JP2010028087A - 接着フィルム、ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】厚みが薄く、かつ平面積が大きい半導体チップを接着するのに用いられた場合に、接着された半導体チップの反りを抑制できる接着フィルムを提供する。
【解決手段】厚みが５０μｍ以下、かつ平面積が５０ｍｍ^２以上の半導体チップ４を、基板２上に接着するのに用いられる接着フィルム３であって、エポキシ樹脂１００重量部と、硬化剤２０〜７０重量部と、ヒュームドシリカ粒子５〜３０重量部とを含み、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルム３。
【選択図】図１

Description

本発明は、厚みが薄く、かつ平面積が大きい半導体チップの接着に用いられる接着フィルムに関し、より詳細には、接着後に半導体チップの反りを抑制できる接着フィルム、並びに該接着フィルムを用いたダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体装置の製造方法に関する。

接着フィルムを介して、基板又は半導体チップ上に半導体チップが接着された半導体装置が広く用いられている。この半導体装置では、小型化及び大容量化が進行している。このため、厚みが薄く、かつ平面積が大きい半導体チップが用いられてきている。

上記のような用途に用いられる接着フィルムでは、接着の際に、基板等の表面の凹凸に対する追従性が高く、かつ接着後に、接着界面に隙間が生じないことが強く求められている。

上記のような接着フィルムの一例として、下記の特許文献１には、加熱接着温度における最低溶融粘度が１００〜２０００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムが開示されている。この接着フィルムは、アクリロニトリルと、グリシジル（メタ）アクリレートと、エポキシ基含有アクリルゴムと、硬化剤と、無機フィラーとを含む。ここでは、上記最低溶融粘度が上記範囲内にあるため、基板等の表面の微細な凹凸に対する接着フィルムの追従性を高くすることができることが記載されている。

また、下記の特許文献２には、最低溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ最低溶融粘度が５０〜１７０℃の温度範囲内にある接着フィルムが開示されている。この接着フィルムは、可撓性樹脂と、硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含む。ここでは、接着フィルムは上記粘度特性を有するので、低温での接着性、及び基板等の表面の微細な凹凸に対する接着フィルムの追従性を高くすることができることが記載されている。

特許第３４９８５３７号公報 特開２００７−１０３９５４号公報

近年、上記半導体装置を得る際に、厚みが薄く、かつ平面積が大きい半導体チップが用いられている。例えば、厚みが５０μｍ以下であり、かつ平面積が５０ｍｍ^２以上である半導体チップが用いられてきている。

このような厚みが薄く、かつ平面積が大きい半導体チップは、反りやすい。特に、半導体ウェーハをダイシングすることにより得られた半導体チップは、大きく反っていることがある。

上記特許文献１，２に記載の接着フィルムを介して、半導体チップを基板又は半導体チップ上に積層し、圧着するときに、上層の半導体チップの上面に加えられる圧着機からの圧力により、該半導体チップの上記反りが軽減される。しかしながら、圧着後に、接着フィルムを加熱し、硬化させる際には、圧着機は半導体チップの上面から外される。半導体チップの上面には、上記圧着機からの圧力が及ばない。このとき、接着フィルムの粘度は低下する。このため、半導体チップが再び反るという問題があった。

また、半導体装置の小型化に伴って、接着フィルムの厚みも薄くされている。厚みが薄い接着フィルムが用いられた場合には、該接着フィルムを加熱し、硬化させる際に、半導体チップが大きく反ることがあった。

ところで、従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出し、基板等に実装するために、ダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。ダイシング−ダイボンディングテープは、半導体チップを実装するための接着フィルムとして、ダイボンディングフィルムを備える。また、ダイシング−ダイボンディングテープは、ダイボンディングフィルムの一方の面に貼り付けられたダイシングフィルムを備える。

ダイシングの際には、ダイボンディングフィルムのダイシングフィルムが貼り付けられた面とは反対側の面に、半導体ウェーハが貼り付けられる。半導体ウェーハは、ダイボンディングフィルムごとダイシングされる。ダイシング後に、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムがダイシングフィルムから剥離されて、ダイボンディングフィルムごと半導体チップが取り出される。その後、ダイボンディングフィルム側から半導体チップが、基板上に実装される。

上記ダイシング−ダイボンディングテープを用いて、半導体ウェーハをダイシングする際に、ダイボンディングフィルムの切削性が悪いことがあった。このため、図３（ａ）に、ダイシング後の半導体チップ１０１、ダイボンディングフィルム１０２及びダイシングフィルム１０３の積層体を示すように、ダイボンディングフィルム１０２の切断部分に切削屑１０２ａが生じることがあった。この場合には、図３（ｂ）に示すように、ピックアップ後のダイボンディングフィルム１０２付き半導体チップ１０１に、切削屑１０２ａが付着することがある。このため、図３（ｃ）に示すように、切削屑１０２ａにより、基板１０４上にピックアップされた半導体チップ１０１を正しい向きにかつ高精度に実装できないことがあった。

また、図４（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシング後に、切削屑１０２ａがダイシングフィルム１０３の切断面に付着し、ダイボンディングフィルム１０２付き半導体チップ１０１を確実にピックアップできないことがあった。

