JP2010021215A - Cleaning system and method for circulating cleaning fluid - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウェーハを洗浄する洗浄システム及び洗浄液循環方法に関する。 The present invention relates to a cleaning system and a cleaning liquid circulation method for cleaning a semiconductor wafer.
半導体ウェーハのレジストの剥離、有機物の除去等の洗浄処理は、通常、半導体ウェーハを洗浄槽の中の洗浄液に浸漬して行われる。 Cleaning treatments such as resist stripping of the semiconductor wafer and removal of organic substances are usually performed by immersing the semiconductor wafer in a cleaning solution in a cleaning tank.
洗浄液は、硫酸及び過酸化水素水の混合液(SPM洗浄液、sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture)が使用される。例えば、レジストの剥離の場合、レジストの剥離性を向上させるために、洗浄液は100℃以上の高温が保たれる。過酸化水素水(H2O2)の沸点は約150℃であるが、100℃以上の高温では、熱分解によって水(H2O)と酸素(O2)の生成が進む。つまり、SPM洗浄液は、熱分解によって、次第に水が増加して、硫酸濃度が低下するために、酸化力による洗浄能力の低下、すなわち、レジスト剥離性が弱くなる。 As the cleaning liquid, a mixed liquid of sulfuric acid and hydrogen peroxide water (SPM cleaning liquid, sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture) is used. For example, in the case of resist peeling, the cleaning liquid is kept at a high temperature of 100 ° C. or higher in order to improve the resist peeling property. The boiling point of hydrogen peroxide water (H 2 O 2 ) is about 150 ° C., but at a high temperature of 100 ° C. or higher, the generation of water (H 2 O) and oxygen (O 2 ) proceeds by thermal decomposition. That is, in the SPM cleaning liquid, water gradually increases due to thermal decomposition and the sulfuric acid concentration decreases, so that the cleaning ability is reduced by the oxidizing power, that is, the resist stripping property is weakened.
そこで、硫酸濃度が低下したSPM洗浄液の硫酸濃度を上げる技術、SPM洗浄液の再生が行われている。例えば、石英ガラス製の反応槽(再生槽)に、洗浄能力の落ちたウェーハ洗浄液(SPM洗浄液)を入れ、150〜315℃に加熱して、残留過酸化水素水及び過酸化水素水の分解により生ずる水等を除去して、硫酸を濃縮して濃縮硫酸とした後、冷却槽で約80℃まで冷却され、濃縮硫酸を有するウェーハ洗浄液を再びウェーハ処理槽(洗浄槽)に戻して、ウェーハ洗浄に再利用する硫酸リサイクル装置(洗浄システム)が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。このウェーハ処理槽の濃縮硫酸を有するSPM洗浄液は、原料輸送ポンプにより、フィルタを介して洗浄槽の内槽と外層とを循環可能である。 Therefore, a technique for increasing the sulfuric acid concentration of the SPM cleaning liquid in which the sulfuric acid concentration is reduced, and regeneration of the SPM cleaning liquid are performed. For example, a quartz glass reaction tank (regeneration tank) is filled with a wafer cleaning solution (SPM cleaning solution) with reduced cleaning ability, heated to 150 to 315 ° C., and decomposed with residual hydrogen peroxide solution and hydrogen peroxide solution. After removing the water, etc., and concentrating sulfuric acid to make concentrated sulfuric acid, it is cooled to about 80 ° C in a cooling tank, and the wafer cleaning liquid containing concentrated sulfuric acid is returned to the wafer processing tank (cleaning tank) again to clean the wafer. A sulfuric acid recycling apparatus (cleaning system) that is reused is disclosed (for example, see Patent Document 1). The SPM cleaning liquid having concentrated sulfuric acid in the wafer processing tank can be circulated between the inner tank and the outer layer of the cleaning tank through a filter by a raw material transport pump.
この開示された洗浄システムは、SPM洗浄液の硫酸を濃縮し再利用可能とするものの、再生後、濃縮硫酸を有するSPM洗浄液は温度が低下すると溶解したレジスト成分が析出する。冷却された濃縮硫酸を有するSPM洗浄液を洗浄槽に送り、フィルタを介して洗浄槽の内槽と外層を循環させると、フィルタにレジスト成分が捕捉されて、フィルタが詰まり、流量の低下を起こしたり、フィルタの交換頻度が高くなる等の問題が生じる。
本発明は、フィルタの交換頻度を抑制することが可能な洗浄システム及び洗浄液循環方法を提供する。 The present invention provides a cleaning system and a cleaning liquid circulation method capable of suppressing the frequency of filter replacement.
