JP2010027889A - 基板処理装置及び処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を加熱処理及び／又は冷却処理等の熱処理時に発生する基板の損傷や、熱処理プレート表面の樹脂の削れによる発塵や被処理基板への該発塵物の付着を防ぐ基板処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】プレート上に基板を載置し、吸着手段で基板を吸着して熱処理する基板処理装置において、基板を吸着する複数の吸着手段、吸着を解除する複数の吸着解除手段、及び基板を昇降する複数の昇降手段を備え、前記複数の吸着手段、前記複数の吸着解除手段、及び前記複数の昇降手段を個別に制御する制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
【選択図】図１０

Description

本発明は、プレート上に基板を載置して、基板をプレートに吸着して加熱及び／又は冷却等の熱処理をする基板処理装置及び処理方法に関する。

基板を加熱及び／又は冷却等の熱処理をする場合、加熱、冷却効率を上げるために加熱したプレート又は冷却したプレートに吸着させて加熱、冷却を行うが、この場合、基板の膨張、収縮によって問題が発生している。

液晶表示装置に用いられるカラーフィルタの製造工程においても加熱、冷却の処理における問題がある。

液晶表示装置に用いられるカラーフィルタ製造工程において、ガラス基板上に着色フォトレジストを塗布した後に、ガラス基板を加熱して着色フォトレジスト膜を硬化させ、その後ガラス基板を冷却プレートに真空吸着して冷却する処理がある。

図１は液晶表示装置に用いられるカラーフィルタの断面の一例を示した図である。液晶表示装置に用いられるカラーフィルタは、ガラス基板１０上にブラックマトリックス１１、着色画素（レッドＲ、グリーンＧ、ブルーＢ）１２、及び着色画素による段差を埋めるオーバーコート層１３を設けるか、又は表面を研磨・平滑化した後、透明電極１４が順次形成されたものである。図１はオーバーコート層１３を設けたカラーフィルタの断面を示した図である。

液晶表示装置の多くに用いられている前記構造のカラーフィルタの製造方法は、フォトリソ法、印刷法、インクジェット法が知られているが、図２はフォトリソ法の工程を示す概略ブロック図である。

カラーフィルタは、先ずガラス基板上にブラックマトリックスを形成する工程、ガラス基板を洗浄する工程、着色フォトレジストを塗布及び予備乾燥する工程、着色フォトレジストを乾燥、硬化するプリベーク工程、露光する工程、現像する工程、着色フォトレジストを硬化させる工程、透明電極成膜工程をこの順に行なわれ製造される。ガラス基板を洗浄する工程から、着色フォトレジストを硬化する工程間ではレッドＲ、グリーンＧ、ブルーＢの３色に対して着色レジストを変更して３回繰り返される。

ブラックマトリックス１１は、遮光性を有するマトリックス状のものであり、着色画素は、レッドＲ、グリーンＧ、ブルーＢのフィルター機能を有するものであり、オーバーコート層は着色画素の段差を埋めるためのもの、透明電極は透明な電極として設けられたものである。

ブラックマトリックス１１は、カラーフィルタの着色画素の位置を定め、大きさを均一なものとし、また、表示装置に用いられた際に、好ましくない光を遮断し、表示装置の画像をムラのない均一な、且つコントラストを向上させる機能を有している。

ガラス基板１０上へのブラックマトリックス１１の形成は、例えば、ガラス基板１０上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜にフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィー法によってブラックマトリックス形状を有したパターンを露光、現像、エッチングをして形成するといった方法や、または、ガラス基板１０上に黒色のフォトレジスト樹脂を塗布し、この樹脂塗膜をフォトリソグラフィー法によってブラックマトリックス形状を有したパターンを露光、現像して、いわゆる樹脂ブラックマトリックスと称するパターンを形成する方法がとられている。

ガラス基板の大型化に伴い、ガラス基板上へのブラックマトリックスの形成は、ブラックマトリックスの材料としては、クロムなどの金属を用いて、真空装置によって金属薄膜を形成するよりも、黒色の樹脂フォトレジストを用いて、フォトリソグラフィー法によって形成する樹脂ブラックマトリックスの方が、価格的、環境的にも有利なため、金属薄膜のブラックマトリックスを回避する傾向にある。