本発明の目的は、厚みが薄く、かつ平面積が大きい半導体チップを接着するのに用いられた場合に、接着された半導体チップの反りを抑制できる接着フィルム、並びに該接着フィルムを用いたダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体装置の製造方法を提供することにある。

また、本発明の限定的な目的は、半導体ウェーハのダイシングの際に、接着フィルムの切削屑が生じ難い接着フィルム、並びに該接着フィルムを用いたダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体装置の製造方法を提供することである。

本発明によれば、厚みが５０μｍ以下、かつ平面積が５０ｍｍ^２以上の半導体チップを、電子部品上に接着するのに用いられる接着フィルムであって、エポキシ樹脂１００重量部と、硬化剤２０〜７０重量部と、ヒュームドシリカ粒子５〜３０重量部とを含み、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある、接着フィルムが提供される。

本発明に係る接着フィルムのある特定の局面では、前記７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度は、３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある。

本発明では、前記エポキシ樹脂は、多環式炭化水素骨格を主鎖中に有することが好ましい。

また、本発明に係る接着フィルムは、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、エポキシ基を有する高分子ポリマー１０〜４０重量部をさらに含むことが好ましい。

本発明では、前記ヒュームドシリカ粒子の一次平均粒子径は、０．１μｍ以下であることが好ましい。また、前記ヒュームドシリカ粒子のＭ値は、３０〜５５の範囲内にあることが好ましい。

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、本発明に従って構成された接着フィルムと、該接着フィルムの一方の面に直接又は間接に積層されたダイシングフィルムとを備える。

また、本発明によれば、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムを介して、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ^２以上である半導体チップを電子部品上に積層し、圧着することにより、半導体チップ積層体を得る工程と、得られた前記半導体チップ積層体を７０〜１２０℃の温度範囲内で加熱して、前記接着フィルムを硬化させることにより、半導体装置を得る工程とを備える、半導体装置の製造方法が提供される。

本発明に係る半導体装置の製造方法のある特定の局面では、前記接着フィルムとして、エポキシ樹脂１００重量部と、硬化剤２０〜７０重量部と、ヒュームドシリカ粒子５〜３０重量部とを含む接着フィルムが用いられる。

本発明に係る半導体装置の製造方法の他の特定の局面では、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムと、該接着フィルムの一方の面に直接又は間接に積層されたダイシングフィルムとを備えるダイシング−ダイボンディングテープの前記接着フィルムに半導体ウェーハを貼り付ける工程と、前記接着フィルムに貼り付けられた半導体ウェーハを前記接着フィルムごとダイシングし、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ^２以上である個々の半導体チップに前記半導体ウェーハを分割する工程と、ダイシング後に、前記接着フィルム付き前記半導体チップを取り出す工程とをさらに備え、前記半導体チップ積層体を得る工程において、得られた前記接着フィルム付き前記半導体チップが電子部品上に積層され、圧着される。

本発明に係る半導体装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記接着フィルムとして、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムが用いられる。

本発明に係る接着フィルムは、エポキシ樹脂、硬化剤及びヒュームドシリカ粒子を上記特定の割合で含み、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にあるので、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ^２以上である半導体チップを電子部品上に接着するのに用いられた場合に、接着された該半導体チップの反りを抑制できる。

７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある場合には、半導体ウェーハをダイシングする際の接着フィルムの切削性を顕著に高めることができ、切削屑を生じ難くすることができる。このため、接着フィルム付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。また、切削屑が、接着フィルム又は半導体チップに付着し難いため、ピックアップされた半導体チップを正しい向きにかつ高精度に実装できる。

また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、接着された半導体チップの反りが抑制された半導体装置を提供できる。

図１は、本発明の一実施形態に係る接着フィルムを介して、基板上に半導体チップが接着された半導体装置を略図的に示す正面断面図である。 図２（ａ），（ｂ）は、本発明の他の実施形態に係る接着フィルムを用いたダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図である。 図３（ａ）〜（ｃ）は、従来のダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体ウェーハをダイシングし、ピックアップし、基板上に積層するときの状態をそれぞれ示す正面断面図である。 図４（ａ），（ｂ）は、従来のダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体ウェーハをダイシングし、ピックアップするときの状態をそれぞれ示す正面断面図である。

以下、本発明の詳細を説明する。

本発明に係る接着フィルムは、エポキシ樹脂と、硬化剤と、ヒュームドシリカ粒子とを含む。本発明に係る接着フィルムは、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度（以下、最低溶融粘度ηと略記することがある）が、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある。

（エポキシ樹脂）
本発明に係る接着フィルムに含まれているエポキシ樹脂は、エポキシ基を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

「エポキシ樹脂」とは、一般的には、１分子中にエポキシ基を２個以上もつ分子量３００〜８０００程度の比較的低分子のポリマーもしくはプレポリマー、又は該ポリマーもしくはプレポリマーのエポキシ基の開環反応によって生じた熱硬化性樹脂を意味する。

上記エポキシ樹脂は、多環式炭化水素骨格を主鎖中に有することが好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂の使用により、硬化物は剛直となり、分子の運動が阻害される。従って、硬化物の機械的強度及び耐熱性を高めることができ、さらに耐湿性も高めることができる。また、多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂は疎水性が高い。このため、該エポキシ樹脂とヒュームドシリカ粒子との併用により、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度を、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内に容易に調整できる。