本発明の一態様の部品の洗浄システムは、第1の薬液及び第2の薬液が含まれる洗浄液を収容する洗浄槽と、前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、加熱手段を通過して、切り替えて使用される濾過手段またはバイパス手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される洗浄循環ラインと、前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第1の冷却手段を通過した後、加熱することにより前記第1の薬液の濃度を所定の濃度に高める再生槽の導入口に導入され、前記再生槽の排出口から排出され、第2の冷却手段を通過して、バッファ槽に貯留され、前記バッファ槽から前記洗浄槽の導入口に戻される再生循環ラインとを有することを特徴とする。 The component cleaning system according to one aspect of the present invention includes a cleaning tank that contains a cleaning liquid containing a first chemical liquid and a second chemical liquid, and the cleaning liquid is discharged from an outlet of the cleaning tank and passes through a heating unit. The cleaning circulation line returned to the introduction port of the cleaning tank after passing through the filtering means or the bypass means used by switching, and the cleaning liquid are discharged from the discharge port of the cleaning tank, and the first cooling After passing through the means, it is introduced into the introduction port of the regeneration tank that raises the concentration of the first chemical liquid to a predetermined concentration by heating, is discharged from the discharge port of the regeneration tank, and passes through the second cooling means. And a regeneration circulation line stored in the buffer tank and returned from the buffer tank to the inlet of the cleaning tank.
また、本発明の別の態様の洗浄システムは、第1の薬液及び第2の薬液が含まれる洗浄液を収容する洗浄槽と、加熱された前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第1の加熱手段を通過して、濾過手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される洗浄循環ラインと、前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第1の冷却手段を通過した後、加熱することにより前記第1の薬液の濃度を所定の濃度に高める再生槽の導入口に導入され、前記再生槽の排出口から排出され、第2の冷却手段を通過して、バッファ槽に貯留され、前記バッファ槽から、前記洗浄槽の導入口に接近して配置された第2の加熱手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される再生循環ラインとを有することを特徴とする。 Further, in the cleaning system according to another aspect of the present invention, the cleaning tank containing the cleaning liquid containing the first chemical liquid and the second chemical liquid, and the heated cleaning liquid are discharged from the discharge port of the cleaning tank, A cleaning circulation line that passes through the first heating means, passes through the filtering means, and is returned to the inlet of the cleaning tank, and the cleaning liquid is discharged from the outlet of the cleaning tank, and the first cooling means Is passed through the inlet of the regeneration tank that raises the concentration of the first chemical liquid to a predetermined concentration by heating, is discharged from the outlet of the regeneration tank, passes through the second cooling means And a regeneration circulation line that is stored in the buffer tank and passes from the buffer tank through the second heating means disposed close to the inlet of the cleaning tank and returned to the inlet of the cleaning tank. It is characterized by that.
また、本発明の別の態様の洗浄液循環方法は、第1の薬液及び第2の薬液が含まれる洗浄液を、洗浄槽から排出して、加熱手段と濾過手段とを通して前記洗浄槽に戻す循環を行い、室温より高い洗浄処理温度で洗浄処理を行う工程と、前記第1の薬液の濃度が低下した前記洗浄液を第1の冷却手段で冷却した後に再生槽に移し、前記再生槽において、前記洗浄処理温度より高温で前記第1の薬液の濃度を所定の濃度に高めて前記洗浄液を再生する工程と、再生された前記洗浄液を第2の冷却手段で冷却してバッファ槽に移し、再生された前記洗浄液を前記バッファ槽から前記洗浄槽に移す工程と、再生された前記洗浄液を前記洗浄槽から排出して、前記加熱手段と前記濾過手段を迂回したバイパス手段とを通して前記洗浄槽に戻す循環を行い前記洗浄処理温度に高める工程とを有することを特徴とする。 Moreover, the cleaning liquid circulation method according to another aspect of the present invention is a circulation in which the cleaning liquid containing the first chemical liquid and the second chemical liquid is discharged from the cleaning tank and returned to the cleaning tank through the heating means and the filtering means. Performing a cleaning process at a cleaning process temperature higher than room temperature, and transferring the cleaning liquid having a reduced concentration of the first chemical solution to a regeneration tank after being cooled by a first cooling means. The step of regenerating the cleaning liquid by increasing the concentration of the first chemical liquid to a predetermined concentration at a temperature higher than the processing temperature, and the regenerated cleaning liquid is cooled by the second cooling means, transferred to the buffer tank, and regenerated. A step of transferring the cleaning liquid from the buffer tank to the cleaning tank, and a circulation of discharging the regenerated cleaning liquid from the cleaning tank and returning it to the cleaning tank through the heating means and the bypass means bypassing the filtering means. Conduct Characterized by a step of increasing the serial cleaning process temperature.
また、本発明の別の態様の洗浄液循環方法は、第1の薬液及び第2の薬液が含まれる洗浄液を、洗浄槽から排出して、第1の加熱手段と濾過手段とを通して前記洗浄槽に戻す循環を行い、室温より高い洗浄処理温度で洗浄処理を行う工程と、前記第1の薬液の濃度が低下した前記洗浄液を第1の冷却手段で冷却した後に再生槽に移し、前記再生槽において、前記洗浄処理温度より高温で前記第1の薬液の濃度を所定の濃度に高めて前記洗浄液を再生する工程と、再生された前記洗浄液を第2の冷却手段で冷却してバッファ槽に移し、再生された前記洗浄液を、第2の加熱手段を介して、前記バッファ槽から前記洗浄槽に移す工程とを有することを特徴とする。 Moreover, the cleaning liquid circulation method according to another aspect of the present invention is configured to discharge the cleaning liquid containing the first chemical liquid and the second chemical liquid from the cleaning tank and pass the first heating means and the filtering means to the cleaning tank. Performing a return circulation, performing a cleaning process at a cleaning process temperature higher than room temperature, and transferring the cleaning liquid having a reduced concentration of the first chemical solution to the regeneration tank after being cooled by the first cooling means; A step of increasing the concentration of the first chemical liquid to a predetermined concentration at a temperature higher than the cleaning treatment temperature and regenerating the cleaning liquid; cooling the regenerated cleaning liquid with a second cooling means; And a step of transferring the regenerated cleaning liquid from the buffer tank to the cleaning tank via a second heating means.