着色画素１２の形成は、前記ブラックマトリックス１１が形成されたガラス基板１０上に、例えば、顔料などの色素を分散させたネガ型の顔料フォトレジストを用いて塗膜を設け、この塗膜への露光、現像、硬化によってレッドＲ、グリーンＧ、ブルーＢの着色画素を形成するといった方法がとられている。

オーバーコート層は、前記着色画素１２の段差を平坦にするために着色画素１２上に
形成されるものである。オーバーコート層形成の代わりに、着色画素１２の表面を研磨・平滑化することもある。

また、透明電極の形成は、ブラックマトリックス１１、着色画素１２、オーバーコート層１３が形成されたガラス基板１０上に、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）をスパッタ法によって形成するといった方法がとられている。

前記着色フォトレジストの塗布及び予備乾燥工程では、着色フォトレジストの塗布直後は、フォトレジストの塗膜は乾燥していないため流動性を有しているため、次工程へガラス基板１０を搬送する場合に、搬送中に塗膜の膜厚が変化して、膜厚にムラをが発生させることがある。予備乾燥処理は、この搬送途中の塗膜の膜厚の変化を防ぐために、塗膜中の溶剤を減圧下で半ば蒸発させる予備的な乾燥処理が行われる。前記予備乾燥処理によって、塗膜中の溶剤を半ば蒸発させたガラス基板１０は、次工程のプリベーク処理で加熱による乾燥、硬化及び冷却される。

次工程のプリベーク工程では、塗膜中の溶剤を加熱によって蒸発させる。塗膜中に溶剤が残留していると、ガラス基板１０への密着力が低下し、加えて着色フォトレジストの露光感度が著しく低下するので、塗膜中に溶剤が残留することは好ましくない。

図３は従来のプリベーク装置の概略を示す図である。図３（ａ）のプリベーク装置４０は加熱チャンバー２０及び冷却チャンバー３０を備え、加熱チャンバー２０内には、ホットプレート２１を上部に備えたバキュームテーブル２２が設けられており、また、冷却チャンバー３０内には、冷却プレート３１を上部に備えたバキュームテーブル３２が設けられている。

前記予備乾燥処理によって、塗膜中の溶剤を半ば蒸発させたガラス基板１０は、加熱チャンバー２０内のホットプレート２１上に載置され、加熱処理が施され、前記塗膜が乾燥、硬化される。続いて、ガラス基板１０は、冷却チャンバー３０に搬送され、冷却プレート３１上に載置されて、冷却されて常温に戻される。

図３（ｂ）は、冷却プレート３１を上部に備えたバキュームテーブル３２の一例を示す図で、移載機構（図示せず）によって、ガラス基板１０がリフトピン３３上に受け渡された段階を示したものである。

ガラス基板１０は、例えば、加熱チャンバー２０から移載機構によって底面を２本のアーム（図示せず）で支えられた状態で冷却プレート３１上に載置されるが、そのままでは冷却プレート３１上に載置後、アームを退避することができないので、一旦、冷却プレート３１の上面から突出した状態でアームと干渉しない位置に設けられた複数のリフトピン３３上に受け渡され、その後にアームが退避する。

冷却プレート３１内には導管（図示せず）が備えられており、外部からの冷却水の循環によって冷却プレート３１は冷却される。

また、バキュームテーブル３２は、中空部３５を有し、上部に冷却プレート３１を備え、下部には吸排気口３６が設けられている。吸排気口３６からの吸排気によって冷却プレート３１上のガラス基板１０は真空吸着または吸着解除される。

図４（ａ）、（ｂ）は、前記従来の冷却チャンバー３０を用いた冷却処理の動作を説明するための図である。図４は、図３（ｂ）における冷却プレート３１、リフトピン３３、ガラス基板１０の一部分を拡大して示したものである。

リフトピン３３は、冷却プレート３１に対し垂直方向に昇降自在であり、ガラス基板１０が受け渡された後に下降し、冷却プレート３１上に載置される。冷却プレート３１に設けられたリフトピン３３が昇降するリフトピン昇降開口３４とは別に、リフトピン３３の上部が冷却プレート３１内まで下降した後に、ガラス基板１０と冷却プレート３１の間の空気を排気する吸着孔３７が設けられている。

