JP2010020882A - 2段アクチュエータを有する磁気ディスク装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】非干渉パス制御時の微動アクチュエータ入力信号は、用いられた微動アクチュエータモデルのゲイン自体によっても変化するため、微動アクチュエータ入力信号を正確に求めることは困難であり、また微動アクチュエータゲインは入力信号の大きさに依存するため、従来のモデルゲイン調整手法では、非干渉パス制御時にモデルゲインに誤差が発生し、制御性能の低下が生じる。
【解決手段】粗動アクチュエータ10に加振信号34が出力されている間、粗動アクチュエータ10についての一巡伝達関数の加振信号周波数におけるゲインを非干渉パス制御時と粗動アクチュエータ単独制御時のそれぞれについて求め、一巡伝達関数の加振信号周波数におけるゲインの比較から、非干渉パス制御動作中の微動アクチュエータゲインに対する微動アクチュエータモデルゲインの偏差を求め、微動アクチュエータモデル31のゲインを調整する。
【選択図】図1

Description

本発明は、2段アクチュエータを有する磁気ディスク装置に関わり、特に非干渉パス制御法を用いて位置決め制御を行う場合の、微動アクチュエータモデルのゲイン調整手法に関する。
ハードディスクドライブなどの磁気ディスク装置は、磁気ヘッドを支持するアームをボイスコイルモータが駆動することで、磁気ヘッドを磁気ディスクの目標位置上に位置決めし、情報の記録および再生を行う。
近年では、位置決め精度の更なる向上を図るべく、ボイスコイルモータ等の粗動アクチュエータの他に、ピエゾ素子等を用いた微動アクチュエータをアーム上に設けた、いわゆる2段アクチュエータを有する磁気ディスク装置が提案されている。
2段アクチュエータ磁気ヘッド位置決め機構の制御手法としては、特許文献1で開示されているいわゆる非干渉パス制御と呼ばれる手法がある。非干渉パス制御においては、微動アクチュエータの変位量を粗動アクチュエータの目標値に加算するが、微動アクチュエータの変位量を直接測定することができない場合は、微動アクチュエータモデルを用いて変位量を推定する。
図5に非干渉パス方式を用いた2段アクチュエータ位置決め制御機構の一例を示す。VCMコントローラGvの入力信号Eに、微動アクチュエータモデルP′Mを用いて推定した微動アクチュエータ(MA:Micro-Actuator)PMの動作量YMを加算することで、系全体の閉ループ伝達関数はPM ,VCMそれぞれ単体を用いて構成した閉ループ伝達関数の積で表され、個々のループが安定であれば全体のループも安定な非干渉系が実現される。
モデル化誤差がある場合には、制御系が完全には非干渉とならないため、特許文献2に開示される方式など用いて微動アクチュエータMA のゲインを同定し、モデルゲインを調整する必要がある。特許文献2には、VCMコントローラに周波数fnの遮断フィルタを設け、微動アクチュエータを周波数fnで駆動(加振)する指令値を与える目標値発生手段と、微動アクチュエータの操作信号とヘッド位置信号とから微動アクチュエータのゲインを推定する適応同定手段を有する2段アクチュエータの位置決め制御装置が開示されている。
特開平04-368676号公報 特開2004-30731号公報
PZT素子を動力源とする微動アクチュエータなどにおいては、PZT素子のヒステリシスにより、ゲイン特性が微動アクチュエータへの入力の大小に依存して変化することが知られている。従って、特許文献2で開示される手法など、微動アクチュエータを制御ループから切り離し、直接加振してゲインを求める手法の場合は、非干渉パス制御時に微動アクチュエータに入力される信号の大きさを考慮して、ゲイン同定時の加振信号の大きさを調整する必要がある。
