JP2010027177A - ライトストラテジ決定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光ディスク装置にとってライトストラテジが未知の、複数の種類の異なる光ディスクに対し、最適なライトストラテジを簡単に、且つ正確に決定することができるライトストラテジ決定方法を提供する。
【解決手段】未知の光ディスクに対し、ベースライトストラテジとなるパルス削減率、ＰｏＰｍ比、および付加パルス幅を変えた異なるライトストラテジでＯＰＣ処理を行い、最適記録パワー値を決定し、決定された最適記録パワーを所定の値だけ増減させた記録パワーにおいて、Ｄ２Ｃジッターの構成要素を評価して最適な前記ベースライトストラテジを決定し、最適なベースライトストラテジを基にエッジポジションの調整を行うことにより、ライトストラテジを最適化する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、光ディスク装置のメモリに記憶されるライトストラテジに係り、詳しくは、光ディスク装置にとってライトストラテジが未知の、複数の種類の異なる光ディスクに対し、最適なライトストラテジを簡単に、且つ正確に決定することができるライトストラテジ決定方法に関する。

光ディスク装置開発プロセスにおいて、光ディスク装置にとってライトストラテジ（ＷＳＴ）が未知の、複数の種類の異なる光ディスクに対し、光ディスク装置のメモリに記憶すべき最適なＷＳＴを、簡単に、且つ正確に決定する必要がある。ＤＶＤ±Ｒ系の光ディスクのライトストラテジ・パラメータ（ＷＳＴパラメータ）として代表的なものとして、（ｎ−ｋ）Ｔ等のパルス削減率、ＰｏＰｍ比、エッジポジション、および付加パルス幅がある。図１は、この代表的なＷＳＴパラメータを示したパルスパターンである。図１ａは、（ｎ−ｋ）Ｔ等のパルス削減率を示し、書き込みパルスは、リファレンスパルスの後エッジに対し、後エッジを１Ｔだけ削減したパルス列になっている。

図１ｂは、ＰｏＰｍ比を示し、トップパワーが１００に対しミドルパワーが８０であると、ＰｏＰｍ比は１．２５となる。図１ｃは、エッジポジションを示し、着目するエッジを挟むマーク、スペースの種類により、エッジ位置を最適化するものである。図１ｄは、付加パルス幅を示し、書き込みパルスの前、後端に付加的に加えられるパルス幅であって、第１パルス幅、および第２パルス幅で示される。

これらのＷＳＴパラメータのうち、エッジポジション以外は、明確な設定方法が確立していない。このため、多くの場合、複数の（ｎ−ｋ）Ｔのパルス削減率、およびＰｏＰｍ比の値をマトリクスで変えたものをベースＷＳＴとしてエッジポジションの最適化を行い、このＷＳＴでパワーマージン評価をして、マージンやジッターボトムが良好となるＷＳＴをベストＷＳＴと決定してきた。この方法では、全ての（ｎ−ｋ）Ｔのパルス削減率、およびＰｏＰｍ比の組み合わせについてエッジポジション調整を行う必要があり、更に決定したＷＳＴでパワーを振って評価を行う必要もあり、膨大な手間がかかった。従って、未知の光ディスクに対し、ベストＷＳＴの設定を実記録時に行うことは不可能であった。

上記によるマージンやジッターボトムが良好となるＷＳＴをベストＷＳＴとして決定することの困難性について、次に説明する。図２は、未知の光ディスクに対し、パルス削減率の異なるベースストラテジでＯＰＣ（Ｏｐｔｉｍｕｍ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）処理を行い、最適記録パワーＰｏを決定し、決定された適記録パワーＰｏでのＤ２Ｃジッターの変動を示すパワーマージン評価図である。図２ａにおいて、ＰｏＰｍ比を１．３に固定し、示された（ｎ−ｋ）Ｔのパルス削減率の４つの値に対する、Ｄ２Ｃジッターの変動がプロットされている。図２ｂにおいて同様に、ＰＩエラーの変動がプロットされている。これらによると、Ｄ２Ｃジッターの違いは出るもののその値は非常に悪く、またＰＩエラーではエラー数に問題があり、どのパルス削減率がベストであるかは判断できない。