Ｄは、リフトピン３３が上下するリフトピン昇降開口３４から冷却プレート３１の上面に突出した高さを表しており、ガラス基板１０を移載するアーム（図示せず）が退避するために間隔を取るための高さである。ガラス基板１０がアームで移載され、リフトピン３３上に受け渡された状態でアームが退避し（図４（ａ））、リフトピン３３を下降させ、ガラス基板１０を冷却プレート３１上に載置し、効率的で均一な冷却をするために、矢印３８で示すように、吸着孔３７から空気を排気し、ガラス基板１０を冷却プレート３１に真空吸着させながら密着させた状態で冷却を行う（図４（ｂ））。

しかしながら、前記のような冷却プレート３１に真空吸着させながら密着させた冷却を行う冷却処理においては、加熱されたガラス基板１０が冷却プレート３１上に載置されると、冷却が始まったガラス基板１０は収縮しようとする。ところがガラス基板１０は冷却プレート３１上に吸着、固定されているために、収縮することができずに、内部応力が増大した状態になる。

更に図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、従来の冷却チャンバー３０の構造の一例を説明するための図である。図５（ａ）は冷却プレート３１の平面を示す図、図５（ｂ）はリフトピン３３の昇降手段の断面を示す図、図５（ｃ）は吸着手段及び吸着解除手段の断面を示す図である。

図５（ａ）の冷却プレート３１は、リフトピン（図示せず）が昇降するリフトピン昇降開口３４を６×６＝３６個、ガラス基板を真空吸着するための吸着孔３７を７×７＝４９個有している。

図５（ｂ）に示すようにリフトピン３３はリフトピン架台５１上に備えられ、リフトピン架台５１に直結された昇降手段５２によって、３６個のリフトピンは同時に昇降される。また、図５（ｃ）に示すように４９個の吸着孔３７は空気の吸排気チャンバー５３に連結されており、吸着バルブ５４、吸着解除バルブ５５によってガラス基板１０は真空吸着及び、吸着解除が全吸着孔について同時に行われる。

前記説明のように真空吸着の解除は全吸着孔が同時に行われるために、真空吸着を解除した時に、図６に示すように、ガラス基板１０は図中の矢印５６で示す方向（ガラス基板の端部から中心に向かう方向）に急激に収縮するために，ガラス基板端部と冷却プレート３１との間で擦れが発生し、冷却プレート表面の樹脂コーテイングがダメージを受け、コーテイングされている樹脂が削れて発塵物が発生し、該発塵物が冷却プレートに付着し、そのためにガラス基板と冷却プレートの密着性が悪くなったり、ガラス基板に付着してしまう問題が発生することがある。更に真空吸着の解除後、全てのリフトピンを同時に上昇させるため、特にガラス基板中央部では、ガラス基板の下に外部の空気が入り込みにくいため、ガラス基板が割れるという問題が発生することがある。

前記問題を解決するために、次のような方法が提案されている。

第一の方法を図７に示す。図７（ａ）は、搬送されたガラス基板１０がリフトピン３３上に受け渡された状態を示し、リフトピン３３は、冷却プレート３１に対し、垂直方向に昇降自在になっている。リフトピン３３へのガラス基板１０の受け渡しは、リフトピン３３が冷却プレート３１の上面からＤ１で示す高さほど突出した位置で静止した状態で、ガラス基板１０を受け渡すようになっている。このＤ１の高さは、移載機構のアームが退避できるように間隔を取るためである。

ガラス基板１０が受け渡された後に、リフトピン３３が下降し、冷却プレート３１に載置するが、図７（ｂ）に示すように、リフトピン３３が下降を開始し、ガラス基板１０を冷却プレート３１に接近させた位置、すなわちリフトピン３３が冷却プレート３１の上面からＤ２で示す高さに突出した位置でリフトピン３３の下降を一旦停止する。さらに前記Ｄ２の位置でガラス基板１０の冷却を開始し、その後、再びリフトピン３３を下降させ、ガラス基板１０を冷却プレート３１上に載置して、真空吸着により密着させて冷却を行うものである。

その結果、図７（ｂ）では、リフトピン３３上の加熱されたガラス基板１０はリフトピン３３上では固定されていない状態で冷却される。更に図７（ｃ）で常温まで冷却される。図７（ｂ）で本冷却を行い、図７（ｃ）では補助冷却を行うためガラス基板１０は冷却に伴う収縮は何ら制約を受けることなく収縮することになる。（特許文献１参照）。

