JP2010027802A - 表面処理方法、表面処理用マスク、及び光学デバイス - Google Patents

表面処理方法、表面処理用マスク、及び光学デバイス Download PDF

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Abstract

【課題】被処理物が大面積であっても品質にバラツキが生じ難く、且つ高速に凹凸加工を施すことができ、量産性に優れた表面処理方法、及びそれに用いる表面処理用マスクを提供する。
【解決手段】被処理物２０の表面に凹凸を形成するための表面処理方法であって、結着樹脂１２Ａと結着樹脂中に配合された有機色素粒子１２Ｂとを含んで構成される高分子フィルムマスク１０を、被処理物２０の表面に貼り合わせる工程と、高分子フィルムマスク１０が貼り合わせた被処理物２０の表面に対し、エッチング処理を施し、被処理物２０の表面に凹凸を形成する工程とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、エッチング処理により、被処理物の表面に凹凸を形成するための表面処理方法、及びこれに利用する表面処理用マスクに関するものである。また、本発明は、当該表面処理方法により処理された基板を有する光学デバイスに関する。
従来、太陽電池、ＬＥＤ、フラットパネルディスプレイなどの光学デバイスの分野では、光の透過する界面の屈折率差が大きい場合に生じる反射現象を抑制する目的で、エッチング処理により光が透過する基板面に凹凸を形成する加工を施すことが行われている。
一方、半導体装置の分野では、例えば、薄膜と基板との密着性が不十分であることに起因する薄膜の剥れを抑制するため、アンカー効果を狙って、基板面に凹凸を形成する加工を施すことも行われている。
このように、種々の分野において、被処理物の表面に凹凸を形成する加工を施すことが行われており、凹凸加工に関する様々な提案がなされている（例えば特許文献１〜３等）
特開平３−７１６７７号公報 特開２０００−２６１００８公報 特開２００５−２７７２９５公報 特開２００７−２７５６４公報
しかしながら、いずれの提案でも、量産性といった観点から見ると未だ不十分であるのが現状である、
例えば、特許文献２及び４に記載のように、被処理物面に粒子を散布し、その粒子をマスクとして被処理物表面をエッチングする場合、均一に粒子を散布できず一定の品質での凹凸加工が施し難く、加工面積が大きくなると高速且つ均一に散布できず量産性も低いといった問題がある。
また、例えば、特許文献３に記載のように、被処理物面に、粒子を含む塗布液を塗布して塗膜を形成してから被処理物表面をエッチングする場合、被処理物に対してバッチで塗布液を塗布しなければならないので塗布液中で粒子の沈降が生じないように細心の注意をはらわなければならない上、塗布後の乾燥もしなければならず量産性も低いといった問題もある。
そこで、本発明の課題は、被処理物が大面積であっても品質にバラツキが生じ難く、且つ高速に凹凸加工を施すことができ、量産性に優れた表面処理方法、及びそれに用いる表面処理用マスクを提供することである。また、本発明の課題は、当該表面処理方法により処理された基板を有する光学デバイスを提供することである。
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
被処理物の表面に凹凸を形成するための表面処理方法であって、
結着樹脂と前記結着樹脂中に配合された有機色素粒子とを含んで構成される高分子フィルムマスクを、被処理物の表面に貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記高分子フィルムマスクが貼り合わせられた前記被処理物の表面に対し、エッチング処理を施し、前記被処理物の表面に凹凸を形成するエッチング工程と、
を有することを特徴とする表面処理方法。
請求項２に係る発明は、
前記高分子フィルムマスクにおける前記被処理物に対する前記有機色素粒子の被覆率が、５％以上６０％未満であることを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
請求項３に係る発明は、
前記結着樹脂のガラス転移温度が、５０℃以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理方法。
請求項４に係る発明は、
前記高分子フィルムマスクの一方の主面が支持基板に支持されてなり、
前記エッチング工程が前記高分子フィルムマスクを被処理物の表面に前記主面とは反対側の表面が対向するように貼り合わせた後、当該支持基板を前記高分子フィルムマスクから剥離することを含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の表面処理方法。
請求項５に係る発明は、
前記高分子フィルムマスクと前記支持基板との接着力が、２５℃で５Ｎ／１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の表面処理方法。
請求項６に係る発明は、
前記高分子フィルムマスクと支持基板との間に、厚さが１５μｍ未満の熱可塑性樹脂層を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の表面処理方法。
請求項７に係る発明は、
前記高分子フィルムマスクの他方の主面が保護フィルムで被覆されてなり、
前記高分子フィルムマスクを被処理物の表面に貼り合わせ工程前に、当該保護フィルムを前記高分子フィルムマスクから剥離することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の表面処理方法。
請求項８に係る発明は、
前記高分子フィルムマスクを被処理物の表面に貼り合わせ工程が、真空減圧条件下と前記結着樹脂のガラス転移温度よりも高い温度条件下との少なくとも一方の条件下で、ローラにより前記高分子フィルムマスクと前記被処理物とを挟持して貼り合わせる工程であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の表面処理方法。
請求項９に係る発明は、
前記エッチング処理が、ドライエッチング処理であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の表面処理方法。
請求項１０に係る発明は、
前記被処理物の表面の凹凸形状の全個数を基準として少なくとも６０％の相当径が、２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の表面処理方法。
請求項１１に係る発明は、
凹凸を形成する前記被処理物の表面が、光学デバイスの光入射面であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の表面処理方法。