本発明によれば、フィルタの交換頻度を抑制することが可能な洗浄システム及び洗浄液循環方法を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the washing | cleaning system and washing | cleaning-liquid circulation method which can suppress the replacement frequency of a filter can be provided.
以下の各実施例においては、洗浄液として硫酸と過酸化水素水の混合液であるSPM洗浄液を選択した場合について説明するが、温度が低下すると溶解したレジスト成分等の固形物が析出する他の薬液の混合液からなる洗浄液についても、同様に適用することができるのは勿論である。 In each of the following examples, a case where an SPM cleaning liquid that is a mixed liquid of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution is selected as the cleaning liquid will be described. However, when the temperature is lowered, other chemical liquids in which a solid such as a dissolved resist component is precipitated. Of course, the same can be applied to the cleaning liquid composed of the above mixed liquid.
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付している。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the figure shown below, the same code | symbol is attached | subjected to the same component.
本発明の実施例1に係る洗浄システム及び洗浄液循環方法について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、洗浄システムを模式的に示す構成図である。図2は、洗浄液循環方法の概略手順を示すフローチャートである。 A cleaning system and a cleaning liquid circulation method according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing a cleaning system. FIG. 2 is a flowchart showing a schematic procedure of the cleaning liquid circulation method.
図1に示すように、洗浄システム1は、第1の薬液である硫酸と第2の薬液である過酸化水素水の混合液であるSPM洗浄液(以下、洗浄液101という)を収容する洗浄槽11と、洗浄槽11の排出口と洗浄槽11の導入口との間に、洗浄槽11の排出口から順に、洗浄液101の加熱手段である加熱装置21と濾過手段であるフィルタ25またはバイパス手段であるバイパスライン28とを有する洗浄循環ライン29と、洗浄槽11の排出口と洗浄槽11の導入口との間に、洗浄槽11の排出口から順に、第1の冷却手段である冷却装置33、洗浄液101の硫酸濃度を所定の濃度に高める再生槽35、第2の冷却手段である冷却装置41、及びバッファ槽51を有する再生循環ライン55とを備えている。
As shown in FIG. 1, the cleaning system 1 includes a
洗浄槽11は、例えば、石英ガラス製の有底箱型で、内槽13と内槽13を取り巻くように配置された外槽14とからなる二重構造となっている。内槽13は、半導体ウェーハ(図示略)を浸漬して洗浄処理できるように、所定の容量の洗浄液101を貯留する。貯留された洗浄液101は、内槽13から外槽14にオーバフローが可能である。洗浄槽11は、図示を省略しているが、内槽13または外槽14に接続された配管により、硫酸及び過酸化水素水がそれぞれ供給される。なお、洗浄槽11は、全部または一部をフッ素樹脂製とすることは可能である。
The
図示を省略しているが、洗浄槽11は、洗浄液101の温度を測定する温度センサ、洗浄液101の液面を測定する液面センサ、洗浄液101の濃度を測定する濃度センサ等が配置されている。また、洗浄槽11は、その外側底部または内側底部に洗浄液101を加熱するための補助的な洗浄槽ヒータが配置されることは可能である。
Although not shown, the
洗浄循環ライン29は、外槽14に配管された排出口と洗浄槽11下部の内槽13に配管された導入口とを接続している。外槽14の排出口は、ポンプ17の一端に接続され、ポンプ17の他端は、バルブ19を介して、加熱装置21の一端に接続されている。加熱装置21の他端は、2つに分岐されて、一方がバルブ23を介して、フィルタ25の一端に接続され、他方が、バルブ27を有するバイパスライン28の一端に接続されている。フィルタ25の他端及びバイパスライン28の他端は、互いに接続されて、内槽13の導入口に接続されている。洗浄循環ライン29は、高温(例えば、約120℃)の洗浄液101を循環させるために、洗浄槽11の近傍に、配管距離ができるだけ短くなるように配置されている。
The
ポンプ17は、圧力を加えて洗浄液101を外槽14から内槽13に循環させている。フィルタ25は、洗浄液101内の一定以上のパーティクルを除去する。バイパスライン28は、洗浄循環ライン29の配管と同様な内径の配管を有し、バルブ27を開き、バルブ23を閉じることにより、フィルタ25を迂回できる。