更に、別の第二の方法を図８に示す。先ず、加熱チャンバー６０で、例えば１００℃に加熱されたガラス基板１０を搬送ローラ６４で第１冷却板６１に移載する。冷却温度を例えば５０℃に設定された第１冷却板６１では、吸着孔６３によりガラス基板１０を一旦真空吸着して固定した後、吸着を解除して冷却を行う。更に、搬送コンベア（図示せず）で例えば２５℃に設定された第２冷却板６２に移載する。第２冷却板６２では、真空吸着しながら冷却を行う。その後、次工程に搬送する。

その結果、ガラス基板１０は、温度が最も高いガラス基板１０を冷却する第１冷却板６１では真空吸着されない状態で冷却され、また第２冷却板６２では温度設定を低く設定しているので、第１冷却板６１及び第２冷却板６２において共に冷却に伴う収縮は制約を受けることなく、収縮することになる。

更に、前記第二の方法では、冷却板を複数個設けることによって、冷却処理長を伸ばして、タクトタイムを短縮できる方法も提案している（特許文献２参照）。

しかしながら、前記２つの方法においては、冷却処理に要する多くの時間が費やされる
問題が新たに発生している。また第二の方法での冷却板を複数個設けてタクトタイムを短縮する方法では、設備費用が増大する問題が発生する。

前記説明では、ガラス基板の冷却処理及び冷却処理時の問題について述べたが、加熱処理時においても同様の問題が発生することがある。

以下に先行技術文献を示す。
特開２００７−１４７８３２号公報 特開平８−２７１７２６号公報

本発明は、基板を加熱処理及び／又は冷却処理等の熱処理時に発生する基板の損傷や、熱処理プレート表面の樹脂の削れによる発塵や被処理基板への該発塵物の付着を防ぐ基板処理装置及び処理方法を提供することである。

本発明の請求項１に係る発明は、プレート上に基板を載置し、吸着手段で基板を吸着して熱処理する基板処理装置において、基板を吸着する複数の吸着手段、吸着を解除する複数の吸着解除手段、及び基板を昇降する複数の昇降手段を備え、前記複数の吸着手段、前記複数の吸着解除手段、及び前記複数の昇降手段を個別に制御する制御手段を有することを特徴とする基板処理装置である。

本発明の請求項２に係る発明は、前記制御手段による吸着手段の制御は、基板の中心部から端部に向かって基板を吸着させるものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。

本発明の請求項３に係る発明は、前記制御手段による吸着解除手段の制御は、基板の端部から中心部に向かって基板を吸着解除させるものであることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置である。

本発明の請求項４に係る発明は、前記制御手段による昇降手段の制御は、基板の端部から中心部に向かって基板を上昇させるものであることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の基板処理装置である。

本発明の請求項５に係る発明は、前記請求項１〜４いずれか１項記載の基板処理装置を用いてガラス基板を加熱又は冷却することを特徴とするガラス基板処理方法である。

加熱、冷却前の基板の吸着を、及び加熱、冷却後の基板の吸着解除を制御することによって、加熱、冷却のプレート表面の樹脂の削れがなくなるため、発塵の発生を防ぐことができ、また、プレートから基板を上昇させることを制御することによって、基板の損傷をなくすことができる。

以下、図面を参照してこの発明に係る基板処理装置及び処理方法の実施形態をガラス基板を処理する場合を例として説明する。

図９は本発明の基板処理装置の構成を説明するための図であって、ガラス基板を載置するプレート７１、ガラス基板をプレート７１に真空吸着する複数の吸着手段７２、前記真
空吸着されたガラス基板の吸着を解除する複数の吸着解除手段７３、ガラス基板をプレート７１の垂直方向に昇降する複数の昇降手段７４、及び前記吸着手段７２、前記吸着解除手段７３、前記昇降手段７４を個別に制御する制御手段７０が備えられている。

図１０を用いて、基板処理装置についてガラス基板を冷却する場合を例として説明する。図１０（ａ）は冷却プレートの一例を示す概要図、図１０（ｂ）はガラス基板を上下に昇降するガラス基板昇降手段を示す図、図１０（ｃ）は冷却プレートにガラス基板を真空吸着させる真空吸着手段と、該真空吸着を解除する吸着解除手段を示す図である。