しかしながら、非干渉パス制御時の微動アクチュエータ入力信号は、微動アクチュエータのゲイン,粗動アクチュエータ特性,制御系に働く外乱等によって変化するため、各ドライブ,各ヘッドごとに非干渉パス制御時の微動アクチュエータ入力信号を測定し、ゲイン同定のための加振信号を調整することが望ましい。しかし、非干渉パス制御時の微動アクチュエータ入力信号は、用いられた微動アクチュエータモデルのゲイン自身によっても変化するため、一般に微動アクチュエータ入力信号を正確に求めることは困難であり、微動アクチュエータモデルゲインの誤差の存在は非干渉パス制御時の制御性能の低下を生じる。
本発明は、上記実情に鑑みて為されたものであり、非干渉パス制御中の微動アクチュエータの挙動に基づいて微動アクチュエータモデルのゲインを調整する磁気ディスク装置を提供する。
本発明の磁気ディスク装置においては、磁気ディスクと、この磁気ディスクに記録されている情報を読み出す磁気ヘッドと、この磁気ヘッドを支持するアームと、このアームを駆動して磁気ディスク上で磁気ヘッドを移動させる粗動アクチュエータと、アームに対する磁気ヘッドの位置を調整する微動アクチュエータと、この微動アクチュエータの変位量を推定する微動アクチュエータモデルと、磁気ヘッドの目標位置と現在位置との位置誤差を検出した位置誤差信号を微動アクチュエータのコントローラおよび粗動アクチュエータのコントローラにフィードバックする手段と、微動アクチュエータの変位量を微動アクチュエータモデルを用いて推定し、この推定変位量を粗動アクチュエータの目標値に加算する非干渉パスとを備え、さらに、微動アクチュエータコントローラへのフィードバックループの接続と遮断を切り替えるスイッチと、粗動アクチュエータに加振信号を出力する手段と、加振信号が出力されている間、粗動アクチュエータについての一巡伝達関数の加振信号周波数におけるゲインを非干渉パス制御時と粗動アクチュエータ単独制御時のそれぞれについて求め、一巡伝達関数の加振信号周波数におけるゲインの比較から、非干渉パス制御動作中の微動アクチュエータゲインに対する微動アクチュエータモデルゲインの偏差を求め、微動アクチュエータモデルゲインを補正する手段を設けたものである。
また、一巡伝達関数の加振信号周波数におけるゲインの測定は、正弦波信号によって粗動アクチュエータを加振することにより行い、微動アクチュエータモデルゲインの補正は、過去の前記微動アクチュエータモデルゲインおよび該モデルゲインを用いた場合のモデルゲイン偏差の履歴に基づき、モデルゲイン偏差が最小となるまで繰り返し行うものである。
本発明によれば、微動アクチュエータモデルのゲインは、非干渉パス制御中の微動アクチュエータの実際の挙動に基づいて補正されるため、微動アクチュエータモデルゲイン誤差による制御性能の低下を防ぐことができる。
本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置における2段アクチュエータの非干渉パス制御方式の概念図(ブロック線図)である。 本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置の構成図である。 伝達関数の複素平面上での幾何学的関係を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係わるモデルゲイン補正手順のフローチャートを表した図である。 磁気ディスク装置において実現する非干渉パス制御系の機能構成例を示すブロック図である。 磁気ディスク装置において外乱除去器を用いて実現する非干渉パス制御系の機能構成例を示すブロック図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
図2に本発明の一実施形態に関わる磁気ディスク装置の構成例を示す。磁気データが記録されるディスク1はスピンドルモータ2により一定の高速度で回転し、ディスク上に同心円状に配置される各トラック3には位置情報を検出するためのサーボセクタ4があらかじめ記録されている。
サーボセクタ4は、セクタの先頭を示すマーカ部、AGC(オートマティック・ゲイン・コントロール)部、トラック番号、トラック間の位置を検出するためのバースト信号で構成され、このサーボセクタ4を読み取ることで、磁気ヘッド5は、スピンドルモータ2の回転数と1トラックあたりのセクタ数によって決定されるサンプリング周期Ts毎にディスク1上での磁気ヘッド5の位置を検出する。