The
洗浄液101は、洗浄処理中、内槽13を満たし、洗浄循環ライン29が絶え間なく駆動する程度の量が供給されている。
The cleaning
洗浄液101は加熱装置21により加熱されて、所定の温度(例えば、内槽13で約120℃)になる。半導体ウェーハの洗浄処理が行われているときは、バルブ27が閉じられ、バルブ23が開かれて、洗浄液101はフィルタ25を通して循環される。
The cleaning
次に、再生循環ライン55は、外槽14に配管された排出口及び洗浄槽11下部の内槽13に配管された排出口と、洗浄槽11下部の内槽13に配管された導入口とを接続している。バルブ16を介した内槽13の排出口、及び外槽14の排出口は、共にポンプ17の一端に接続され、ポンプ17の他端は、バルブ31を介して、冷却装置33の一端に接続されている。冷却装置33の他端は、再生槽35の一端に接続され、再生槽35の他端は、冷却装置41の一端に接続されている。冷却装置41の他端は、貯留のためのバッファ槽51の一端に接続され、バッファ槽51の他端は、ポンプ53の一端に接続され、ポンプ53の他端は、内槽13の導入口に接続されている。
Next, the
外槽14に配管された排出口からポンプ17の他端のバルブ19とバルブ31との分岐までは、洗浄循環ライン29と共用されている。なお、再生槽35の排出口から、バッファ槽51の導入口までは、高低差を利用しているが、この間にポンプを設けることは可能である。
From the outlet port piped to the
洗浄槽11から冷却装置33に至るまで、洗浄液101は高温である可能性があり、この間の配管は洗浄循環ライン29と同様に、配管距離ができるだけ短くなるように洗浄槽11の近傍に配置されている。つまり、冷却装置33は洗浄循環ライン29の近傍に配置されている。
There is a possibility that the cleaning
冷却装置33は、例えば、再生循環ライン55の配管の内側の洗浄液101を配管の外側に配置された水等の冷媒により熱を取り除く構造を有し、洗浄液101を50℃以下に冷却することが可能である。冷却装置33は、より好ましくは室温まで冷却できるとよい。冷却装置33は、例えば、再生槽35が階下に置かれる場合など、洗浄槽11から再生槽35までの距離が長い場合、安全上必要である。
The
再生槽35は、石英ガラス製からなり、150℃乃至それ以上に加熱して、洗浄液101の中の過酸化水素水の分解により生じた水及び過酸化水素水を蒸発除去して、洗浄液101の硫酸の濃度を高める(再生する)ことが可能である。50℃以下で再生槽35に送られた洗浄液101は、例えば、250℃乃至それ以上に加熱されて、再生槽35から排出される。なお、再生槽35は、洗浄液101と接する一部が石英ガラス製であってもよい。
The
冷却装置41は、例えば、冷却装置33と同様な構造を有し、再生された洗浄液101を50℃以下に冷却することが可能である。冷却装置41は、より好ましくは室温まで冷却できるとよい。冷却装置41は、配管距離ができるだけ短くなるように再生槽35の近傍に配置されている。
The
バッファ槽51は、石英ガラス製またはフッ素樹脂製からなり、例えば、洗浄槽11の容量及び洗浄循環ライン29一杯の洗浄液101を収納できる大きさである。
The
バッファ槽51に貯留され、ほぼ室温の再生された洗浄液101は、ポンプ53により、圧力を加えられて内槽13に送られる。
The cleaning liquid 101 stored in the
洗浄液101の温度が50℃以下となる冷却装置33と再生槽35との間の距離、及び冷却装置41から洗浄槽11までの距離は、比較的長く取ることが可能であり、再生槽35及びバッファ槽51は洗浄槽11とは離して配置することが可能である。その結果、再生槽35及びバッファ槽51は、複数の洗浄槽11と接続して、切り替えて洗浄液101の再生を行うことが可能である。
The distance between the cooling
上述した再生循環ライン55は、洗浄液101の洗浄能力の低下及び再生可能という判定に基づいて稼働する。稼働する場合、再生循環ライン55との共用部以外の洗浄循環ライン29は止められる。内槽13及び外槽14内の洗浄液101は、冷却装置33で冷却されて、再生槽35の処理能力に合わせて、再生槽35に送られる。再生槽35で高温処理され再生された洗浄液101は、冷却装置41で冷却されて、バッファ槽51に送られて、バッファ槽51に溜められる。バッファ槽51に溜まった洗浄液101は、ほぼ室温の状態で内槽13の導入口に戻される。
The above-described
洗浄循環ライン29及び再生循環ライン55について説明したが、次に、洗浄循環、再生循環、及びこれら両循環の間に行われる洗浄液101の加熱のための循環を加えて、洗浄システム1の全体の洗浄液循環方法を説明する。
The
図2に示すように、フィルタ25を通る洗浄循環ライン29を稼働させて、洗浄液101は、外槽14と内槽13との間で循環され、低下の方向に動く温度を加熱装置21により加熱して、所定の洗浄処理温度(例えば、内槽13で約120℃)に管理される(ステップS11)。洗浄循環ライン29にあるバルブ19及びバルブ23は開き、バルブ27は閉じている。再生循環ライン55にあるバルブ16及びバルブ31は閉じている。
As shown in FIG. 2, the
内槽13に半導体ウェーハからなる洗浄ロットを投入して、半導体ウェーハの表面の、例えば、レジストを洗浄処理する(ステップS12)。
A cleaning lot made of a semiconductor wafer is put into the
洗浄処理後、洗浄ロットを内槽13から搬出する(ステップS13)。 After the cleaning process, the cleaning lot is carried out from the inner tank 13 (step S13).