図３は、β＝−２％となるＰｏで全てのベースＷＳＴについてエッジポジションの最適化調整を行い、調整後のＷＳＴでパワーマージンを評価したパワーマージン評価図である。図３ａ、ｂにおいて、大幅にＤ２ＣジッターおよびＰＩエラーの改善が図られており、エッジポジションの最適化の効果が明確に見られる。どのパルス削減率が最適かの判断は、微妙であるが、例えば、ジッターボトム値やマージンから、（ｎ−１．５Ｔ）が最適といえる。

特許文献１には、ＷＳＴパラメータをマトリクスで振って記録し、その記録品位から最適ＷＳＴを決定する旨の記載がある。ところがこの方法は、全てのＷＳＴパラメータをマトリクスで変化させて評価を行うため、膨大な手間が掛かる。また、ＷＳＴパラメータを振って記録し、特定のパワーだけのジッターを評価するだけでは、ピンポイントでのジッターの小さいＷＳＴは決定できるが、パワーマージンが狭い危険性がある。この対策としてパワーマージンまで評価するとなると、更に手間が増大することになる。特許文献２には、光ディスクに記録された推奨ＷＳＴを起点にして最適ＷＳＴを求める旨の記載がある。この方法は、ディスクに記録されたＷＳＴが必ずしも信用できるものでない場合、推奨ＷＳＴから離れたＷＳＴについては評価できない問題がある。
特開２００７−２８７２２９号公報 特開２００８−１６１６４号公報

本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、光ディスク装置にとってライトストラテジが未知の、複数の種類の異なる光ディスクに対し、最適なライトストラテジを簡単に、且つ正確に決定することができるライトストラテジ決定方法を提供することにある。

本発明のライトストラテジ決定方法は、事前に光ディスク装置に記憶するための、光ディスク装置にとっては未知の光ディスクに対応した最適なライトストラテジを決定するライトストラテジ決定方法であって、ベースライトストラテジとなるパルス削減率、ＰｏＰｍ比、および付加パルス幅を変えた異なるライトストラテジで、未知の光ディスクにＯＰＣ処理を行い、最適記録パワーを決定し、決定された最適記録パワーを所定の値だけ増減させた記録パワーにおいて、所定のデータを未知の光ディスクに書き込み、書き込まれた所定のデータを読み出して、Ｄ２Ｃジッターの構成要素のパワーマージンもしくは構成要素ジッターの平均値を求め、パワーマージンもしくはジッター平均値を基に最適なベースライトストラテジの各々のパラメータを決定し、この最適なベースライトストラテジを基にエッジポジションの調整を行うことにより、ライトストラテジを最適化することを特徴とする。これにより、ライトストラテジが未知の、複数の種類の異なる光ディスクに対し、最適なライトストラテジを簡単に、且つ正確に決定することができる。

本発明のライトストラテジ決定方法の構成要素ジッターは、３ＴＭ−３ＴＳで挟まれるエッジのコンポーネントジッター、またはこの平均値であることを特徴とする。これにより、未知の光ディスクのＷＳＴの潜在的な実力を、より正確に判断することが可能となる。

本発明のライトストラテジ決定方法の構成要素ジッターは、３ＴＭ−３ＴＳおよび３ＴＳ−３ＴＭ間のユニットデビエーションであることを特徴とする。これにより、未知の光ディスクのＷＳＴの潜在的な実力を、より正確に判断することが可能となる。

本発明のライトストラテジ決定方法の構成要素ジッターは、総エレメントデビエーションであることを特徴とする。これにより、未知の光ディスクのＷＳＴの潜在的な実力を、より正確に判断することが可能となる。