磁気ヘッド5はスライダ6の上に形成されており、スライダ6が取り付けられた微動アクチュエータ(MA:Micro-Actuator)7の動作により磁気ヘッド5をディスク1の半径方向に水平に動かすことができる。微動アクチュエータ7はキャリッジアーム8先端のサスペンション9によって支持されており、キャリッジアーム8は、通電によって磁力を発生するコイル11aと永久磁石11bを組み合わせた粗動アクチュエータ(VCM:Voice Coil Motor)10によりピボット12を軸とした回転運動を行い、これによりキャリッジアーム8先端の微動アクチュエータ7はディスク1上を内周または外周方向へ移動しながら同時に磁気ヘッド5をサスペンション9上で移動させる。
磁気ヘッド5はこれら2つのアクチュエータの動作の組み合わせによりディスク1上の任意のトラックに位置決めされ、データの読み書きを行う。磁気ヘッド5が読み出したヘッド位置アナログ信号はフレキシブルサーキット13を介して信号増幅器14へ伝えられ、増幅された信号はアナログ・デジタル変換器を備えたサーボ信号復調器15によってヘッド位置デジタル信号に変換される。
VCM10および微動アクチュエータ7を駆動し、磁気ヘッド5の位置決めを行うアナログVCM制御信号16およびアナログ微動アクチュエータ制御信号17はマイクロプロセッサシステムにより生成される。
マイクロプロセッサ(MPU)18は、バスライン19を介して、制御系の状態変数を一時的に格納するRAM(Random Access Memory)20及び各種制御系のプログラムを格納するROM(Read Only Memory)21に接続されており、インターフェースコントローラ22を通じでホスト側コントローラ23から送られる各種指令に従って、ROM21に格納された制御アルゴリズムを記述したプログラムを実行し、VCM10および微動アクチュエータ7の制御信号を出力する。MPU18からの出力はデジタル信号であるため、これらの制御信号はバスライン19上に接続されたDA(デジタル・アナログ)変換器24および27でアナログ信号へ変換された後、駆動用アンプ25および26で増幅され、VCM10と微動アクチュエータ7へ伝えられる。
次に、ROM21に実装された磁気ヘッド位置決め制御プログラムの実行により実現される2段アクチュエータの非干渉パス制御方式について説明する。図1に2段アクチュエータの非干渉パス制御方式の概念図(ブロック線図)を示す。ここで、PM は微動アクチュエータ7、PV は粗動アクチュエータ10であり,GV は粗動アクチュエータを制御するコントローラ30を表す。P′Mは微動アクチュエータモデル31、Gは微動アクチュエータコントローラ32である。
通常動作時はスイッチ33を接続位置(ON)にすることで、微動アクチュエータモデル31を用いて計算された微動アクチュエータ7の推定変位量が粗動アクチュエータコントローラ30への入力信号(位置誤差信号E)37に加算され、粗動アクチュエータ10は微動アクチュエータ7が存在しない場合と同様の動作を行い、また微動アクチュエータ7は粗動アクチュエータ10によって抑圧しきれない高周波数領域の外乱を抑圧する。
スイッチ33が遮断位置(OFF)の場合、微動アクチュエータコントローラ32へ位置誤差信号Eをフィードバックする回路が遮断され、微動アクチュエータ7の推定変位量がゼロとなり粗動アクチュエータコントローラ30の入力信号37には何も加算されないため、粗動アクチュエータ10のみで位置決め制御が行われる。
粗動アクチュエータループ一巡伝達関数の測定は、任意の周波数の正弦波信号34を粗動アクチュエータコントローラ出力35に加えて行う。スイッチ33を接続と遮断に切り替えることにより、それぞれ非干渉パス制御時と粗動アクチュエータ制御時の粗動アクチュエータ一巡伝達関数を求めることができる。
粗動アクチュエータ制御時の粗動アクチュエータコントローラ出力DおよびD′は、