請求項１２に係る発明は、
被処理物の表面に凹凸を形成するための表面処理用マスクであって、
結着樹脂と前記結着樹脂中に配合された有機色素粒子とを含んで構成される高分子フィルムマスクを有することを特徴とする表面処理方法用マスク。
請求項１３に係る発明は、
前記高分子フィルムマスクの一方の主面を支持する支持基板を有することを特徴とする請求項１２に記載の表面処理用マスク。
請求項１４に係る発明は、
前記高分子フィルムマスクと支持基板との間に、厚さが１５μｍ未満の熱可塑性樹脂層を有することを特徴とする請求項１３に記載の表面処理用マスク。
請求項１５に係る発明は、
前記高分子フィルムマスクの他方の主面を被覆する保護フィルムを有することを特徴とする請求項１３又は１４に記載の表面処理用マスク。
請求項１６に係る発明は、
ロール状、又はシート状であることを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の表面処理用マスク。
請求項１７に記載の発明は、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の表面処理方法により表面処理された被処理物としての基板を有する光学デバイス。
本発明によれば、被処理物が大面積であっても品質にバラツキが生じ難く、且つ高速に凹凸加工を施すことができ、量産性に優れた表面処理方法、及びそれに用いる表面処理用マスクを提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、実質的に同一の機能・作用を有する部材には、全図面を通して同じ符号を付与し、重複する説明は省略する場合がある。
図１は、本発明による表面処理方法の一実施形態を説明する工程図である。図２は、本発明による表面処理用マスクの一実施形態に係る概略構成図であり、（Ａ）が平面図、（Ｂ）が断面図（Ａ−Ａ断面図）を示す。図３は、図２の表面処理用マスクの保管形状を説明する斜視図であり、（Ａ）はロール状のものを、（Ｂ）はシート状に積層したものを示す。
図１において、（Ａ）に示すように、表面処理用マスク１０を準備する。ここで、表面処理用マスク１０は、図２に示すように、支持基板１１上に、高分子フィルムマスク１２と保護フィルム１３とが順次積層されている。高分子フィルムマスク１２は、例えば、結着樹脂１２Ａにエッチング耐性を有する有機色素粒子１２Ｂが分散・配合されて構成されている。なお、表面処理用マスク１０の詳細については、後述する。
次に、図１において、（Ｂ）に示すように、表面処理用マスク１０の保護フィルム１３を剥離した後、高分子フィルムマスク１２の露出面が被処理基板２０（被処理物）と接するように対向させて、表面処理用マスク１０を被処理基板２０へ積層する。これにより、表面処理用マスク１０における高分子フィルムマスク１２が、被処理基板２０の表面へ密着される。
ここで、被処理基板２０としては、特に制限はなく、例えば、半導体（例えばシリコン基板）、導電物、絶縁物などから構成される基板や、フラットパネルディスプレイで用いられているガラス基板や、当該基板上に機能層（例えば、配線層、絶縁層など）を形成したものであってもよい。
次に、図１において、（Ｃ）に示すように、表面処理用マスク１０が積層された被処理基板２０をラミネート装置３０に挿入する。そして、例えば、ラミネート装置３０内に配設される筒状の挟持ローラ３１（挟持ローラの数は特に制限はなく、本実施形態ではローラ対が３組の場合を表示している）により、表面処理用マスク１０が積層された被処理基板２０を挟持して、表面処理用マスク１０と被処理基板２０との間、即ち、高分子フィルムマスク１２と被処理基と板２０との間に圧力を付与する。これにより、表面処理用マスク１０と被処理基板２０とを、即ち、高分子フィルムマスク１２と被処理基板２０とを圧接させる。
ここで、挟持ローラ３１による圧接は、真空減圧条件下（例えば１００ｈＰａ以下の真空減圧条件下）と、高分子フィルムマスク１における結着樹脂１Ａのガラス転移温度よりも高い温度条件下と、の少なくとも一方の条件下で行うことがよい。具体的には、例えば、高分子フィルムマスク１２と被処理基板２０との密着性向上の点（つまり、気泡との介在を抑制する点）から、真空減圧条件下で圧接することがよい。一方、高分子フィルムマスク１２を構成する結着樹脂１２Ａのガラス転移温度が製造環境（室温：例えば２５℃）よりも高い場合、ガラス転移温度よりも高い温度条件下で圧接することがよい。
また、挟持ローラ３１による好適な圧接条件としては、５０℃〜１５０℃で気圧１０ｈＰａのもと、圧力をローラに対して２０ｐｓｉ〜５０ｐｓｉに保ち、０．１ｍ／分〜３ｍ／分の速度で圧接することが挙げられる。また、生産性の観点からは本圧接工程は連続的に行われることが好ましく、その場合公知の連続処理型真空ラミネーターを用いることができる。
なお、上記圧接時に加熱する場合（即ち結着樹脂１２Ａのガラス転移温度よりも高い温度条件下で圧接する場合）、挟持ローラ内部に加熱源（不図示）を配設してもよいし、別途、加熱源を配設してもよい。
次に、図１において、（Ｄ）に示すように、表面処理用マスク１０（高分子フィルムマスク１２）が圧接された被処理基板２０から、支持基板１１を剥離する。これにより、被処理基板２０の表面に、高分子フィルムマスク１２のみを残存させる。なお、支持基板１１は、挟持ローラ３１（ラミネート装置３０）による圧接前に剥離してもよい。この場合、表面処理用マスク１０と接する側に配置されている挟持ローラ３１（図１の（Ｃ）における上側のローラ）の表面は離型性の良い材質（例えば、ポリテトラフルオロエチレンなど）で構成されていることが好ましい。
ここで、支持基板を剥離するための剥離装置は通常、感圧接着性テープを保護膜先端部分に貼り付け剥離する方法、保護膜先端部分に圧縮空気を吹き付け剥離させる方式、レーザー光を照射することで剥離させる方法がある。
次に、図１において、（Ｅ）に示すように、高分子フィルムマスク１２が貼り合わされた被処理基板２０に対して、当該高分子フィルムマスク１２の貼り合せ面側からエッチング処理を施す。これにより、高分子フィルムマスク１２を構成する有機色素粒子１２Ｂで被服された領域を除く領域（エッチング方向から見て、有機色素粒子１２Ｂが被処理基板２０に投影される領域）では被処理基板２０表面がエッチングされ凹部が形成される一方で、当該有機色素粒子１２Ｂで被服された領域では被処理基板２０表面がエッチングされない。つまり、エッチングされる領域が凹部となり、されない領域が凸部となり、被処理基板２０の表面に凹凸が形成される。なお、当該エッチングされる領域（有機色素粒子１２Ｂで被覆された領域を除く領域）では、高分子フィルムマスク１２ごとエッチングされる。