図１０（ａ）の冷却プレート３１に示されるように、ゾーン８４、ゾーン８５、ゾーン８６、ゾーン８７の切り分けられた４つのゾーンがあって、それぞれのゾーンには吸着孔３７がゾーン８４には２４個の吸着孔、ゾーン８５には１６個の吸着孔、ゾーン８６には８個の吸着孔、ゾーン８７には１個の吸着孔がそれぞれ設けられている。

本実施形態では、前記ゾーンは４つとしたが、これに限定されるものではない。また、それぞれのゾーンにある吸着孔を２４個、１６個、８個、１個としたが、これに限定されるものではない。

また、同様に図１０（ａ）の冷却プレート３１に示されるように、ゾーン８１、ゾーン８２、ゾーン８３の切り分けられたゾーンがあって、それぞれのゾーンにはリフトピンの昇降開口３４が、ゾーン８１には２０個の昇降開口、ゾーン８２には１２個の昇降開口、ゾーン８３には４個の昇降開口が設けられている。

本実施形態では、前記ゾーンを３つとしたが、これに限定されるものではない。また、それぞれのゾーンにある昇降開口の数は、これに限定されるものではない。

図１０（ｂ）に示すように、前記ゾーン８１、ゾーン８２、ゾーン８３に設けられているリフトピンの昇降開口３４には、それぞれリフトピン８８−１、リフトピン８８−２、リフトピン８８−３が制御手段（図示せず）によって制御される昇降手段１、昇降手段２、昇降手段３に直結され、例えば、冷却プレート３１からガラス基板を上昇させる順序を昇降手段１→昇降手段２→昇降手段３の順に、あるいは昇降手段１→（昇降手段２と昇降手段３を同時に）の順に、ガラス基板の端部から中心部に向かって上昇するように、制御手段によって制御される。

また、図１０（ｃ）に示すように前記ゾーン８４、ゾーン８５、ゾーン８６、ゾーン８７に設けられている吸着孔３７にはゾーン８４の吸着孔ではバルブ１−１、バルブ１−２が、ゾーン８５の吸着孔ではバルブ２−１、バルブ２−２が、ゾーン８６の吸着孔ではバルブ３−１、バルブ３−２が、ゾーン８７の吸着孔ではバルブ４−１、バルブ４−２の各バルブがエアー配管８９を介して連結されている。バルブ１−１、バルブ２−１、バルブ３−１、バルブ４−１は吸着手段用のバルブであって真空ポンプ（図示せず）に連結されている。バルブ１−２、バルブ２−２、バルブ３−２、バルブ４−２は吸着解除手段用のバルブであり、クリーンエア発生装置（図示せず）につながれており、前記吸着手段及び吸着解除手段の各バルブは制御手段によって制御される。

前記吸着手段は、バルブ４−１→バルブ３−１→バルブ２−１→バルブ１−１の順に、あるいは（バルブ４−１、バルブ３−１、バルブ２−１を同時）→バルブ１−１の順に、ガラス基板の中心部から端部に向かって吸着するように制御手段によって制御される。

また前記吸着解除手段は、バルブ１−２→バルブ２−２→バルブ３−２→バルブ４−２の順に、あるいはバルブ１−２→（バルブ２−２、バルブ３−２、バルブ４−２を同時）
の順に、ガラス基板の端部から中心部に向かって吸着するように制御手段によって制御される。

ここでの制御手段としては、コンピュータを用いた一般的な制御手段を適宜選択して用いることが出来る。

以下、本発明の実施例について具体的に説明する。

本発明に係るプリベーク処理工程の処理条件を表１に示す。

使用したガラス基板は、サイズ２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍで厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスで、３００枚投入し、ブラックマトリックス形成用のネガレジストを塗布液として用いた。

図１１はプリベーク処理工程におけるガラス基板の処理動作フローを示す。図１１を用い、更に図１０及び表１を参照しながら、プリベーク処理工程におけるガラス基板の処理動作フローを説明する。

本発明に係るプリベーク処理工程の前工程である着色フォトレジストの塗布及び予備乾燥処理工程を経たガラス基板は、プリベーク処理のためにホットプレートに搬入される（ステップ１）。