洗浄液101の洗浄処理の回数、および/または、洗浄液101の比重測定等に基づき、洗浄液101を、継続使用可能か、再生する必要があるか、使用不可能かを判定する(ステップS14)。
Based on the number of cleaning processes of the cleaning
再生する必要がある場合、内槽13と外槽14の洗浄液101を冷却装置33により冷却後、再生槽35に移送する(ステップS15)。洗浄循環ライン29にあるバルブ19は閉じ、再生循環ライン55にあるバルブ16及びバルブ31は開く。なお、再生槽35の容量が小さい場合、例えば、バルブ31の開閉により再生槽35に適する量の洗浄液101が送られる。
When it is necessary to regenerate, the cleaning liquid 101 in the
再生槽35で洗浄液101を250℃乃至それ以上で高温処理して、硫酸濃度を高める(再生する)(ステップS16)。
The cleaning
再生された洗浄液101を冷却装置41により冷却後、バッファ槽51に移送する(ステップS17)。
The regenerated
再生された洗浄液101を、バッファ槽51から内槽13に移送する(ステップS18)。
The regenerated
バルブ23を閉じてフィルタ25を不通として、バルブ27を開いてバイパスライン28を通るように設定した後、洗浄循環ライン29を稼働させて、加熱装置21により洗浄液101の昇温を行う(ステップS19)。洗浄循環ライン29を循環しながら洗浄液101は昇温されて、析出したレジスト成分が、再溶解する。
After the
ステップS19の後、ステップS11に戻る。つまり、洗浄循環ライン29は、バイパスライン28からフィルタ25を通るラインに切り替えられる。
After step S19, the process returns to step S11. That is, the
また、洗浄液101は、ステップS14で継続使用が可能と判定された場合、ステップS11に戻る。 If it is determined in step S14 that the cleaning liquid 101 can be used continuously, the process returns to step S11.
また、洗浄液101は、ステップS14で使用不可能と判定された場合、別のラインまたは洗浄循環ライン29に設けられた排出口から廃液として排出され、処理される(ステップS20)。図示を省略してあるが、洗浄液101が廃液として処理された後、新しい洗浄液101が洗浄槽11に補充された後、ステップS11からスタートする。
If it is determined in step S14 that the cleaning liquid 101 cannot be used, the cleaning
上述したように、ほぼ室温の再生された洗浄液101は、洗浄槽11に戻されて、昇温中はバイパスライン28を循環されるので、フィルタ25を詰まらせる可能性はなく、洗浄処理温度になると、切り替えられてフィルタ25を通る洗浄循環ライン29を循環するが、この段階では、析出したレジスト成分は再溶解しているので、レジスト成分がフィルタ25を詰まらせる可能性は抑えられる。
As described above, the regenerated
つまり、再生した洗浄液101は、析出したレジストが再溶解するまでバイパスライン28を循環されて、洗浄処理温度になってからフィルタ25を通るので、洗浄システム1は、洗浄液101中のレジスト成分によってフィルタ25の交換が頻繁になることを抑制できる。また、洗浄液101の中のレジスト成分が増加しても、溶解度内であれば、再溶解されるので、洗浄液101は複数回にわたって使用可能となる。
That is, the regenerated
また、洗浄システム1の再生循環ライン55には、冷却装置33が配置されているので、冷却装置33を通過した洗浄液101を比較的遠くまで、安全に移送することが可能である。その結果、1組の再生槽35とバッファ槽51等は、複数の洗浄槽11と接続して、時差を設けて、切り替えて洗浄液101の再生を行うことが可能である。複数の洗浄槽11を必要とする場合、洗浄システム1はより効率的なシステムとして構成することが可能となる。また、洗浄槽11と再生槽35及びバッファ槽51等とは、離して置くことが可能なので、製造ライン等のレイアウトの自由度が高められる。
Further, since the
本発明の実施例2に係る洗浄システム及び洗浄液循環方法について、図3及び図4を参照しながら説明する。図3は洗浄システムを模式的に示す構成図である。図4は洗浄システムの予備加熱装置を模式的に示す構成図である。洗浄循環ラインはフィルタを通り、再生循環ラインは予備加熱装置が接続されている点が、実施例1とは異なる。以下、実施例1と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。
A cleaning system and a cleaning liquid circulation method according to
図3に示すように、洗浄システム2は、洗浄液101を収容する洗浄槽11と、洗浄槽11の排出口と洗浄槽11の導入口との間に、順に、第1の加熱手段である加熱装置21とフィルタ25とを有する洗浄循環ライン71と、洗浄槽11の排出口と洗浄槽11の導入口との間に、順に、冷却装置33、洗浄液101の硫酸濃度を所定の濃度に高める再生槽35、冷却装置41、バッファ槽51、及び第2の加熱手段である予備加熱装置73を有する再生循環ライン75とを備えている。
As shown in FIG. 3, the
洗浄循環ライン71は、実施例1の洗浄システム1の洗浄循環ライン29と比較して異なる点において、バイパスライン28を除去し、更にフィルタ25の直前に配置されたバルブ23を除去した構成である。
The