ここで、エッチング処理は、ウエットエッチング処理、及びドライエッチング処理のいずれも採用されるが、好適にはドライエッチング処理が採用される。ドライエッチング処理としては、反応ガス中に被処理基板２０を曝してエッチングを施す反応性ガスエッチング処理や、反応ガスをプラズマによりイオン化・ラジカル化してエッチングを施す反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）など、公知のドライエッチング処理が採用される。また、ドライエッチング処理を行う装置についても、公知の装置が採用される。
一方、ドライエッチング処理を施すための条件としては、高分子フィルムマスク１２の厚み・種類（結着樹脂の種類や有機色素粒子の種類など）に応じて、適宜設定されるが、好適には以下の条件が採用されることがよい。
１）ドライエッチングは、反応性ガスとして、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃｌ２、ＣｌＦ３などを用いて行うことができる。
２）異方性の強いエッチング方法としては、ＳｉＣｌ４＋Ｈｅ、ＣＨ４＋Ｈｅ等のガスを用いたＲＩＥ、ＲＩＢＥ（反応性イオンビームエッチング）を用いることが好ましい。
３）エッチングガスの種類によっては被処理基板内に浸透し、化学的・物理的変化を生じさせる場合があることから、エッチングガスに被処理基板が曝されている時間を最適化することができる。
４）エッチングにより所望の凹凸形状が得られた後に、高分子フイルムマスクの一部が残存している場合は、オゾン、酸素などのガスを導入し紫外線などの光を照射することで残存物を除去するアッシング法や、あるいは酸素ガスを高周波などによりプラズマ化させ、そのプラズマを利用して残存物を除去するアッシング法を採用することができる。
次に、図１において、（Ｆ）に示すように、エッチング処理を施した被処理基板２０から、高分子フィルムマスク１２を剥離（除去）する。
上記工程を経て、被処理基板２０の表面に対して、凹凸加工を施すことができる。
以上説明した本実施形態に係る表面処理方法では、エッチング耐性を持つ有機色素粒子が配合された高分子フィルムマスク１２を、表面処理用マスク１０として被処理基板２０に貼り合せた状態で、当該被処理基板２０に対してエッチング処理を施す。そして、高分子フィルムマスク１２を構成する有機色素粒子１２Ｂが、被処理基板２０に対して被覆された領域ではエッチングが施されず、当該有機色素粒子が被覆された領域以外の領域にではエッチングが施されることで、被処理基板２０の表面に凹凸加工が施される。
このエッチングされる領域とされない領域とを選択する有機色素粒子を予め結着樹脂に配合・分散させ、これを層状に形成した高分子フィルムマスク１２として被処理基板２０へ貼り合わせることで、当該有機色素粒子１２Ｂを被処理基板２０の表面へ配置させている。このため、被処理基板２０の表面が大面積であっても、高分子フィルムマスク１２を貼り合わせるといった簡易かつ迅速な操作によって有機色素粒子１２Ｂが被処理基板２０の表面へ配置される。また、有機色素粒子１２Ｂを結着樹脂１２Ａへ分散・配合するといった操作により、高分子フィルムマスク１２を製造できることから、ある程度一定の品質（つまり、有機色素粒子１２Ｂの結着樹脂１２Ａへの分散状態がある程度一定）のものが簡易に製造できる。
したがって、本実施形態に係る表面処理方法は、被処理基板２０が大面積であっても品質にバラツキが生じ難く、且つ高速に凹凸加工を施すことができ、量産性に優れた表面処理方法である。
なお、本実施形態に係る表面処理方法により、被処理基板２０（被処理物）の表面処理後の凹凸形状の相当径は、例えば太陽電池の光入射面の場合、全体の個数の少なくとも６０％が、更に好ましくは少なくとも８０％が、２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲とすることが好ましい。上記相当径は、表面の凹み部分を表面粗さ計などの接触型表面形状測定機やＡＦＭなどの非接触型表面形状測定機で表面形状を測定し、非処理部分、即ち凹凸が形成されていない平坦部分を規準面として、規準面と加工部最大深さまでの距離の基準面から１０％の深さの部分で囲まれた部分の面積を求め、この面積値より円を仮定して求めた直径を相当径として定義する。この場合、本発明では相当径が１０ｎｍ以下の場合には、その凹みは凹凸が形成されていない平坦部分と見做して、凹みにはカウントしないこととする。また、このときの測定する凹み部分の数は、少なくとも１０個が適当であり、より好ましくは５０個以上、更に好ましくは１００個以上、最も好ましくは５００個以上である。具体的な測定方法としては、例えばＡＦＭで非接触モードで測定した形状測定結果の等高線図において、一番深い部分の深さｚ０を求め、このｚ０の１０％の値を０．１＊ｚ０とすると、各測定位置（ｉ，ｊ）での深さｚｉｊは、ｚｉｊ＝ｚｉｊ−０．１＊ｚ０で与えられる。このｚｊｉを用いて再度等高線図を表示させプリントアウトし、この出力図から既知の方法で前述した面積を求めることができる。なお、ＡＦＭ測定機から直接デジタルデータでデータ処理を行い、該面積を求めることも可能であり、全ての既存の手法を用いることができる。
以下、本実施形態に係る表面処理方法に適用する表面処理用マスク１０の詳細について説明する。なお、以下、符号は省略して説明する。
表面処理用マスクは、支持基板上に、高分子フィルムマスクと保護フィルムとが順次積層されて構成されている（図２参照）。つまり、表面処理用マスクは、高分子フィルムマスクと、当該高分子フィルムマスクを一方の面から支持する支持基板と、当該高分子フィルムマスクの他方の面を被覆して保護する保護フィルムと、で構成されている。
ここで、表面処理用マスクは、高分子フィルムマスクを有していれば、他の構成は任意の構成である。具体的に、例えば、高分子フィルムマスク自体が自己支持性を有すれば、表面処理用マスクは高分子フィルムマスクと保護フィルムとで構成してもよい。また、例えば、高分子フィルムマスクに対する、傷発生や付着物を考慮する必要もなければ、表面処理用マスクは高分子フィルムマスク単独で構成してもよい。
まず、高分子フィルムについて説明する。
高分子フィルムマスクは、例えば、結着樹脂と前記結着樹脂中に配合された有機色素粒子とを含んで構成される。高分子フィルムマスクは、その他添加物を含んで構成されてもよい。
高分子フィルムマスクの厚みは、例えば０．１μｍ〜５μｍであることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ〜２μｍである。
高分子フィルムマスクにおける被処理物に対する有機色素粒子の被覆率は、５％以上６０％未満であることが好ましく、より好ましくは１０％〜５０％であり、更に好ましくは２０％〜４０％である。当該被覆率は、凹凸加工するためのエッチングの領域の程度により選択されると共に、高分子フィルムマスクの強度（例えば、被処理基板から剥離する際の破損防止）の観点から上記範囲が好適である。