ホットプレートの加熱温度は１３０℃で、予めリフトピンを上昇させておき、ガラス基板投入後、ホットプレート上の近接の高さ５ｍｍまでリフトピンを下げる。１５秒経過後、リフトピンを降下させ、ガラス基板をホットプレート上まで下げる。ガラス基板を真空吸着し、３０秒経過後、ガラス基板の吸着を解除して、再びガラス基板をリフトピンで上昇させる（ステップ２）。

ホットプレートよりガラス基板を取り出し、冷却プレートにガラス基板を投入する。冷却プレートの内部を循環する冷却水の温度は１８℃で、予めリフトピンを全て上昇させておき、ガラス基板投入後、昇降手段１，昇降手段２，昇降手段３を同時に制御して、リフトピン８８−１、リフトピン８８−２、リフトピン８８−３を下降させ、ガラス基板を近接高さ５ｍｍまで下げる。２秒経過後、再び昇降手段１，昇降手段２，昇降手段３を制御し、ガラス基板を冷却プレート上まで下げる（ステップ３）。

ガラス基板を冷却プレート上に載せた後、バルブ４−１→バルブ３−１→バルブ２−１→バルブ１−１の順に開き、ゾーン８７、ゾーン８６、ゾーン８５、ゾーン８４の吸着孔を介して、ガラス基板を冷却プレートにガラス基板の中心部から端部に向かって順次真空吸着させる（ステップ４）。

ガラス基板吸着後２５秒経過後、以下の説明の様に吸着解除手段を制御手段によって制御する。バルブ１−１を閉じバルブ１−２を開けてゾーン８４の吸着孔の吸着を解除し、ガラス基板と冷却プレート間の吸着を解除する。その後、バルブ２−１を閉じバルブ２−２を開けてゾーン８５の吸着孔の吸着を解除する。次いでバルブ３−１を閉じバルブ３−２を開けてゾーン８６の吸着孔の吸着を解除する。次いで、バルブ４−１を閉じバルブ４−２を開けてゾーン８７の吸着を解除する（ステップ５）。前記ゾーン８４の吸着解除、ゾーン８５の吸着解除、ゾーン８６の吸着解除、ゾーン８７の吸着解除の各間隔は全て２
秒とした。

その後、バルブ１−２，バルブ２−２，バルブ３−２，バルブ４−２の各吸着解除バルブを閉じた後、次に説明するように、昇降手段を制御手段によって制御する。ゾーン８１にあるリフトピン８８−１を昇降手段１により上昇する。リフトピンが５ｍｍ上昇したところで、昇降手段２を制御し、ゾーン８２のリフトピン８８−２を上昇する。リフトピン８８−１が更に１５ｍｍ上昇したところで、昇降手段３を制御し、ゾーン８３のリフトピン８８−３を上昇する（ステップ６）。

ここでの昇降手段としては、機械的な機構、あるいは空気圧を利用したエアーシリンダー等の一般的な昇降手段を適宜採用することが出来る。

本実施例では、ガラス基板の吸着解除を、ゾーン８４→ゾーン８５→ゾーン８６→ゾーン８７の順で吸着解除を行ったが、これに限らず、ゾーン８４→（ゾーン８５、ゾーン８６、ゾーン８７を同時に）の順に行っても良い。

同様に、ガラス基板の昇降手段の制御により上昇順序を、８８−１→８８−２→８８−３の順に行ったが、これに限らず、８８−１→（８８−２、８８−３を同時に）の順に行っても良い。

全てのリフトピンがガラス基板受け渡し位置まで上昇した後、ガラス基板を次の露光工程に搬送する（ステップ７）。

前記内容で、連続３００枚のガラス基板のプリベーク処理を行った。その結果、冷却プレート端部のダメージも全く無く、それに起因する異物の発生やガラス基板への付着等も発生しなかった。また、ガラス基板の割れも発生しなかった。

以上のように本発明による基板処理装置と基板処理方法によれば、ガラス基板の吸着をガラス基板全面に対して同時に行うのではなく、ガラス基板中心部から端部に向かって真空吸着し、更にガラス基板の吸着解除をガラス基板全面に対して同時に行うのではなく、ガラス基板端部から中心に向かって吸着解除を遅らせることによって、ガラス基板端部と冷却プレートの間で起こる擦れをなくすことが出来るため、冷却プレートの樹脂が削れて発塵物が発生することを防ぐことが出来る。また、ガラス基板の上昇開始をガラス基板端部から中心に向かって遅らせることによって、外部の空気が中心部へも入りやすくなるためにガラス基板が割れるという問題も防ぐことが出来、更に前記問題を解決する第一の方法１及び第二の方法における冷却処理に要する多くの時間が費やされる問題も解決することが出来る。