上記多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂は特に限定されない。上記多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂の具体例としては、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、又は３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂の内の少なくとも一方の樹脂が好適に用いられる。多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂の具体例としては、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。上記ナフタレン型エポキシ樹脂の具体例としては、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリシジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、又は１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。

上記多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量は、５００以上であることが好ましい。重量平均分子量が５００未満であると、硬化物の機械的強度、耐熱性又は耐湿性等が十分に高くならないことがある。上記多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量は、１０００以下であることが好ましい。重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。

（硬化剤）
本発明に係る接着フィルムに含まれている硬化剤は、上記エポキシ樹脂を硬化させるものであれば特に限定されない。

上記硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、又はカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

なかでも、常温で液状の加熱硬化型硬化剤、又は多官能であり、かつ当量的に添加量が少なくてもよいジシアンジアミド等の潜在性硬化剤が好適に用いられる。これらの好ましい硬化剤の使用により、接着フィルムの常温での柔軟性を高めることができ、かつ接着フィルムのハンドリング性を高めることができる。

上記常温で液状の加熱硬化型硬化剤の具体例としては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤等が挙げられる。なかでも、疎水化されているので、メチルナジック酸無水物又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好適に用いられる。酸無水物系硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ樹脂１００重量部に対して、上記硬化剤は２０〜７０重量部の範囲内で含有される。硬化剤の量が少なすぎると、上記エポキシ樹脂を充分に硬化させることができないことがある。硬化剤の量が多すぎると、硬化剤の添加効果が飽和することがある。上記エポキシ樹脂１００重量部に対する上記硬化剤の含有量の好ましい下限は３０重量部であり、好ましい上限は５０重量部である。

上記硬化剤に加えて、硬化促進剤を用いてもよい。硬化剤と硬化促進剤との併用により、硬化速度又は硬化物の物性等を調整できる。

上記硬化促進剤は特に限定されない。硬化促進剤の具体例としては、イミダゾール系硬化促進剤又は３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。イミダゾール系硬化促進剤の使用により、硬化速度又は硬化物の物性等を容易に調整できる。硬化促進剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、又はイソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。イミダゾール系硬化促進剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

酸無水物系硬化剤とイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とが併用される場合には、酸無水物系硬化剤の添加量を、エポキシ基の当量に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化後の硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出することがある。

また、アミン系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とが併用される場合には、アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。

（ヒュームドシリカ粒子）
本発明に係る接着フィルムがヒュームドシリカ粒子を含むことにより、７０〜１２０℃の温度範囲内における接着フィルムの最低溶融粘度を比較的高くすることができる。

上記エポキシ樹脂１００重量部に対して、上記ヒュームドシリカ粒子は５〜３０重量部の範囲内で含有される。上記ヒュームドシリカ粒子の量が少なすぎると、接着フィルムの上記最低溶融粘度ηを高くすることができないことがある。上記ヒュームドシリカ粒子の量が多すぎると、塗工時にむらが生じ、得られた接着フィルムの膜厚の均一性が悪くなることがある。

上記エポキシ樹脂１００重量部に対する上記ヒュームドシリカ粒子の含有量の好ましい下限は９重量部、より好ましい下限は１０重量部、さらに好ましい下限は１５重量部である。上記エポキシ樹脂１００重量部に対するヒュームドシリカ粒子の含有量の好ましい上限は２５重量部、より好ましい上限は２０重量部である。

上記ヒュームドシリカ粒子の一次平均粒子径は、０．１μｍ以下であることが好ましい。上記一次平均粒子径が大きすぎると、表面積が小さすぎて、十分な増粘効果が得られず、上記最低溶融粘度ηを好適な範囲内に調整することが困難となる。上記ヒュームドシリカ粒子の一次平均粒子径の好ましい下限は、０．０１μｍである。

なお、本明細書において、「平均粒子径」とは、動的レーザー散乱法によって測定される体積平均径を示す。

また、上記ヒュームドシリカ粒子の最大粒子径は、１μｍ以下であることが好ましい。最大粒子径が大きすぎると、半導体チップの接着時にボイドが生じる原因となることがある。

上記ヒュームドシリカ粒子のＭ値は、３０〜５５の範囲内にあることが好ましい。上記Ｍ値が小さすぎると、ヒュームドシリカ粒子の表面の疎水性が低すぎて、塗工時に膜厚むらが生じることがある。上記Ｍ値が大きすぎると、疎水性が高すぎて、塗工時に膜厚むらが生じることがある。

なお、本明細書において、「Ｍ値」とは疎水化度を意味する。「Ｍ値」とは、具体的には、ヒュームドシリカ粒子１重量部に水１００重量部を加えた溶液に、メタノールをさらに滴下したときに、ヒュームドシリカ粒子が完全に膨潤したときのメタノール濃度（％）を意味する。

上記ヒュームドシリカ粒子の上記Ｍ値を調整する方法は特に限定されない。上記ヒュームドシリカ粒子の上記Ｍ値を調整する方法としては、例えば、ヒュームドシリカ粒子を表面処理することにより、ヒュームドシリカ粒子の表面に存在する親水性基又は疎水性基の数を変化させる方法等が挙げられる。