ここで、被処理基板表面の凹凸加工の仕様、即ちエッチング処理後の表面凹凸の直径（相当径）、深さ及び処理面積比率は、高分子フィルムマスクにおける有機色素粒子の被覆率と平均粒径によって任意に設計できる。
なお、被覆率とは、高分子フィルムマスクを被処理基板に貼り合わせた際、有機色素粒子が被処理基板を覆う割合、即ち、エッチング方向から見たとき、当該有機色素粒子が被覆基板に投影される面積の割合を示す。この被覆率は、次のようにして測定される。被処理基板に貼り合わせた後に走査型電子顕微鏡や光学顕微鏡を使いその表面を観察し、投影面積から算出することができる。なお、走査型電子顕微鏡を用いる場合は試料に表面処理を行わず、そのままで観察できることが好ましい。
高分子フィルムマスクを構成する結着樹脂としては、例えば、水溶性の高分子材料や有機溶剤可溶性高分子材料を用いることができるが、高分子フィルムマスクを製造する方式によっては、それぞれの高分子材料を形成している重合性モノマーを高分子フイルムマスクを構成するその他の成分と混合し、光や熱による重合反応により成膜化することができる。その重合性モノマーの例としては、（メタ）アクリル系モノマーとして、（メタ）アクリル酸Ｃ１〜Ｃ１２アルキルエステルや、これらと新和性のあるアクリル系改質剤として公知の化合物を併用することができる。アクリル系改質剤としては、例えばカルボキシ含有モノマーや酸無水物含有モノマーが挙げられる。これらの重合性モノマノマーは公知の重合方法で重合させることができ、重合に必要な開始剤や連鎖移動剤、オリゴマー材料や界面活性剤など、公知の材料から適宜選択できる。また、重合性モノマーの例としては、公知のエポキシ系モノマーやイソシアネート系モノマーが挙げられる。
より具体的には、結着樹脂としては、例えば、ガラス転移温度が−１００〜５０℃、数平均分子量が１，０００〜２００，０００、好ましくは５，０００〜１００，０００、重合度が約５０〜１０００程度のものが好適に挙げられる。このような例としては、塩化ビニル、酢酸ビニル、ビニルアルコール、マレイン酸、アクリル酸、アクリル酸エステル、塩化ビニリデン、アクリロニトリル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル、スチレン、ブタジエン、エチレン、ビニルブチラール、ビニルアセタール、ビニルエ−テル、等を構成単位として含む重合体又は共重合体、ポリウレタン樹脂、各種ゴム系樹脂、重量平均分子量が１０００００以下のポリビニルアルコール変性体などがある。
また、結着樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂も好適に挙げられる。熱硬化性樹脂又は反応型樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル系反応樹脂、ホルムアルデヒド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ−ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂とイソシアネートプレポリマーの混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアネートの混合物、ポリウレタン樹脂とポリイソシアネートの混合物等が挙げられる。これらの樹脂については朝倉書店発行の「プラスチックハンドブック」に詳細に記載されている。また、公知の電子線硬化型樹脂も使用することも可能である。以上の樹脂は単独又は組み合わせて使用できる。
ここで、上記ポリウレタン樹脂の構造はポリエステルポリウレタン、ポリエーテルポリウレタン、ポリエーテルポリエステルポリウレタン、ポリカーボネートポリウレタン、ポリエステルポリカーボネートポリウレタン、ポリカプロラクトンポリウレタンなど公知のものが使用できる。ここに示したすべてのポリウレタン樹脂については、より優れた分散性と耐久性を得るためには必要に応じ−ＣＯＯＭ、−ＳＯ３Ｍ、−ＯＳＯ３Ｍ、−Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）２、−Ｏ−Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）２、（以上につきＭは水素原子、又はアルカリ金属を示す。）、−ＮＲ２、−Ｎ＋Ｒ３（Ｒは炭化水素基）、エポキシ基、−ＳＨ、−ＣＮ、などから選ばれる少なくともひとつ以上の極性基を共重合又は付加反応で導入したものを用いることが好ましい。このような極性基の量は１０−１〜１０−８モル／ｇであり、好ましくは１０−２〜１０−６モル／ｇである。これら極性基以外にポリウレタン分子末端に少なくとも１個ずつ、合計２個以上のＯＨ基を有することが好ましい。ＯＨ基は硬化剤であるポリイソシアネートと架橋して３次元の網状構造を形成するので、分子中に多数含むほど好ましい。特にＯＨ基は分子末端にある方が硬化剤との反応性が高いので好ましい。ポリウレタンは分子末端にＯＨ基を３個以上有することが好ましく、４個以上有することが特に好ましい。
一方、ポリイソシアネートとしては、トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、ｏ−トルイジンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート等のイソシアネート類、また、これらのイソシアネート類とポリアルコールとの生成物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポリイソシアネート等が挙げられる。これらのイソシアネート類の市販されている商品名としては、日本ポリウレタン社製、コロネートＬ、コロネートＨＬ、コロネート２０３０、コロネート２０３１、ミリオネートＭＲ、ミリオネートＭＴＬ、武田薬品社製、タケネートＤ−１０２、タケネートＤ−１１０Ｎ、タケネートＤ−２００、タケネートＤ−２０２、住友バイエル社製、デスモジュールＬ、デスモジュールＩＬ、デスモジュールＮ、デスモジュールＨＬ等がありこれらを単独又は硬化反応性の差を利用して二つもしくはそれ以上の組み合わせで各層とも用いることができる。
結着樹脂のガラス転移温度は、５０℃以下であることが好ましく、より好ましくは−６０℃〜３０℃であり、より好ましくは−５０℃〜３０℃である。このガラス転移温度は、高分子フィルムマスク（表面処理用マスク）に対する保存性や、凹凸加工の際の取り扱い性、そして被処理基板との密着性を向上させる観点から上記範囲が好適である。
ここで、ガラス転移温度は、高分子フイルムマスク材料を試料とし、公知の熱分析装置や機械特性測定装置を用いて測定することができるが、動的粘弾性測定機でベンディングモード、測定周波数を１Ｈｚとし、５℃／分の昇温速度で測定することが好ましい。