本発明によれば、光ディスク装置にとってライトストラテジが未知の、複数の種類の異なる光ディスクに対し、最適なライトストラテジを簡単に、且つ正確に決定することができるライトストラテジ決定方法を提供することができる。

本発明による、エッジポジションの調整を行わず、且つ多数のパワーの調整をも行わないで最適ベースＷＳＴを見つける方法を説明する。本発明による方法は、未知の光ディスクに対しＯＰＣ処理により最適記録パワーＰｏを決定し、決定された最適記録パワーＰｏでのＷＳＴの各パラメータに対し、要素ジッターのパワーマージンを評価し、最適ベースＷＳＴを求める方法を基本とする。つぎに、これについて説明する。

最初に、光ディスク装置に記憶するための、光ディスク装置にとっては未知の光ディスクに対しベースＷＳＴとなるパルス削減率、ＰｏＰｍ比、および付加パルス幅を変えた異なるＷＳＴで、ＯＰＣ処理を行い、最適記録パワーＰｏを決定する。つぎに、決定された最適記録パワーＰｏと、Ｐｏを所定の値だけ増減させた記録パワーＰｏ±ΔＰの３つのパワーにおいて、所定のデータを未知の光ディスクの書き込み領域に書き込み、書き込まれた所定のデータを読み出して、Ｄ２Ｃジッターの所定の構成要素におけるパワーマージンもしくは構成要素ジッターの平均値を求める。Ｄ２Ｃジッターの各構成要素については、以下で詳しく説明する。

つぎに、求めたパワーマージンを基に、最適なベースＷＳＴの各々を決定する。つぎに、決定された最適なベースＷＳＴを基に、エッジポジションの調整を行うことにより、最終的にＷＳＴを最適化する。またこの場合、ＯＰＣにより求められたＰｏとＰｏ±ΔＰの３つのパワーでの記録を行い、この３点の構成要素ジッターのパワーマージンを比較することで、最適なベースＷＳＴを決定したが、Ｐｏ−ΔＰとＰｏ＋ΔＰによる２点の平均であっても良い。

図４は、本発明による構成要素ジッターの変動を示すパワーマージン図である。図４において、最適記録パワーＰｏでのパルス削減率をパラメータとし、記録速度＝Ｘ１６、ＰｏＰｍ比＝１．３の場合のβの変化に対する構成要素ジッターとして、３ＴＭ−３ＴＳおよび３ＴＳ−３ＴＭ間のＤ２Ｃジッターの平均がプロットされている。これによると、パラメータ（ｎ−１．５Ｔ）のパルス削減率のマージンが最も広いことが、簡単明瞭に示される。

これは、一般にＤ２Ｃジッターは、構成要素ジッターの合成として表されるため、構成要素ジッターが良好であってもその中心値がバラツクと合成後のＤ２Ｃジッターが悪化する。このため評価の対象としてエッジポジション調整前のＤ２Ｃジッターを用いることは、適切でない。これに対しＤ２Ｃジッターの構成要素を単独に評価することで、未知のＷＳＴが持つ潜在的な実力を、簡単明瞭に判断することが可能となる。つまり、エッジポジション調整を行うことなく最適なベースＷＳＴを決定できるため、これを基にエッジポジション調整を行うことにより、最終的にＷＳＴの最適化が可能となる。

次に、Ｄ２Ｃジッターの構成要素を具体的に示すコンポーネントジッター、ユニットデビエーション、および総エレメントデビエーションについて説明する。Ｄ２Ｃジッターの構成要素としてこれらを使い分けることにより、より高い記録品位を得ることが可能となる。図５は、コンポーネントジッターを示すジッター構成図である。図５ａに示される３３ＳＭコンポーネントジッターは、図５ｂにおいて、着目する３Ｔスペースと３Ｔマークとに挟まれたエッジと、クロックエッジとの偏差Ｘ３３のジッターを示している。コンポーネントジッターの計算式は図５ｃで表され、各パターンのエッジについて計算し、それぞれのコンポーネントジッターを求めることができる。