上記疎水性基としては、メチル基又はフェニル基等が挙げられる。上記親水性基としては、水酸基又はエポキシ基等が挙げられる。

上記ヒュームドシリカ粒子の市販品としては、例えば、ＤＭ−１０（上記Ｍ値が４８）、ＭＴ−１０（上記Ｍ値が４７）、及びＫＳ−２０Ｓ（上記Ｍ値が５６）（以上、いずれもトクヤマ社製）、並びにＲ−９７２（上記Ｍ値が４８）（Ｄｅｇｕｓｓａ社製）等が挙げられる。

（エポキシ基を有する高分子ポリマー）
本発明に係る接着フィルムは、エポキシ基を有する高分子ポリマーを含むことが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーの含有により、耐熱性、耐リフロー性、耐温度サイクル性、耐低温衝撃性を高めることができる。

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは特に限定されない。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、末端及び側鎖（ペンダント位）の内の少なくとも一方にエポキシ基を有することが好ましい。

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの具体例としては、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂又はエポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。エポキシ基を有する高分子ポリマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

なかでも、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。エポキシ基含有アクリル樹脂の使用により、硬化物の機械的強度及び耐熱性を高めることができる。

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの重量平均分子量は、１万以上であることが好ましい。上記重量平均分子量が１万未満であると、接着フィルムの膜形成性が低くなり、接着フィルムの硬化物の可撓性が充分に高くならないことがある。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの重量平均分子量は、２００万以下であることが好ましい。

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーのエポキシ当量の好ましい下限は２００であり、好ましい上限は１０００である。上記エポキシ当量が２００未満であると、接着フィルムの硬化物の可撓性が充分に高くならないことがある。上記エポキシ当量が１０００を超えると、接着フィルムの硬化物の機械的強度又は耐熱性が低下することがある。

上記エポキシ樹脂１００重量部に対して、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは１０〜４０重量部の範囲内で含有されることが好ましい。上記高分子ポリマーの量が少なすぎると、高温時の破断強度が低下し、耐熱性等が低下することがある。上記高分子ポリマーの量が多すぎると、塗液の粘度が高くなりすぎ、接着フィルムの膜厚精度が低下することがある。上記エポキシ樹脂１００重量部に対して、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは１０〜４０重量部の範囲内で含有されることがより好ましく、２０〜３０重量部の範囲内で含有されることがさらに好ましい。

（その他の添加剤）
本発明に係る接着フィルムには、必要に応じて、無機イオン交換体、ブリードアウト防止剤、接着付与剤又は増粘剤等の添加剤を添加してもよい。

（接着フィルム）
本発明に係る接着フィルムの製造方法は特に限定されない。接着フィルムの製造方法としては、例えば押出機を用いた押出成形法又は溶液キャスト法が挙げられる。なかでも、高温での処理を要しないため、溶液キャスト法が好適に用いられる。

上記溶液キャスト法では、先ず接着フィルムを構成する硬化性樹脂組成物を溶剤で希釈して、硬化性樹脂組成物溶液を調製する。次に、調製された硬化性樹脂組成物溶液をセパレータ上にキャスティングする。その後、硬化性樹脂組成物溶液を乾燥し、溶剤を除去することにより、セパレータ上に接着フィルムを得ることができる。

本発明に係る接着フィルムは、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度（最低溶融粘度η）、すなわち７０〜１２０℃の温度範囲内における溶融粘度の最低値は、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある。接着フィルムの上記最低溶融粘度ηが２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にあることにより、半導体チップを電子部品上に接着するのに接着フィルムが用いられた場合に、電子部品上に接着された半導体チップの反りを抑制できる。

特に、厚みが５０μｍ以下、かつ平面積が５０ｍｍ^２以上である半導体チップの接着に接着フィルムが用いられた場合に、該半導体チップの反りを顕著に抑制できる。

本発明に係る接着フィルムは、７０〜１２０℃の温度範囲内における最高溶融粘度、すなわち７０〜１２０℃の温度範囲内における溶融粘度の最高値は、５０００〜３００００Ｐａ・ｓの範囲内にあることが好ましい。

本発明に係る接着フィルムの厚みは特に限定されない。接着フィルムの厚みは、１０μｍ以下であることが好ましい。接着フィルムの厚みが１０μｍ以下であると、該接着フィルムを用いた半導体装置を小型化できる。接着フィルムの厚みの好ましい下限は、１μｍである。接着フィルムの厚みが１μｍ未満であると、接着フィルムの膜厚精度が低下することがある。

本発明に係る接着フィルムの上記最低溶融粘度ηは２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にあるため、接着フィルムの厚みが１０μｍ以下であっても、半導体チップの反りを効果的に抑制できる。

７０〜１２０℃の温度範囲内における上記最低溶融粘度ηは、３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にあることが好ましい。本発明に係る接着フィルムは、ヒュームドシリカ粒子を含有する。ヒュームドシリカ粒子は、接着フィルムの粘性を高め、かつチキソトロピー性を高める。このため、ヒュームドシリカ粒子を含む接着フィルムの上記最低溶融粘度ηが３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にあれば、接着フィルムの切削性が顕著に高めることができる。従って、例えば接着フィルムと、ダイシングフィルムとを備えるダイシング−ダイボンディングテープを用いて、半導体ウェーハをダイシングする際の切削性を顕著に高めることができ、切削屑を生じ難くすることができる。このため、接着フィルム付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。また、切削屑が、接着フィルム又は半導体チップに付着し難いため、ピックアップされた半導体チップを正しい向きにかつ高精度に実装できる。