高分子フィルムマスクを構成する有機色素粒子としては、エッチング耐性を持つものであれば、特に制限はなく、例えば、有機染顔料粒子や、有機色素を内包するカプセル粒子が挙げられる。
有機染顔料粒子としては、アゾ化合物、アゾ化合物と金属イオンとの錯体化合物、フタロシアニン化合物、金属元素含有フタロシアニン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、オキソノール化合物、スチリル化合物、アントラキノン化合物、等が挙げられる。またこれらの構造規定はできないが、「工業用色素の技術と市場」（株式会社シーエムシー、昭和５３年発行）や、「色材工学ハンドブック」（色材協会編、朝倉書店、1989年刊）に記載されている種々の色素が挙げられる。これらの色素のうち、エッチング耐性が高いものとしては、分子内に環構造を有しているもの、酸素元素比率が少ないもの、あるいは金属等の重元素を含むもの好適に挙げられる。
有機色素を内包するカプセル粒子としては、色素を有機液体に溶解しポリウレタン樹脂で被覆するなどしてカプセル化することができるが、該カプセルの中で色素が析出して内包されていることが好ましい。
有機色素粒子の比重は塗布液中での沈降を起こさない為には２．０以下であることが好ましいが、より好ましくは１．8以下、最も好ましくは１．６以下である。
有機色素粒子の平均粒径は、１μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．０５μｍ〜１．０μｍである。この平均粒径は、高分子フィルムマスクを薄膜化する観点から上記範囲が好適である。
ここで、有機色素粒子の平均粒径は、動的光散乱法で得られる粒子径を意味し、その測定方法は以下の通りである。動的光散乱法では、サブミクロン域以下の粒子径・粒子径分布の測定が可能であり、測定しようとする粒子もしくはその分散液を媒体中で超音波照射するなどの公知の方法で分散し、これをい適宜希釈したうえで測定試料とする。動的光散乱法で得られる粒子径の累積度数曲線において累積度数が５０％の粒子径を平均粒径とし、同様にして累積度数１０％の粒子径の９０％の粒子径に対する比率を粒径分布の指標とすることができる、このような原理を採用している測定装置としては、例えば堀場製作所製のＬＢ−５００等が挙げられる。
有機色素粒子の粒度分布は、２〜５０であることの好ましく、より好ましくは２〜１０である。この粒度分布を上記範囲とすることで、最大平均粒径が大きくなりすぎず、平坦な高分子フイルムマスク層が得られ易く、均一な表面処理が実現され易くなる。
結着樹脂の配合量は、上記被覆率や有機色素粒子の分散性に応じて適宜設定されるが、例えば、有機色素粒子に対して５重量％〜５０重量％が好ましく、より好ましくは１０重量％〜３０重量％である。
高分子フィルムマスクを構成する、その他の添加物としては、有機色素粒子を安定に分散させることができる分散剤や、支持基板や保護膜との接着力を調整する剥離剤、製造時における塗布液の粘度や表面張力を調整する界面活性剤及び溶媒などが挙げられる。
特に分散剤としては、フェニルホスホン酸、具体的には日産化学（株）社の「ＰＰＡ」など、αナフチル燐酸、フェニル燐酸、ジフェニル燐酸、ｐ−エチルベンゼンホスホン酸、フェニルホスフィン酸、アミノキノン類、各種シランカップリング剤、チタンカップリング剤、フッ素含有アルキル硫酸エステル及びそのアルカリ金属塩、などが使用できる。また、アルキレンオキサイド系、グリセリン系、グリシドール系、アルキルフェノールエチレンオキサイド付加体、等のノニオン界面活性剤、環状アミン、エステルアミド、第四級アンモニウム塩類、ヒダントイン誘導体、複素環類、ホスホニウム又はスルホニウム類等のカチオン系界面活性剤、カルボン酸、スルフォン酸、燐酸、硫酸エステル基、燐酸エステル基、などの酸性基を含むアニオン界面活性剤、アミノ酸類、アミノスルホン酸類、アミノアルコールの硫酸又は燐酸エステル類、アルキルベダイン型、等の両性界面活性剤等も使用できる。これらの界面活性剤については、「界面活性剤便覧」（産業図書株式会社発行）に詳細に記載されている。これらの潤滑剤、帯電防止剤等は必ずしも１００％純粋ではなく、主成分以外に異性体、未反応物、副反応物、分解物、酸化物等の不純分が含まれてもかまわない。これらの不純分は３０％以下が好ましく、さらに好ましくは１０％以下である。本発明は脂肪酸エステルとしてＷＯ９８／３５３４５号パンフレットに記載のようにモノエステルとジエステルを組み合わせて使用することも好ましい。
また、高分子フィルムマスクと支持基板との間に、厚さが１５μｍ未満（好ましくは５μｍ未満）の熱可塑性樹脂層を有することが好ましい。つまり、高分子フィルムマスクを構成する結着樹脂と支持基板との間に、熱可塑性樹脂を介在させることが好ましい。この熱可塑性樹脂層を構成する好ましい熱可塑性樹脂の例として、高分子フィルムマスクを構成する結着樹脂の例が挙げられるが、好ましいガラス転移温度としては、高分子フィルムマスクを構成する結着樹脂のガラス転移温度より１０℃〜５０℃高いことが好ましい。このガラス転移温度が上記範囲であることにより、被処理基板への圧接工程で中間層である熱可塑性樹脂層にひびや割れ等の欠陥が生成し難くなり、また、熱可塑性樹脂層が支持基板から剥離し易くなる。また、熱可塑性樹脂層の厚みは上記範囲内とすることで、エッチング工程での処理時間の増加による生産性の悪化が抑制される。
次に、支持基板について説明する。
支持基板としては、例えば、樹脂フィルムが適用される。この樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエステル（例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなど）、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド等、又はこれらの混合物から成形された樹脂フィルムが挙げられる。また、支持基板の高分子フイルムマスクが形成される側の表面は、適宜界面エネルギーを制御することで高分子フイルムマスクの剥離力を最適化でき、その具体例としてはシリコン系剥離剤層を形成することが好ましく、シリコン系界面活性剤を塗布するか、電離放射線重合型シリコンモノマーの塗布硬化層やオルガノシロキサンポリマーの塗布層を挙げることができる。また同様にフッ素系界面活性剤を塗布することによる界面エネルギーの制御も例示することができる。
支持基板の厚みとしては、３０μｍ〜３００μｍが好ましく、より好ましくは５０μｍ〜１００μｍである。この厚みは、表面処理用マスクに自己支持性を付与する共に、保管際や、被処理基板への貼り合わせる際の取り扱い性を向上させる観点から上記範囲がよい。
支持基板と高分子フィルムマスクとの接着力は、高分子フィルムマスクと被処理基板との接着力（支持基板を高分子フィルムマスクから剥離するときの接着力）よりも低いことがよい。これにより、支持基板を高分子フィルムマスクから剥離する際、当該高分子フィルムマスクが被処理基板から剥離することを抑制する。