カラーフィルタの断面の一例を示す図 フォトリソ法の工程を示す概略ブロック図 （ａ）プリベーク装置の概略を示す図（ｂ）バキュームテーブルの一例を示す図で、ガラス基板がリフトピン上に受け渡され段階を示す図 （ａ）リフトピン上にガラス基板が受け渡され、アームが退避する状態を示す図（ｂ）ガラス基板が冷却プレートに真空吸着された状態を示す図 （ａ）冷却プレートの平面を示す図（ｂ）昇降手段の断面を示す図（ｃ）吸着手段及び吸着解除手段の断面を示す図 吸着解除時に発生する問題を説明する図 （ａ）問題を解決するための第一の方法を示す図で、ガラス基板がリフトピンに載せられた状態を示す図（ｂ）ガラス基板が冷却プレートの近接位置にある状態を示す図（ｃ）ガラス基板が冷却プレートに吸着されている状態を示す図 問題を解決するための第二の方法を示す図 本発明の基板処理装置の構成を説明するための図 （ａ）本実施形態に係る冷却プレートの一例を示す概要図（ｂ）本実施形態に係るガラス基板を昇降する昇降手段を示す図（ｃ）本実施形態に係るガラス基板を吸着手段、吸着解除手段を示す図 本発明の実施例を説明する概略ブロック図

符号の説明

１０・・・ガラス基板
１１・・・ブラックマトリックス
１２・・・着色画素（レッドＲ、グリーンＧ、ブルーＢ）
１３・・・オーバーコート層
１４・・・透明電極
２０・・・加熱チャンバー
２１・・・ホットプレート
２２・・・バキュームテーブル
３０・・・冷却チャンバー
３１・・・冷却プレート
３２・・・バキュームテーブル
３３・・・リフトピン
３４・・・リフトピン昇降開口
３５・・・中空部
３６・・・吸排気口
３７・・・吸着孔
３８・・・矢印（吸着孔３７から空気を排気する方向）
４０・・・プリベーク装置
５１・・・リフトピン架台
５２・・・昇降手段
５３・・・・吸排気チャンバー
５４・・・排気バルブ
５５・・・吸気バルブ
５６・・・収縮方向
５７・・・ガラス基板の端部と冷却プレートの間
６０・・・加熱チャンバー
６１・・・第一冷却板
６２・・・第二冷却板
６３・・・吸着孔
６４・・・搬送ローラ
７０・・・制御手段
７１・・・プレート
７２・・・吸着手段
７３・・・吸着解除手段
７４・・・昇降手段
８１・・・ゾーン８１
８２・・・ゾーン８２
８３・・・ゾーン８３
８４・・・ゾーン８４
８５・・・ゾーン８５
８６・・・ゾーン８６
８７・・・ゾーン８７
８８−１・・・ゾーン８１のリフトピン
８８―２・・・ゾーン８２のリフトピン
８８―３・・・ゾーン８３のリフトピン
８９・・・エアー配管
Ｄ、Ｄ１，Ｄ２・・・リフトピン３３が冷却プレート３１の上面から突出した高さ

Claims (5)

1. プレート上に基板を載置し、吸着手段で基板を吸着して熱処理する基板処理装置において、基板を吸着する複数の吸着手段、吸着を解除する複数の吸着解除手段、及び基板を昇降する複数の昇降手段を備え、前記複数の吸着手段、前記複数の吸着解除手段、及び前記複数の昇降手段を個別に制御する制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記制御手段による吸着手段の制御は、基板の中心部から端部に向かって基板を吸着させるものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記制御手段による吸着解除手段の制御は、基板の端部から中心部に向かって基板を吸着解除させるものであることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記制御手段による昇降手段の制御は、基板の端部から中心部に向かって基板を上昇させるものであることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の基板処理装置。
5. 前記請求項１〜４いずれか１項記載の基板処理装置を用いてガラス基板を加熱又は冷却することを特徴とするガラス基板処理方法。

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