Figure 2010020882
であるので、粗動アクチュエータ一巡伝達関数TOFFは、
Figure 2010020882
となる。
非干渉パス制御時の粗動アクチュエータコントローラ出力DおよびD′は、
Figure 2010020882
であるので、粗動アクチュエータ一巡伝達関数TONは、
Figure 2010020882
となる。
従って、モデル化誤差がなくPM=P′Mである場合は、
Figure 2010020882
となることがわかる。
これをもとに、伝達関数ゲインエラー関数Q(PM)を、
Figure 2010020882
と定義すると、非干渉パス制御方式で動作中の微動アクチュエータ(MA)ゲインを求める問題は、Q(P′M)=0を満たすP′Mを求める問題に帰着する。
ここで、微動アクチュエータ(MA)と微動アクチュエータモデルの位相遅れが一致していると仮定し、αPM=P′Mとすると、1+GM P′Mと1+GM PMの関係は複素平面上で図3のAもしくはBのいずれかとなる。A,Bいずれの場合でもQ(P′M)はPM=P′M近傍で単調増加もしくは単調減少となるので、ニュートン・ラプソン法などの数値解法を用いてQ(P′M)=0を満たすP′Mを求めることができる。A,Bどちらの場合になるかはGM PMによって決定されるので、A,Bの判別はGM PMの公称値を用いて行うか、A,Bの境界近傍にGM PMが存在し公称値では判別が困難な場合はP′Mを変えて実際にQ(P′M)を測定することで判別を行うことができる。
微動アクチュエータ(MA)と微動アクチュエータモデルの位相が一致していない場合は、|TON|−|TOFF|=0であってもPM≠P′Mであるが、位相差が十分小さい場合には近似的にPM=P′Mであるとみなし位相が一致している場合と同様に扱うことが可能である。
以下にニュートン・ラプソン法を用いた場合の、マイクロプロセッサ18(図2参照)で処理される手順を示す。初期値P′は、非干渉パス制御系が不安定にならず、PMの近傍で解が収束する範囲内にあればよいので、微動アクチュエータ(MA)ゲインの公称値、または非干渉パス制御時の平均的な微動アクチュエータ(MA)入力振幅によって加振し同定したゲインなどを用いる。処理手順のフローチャートを図5に示す。
まず、初期値設定ステップにおいて、|TOFF|を求める。f′0を適当な値に定める。n=0,β0=1とする。
次に、粗動アクチュエータ一巡伝達関数測定ステップにおいて、|TON(βn P′n)|を測定する。
次に、終了条件比較ステップにおいて、エラー関数Q=|TON(βn P′n)|−|TOFF|を求める。誤差(偏差)Qが許容値δ以下なら、ゲイン調整は終了する。
誤差(偏差)Qが許容値δ以下でない場合は、モデルゲイン更新ステップにおいて、以
下の式(7)、(8)、(9)で微動アクチュエータモデルP′Mのゲイン係数βnを更新(調整)し、n=n+1として粗動アクチュエータ一巡伝達関数測定ステップに戻る。
Figure 2010020882
Figure 2010020882
Figure 2010020882
誤差(偏差)Qが許容値δ以下になるまで、粗動アクチュエータ一巡伝達関数測定ステップ、終了条件比較ステップ、モデルゲイン更新ステップを繰り返し実行する。
上記、図5に示した処理を実行することにより、微動アクチュエータモデルのゲインは、非干渉パス制御中の微動アクチュエータの実際の挙動に基づいて補正されるため、微動アクチュエータモデルゲイン偏差による制御性能の低下を防ぐことができる。
上記手法の非干渉パス制御時位置誤差Eは、加振信号に対する粗動アクチュエータの応答PVWと非干渉パス制御系感度関数の積によって式(10)で表わされ、加振信号周波数において感度関数が0を超える場合は、位置決め誤差が粗動アクチュエータの加振振幅に比例して増大する。
Figure 2010020882