（半導体装置）
本発明に係る接着フィルムは、厚みが５０μｍ以下、かつ平面積が５０ｍｍ^２以上である半導体チップを、電子部品上に接着するのに用いられる。電子部品としては、基板又は半導体チップ等が挙げられる。

図１に、本発明の一実施形態に係る接着フィルムを介して、基板上に半導体チップが接着された半導体装置を示す。

図１に示す半導体装置１では、基板２上に、硬化物層３を介して、半導体チップ４が積層され、かつ接着されている。硬化物層３は、本発明の一実施形態に係る接着フィルムを加熱し、硬化させることにより形成されている。基板２の表面には、図示しない凹凸が形成されている。基板２にかえて、半導体チップを用いてもよい。半導体チップ４は、厚みが５０μｍ以下、かつ平面積が５０ｍｍ^２以上である。

半導体装置１を得る際には、先ず接着フィルムを介して、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ^２以上である半導体チップ４を基板２上に積層し、圧着することにより、半導体チップ積層体を得る。圧着に際しては、半導体チップの上面に、０．１Ｎ／ｃｍ^２〜２０Ｎ／ｃｍ^２の圧力を加えることが好ましく、１０Ｎ／ｃｍ^２〜２０Ｎ／ｃｍ^２の圧力を加えることがより好ましい。

半導体チップ積層体を得る際には、接着フィルムを基板２上に積層した後に、該接着フィルム上に半導体チップ４を積層してもよい。また、半導体チップ４の下面に接着フィルムを貼り付けておき、接着フィルムが下面に貼り付けられた半導体チップ４を接着フィルム側から、基板２上に積層してもよい。また、半導体ウェーハの下面に接着フィルムを貼り付けた後、半導体ウェーハを接着フィルムごとダイシングすることにより、接着フィルムが下面に貼り付けられた半導体チップ４を得ることができる。

次に、得られた半導体チップ積層体を７０〜１２０℃の温度範囲内で加熱して、接着フィルムを硬化させる。これによって、接着フィルムからなる硬化物層３を介して、半導体チップ４が基板２上に接着された半導体装置１を得ることができる。

半導体装置１では、本発明の一実施形態に係る接着フィルム３を介して、基板２上に半導体チップ４が接着されているので、半導体チップ４の反りを顕著に抑制できる。また、特に、接着フィルム３の厚みが薄くても、例えば接着フィルムの厚みが１０μｍ以下であっても、半導体チップ４の反りを抑制できる。

（ダイシング−ダイボンディングテープ）
本発明に係る接着フィルムの一方の面に、基材フィルムを介して、ダイシングフィルムを直接又は間接に貼り付けることにより、ダイシング−ダイボンディングテープを得ることができる。半導体装置１を製造する際には、上記ダイシング−ダイボンディングテープを用いてもよい。上記ダイシング−ダイボンディングテープの使用により、半導体装置の製造効率を高めることができる。

図２（ａ），（ｂ）に、本発明の他の実施形態に係る接着フィルムを用いたダイシング−ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図で示す。

図２（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１１は、長尺状の離型フィルム１２を備える。また、ダイシング−ダイボンディングテープ１１は、接着フィルム１３と、接着フィルム１３の一方の面１３ａに貼り付けられた基材フィルム１４と、基材フィルム１４の接着フィルム１３が貼り付けられた一方の面１４ａとは反対側の他方の面１４ｂに貼り付けられたダイシングフィルム１５とを備える。接着フィルム１３の一方の面１３ａに、基材フィルム１４を介して、ダイシングフィルム１５が間接に貼り付けられている。また、離型フィルム１２の上面１２ａに、接着フィルム１３が一方の面１３ａとは反対側の他方の面１３ｂ側から貼り付けられている。

接着フィルム１３は、半導体チップのダイボンディングに用いられるダイボンディングフィルムである。接着フィルム１３の離型フィルム１２が貼り付けられた他方の面１３ｂは、半導体ウェーハが貼り付けられる面である。なお、ダイシング−ダイボンディングテープは、離型フィルム１２を備えていなくてもよい。

なお、基材フィルム１４を介さずに、接着フィルム１３の一方の面１３ａに、ダイシングフィルム１５が直接に積層されていてもよい。すなわち、ダイシング−ダイボンディングテープは、接着フィルム１３と、該接着フィルム１３の一方の面に貼り付けられたダイシングフィルム１５とを備えていてもよい。

もっとも、基材フィルム１４が備えられていることが好ましい。この場合には、ダイシング後に個片化された半導体チップを接着フィルムごと取り出す際に、ピックアップ性を高めることができる。

接着フィルム１３、基材フィルム１４及びダイシングフィルム１５の平面形状は、円形である。接着フィルム１３の径は、基材フィルム１４の径と等しい。なお、接着フィルム１３の径は、基材フィルム１４の径と異なっていてもよい。ダイシングフィルム１５の径は、接着フィルム１３及び基材フィルム１４の径よりも大きい。基材フィルム１４の側面は、接着フィルム１３により覆われていないことが好ましい。