支持基板と高分子フィルムマスクとの接着力として具体的には、５Ｎ／１０ｍｍ以下であること好ましく、より好ましくは０．０１Ｎ／１０ｍｍ〜１Ｎ／１０ｍｍであり、さらに好ましくは０．０５Ｎ／１０ｍｍ〜１Ｎ／１０ｍｍである。
ここで、接着力は、ＪＩＳやＡＳＴＭで規定されている方法、いわゆる１８０度剥離法、で測定することができ、基体上に設けられた層を角度１８０度、速度６ｉｎ／ｍｉｎ（約１５２．４ｍｍ／ｍｉｎ）で引き剥がしたとき、層が付着している単位幅あたりの剥離に必要な平均荷重を言う（ＡＳＴＭ Ｄ−９０３）。
次に、保護フィルムについて説明する。
保護フィルムとしては、脂肪属系ポリマーや芳香族系ポリマーからなる高分子膜が用いられ、ポリエチレンやポロピレン膜、ポリエチレンテレフタレート膜が挙げられる。この高分子膜は単独であっても、あるいは更に粘着剤と呼ばれるアクリル系材料やゴム系、エチレンビニルコポリマー等の高分子材料を塗布した層を付与することができる。
保護フイルムの厚みとしては、３０μｍ〜１００μｍが好ましく、より好ましくは４０μｍ〜７０μｍである。この厚みは、高分子フィルムマスクの被処理基板への貼り合せ面を保護すると共に、被処理用マスクの取り扱い性を向上させる観点から上記範囲がよい。
保護フィルムと高分子フィルムマスクとの接着力は、高分子フィルムマスクと支持基板との接着力（保護フィルムを高分子フィルムマスクから剥離するときの接着力）よりも低いことがよい。これにより、保護フィルムを高分子フィルムマスクから剥離する際、当該高分子フィルムマスクが被処理基板から剥離することを抑制する。
当該保護フィルムと高分子フィルムマスクとの接着力として具体的には、５Ｎ／１０ｍｍ以下であること好ましく、より好ましくは０．０１Ｎ／１０ｍｍ〜１Ｎ／１０ｍｍであり、さらに好ましくは０．０５Ｎ／１０ｍｍ〜１Ｎ／１０ｍｍである。なお、保護フイルムが高分子フイルムマスクに接着させずにいわゆる「合紙」としてはさみこんであるだけの場合は、接着力は実質的にゼロとなる。
以上説明した表面処理用マスクは、図３（Ａ）に示すように、ロール状に巻かれた状態で、保管・取引・使用してもよいし、図３（Ｂ）に示すように、シート状の積層状態で保管・取引・使用してもよい。
なお、本実施形態に係る表面処理方法（表面処理用マスク）は、例えば、次に挙げる凹凸加工に好適に適用される。
１）太陽電池、ＬＥＤ、フラットパネルディスプレイなどの光学デバイスの分野において、光の透過する界面の屈折率差が大きい場合に生じる反射現象を抑制する目的で、エッチング処理により光が透過する基板面に凹凸を形成する凹凸加工
２）半導体装置の分野において、薄膜と基板との密着性が不十分であることに起因する薄膜の剥れを抑制するため、アンカー効果を狙って、基板面に凹凸を形成する凹凸加工
特に、光学デバイスの分野に適用する場合、凹凸が形成される被処理物（基板）の表面（処理面）は、光学デバイス光入射面であることがよい。これにより、光学デバイスの反射現象が効率良く抑制される。そして、上記の如く、本実施形態に係る表面処理方法をにより処理された被処理物を備えた光デバイスとして代表的なものが、当該被処理物としての基板を有する太陽電池が好適に挙げられる。当該太陽電池は、本実施形態に係る表面処理方法により処理された基板を備える以外、公知の構成、例えば、当該基板と一対の電極と一対の電極間に配設される光起電力層とを備える構成とする。
以下、本発明を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。ただし、これら各実施例は、本発明を制限するものではない。
（実施例１）
まず、次のようにて、表面処理用マスクを作製する。
大きさ３００×５００ｍｍで、厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート製基板（ＰＥＴ基板）を準備する。このＰＥＴ基板の下記樹脂組成物１の塗布される側の面に、ノニオン系のパーフルオロアルキル基含有界面活性剤の酢酸エチル溶液をロッドバーで塗布乾燥した。そして、下記樹脂組成物１をＰＥＴ基板上へ塗布して、５０℃で加熱して、厚み１．５μｍの高分子フィルムマスク（銅フタロシアニン粒子が配合・分散されたポリウレタンウレアフィルム）を形成する。
−樹脂組成物１−
アルドリッチ製 ポリプロピレングリコール１０００： ５重量部、銅フタロシアニン粒子（平均粒径０．２６μｍ、粒度分布４．０、比重１．５７）： １０重量部、分散剤（フェニルスルホン酸）： ０．３重量部、及び、溶剤としてメチルエチルケトン： ６０重量部を混合し、ニーダーで混錬した後、サンドミルを用いて分散させた。得られた分散液にイソシアネート化合物（商品名三井武田ケミカル（株）製 タケネートＤ１１０−Ｎ）： ５重量部と溶剤としてシクロヘキサノン：２０重量部とを混合し、塗布液とした。この塗布液を樹脂組成物１とした。
この樹脂脂組成物１をＰＥＴ基板の上にロッドバーを用いて乾燥膜厚が１．５μｍになるように塗布し、５０℃で３分乾燥させた後、塗布乾燥面にＰＥＴ基板を静かに貼り合わせ、更に室温で２日保存した。保存後の残存イソシアネート量をＦＴ−ＩＲ分光測定機で赤外吸収スペクトルを測定したが、イソシアネート起因の吸収は観察されなかった。また高分子フィルムマスクとＰＥＦ基板をそのまま動的粘弾性測定を行った結果、１０℃付近にブロードな損失正接の極大を観測したことから、Ｔｇは約１０℃と推定した。
なお、得られた表面処理用マスクは、高分子フィルムマスクの粒子の被覆率が約２０％であり、高分子フィルムマスクと支持基板との接着力が、約１．０Ｎ／１０ｍｍであった。
そして、得られた表面処理用マスクを用いて、以下のようにして表面処理を行い、シリコン基板（被処理物：直径１００ｍｍ、厚み０．３ｍｍ）の表面に対して凹凸加工を施した。
まず、表面処理用マスクをシリコン基板表面に、高分子フィルムマスクがシリコン基板と対向するように積層する。次に、表面処理用マスクが積層されたシリコン基板をラミネート装置に挿入し、真空減圧（５０ｈＰａ）、温度５０℃の条件で、挟持ロールにより挟持して、表面処理用マスク（高分子フィルムマスク）とシリコン基板とを圧接する。その後、支持基板を高分子フィルムマスクから剥離し、当該高分子フィルムマスクをシリコン基板表面に貼り合わせる。
次に、高分子フィルムマスクが貼り合わされたシリコン基板を、ＳＦ６ガス存在下、１５０Ｗで３０秒間ドライエッチング処理をした。その後、チッソガスでパージした後、酸素ガスを導入し、３００Ｗで３０秒間、酸素プラズマによる表面処理を行った。シリコン基板表面を走査型電子線顕微鏡観察及びＡＦＭ観察したところ、シリコン基板の表面に、直径（シリコン基板表面の凹凸形状の全個数を基準として少なくとも６０％の相当径、以下同様）０．５μｍ程度、深さ０．２μ程度の凹凸構造が認められた。