非干渉パス制御時粗動アクチュエータ一巡伝達関数測定においては、測定誤差低減のため加振周波数を、粗動アクチュエータゲインが十分高く、かつ制御系に働く外乱が小さい周波数に設定することが望ましいが、位置決め制御系の感度関数設計においては、制御系の外乱抑圧能力が低い、すなわち感度関数のゲインの高い、周波数領域での位置決め精度悪化を最小にするため、外乱スペクトルの谷が感度関数ゲインの山となるよう周波数特性を整形することが望ましい。従って,加振周波数における式(10)のWの係数は一般的に高ゲインを持つ。
磁気ディスク装置の信頼性向上のためには、MAゲイン変化検出およびモデルゲイン補正を頻繁に行うことが望ましい。しかし,式(10)の伝達関数が1以上の場合は、非干渉パス制御時の粗動アクチュエータ一巡伝達関数測定中に磁気ヘッドの位置誤差が悪化するためデータアクセスを中断する必要があり、頻繁なゲインの測定はドライブ性能の低下を生じる。
このような場合は、粗動アクチュエータを加振することによる位置誤差の悪化を微動アクチュエータの動作によって完全に打ち消すような制御信号を生成する周期外乱除去器を微動アクチュエータコントローラと並列に配置することで、位置誤差信号の悪化を生じることなく非干渉パス制御時の粗動アクチュエータ一巡伝達関数測定を行うことができる。
位置誤差を検出するために用いられるサーボ信号は、トラック中心から離れるに従って直線性等の精度が悪化するという特性があるが、外乱除去器を用いた手法では、微動アクチュエータの変位が大きい場合でも、磁気ヘッドはトラック中心付近に位置決めされるため、精度の高い位置誤差信号によってゲインの測定を行えるという利点がある。
一方、粗動アクチュエータ単独制御時の一巡伝達関数ゲイン測定においては、加振振幅に比例して位置誤差が悪化するが、粗動アクチュエータのゲイン変動は、微動アクチュエータのゲイン変動に対して安定しているため、例えば電源起動時などにゲイン測定を一度行うだけで十分であり、ゲイン測定中の位置誤差悪化がドライブアクセス性能に与える影響は非常に軽微である。
図6に,周期外乱除去器を挿入した場合の図を示す。周期外乱除去器GF39は微動アクチュエータコントローラ32と並列に配置され,外乱除去制御信号40を発生する。2次の離散時間無限インパルス応答(IIR)フィルタを用いて外乱除去器を構成した場合、離散時間伝達関数は式(11)の通りとなる。
Figure 2010020882
ここでw0は加振信号周波数,Tは微動アクチュエータ制御系のサンプリング周期である。定数a,b,cは系の安定性を確保するための係数で、微動アクチュエータおよび粗動アクチュエータのおおよその特性が分かれば容易に決定することが可能である。この時,GFのゲインは式(12)で示すようにw0において無限大となる。
Figure 2010020882
今G’M=GF+GMとおくと、非干渉パス制御時の位置誤差は式(13)で表わされる。
Figure 2010020882
外乱除去器を式(11)のフィルタで実現した場合、G’Mのゲインもまた加振周波数で無限大となるので、理想条件においてω0における位置誤差Eはゼロとなる。
Figure 2010020882
また,この時のVCM一巡伝達関数は
Figure 2010020882
となるので,TOFFとの比をとれば
Figure 2010020882
となり、式(4)と同じようにMAとモデルの伝達関数の関係を求めることができる。
1…ディスク、2…スピンドルモータ、3…トラック、4…サーボセクタ、5…磁気ヘッド、6…スライダ、7…微動アクチュエータ、8…キャリッジアーム、9…サスペンション、10…粗動アクチュエータ、11a…コイル、11b…永久磁石、12…ピボット、13…フレキシブルサーキット、14…ヘッド信号増幅器、15…サーボ信号復調器、16…粗動アクチュエータ制御信号、17…微動アクチュエータ制御信号、18…マイクロプロセッサ、19…バスライン、20…RAM、21…ROM、22…I/Fコントローラ、23…ホスト側コントローラ、24…粗動アクチュエータ用DA変換器、25…粗動アクチュエータ駆動用アンプ、26…微動アクチュエータ駆動用アンプ、27…微動アクチュエータ用DA変換器、30…粗動アクチュエータコントローラ、31…微動アクチュエータモデル、32…微動アクチュエータコントローラ、33…スイッチ、34…加振信号、35…粗動アクチュエータコントローラ出力、36…粗動アクチュエータ入力、37…位置誤差信号(E)、38…ヘッド位置信号、39…周期外乱除去器、40…外乱除去信号。