再生循環ライン75は、実施例1の洗浄システム1の再生循環ライン55と比較して異なる点において、ポンプ53の送出側が、予備加熱装置73を介して、洗浄槽11下部の内槽13の導入口に配管されている。予備加熱装置73は、加熱された洗浄液101を送り出すので洗浄槽11に近接して配置される。
The
図4に示すように、予備加熱装置73は、再生循環ライン75から洗浄液101を導入する導入口を有する昇温槽77と、昇温槽77に配管された排出口、ポンプ81、バルブ83、及び加熱装置79を順に通り、昇温槽77に配管された導入口に戻る加熱循環ライン87とを備えている。加熱循環ライン87は、ポンプ81とバルブ83との間で分岐されて、バルブ85及び再生循環ライン75を介して、洗浄槽11へ接続されている。
As shown in FIG. 4, the preheating
ほぼ室温の洗浄液101は、再生ライン75から昇温槽77に導入された後、ポンプ81で圧力を加えられて、開かれているバルブ83を通り、加熱装置79で加熱され、昇温槽77の導入口に戻される。この洗浄液101を加熱するとき、バルブ85は閉じられている。所定の温度になった洗浄液101は、バルブ85が開かれ、バルブ83が閉じられて、加熱循環ライン87から分岐した再生ライン75を通って、内槽13の導入口に送られる。洗浄液101は、内槽13における洗浄処理に必要な温度にまで高められることが可能である。
After the cleaning liquid 101 at substantially room temperature is introduced from the
次に、洗浄循環、再生循環、及びこれら両循環の間に行われる洗浄液101の加熱のための循環を加えて、洗浄システム3の全体の洗浄液循環方法を、図2に示すフローチャートを基に、異なる部分を説明する。
Next, a cleaning circulation, a regeneration circulation, and a circulation for heating the
図2に示すステップS11と同様に、フィルタ25を通る洗浄循環ライン71を稼働させて、洗浄液101は、外槽14と内槽13との間で循環され、低下の方向に動く温度を加熱装置21により加熱して、一定温度に管理される(ステップS11)。再生循環ライン75にあるバルブ16、及びバルブ31は閉じている。
As in step S11 shown in FIG. 2, the
ステップS15と同様に、再生する必要がある場合、内槽13と外槽14の洗浄液101を冷却装置33により冷却後、再生槽35に移送する(ステップS15)。洗浄循環ライン71にあるバルブ19は閉じ、再生循環ライン75にあるバルブ16、及びバルブ31は開く。
As in step S15, when it is necessary to regenerate, the cleaning liquid 101 in the
ステップS18とは少し異なり、バッファ槽51でほぼ室温に保持されて、洗浄液101を予備加熱装置73を介して、内槽13に移す(ステップS18a)。洗浄液101は、例えば、ほぼ洗浄処理に必要な温度にまで高められる。
A little different from step S18, it is kept at about room temperature in the
ステップS19とは少し異なり、バルブ16、及びバルブ31を閉じて、バルブ19を開いた後、洗浄循環ライン71を稼働させて、加熱装置21により洗浄液101の昇温または調整を行う(ステップS19a)。
A little different from step S19, the
上述したように、洗浄システム2は、実施例1の洗浄システム1と比較して、予備加熱装置73を有して、加熱された洗浄液101が洗浄槽11に導入されるので、バイパスライン28が不要となっている。再生した洗浄液101を予備加熱装置73によりほぼ洗浄処理に必要な温度にまで高められるので、洗浄循環ライン71により所定の温度に到達する時間は大幅に短縮可能である。その他は、ほとんど同様な構成となっており、洗浄システム2は、洗浄システム1が有する効果を同様に有している。
As described above, the
以上、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。 As mentioned above, this invention is not limited to the said Example, In the range which does not deviate from the summary of this invention, it can change and implement variously.
例えば、本実施例では、洗浄液がSPM洗浄液である例を示したが、他の洗浄等に使われる水を含む組成の異なる処理液であっても可能である。この場合、他の処理液は、循環して使用され、処理温度より高温で石英ガラスを有する高温加熱槽(再生槽)内で、例えば、再生処理がなされる。 For example, in the present embodiment, an example in which the cleaning liquid is an SPM cleaning liquid has been described, but a processing liquid having a different composition including water used for other cleaning or the like is also possible. In this case, other processing liquids are used in a circulating manner, and, for example, regeneration processing is performed in a high-temperature heating tank (regeneration tank) having quartz glass at a temperature higher than the processing temperature.