（実施例２）
実施例１と同様の方法でシリコン基板表面に高分子フイルムマスクを積層し、ＳＦ６ガス存在下、１５０Ｗで６０秒間ドライエッチング処理したほかは実施例１と同様の方法で表面処理を行い、直径（相当径）０．５μｍ程度、深さ０．５μｍ程度の凹凸構造が認められた。
（実施例３）
実施例１と同様の方法でシリコン基板表面に高分子フイルムマスクを積層し、ＳＦ６ガス存在下、１５０Ｗで９０秒間ドライエッチング処理したほかは実施例１と同様の方法で表面処理を行い、直径（相当径）１μｍ程度、深さ１μｍ程度の凹凸構造が認められた。
（実施例４）
実施例１において樹脂組成物１を５０重量部、シクロヘキサノンを１１０重量部用いたほかは実施例１と同様の方法でシリコン基板表面に高分子フイルムマスクを積層し、ＳＦ６ガス存在下、１５０Ｗで６０秒間ドライエッチング処理して表面処理を行い、直径（相当径）０．２μｍ程度、深さ０．４μｍ程度の凹凸構造が認められた。
（実施例５）
まず、次のようにて、表面処理用マスクを作製する。
実施例１同等のＰＥＴ基板を準備する。そして、下記樹脂組成物２をＰＥＴ基板上へ塗布して、高圧水銀灯照射機でチッソガス雰囲気下、波長３６５ｎｍでの積算光量が２０００ｍＪ／ｃｍ２になるように紫外線を照射して、厚み１．５μｍの高分子フィルムマスク（酸化チタン粒子が配合分散されたポリメチルメタクリレートフィルム）を形成する。このようにして、表面処理用マスクを作製した。
−樹脂組成物２−
・紫外線硬化性樹脂（ライトアクリレート１，６−ＨＸ−Ａ ５０重量部、ＴＭＰ−Ａ ２５重量部、ＤＣＰ−Ａ ２５重量部（以上、共栄社化学（株）製の付加重合成不飽和モノマー）、及び開始剤としてダロキュア１１７３（チバガイギー社製） ７．５重量部を混合、硬化後（ポリメチルメタクリレート）のガラス転移温度３０℃）：９重量部
・銅フタロシアニン粒子（平均粒径０．２６μｍ、粒度分布４．０、比重１．５７）： １０重量部
・分散剤（フェニルスルホン酸）： ０．６重量部
・溶剤（メチルエチルケトン）： １００重量部
なお、得られた表面処理用マスクは、高分子フィルムマスクの粒子の被覆率が５６％であり、高分子フィルムマスクと支持基板との接着力が１Ｎ／１０ｍｍであった。
そして、得られた表面処理用マスクを用いて、ラミネート時の温度を８０℃、ドライエッチング時間を６０秒で行ったほかは実施例１と同様にしてシリコン基板の表面に対して凹凸加工を施した。
（実施例６）
樹脂組成物１の銅フタロシアニン粒子の代わりに、Ｃ．Ｉ． Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ ２２を用いたほかは実施例１と同様の方法でシリコン基板表面に高分子フイルムマスクを積層し、表面処理を行い、直径（相当径）１μｍ程度、深さ０．５μｍ程度の凹凸構造が認められた。
（実施例７）
樹脂組成物１の銅フタロシアニン粒子の代わりに、下記構造式で示されるオキソノール色素粒子を用いたほかは実施例１と同様の方法でシリコン基板表面に高分子フイルムマスクを積層し、表面処理を行い、直径（相当径）１μｍ程度、深さ０．５μｍ程度の凹凸構造が認められた。
Figure 2010027802
（実施例８）
下記樹脂組成物３をロッドバーでノニオン系のパーフルオロアルキル基含有界面活性剤を塗布していないＥＰＴ基板上に厚み５μｍになるように塗布し、実施例５と同様にＰＥＴ基板上へ塗布して、高圧水銀灯照射機でチッソガス雰囲気下、波長３６５ｎｍでの積算光量が２０００ｍＪ／ｃｍ２になるように紫外線を照射して、厚み１．５μｍの樹脂組成物層（熱可塑性樹脂層）を得た。このうえに更に樹脂組成物２を実施例５と同様に塗布、硬化して厚み１．５μｍの高分子フィルムマスク（酸化チタン粒子が配合分散されたポリメチルメタクリレートフィルム）を形成した。得られた表面処理用マスクを用いて、ラミネート時の温度を８０℃、ドライエッチング時間を６０秒で行ったほかは実施例１と同様にしてシリコン基板の表面に対して凹凸加工を施した。
―樹脂組成物３−
・紫外線硬化性樹脂（ライトアクリレート１，６−ＨＸ−Ａ ４０重量部、ＴＭＰ−Ａ ３５部、ＤＣＰ−Ａ ２５重量部（以上、共栄社化学（株）製）、及び開始剤としてダロキュア１１７３（チバガイギー社製） ７．５重量部を混合、（硬化後ポリメチルメタクリレートのガラス転移温度４０℃）：９重量部
・溶剤（メチルエチルケトン）： １００重量部
本発明による表面処理方法の一実施形態を説明する工程図である。 本発明による表面処理用マスクの一実施形態に係る概略構成図であり、（Ａ）が平面図、（Ｂ）が断面図（Ａ−Ａ断面図）を示す。 図２の表面処理用マスクの保管形状を説明する斜視図であり、（Ａ）はロール状のものを、（Ｂ）はシート状に積層したものを示す。
符号の説明
１０ 表面処理用マスク
１１ 支持基板
１２ 高分子フィルムマスク
１２Ａ 結着樹脂
１２Ｂ 有機色素粒子
１３ 保護フィルム
２０ 被処理基板
３０ ラミネート装置
３１ 挟持ローラ

Claims (17)

  1. 被処理物の表面に凹凸を形成するための表面処理方法であって、
    結着樹脂と前記結着樹脂中に配合された有機色素粒子とを含んで構成される高分子フィルムマスクを、被処理物の表面に貼り合わせる貼り合わせ工程と、
    前記高分子フィルムマスクが貼り合わせられた前記被処理物の表面に対し、エッチング処理を施し、前記被処理物の表面に凹凸を形成するエッチング工程と、
    を有することを特徴とする表面処理方法。
  2. 前記高分子フィルムマスクにおける前記被処理物に対する前記有機色素粒子の被覆率が、５％以上６０％未満であることを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
  3. 前記結着樹脂のガラス転移温度が、５０℃以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理方法。
  4. 前記高分子フィルムマスクの一方の主面が支持基板に支持されてなり、
    前記エッチング工程が前記高分子フィルムマスクを被処理物の表面に前記主面とは反対側の表面が対向するように貼り合わせた後、当該支持基板を前記高分子フィルムマスクから剥離することを含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の表面処理方法。
  5. 前記高分子フィルムマスクと前記支持基板との接着力が、２５℃で５Ｎ／１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の表面処理方法。
  6. 前記高分子フィルムマスクと支持基板との間に、厚さが１５μｍ未満の熱可塑性樹脂層を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の表面処理方法。