図２（ｂ）に示すように、ダイシングフィルム１５は延長部１５ａを有する。ダイシングフィルム１５の側面は、接着フィルム１３の側面及び基材フィルム１４の側面よりも外側に張り出している。該張り出している部分である延長部１５ａが、離型フィルム１２の上面１２ａに貼り付けられている。

上記延長部１５ａが設けられているのは、接着フィルム１３の他方の面１３ｂに半導体ウェーハを貼り付ける際に、ダイシングフィルム１５の延長部１５ａにダイシングリングを貼り付けるためである。

離型フィルム１２は特に限定されない。離型フィルム１２の具体例としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、又はポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。これらのフィルムの片面は、シリコーン離型剤、又は長鎖アルキル基等を有する離型剤等を用いて離型処理されていてもよい。

基材フィルム１４は特に限定されない。基材フィルム１４は、（メタ）アクリル樹脂架橋体を含むことが好ましい。基材フィルム１４は、（メタ）アクリル樹脂架橋体を主成分として含むことがより好ましい。上記（メタ）アクリル樹脂架橋体を含む基材フィルムは、ポリオレフィン系フィルムに比べて柔らかく、例えば低い貯蔵弾性率を有する。比較的柔らかい基材フィルム１４の使用により、基材フィルム１４の硬さを接着フィルム１３の硬さよりも相対的に柔らかくすることができる。このため、ダイシング後に個片化された半導体チップを接着フィルムごと取り出す際に、基材フィルム１４を介して接着フィルム１３付き半導体チップを突き上げると、接着フィルム１３付き半導体チップが基材フィルム１４から容易に剥離する。従って、ピックアップ性を高めることができる。

上記（メタ）アクリル樹脂架橋体は、（メタ）アクリル酸エステルポリマーの架橋体であることが好ましい。

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーの使用により、基材フィルム１４の極性を充分に低くすることができ、かつ基材フィルム１４の表面エネルギーを低くすることができる。さらに、接着フィルム１３を基材フィルム１４からより一層剥離しやすくすることができる。上記アルキル基の炭素数が１８を超えると、基材フィルム１３を製造する際に、溶液重合が困難になる。このため、基材フィルム１４の製造が困難になることがある。（メタ）アクリル酸エステルポリマーのアルキル基の炭素数は６以上であることが好ましい。上記アルキル基の炭素数が６以上の場合には、基材フィルム１４の極性をより一層低くすることができる。

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとして用いて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、上記主モノマーと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーのアルキル基の炭素数は、２以上であることが好ましく、６以上であることが特に好ましい。

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの重量平均分子量は、２０万〜２００万の範囲内にあることが好ましい。重量平均分子量が２０万未満であると、塗工成形時に多くの外観欠点が生じることがある。重量平均分子量が２００万を超えると、製造時に増粘しすぎてポリマー溶液を取り出すことができないことがある。

ダイシングフィルム１５は特に限定されない。ダイシングフィルム１５としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、又はポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。ポリオレフィン系フィルムが用いられた場合には、エキスパンド性を高めることができ、かつ環境負荷を小さくすることができる。

ダイシングフィルム１５は、基材フィルム１４が積層される面側に粘着剤を有することが好ましい。該粘着剤によりダイシングフィルム１５が基材フィルム１４に貼り付けられていることが好ましい。

上記粘着剤の具体例としては、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤又はゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、アクリル系粘着剤又はゴム系粘着剤が好ましく、アクリル系粘着剤がより好ましく、感圧タイプのアクリル系粘着剤がさらに好ましい。アクリル系粘着剤の使用により、粘着剤の基材フィルム１４への貼着力、及び粘着剤のダイシングリングからの剥離性を高めることができる。

ダイシング−ダイボンディングテープ１１を用いて、接着フィルム１３が下面に貼り付けられた半導体チップを得るには、先ず離型フィルム１２を接着フィルム１３から剥離した後、又は剥離しながら、露出した接着フィルム１３の他方の面１３ｂを、半導体ウェーハの裏面に貼り付ける。また、離型フィルム１２を剥離した後、又は剥離しながら、露出したダイシングフィルム１５の延長部１５ａを、ダイシングリング上に貼り付ける。

次に、半導体ウェーハを接着フィルム１３ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する。このとき、半導体チップの厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ^２以上となるように、半導体ウェーハが分割される。その後、基材フィルム１４及びダイシングフィルム１５を引き延ばして、分割された半導体チップの間隔を拡張する。次に、半導体チップが貼り付けられた状態で、接着フィルム１３付き半導体チップを基材フィルム１４から剥離して取り出す。このようにして、接着フィルム１３が下面に貼り付けられた半導体チップを得ることができる。

接着フィルム１３の上記最低溶融粘度ηが３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある場合には、半導体ウェーハをダイシングする際に、切削屑を生じ難くすることができる。このため、接着フィルム１３付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。また、切削屑が、ダイシングフィルム１５又は半導体チップに付着し難いため、ピックアップされた半導体チップを正しい向きにかつ高精度に実装できる。