図６は、ユニットデビエーションを示すジッター構成図である。図６ａに示される３３ＳＭユニットデビエーションは、図６ｂにおいて、着目するエッジの両側を３Ｔスペースと３Ｔマークに固定して、更にその先の前後４種類のマーク、スペースの組み合わせによる分布の平均値が、着目するジッターに寄与する成分となっている。ユニットデビエーションの計算式は図６ｃで表され、各パターンについて計算し、それぞれのユニットデビエーションを求めることができる。

図７は、総エレメントデビエーションを示すジッター構成図である。図７ａに示される総エレメントデビエーションは、図７ｂにおいて、全てのエッジについて、その前後４種類のマーク、スペースの組み合わせにおける要素成分の平均値のバラツキを示す成分となっている。総エレメントデビエーションの計算式は図７ｃで表される。

以上説明したように、本発明によると、光ディスク装置にとってライトストラテジが未知の、複数の種類の異なる光ディスクに対し、最適なライトストラテジを簡単に、且つ正確に決定することができるライトストラテジ決定方法を提供することができる。エッジポジションを調整することなく最適なベースＷＳＴを設定できるため、光ディスクの使用量が大幅に減り、且つ調整時間を１／２〜１／３に短縮することが可能となる。

ＷＳＴの代表的なパラメータを示したパルスパターン。 ＯＰＣ処理後のＷＳＴにおけるパワーマージンを示すパワーマージン評価図。 エッジポジション調整後のＷＳＴによるパワーマージン評価図。 本発明による構成要素ジッターのパワーマージンを示すパワーマージン図。 コンポーネントジッターを示すジッター構成図。 ユニットデビエーションを示すジッター構成図。 総エレメントデビエーションを示すジッター構成図。

符号の説明

ＷＳＴ ライトストラテジ
ＯＰＣ Ｏｐｔｉｍｕｍ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ
Ｐｏ 最適記録パワー
ΔＰ Ｐｏの増加または減少分
ＰｏＰｍ比 Ｔｏｐ Ｐｏｗｅｒ／Ｍｉｄｄｌｅ Ｐｏｗｅｒ
Ｄ２Ｃ Ｄａｔａ ｔｏ Ｃｌｏｃｋ

Claims (4)

1. 事前に光ディスク装置に記憶するための、前記光ディスク装置にとっては未知の光ディスクに対応した最適なライトストラテジを決定するライトストラテジ決定方法であって、
   前記未知の光ディスクに対し、ベースライトストラテジとなるパルス削減率、ＰｏＰｍ比、および付加パルス幅を変えた異なるライトストラテジでＯＰＣ処理を行い、最適記録パワーを決定し、
   決定された前記最適記録パワーを所定の値だけ増減させた記録パワーにおいて、所定のデータを前記未知の光ディスクに書き込み、
   書き込まれた前記所定のデータを読み出して、Ｄ２Ｃジッターの構成要素のパワーマージンもしくは構成要素のジッターの平均値を求め、
   前記パワーマージンもしくはジッター平均値を基に最適な前記ベースライトストラテジの各々を決定し、
   前記最適なベースライトストラテジを基にエッジポジションの調整を行うことにより、前記ライトストラテジを最適化することを特徴とするライトストラテジ決定方法。
2. 前記構成要素は、３ＴＭ−３ＴＳで挟まれるエッジのコンポーネントジッター、またはこの平均値であることを特徴とする請求項１に記載のライトストラテジ決定方法。
3. 前記構成要素は、３ＴＭ−３ＴＳおよび３ＴＳ−３ＴＭ間のユニットデビエーションであることを特徴とする請求項１に記載のライトストラテジ決定方法。
4. 前記構成要素は、総エレメントデビエーションであることを特徴とする請求項１に記載のライトストラテジ決定方法。

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