  7. 前記高分子フィルムマスクの他方の主面が保護フィルムで被覆されてなり、
    前記高分子フィルムマスクを被処理物の表面に貼り合わせ工程前に、当該保護フィルムを前記高分子フィルムマスクから剥離することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の表面処理方法。
  8. 前記高分子フィルムマスクを被処理物の表面に貼り合わせ工程が、真空減圧条件下と前記結着樹脂のガラス転移温度よりも高い温度条件下との少なくとも一方の条件下で、ローラにより前記高分子フィルムマスクと前記被処理物とを挟持して貼り合わせる工程であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の表面処理方法。
  9. 前記エッチング処理が、ドライエッチング処理であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の表面処理方法。
  10. 前記被処理物の表面の凹凸形状の全個数を基準として少なくとも６０％の相当径が、２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の表面処理方法。
  11. 凹凸を形成する前記被処理物の表面が、光学デバイスの光入射面であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の表面処理方法。
  12. 被処理物の表面に凹凸を形成するための表面処理用マスクであって、
    結着樹脂と前記結着樹脂中に配合された有機色素粒子とを含んで構成される高分子フィルムマスクを有することを特徴とする表面処理方法用マスク。
  13. 前記高分子フィルムマスクの一方の主面を支持する支持基板を有することを特徴とする請求項１２に記載の表面処理用マスク。
  14. 前記高分子フィルムマスクと支持基板との間に、厚さが１５μｍ未満の熱可塑性樹脂層を有することを特徴とする請求項１３に記載の表面処理用マスク。
  15. 前記高分子フィルムマスクの他方の主面を被覆する保護フィルムを有することを特徴とする請求項１３又は１４に記載の表面処理用マスク。
  16. ロール状、又はシート状であることを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の表面処理用マスク。
  17. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の表面処理方法により表面処理された被処理物としての基板を有する光学デバイス。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022031428A (ja) * 2014-06-06 2022-02-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI425643B (zh) * 2009-03-31 2014-02-01 Sony Corp 固態攝像裝置及其製造方法、攝像裝置和抗反射結構之製造方法
US20140319524A1 (en) * 2011-12-09 2014-10-30 University Of Florida Research Foundation, Inc. Substrates having a broadband antireflection layer and methods of forming a broadband antireflection layer
US9306137B2 (en) 2012-04-26 2016-04-05 Toray Industries, Inc. Method of producing crystalline substrate having concave-convex structure
JP6723689B2 (ja) * 2014-05-16 2020-07-15 ローム株式会社 チップ部品およびその製造方法、ならびにそれを備えた回路アセンブリおよび電子機器
WO2018035091A1 (en) 2016-08-15 2018-02-22 University Of Florida Research Foundation, Inc. Methods and compositions relating to tunable nanoporous coatings
US11467094B2 (en) 2017-05-17 2022-10-11 University Of Florida Research Foundation, Inc. Methods and sensors for detection
CN107216824B (zh) * 2017-07-20 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 一种胶带及其制备方法
US11480527B2 (en) 2017-12-20 2022-10-25 University Of Florida Research Foundation, Inc. Methods and sensors for detection
WO2019126171A1 (en) 2017-12-21 2019-06-27 University Of Florida Research Foundation Substrates having a broadband antireflection layer and methods of forming a broadband antireflection layer
WO2019246370A1 (en) 2018-06-20 2019-12-26 University Of Florida Research Foundation Intraocular pressure sensing material, devices, and uses thereof

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001277200A (ja) * 2000-03-30 2001-10-09 Toshiba Corp 微細加工装置
JP4268547B2 (ja) * 2004-03-26 2009-05-27 三菱電機株式会社 太陽電池用基板の粗面化方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022031428A (ja) * 2014-06-06 2022-02-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法

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