Claims (13)

  1. 磁気ディスクと、
    この磁気ディスクに記録されている情報を読み出す磁気ヘッドと、
    この磁気ヘッドを支持するアームと、
    このアームを駆動して、前記磁気ディスク上で前記磁気ヘッドを移動させる粗動アクチュエータと、
    前記アームに対する前記磁気ヘッドの位置を調整する微動アクチュエータと、
    この微動アクチュエータの変位量を推定する微動アクチュエータモデルと、
    この磁気ヘッドの目標位置と現在位置との位置誤差を検出した位置誤差信号を、前記微動アクチュエータのコントローラおよび前記粗動アクチュエータのコントローラにフィードバックする手段と、
    前記微動アクチュエータの変位量を、前記微動アクチュエータモデルを用いて推定し、この推定変位量を前記粗動アクチュエータの目標値に加算する非干渉パスと、を備える磁気ディスク装置において、
    前記微動アクチュエータのコントローラへのフィードバックループの接続と遮断を切り替えるスイッチと、前記粗動アクチュエータに加振信号を出力する手段とを有し、
    前記加振信号が出力されている間、前記スイッチを切り替えることにより、前記粗動アクチュエータについての一巡伝達関数のゲインを、前記フィードバックループが接続された非干渉パス制御時と前記フィードバックループが遮断された粗動アクチュエータ単独制御時のそれぞれについて求め、求めた前記一巡伝達関数のゲインの比較から、非干渉パス制御動作中の前記微動アクチュエータゲインに対する前記微動アクチュエータモデルゲインの偏差を求め、この偏差に基づいて前記微動アクチュエータモデルのゲインを調整する磁気ディスク装置。
  2. 前記微動アクチュエータモデルゲインの偏差から、非干渉パス制御動作中の前記微動アクチュエータのゲインを求める請求項1に記載の磁気ディスク装置。
  3. 前記微動アクチュエータモデルゲインの偏差が許容値以下になるまで前記微動アクチュエータモデルのゲインの調整を繰り返し実行する請求項1に記載の磁気ディスク装置。
  4. 前記微動アクチュエータモデルのゲインの調整を繰り返し実行する際に、過去の微動アクチュエータモデルゲインとこの微動アクチュエータモデルゲインを用いた場合に得られた微動アクチュエータモデルゲイン偏差の履歴に基づいて前記微動アクチュエータモデルのゲインの更新を行う請求項3に記載の磁気ディスク装置。
  5. 磁気ディスクと、
    この磁気ディスクに記録されている情報を読み出す磁気ヘッドと、
    この磁気ヘッドを支持するアームと、
    このアームを駆動して、前記磁気ディスク上で前記磁気ヘッドを移動させる粗動アクチュエータと、
    前記アームに対する前記磁気ヘッドの位置を調整する微動アクチュエータと、
    この微動アクチュエータの変位量を推定する微動アクチュエータモデルと、
    前記磁気ヘッドの目標位置と現在位置との位置誤差を検出した位置誤差信号を、前記微動アクチュエータのコントローラおよび前記粗動アクチュエータのコントローラにフィードバックする手段と、
    前記微動アクチュエータの変位量を、前記微動アクチュエータモデルを用いて推定し、この推定変位量を前記粗動アクチュエータの目標値に加算する非干渉パスと、を備える磁気ディスク装置において、
    前記粗動アクチュエータに加振信号が印加され、かつ前記微動アクチュエータのコントローラに位置誤差信号がフィードバックされている状態で、前記粗動アクチュエータについての一巡伝達関数のゲインを求め、
    前記粗動アクチュエータに加振信号が印加され、かつ前記微動アクチュエータのコントローラに位置誤差信号がフィードバックされていない状態で、前記粗動アクチュエータについての一巡伝達関数のゲインを求め、