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明する。本発明はこれら実施例のみに限定されない。

接着フィルムを得るのに、以下の材料を用いた。

（エポキシ樹脂）
Ａ：ジシクロペンタジエン型固形エポキシ樹脂（商品名「ＥＸＡ−７２００ＨＨ」、大日本インキ化学工業社製）
Ｂ：ＣＴＢＭ変性エポキシ樹脂（商品名「ＥＰＲ―４０２３」、ＡＤＥＫＡ社製）
（硬化剤）
Ｃ：ジアルキルテトラヒドロ無水フタル酸（商品名「ＹＨ−３０９」、ジャパンエポキシレジン社製）
（硬化促進剤）
Ｄ：イソシアヌル変性固体分散型イミダゾール（商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」、四国化成社製）
（ヒュームドシリカ粒子）
Ｆ：表面疎水化ヒュームドシリカ（商品名「レオロシールＭＴ−１０」、Ｍ値＝４７、
一次平均粒子径：１μｍ以下、トクヤマ社製）
（エポキシ基を有する高分子ポリマー）
Ｅ：エポキシ含有アクリル樹脂（商品名「マープルーフＧ−２０５０Ｍ」、日本油脂社製）

（その他の材料）
シランカップリング剤（２級アミノシラン、（商品名「ＫＢＭ５７３」、信越化学工業社製）
溶剤（ＭＥＫ、メチルエチルケトン）
アクリルゴム粒子（商品名「スタフィロイドＡＣ−４０３０」、ガンツ化成社製）

（実施例１，２及び比較例１〜３）
下記の表１に示す各成分を下記の表１に示す割合でＭＥＫに溶解させ、ホモディスパー型攪拌機を用いて、攪拌速度３０００ｒｐｍの条件で均一に攪拌混合して、固形分が６０重量％の硬化性樹脂組成物のＭＥＫ溶液を調製した。

次に、表面が離型処理された厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートを用意した。このＰＥＴシートの離型処理された表面上に、得られた硬化性樹脂組成物のＭＥＫ溶液を、乾燥後の厚みが５０μｍとなるようにバーコーターを用いて塗工した後、１１０℃で３分間乾燥して、接着フィルムを作製した。

（実施例１，２及び比較例１〜３の評価）
（１）接着フィルムの厚み精度
得られた接着フィルムの厚みを、レーザー変位計を用いて１０ｃｍ×１０ｃｍの大きさの領域内にて２５点測定した。２５点の測定値の標準偏差の３倍（３σ）を厚み精度とした。

（２）接着フィルムの溶融粘度
硬化前の接着フィルムを、昇温速度５℃／分で３５℃から２００℃まで昇温しながら、周波数１ｒａｄ秒でコーンプレート剪断時における溶融粘度を測定した。７０〜１２０℃の温度範囲内における接着フィルムの最低溶融粘度を下記の表１に示した。

（３）半導体チップの反り量の評価
下記の表１に示す厚み及び平面積を有する半導体チップの下面に接着フィルムを貼り付けて、接着フィルム付き半導体チップを得た。ダイボンダーを用いて、接着フィルム付き半導体チップを接着フィルム側から基板上に積層し、半導体チップの上面に１００℃で１０Ｎ／ｃｍ^２の圧力をかけて圧着し、半導体チップ積層体を得た。

得られた半導体チップ積層体を１７０℃で３０分加熱し、接着フィルムを硬化させることにより、半導体装置を得た。

得られた半導体装置において、半導体チップの上面の対角線上の高さを、レーザー変位計を用いて測定した。半導体チップの端部と中央部との高さの差を反り量として、下記の表１に示した。

（実施例３）
エポキシ樹脂Ａ７０重量部、エポキシ樹脂Ｂ１５重量部、硬化剤Ｃ３５重量部、硬化促進剤Ｄ５重量部、高分子ポリマーＥ２５重量、ヒュームドシリカ粒子Ｆ９重量部、シランカップリング剤１重量部及びアクリルゴム粒子５重量部をＭＥＫに溶解させ、ホモディスパー型攪拌機を用いて、攪拌速度３０００ｒｐｍの条件で均一に攪拌混合して、固形分が６０重量％の硬化性樹脂組成物のＭＥＫ溶液を調製した。次に、表面が離型処理された厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートを用意した。このＰＥＴシートの離型処理された表面上に、得られた硬化性樹脂組成物のＭＥＫ溶液を、乾燥後の厚みが５０μｍとなるようにバーコーターを用いて塗工した後、１１０℃で３分間乾燥させることにより接着フィルムを得た。

また、離型処理された２枚のＰＥＴシートと、該２枚のＰＥＴシートで挟まれたアクリル系粘着材とを有する離型フィルムを用意した。この離型フィルムの一方のＰＥＴシートを剥離した後、露出した剥離面に得られた接着フィルムを貼り付けた。次に、離型フィルムのもう一方のＰＥＴシートを剥がした後、露出した剥離面にダイシングフィルムを貼り付けた。このようにして、接着フィルム、剥離フィルム（アクリル系粘着材）、ダイシングフィルムの積層構造を有するダイシング−ダイボンディングテープを得た。

（実施例４）
ヒュームドシリカ粒子Ｆの配合量を１０重量部に変更したこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。