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。
(付記1) 第1の薬液及び第2の薬液が含まれる洗浄液を収容する洗浄槽と、加熱された前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第1の加熱手段を通過して、濾過手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される洗浄循環ラインと、前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第1の冷却手段を通過した後、加熱することにより前記第1の薬液の濃度を所定の濃度に高める再生槽の導入口に導入され、前記再生槽の排出口から排出され、第2の冷却手段を通過して、バッファ槽に貯留され、前記バッファ槽から、前記洗浄槽の導入口に接近して配置された第2の加熱手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される再生循環ラインとを有する洗浄システム。
The present invention can be configured as described in the following supplementary notes.
(Additional remark 1) The washing tank which accommodates the washing | cleaning liquid containing a 1st chemical | medical solution and a 2nd chemical | medical solution, and the said heated washing | cleaning liquid are discharged | emitted from the discharge port of the said washing tank, and pass a 1st heating means. The cleaning circulation line that passes through the filtering means and is returned to the inlet of the cleaning tank, and the cleaning liquid is discharged from the outlet of the cleaning tank, passes through the first cooling means, and then heated. The first chemical solution is introduced into an introduction port of the regeneration tank that raises the concentration to a predetermined concentration, is discharged from the discharge port of the regeneration tank, passes through a second cooling means, is stored in the buffer tank, and is stored in the buffer tank. A cleaning system having a regeneration circulation line that passes through a second heating means disposed close to the inlet of the cleaning tank and returned to the inlet of the cleaning tank.
(付記2) 前記バッファ槽は、ほぼ室温に保持される付記1に記載の洗浄システム。 (Additional remark 2) The said buffer tank is a washing | cleaning system of Additional remark 1 maintained at substantially room temperature.
(付記3) 前記第2の加熱手段は、昇温槽、ポンプ、及び加熱装置を有する加熱循環ラインをなしている付記1に記載の洗浄システム。 (Additional remark 3) The said 2nd heating means is a washing | cleaning system of Additional remark 1 which has comprised the heating circulation line which has a temperature rising tank, a pump, and a heating apparatus.
1、2 洗浄システム
11 洗浄槽
13 内槽
14 外槽
16、19、23、27、31、83、85 バルブ
17、53、81 ポンプ
21、79 加熱装置
25 フィルタ
28 バイパスライン
29、71 洗浄循環ライン
33、41 冷却装置
35 再生槽
51 バッファ槽
55、75 再生循環ライン
73 予備加熱装置
77 昇温槽
87 加熱循環ライン
101 洗浄液
1, 2
Claims (5)
前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、加熱手段を通過して、切り替えて使用される濾過手段またはバイパス手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される洗浄循環ラインと、
前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第1の冷却手段を通過した後、加熱することにより前記第1の薬液の濃度を所定の濃度に高める再生槽の導入口に導入され、前記再生槽の排出口から排出され、第2の冷却手段を通過して、バッファ槽に貯留され、前記バッファ槽から前記洗浄槽の導入口に戻される再生循環ラインと、
を有することを特徴とする洗浄システム。 A cleaning tank containing a cleaning liquid containing the first chemical liquid and the second chemical liquid;
The cleaning liquid is discharged from the outlet of the cleaning tank, passes through the heating means, passes through the filtering means or bypass means that is used by switching, and is returned to the inlet of the cleaning tank, and a cleaning circulation line;
The cleaning liquid is discharged from the outlet of the cleaning tank, and after passing through the first cooling means, is introduced into the inlet of the regeneration tank that raises the concentration of the first chemical liquid to a predetermined concentration by heating, A regeneration circulation line that is discharged from the discharge port of the regeneration tank, passes through the second cooling means, is stored in the buffer tank, and is returned from the buffer tank to the introduction port of the cleaning tank;
A cleaning system comprising:
加熱された前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第1の加熱手段を通過して、濾過手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される洗浄循環ラインと、
前記洗浄液が、前記洗浄槽の排出口から排出され、第1の冷却手段を通過した後、加熱することにより前記第1の薬液の濃度を所定の濃度に高める再生槽の導入口に導入され、前記再生槽の排出口から排出され、第2の冷却手段を通過して、バッファ槽に貯留され、前記バッファ槽から、前記洗浄槽の導入口に接近して配置された第2の加熱手段を通過して、前記洗浄槽の導入口に戻される再生循環ラインと、
を有することを特徴とする洗浄システム。 A cleaning tank containing a cleaning liquid containing the first chemical liquid and the second chemical liquid;
The heated cleaning liquid is discharged from the discharge outlet of the cleaning tank, passes through the first heating means, passes through the filtering means, and is returned to the inlet of the cleaning tank; and
The cleaning liquid is discharged from the outlet of the cleaning tank, and after passing through the first cooling means, is introduced into the inlet of the regeneration tank that raises the concentration of the first chemical liquid to a predetermined concentration by heating, The second heating means that is discharged from the discharge port of the regeneration tank, passes through the second cooling means, is stored in the buffer tank, and is disposed close to the inlet of the cleaning tank from the buffer tank. A regeneration circulation line that passes through and is returned to the inlet of the washing tank;
A cleaning system comprising:
前記第1の薬液の濃度が低下した前記洗浄液を第1の冷却手段で冷却した後に再生槽に移し、前記再生槽において、前記洗浄処理温度より高温で前記第1の薬液の濃度を所定の濃度に高めて前記洗浄液を再生する工程と、
再生された前記洗浄液を第2の冷却手段で冷却してバッファ槽に移し、再生された前記洗浄液を前記バッファ槽から前記洗浄槽に移す工程と、
再生された前記洗浄液を前記洗浄槽から排出して、前記加熱手段と前記濾過手段を迂回したバイパス手段とを通して前記洗浄槽に戻す循環を行い前記洗浄処理温度に高める工程と、
