JP2010021309A - 積層素子の製造方法および成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】原料ガスを構成する材料ガスの種類、比率および流量のうち少なくとも一つを変化させながら気相成長させることにより、複数層を積層させる。反応炉において、供給する原料ガス毎に、基板を保持する基板保持部の半径方向の膜厚分布のピーク位置が基板位置と重ならないよう、基板保持部と反応炉の基板保持部に対向する面との間隔を変化させる。また、基板を基板保持部に対して回転させるとともに基板保持部も回転させる。
【選択図】図1
Description
本実施形態の成膜方法を用いて図4(a)に示す発光素子を製造する方法について説明する。図4(a)の発光素子は、n型GaAs基板71の上に、n型GaAsのバッファ層72、Siドープn型AlGaInPのn型クラッド層73、アンドープAlGaInPの活性層74、ZnドープAlGaInPのp型クラッド層75、Znドープp型GaPの電流拡散層76を積層した構成である。各層の膜厚は、図4(a)に示したとおりである。
Claims (4)
- 基板保持部に対して基板を回転させながら、当該基板保持部自身を回転させ、前記基板保持部の回転軸と同軸に配置されたガス導入部から噴出させた原料ガスを前記基板保持部と対向する対向面との間を通過させ、前記原料ガスの反応生成物を前記基板に堆積させる工程を、前記原料ガスを構成する材料ガスの種類、比率および流量のうち少なくとも一つを変化させながら繰り返すことにより複数膜の積層素子を製造する方法であって、
前記材料ガスの種類、比率および流量のうち少なくとも一つを変化させる際に、前記基板保持部と前記対向面との間隔を変化させ、前記基板保持部の半径方向についての膜厚分布のピークを前記基板と重ならない位置に生じさせること
を特徴とする積層素子の製造方法。 - 請求項1記載の積層素子の製造方法であって、
前記距離は、前記材料ガスの種類、比率および流量毎に予め求めておいた所定の距離に設定すること
を特徴とする積層素子の製造方法。 - 請求項1または2記載の積層素子の製造方法であって、
前記基板保持部と前記対向面との間隔を変化させることにより、前記原料ガスを反応させる反応炉の容積を変更すること
を特徴とする積層素子の製造方法。 - 供給された原料ガスを反応させて基板上に薄膜を積層させる反応炉を備える成膜装置であって、
前記基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持部を回転させるとともに当該基板保持部に対して基板を回転させる回転機構手段と、
原料ガスを供給するガス導入手段と、
前記基板保持部と前記反応炉の当該基板保持部に対向する対向面との間隔を変化させる移動機構と、を備え、
前記ガス導入手段は、前記基板保持手段の回転軸と同軸に配置されること
を特徴とする成膜装置。
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