（実施例５）
ヒュームドシリカ粒子Ｆの配合量を１４重量部に変更したこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。

（実施例６）
ヒュームドシリカ粒子Ｆの配合量を１５重量部に変更したこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。

（比較例４）
ヒュームドシリカ粒子Ｆの配合量を４重量部に変更したこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。

（実施例３〜６及び比較例４の評価）
得られた接着フィルムについて、上記（１）接着フィルムの厚み精度、及び上記（２）接着フィルムの溶融粘度の評価を実施した。

さらに、下記の（４）半導体ウェーハの切削性及びピックアップ性、及び（５）半導体チップの反り量の評価を実施した。

（４）半導体ウェーハの切削性及びピックアップ性
ダイシング−ダイボンディングテープの接着フィルムをシリコンウェーハ（直径８ｉｎｃｈ、厚み２０μｍ）の一方の面に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。

ダイシング装置ＤＦＤ６５１（ディスコ社製）を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。ダイシング時の切削性を評価した。結果を下記の表２に示す。

ダイシング後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２３℃の条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行い、ピックアップの可否を評価した。

〔切削性の評価基準〕
◎：接着フィルムの切削屑が生じなかった
○：接着フィルムの切削屑がほとんど生じず、生じても切断部分には付着しない
△：接着フィルムの切削屑が生じるが、切断部分には付着しない
×：接着フィルムの切削屑が生じ、切断部分に付着する

〔ピックアップ性の評価基準〕
○：ピックアップできなかった半導体チップの個数の割合が１％未満
△：ピックアップできなかった半導体チップの個数の割合が１％を超え、１５％未満
×：ピックアップできなかった半導体チップの個数の割合が１５％を超える

（５）半導体チップの反り量
上記（４）の評価で得られた接着フィルム付き半導体チップを用意した。ダイボンダーを用いて、接着フィルム付き半導体チップを接着フィルム側から基板上に積層し、半導体チップの上面に１００℃で１０Ｎ／ｃｍ^２の圧力をかけて圧着し、半導体チップ積層体を得た。

得られた半導体チップ積層体を１７０℃で３０分加熱し、接着フィルムを硬化させることにより、半導体装置を得た。

得られた半導体装置において、半導体チップの上面の対角線上の高さを、レーザー変位計を用いて測定した。半導体チップの端部と中央部との高さの差を反り量として、下記の表２に示した。

結果を下記の表２に示す。

１…半導体装置
２…基板
３…硬化物層
４…半導体チップ
１１…ダイシング−ダイボンディングテープ
１２…離型フィルム
１２ａ…上面
１３…接着フィルム
１３ａ…一方の面
１３ｂ…他方の面
１４…基材フィルム
１４ａ…一方の面
１４ｂ…他方の面
１５…ダイシングフィルム
１５ａ…延長部

Claims (11)

1. 厚みが５０μｍ以下、かつ平面積が５０ｍｍ^２以上の半導体チップを、電子部品上に接着するのに用いられる接着フィルムであって、
   エポキシ樹脂１００重量部と、硬化剤２０〜７０重量部と、ヒュームドシリカ粒子５〜３０重量部とを含み、
   ７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある、接着フィルム。
2. 前記７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が、３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある、請求項１に記載の接着フィルム。
3. 前記エポキシ樹脂が、多環式炭化水素骨格を主鎖中に有する、請求項１又は２に記載の接着フィルム。
4. 前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、エポキシ基を有する高分子ポリマー１０〜４０重量部をさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の接着フィルム。
5. 前記ヒュームドシリカ粒子の一次平均粒子径が、０．１μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の接着フィルム。
6. 前記ヒュームドシリカ粒子のＭ値が、３０〜５５の範囲内にある、請求項１〜５のいずれか１項に記載の接着フィルム。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の接着フィルムと、該接着フィルムの一方の面に直接又は間接に積層されたダイシングフィルムとを備える、ダイシング−ダイボンディングテープ。
8. ７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムを介して、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ^２以上である半導体チップを電子部品上に積層し、圧着することにより、半導体チップ積層体を得る工程と、
   得られた前記半導体チップ積層体を７０〜１２０℃の温度範囲内で加熱して、前記接着フィルムを硬化させることにより、半導体装置を得る工程とを備える、半導体装置の製造方法。
9. 前記接着フィルムとして、エポキシ樹脂１００重量部と、硬化剤２０〜７０重量部と、ヒュームドシリカ粒子５〜３０重量部とを含む接着フィルムを用いる、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. ７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムと、該接着フィルムの一方の面に直接又は間接に積層されたダイシングフィルムとを備えるダイシング−ダイボンディングテープの前記接着フィルムに半導体ウェーハを貼り付ける工程と、
    前記接着フィルムに貼り付けられた半導体ウェーハを前記接着フィルムごとダイシングし、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ^２以上である個々の半導体チップに前記半導体ウェーハを分割する工程と、
    ダイシング後に、前記接着フィルム付き前記半導体チップを取り出す工程とをさらに備え、
    前記半導体チップ積層体を得る工程において、得られた前記接着フィルム付き前記半導体チップを電子部品上に積層し、圧着する、請求項８又は９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記接着フィルムとして、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムを用いる、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

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