を有することを特徴とする洗浄液循環方法。 A step of discharging the cleaning liquid containing the first chemical liquid and the second chemical liquid from the cleaning tank, returning the cleaning liquid to the cleaning tank through the heating means and the filtering means, and performing the cleaning process at a cleaning process temperature higher than room temperature. When,
The cleaning liquid in which the concentration of the first chemical liquid is lowered is cooled by a first cooling means and then transferred to a regeneration tank. In the regeneration tank, the concentration of the first chemical liquid is set to a predetermined concentration at a temperature higher than the cleaning processing temperature. And regenerating the cleaning liquid to a high level,
Cooling the regenerated cleaning liquid with a second cooling means and transferring it to a buffer tank; and transferring the regenerated cleaning liquid from the buffer tank to the cleaning tank;
Discharging the regenerated cleaning liquid from the cleaning tank and circulating it back to the cleaning tank through the heating means and bypass means bypassing the filtering means to raise the cleaning treatment temperature;
A cleaning liquid circulation method characterized by comprising:
前記第1の薬液の濃度が低下した前記洗浄液を第1の冷却手段で冷却した後に再生槽に移し、前記再生槽において、前記洗浄処理温度より高温で前記第1の薬液の濃度を所定の濃度に高めて前記洗浄液を再生する工程と、
再生された前記洗浄液を第2の冷却手段で冷却してバッファ槽に移し、再生された前記洗浄液を、第2の加熱手段を介して、前記バッファ槽から前記洗浄槽に移す工程と、
を有することを特徴とする洗浄液循環方法。 The cleaning liquid containing the first chemical liquid and the second chemical liquid is discharged from the cleaning tank and circulated back to the cleaning tank through the first heating means and the filtering means, and the cleaning process is performed at a cleaning temperature higher than room temperature. A process of performing
The cleaning liquid in which the concentration of the first chemical liquid is lowered is cooled by a first cooling means and then transferred to a regeneration tank. In the regeneration tank, the concentration of the first chemical liquid is set to a predetermined concentration at a temperature higher than the cleaning processing temperature. And regenerating the cleaning liquid to a high level,
Cooling the regenerated cleaning liquid with a second cooling means and transferring it to a buffer tank; and transferring the regenerated cleaning liquid from the buffer tank to the cleaning tank via a second heating means;
A cleaning liquid circulation method characterized by comprising:
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013098550A (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Semes Co Ltd | Substrate processing apparatus and chemical solution regeneration method |
KR20130078119A (en) * | 2011-12-30 | 2013-07-10 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus |
JP2013187548A (en) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Tokyo Electron Ltd | Sequential stage mixing for resist batch strip process |
KR101344915B1 (en) * | 2011-10-31 | 2013-12-26 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus and chemical recycling method |
US20140216500A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Taiwan Semicunductor Manufacturing Co., Ltd. | Single Wafer Cleaning Tool with H2SO4 Recycling |
JP2016032030A (en) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device and substrate processing method |
JP2016107623A (en) * | 2014-11-26 | 2016-06-20 | ソマックス株式会社 | Washing apparatus and washing method |
KR101671118B1 (en) | 2014-07-29 | 2016-10-31 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
2008
- 2008-07-08 JP JP2008178456A patent/JP2010021215A/en active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013098550A (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Semes Co Ltd | Substrate processing apparatus and chemical solution regeneration method |
KR101344915B1 (en) * | 2011-10-31 | 2013-12-26 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus and chemical recycling method |
US9892939B2 (en) | 2011-10-31 | 2018-02-13 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and chemical recycling method |
KR20130078119A (en) * | 2011-12-30 | 2013-07-10 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus |
KR101927939B1 (en) * | 2011-12-30 | 2018-12-12 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus |
JP2013187548A (en) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Tokyo Electron Ltd | Sequential stage mixing for resist batch strip process |
US20140216500A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Taiwan Semicunductor Manufacturing Co., Ltd. | Single Wafer Cleaning Tool with H2SO4 Recycling |
US10510527B2 (en) * | 2013-02-01 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Single wafer cleaning tool with H2SO4 recycling |
JP2016032030A (en) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device and substrate processing method |
KR101671118B1 (en) | 2014-07-29 | 2016-10-31 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US10211063B2 (en) | 2014-07-29 | 2019-02-19 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2016107623A (en) * | 2014-11-26 | 2016-06-20 | ソマックス株式会社 | Washing apparatus and washing method |
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