    前記求めた一巡伝達関数のゲインの比較から、非干渉パス制御時の前記微動アクチュエータゲインに対する前記微動アクチュエータモデルゲインの偏差を求め、
    前記微動アクチュエータモデルゲインの偏差に基づいて、前記微動アクチュエータモデルのゲインを調整する磁気ディスク装置。
  6. 前記微動アクチュエータのコントローラへのフィードバックループの接続と遮断を切り替えるスイッチを有する請求項5記載の磁気ディスク装置。
  7. 前記加振信号を発生する手段を有し、この手段から出力される加振信号を前記粗動アクチュエータのコントローラの出力に加算して前記粗動アクチュエータに印加する請求項5記載の磁気ディスク装置。
  8. 前記微動アクチュエータモデルゲインの偏差から、非干渉パス制御時の前記微動アクチュエータのゲインを求める請求項5記載の磁気ディスク装置。
  9. 前記微動アクチュエータモデルゲインの偏差が許容値以下になるまで前記微動アクチュエータモデルのゲインの調整を繰り返し実行する請求項5記載の気ディスク装置。
  10. 前記微動アクチュエータモデルのゲインの調整を繰り返し実行する際に、過去の微動アクチュエータモデルゲインとこの微動アクチュエータモデルゲインを用いた場合に得られた微動アクチュエータモデルゲイン偏差の履歴に基づいて前記微動アクチュエータモデルのゲインの更新を行う請求項9に記載の磁気ディスク装置。
  11. 磁気ディスクと、
    この磁気ディスクに記録されている情報を読み出す磁気ヘッドと、
    この磁気ヘッドを支持するアームと、
    このアームを駆動して、前記磁気ディスク上で前記磁気ヘッドを移動させる粗動アクチュエータと、
    前記アームに対する前記磁気ヘッドの位置を調整する微動アクチュエータと、
    前記微動アクチュエータの変位量を推定する微動アクチュエータモデルと、
    前記磁気ヘッドの目標位置と現在位置との位置誤差を検出した位置誤差信号を、前記微動アクチュエータのコントローラおよび前記粗動アクチュエータのコントローラにフィードバックする手段と、
    前記微動アクチュエータの変位量を、前記微動アクチュエータモデルを用いて推定し、この推定変位量を前記粗動アクチュエータの目標値に加算する非干渉パスと、
    前記微動アクチュエータのコントローラに並列に配置した微動アクチュエータによって特定周期の外乱を除去するための制御信号を発生させる周期外乱除去器と、を備える磁気
    ディスク装置において、
    前記粗動アクチュエータに加振信号が印加され、かつ前記微動アクチュエータのコントローラに位置誤差信号がフィードバックされ、かつ前記外乱除去器により外乱除去制御信号を発生させた状態で,前記粗動アクチュエータについての一巡伝達関数のゲインを求め、
    前記粗動アクチュエータに加振信号が印加され、かつ前記微動アクチュエータのコントローラに位置誤差信号がフィードバックされていない状態で、前記粗動アクチュエータについての一巡伝達関数のゲインを求め、
    前記求めた一巡伝達関数のゲインの比較から、非干渉パス制御時の前記微動アクチュエータゲインに対する前記微動アクチュエータモデルゲインの偏差を求め、
    前記微動アクチュエータモデルゲインの偏差に基づいて、前記微動アクチュエータモデルのゲインを調整することを特徴とする磁気ディスク装置。
  12. 前記加振信号で加振された前記粗動アクチュエータの前記加振信号周波数における変位を,前記微動アクチュエータの前記加振信号周波数における変位が打ち消すよう,前記周期外乱除去器が前記加振信号に対応した制御信号を発生する請求項11記載の磁気ディスク装置。
  13. 前記周期外乱除去器が、2次の離散時間無限インパルスフィルタによって実現される請求項12に記載の磁気ディスク装置。
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