박막의 퇴적, 에칭 기술 외에, 애싱 처리 등의 모든 플라즈마 처리에 적용할 수 있다.
또한, 피처리 기판(W)은, 반도체 기판에 한정되지 않고, 유리 기판이나 세라믹 기판 등이라도 좋고, 그 외의 다양한 종류의 기판에 대한 플라즈마 처리에 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서 설명한 플라즈마 처리 장치는 일 예이며, 이들에 한정되는 것은 아니다. 특히, 안테나(4)에 대하여 도파관(5)의 위치를 이동시키는 위치 조정 수단은, 전술한 나사 이송 기구(20, 30)에 한정되지 않고, 그 외의 위치 조정 수단을 적용하는 것도 가능하다. 예를 들면, 가동부인 도파관(5)과 고정부인 냉각 재킷(7) 등과의 사이에 형성되는 틀 사이에, 극간 게이지와 같은 극간 조정 수단을 삽입하여, 고정부에 대하여 도파관(5)이 소정의 위치가 되도록 위치 조정하는 방법을 채용해도 좋다. 혹은, 레버 기구를 이용하여, 고정부에 대한 도파관(5)의 변위를 확대하여 위치 조정할 수 있도록 구성해도 좋다. 또한, 도파관(5)의 위치 조정은, 수동으로 행할 수도 있고, 자동으로 행하는 것도 가능하다.
본 출원은, 2008년 8월 8일에 출원된 일본국 특허 출원 제2008-205889호를 기초로 하는 것으로, 발명의 상세한 설명(명세서), 특허 청구의 범위, 도면 및 발명의 개요를 포함한다. 일본국 특허 출원 제2008-205889호에 개시되는 내용은 여기에서의 참조에 의해 모두 원용된다.
1 : 플라즈마 처리 장치(마이크로파 플라즈마 처리 장치)
2 : 챔버(플라즈마 처리 용기)
3 : 천판(유전체창)
4 : 안테나
5 : 도파관
5a : 외측 도체
5b : 내측 도체
5c : 직사각형 도파부
6 : 마이크로파 원
7 : 냉각 재킷
10 : 고주파 전원
20, 30 : 나사 이송 기구
21, 31 : 누름판
22, 32 : 고정 나사
23, 33 : 조정 나사
24 : 스토퍼

Claims (10)

  1. 마이크로파를 이용하여 플라즈마를 플라즈마 처리 용기 내에 발생시켜, 피(被)처리 대상물에 플라즈마 처리를 행하며,
    상기 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 원과,
    상기 마이크로파를 전송하는 도파관과,
    상기 도파관으로부터 전송된 마이크로파를 방사하는 안테나와,
    상기 안테나로부터 방사되는 상기 마이크로파를 전파하여 상기 플라즈마 처리 용기의 내부에 투과시키는 천판을 구비하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 도파관의 위치가 상기 안테나에 대하여 수평 방향으로 변화하도록 당해 도파관을 이동시키는 위치 조정 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 위치 조정 수단은, 상기 안테나에 접하는 상기 도파관의 일부를, 상기 안테나에 대하여 상대적으로 변위시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 위치 조정 수단은, 상기 안테나에 대하여 상대 위치 불변으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 도파관은, 내측 도체와, 당해 내측 도체의 외주에 배치된 외측 도체를 갖는 동축(同軸) 도파관이고, 상기 도파관의 일부가 상기 내측 도체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 도파관은, 내측 도체와, 당해 내측 도체의 외주에 배치된 외측 도체를 갖는 동축 도파관이고, 상기 도파관의 일부가 상기 외측 도체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 안테나는, 슬롯판과, 당해 슬롯판에 인접하여 배치된 지파판을 구비하고, 상기 슬롯판에 있어서 복수 쌍의 슬롯이 각각 복수의 동심원의 각 동심원 상에 등(等)각도 간격을 두고 형성되고, 또한 각 한 쌍의 슬롯은 서로 직교하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 안테나를 냉각하는 냉각 수단이, 당해 안테나의 상면에 접촉하고, 또한 겹치도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 안테나에 온도 센서를 형성하고, 당해 온도 센서에 의한 측온 결과에 기초하여, 상기 냉각 수단에 흘리는 열매체(heating medium)의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 용기에 프로브(probe)를 형성하고, 당해 프로브를 이용하여 측정한 플라즈마의 발생 상태에 기초하여, 상기 위치 조정 수단을 통하여 상기 안테나에 대한 상기 도파관의 위치를 상대적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 슬롯판이 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5893865B2 (ja) * 2011-03-31 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびマイクロ波導入装置
JP5916467B2 (ja) * 2012-03-27 2016-05-11 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
JP2024017374A (ja) * 2022-07-27 2024-02-08 日新電機株式会社 プラズマ処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003188103A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
KR20070059036A (ko) * 2000-03-24 2007-06-11 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4187386B2 (ja) * 1999-06-18 2008-11-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2004055614A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP4873405B2 (ja) * 2006-03-24 2012-02-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置と方法
JP5111806B2 (ja) * 2006-08-02 2013-01-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置と方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070059036A (ko) * 2000-03-24 2007-06-11 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 방법
JP2003188103A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

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