JP2010010603A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010010603A JP2010010603A JP2008171123A JP2008171123A JP2010010603A JP 2010010603 A JP2010010603 A JP 2010010603A JP 2008171123 A JP2008171123 A JP 2008171123A JP 2008171123 A JP2008171123 A JP 2008171123A JP 2010010603 A JP2010010603 A JP 2010010603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- composition ratio
- semiconductor device
- dielectric film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【課題】強誘電体キャパシタを備えた半導体装置とその製造方法において、信頼性を向上させること。
【解決手段】シリコン基板10と、シリコン基板10の上方に形成された第1の層間絶縁膜19と、第1の層間絶縁膜19の上に形成され、誘電体膜28を含むキャパシタQとを有し、誘電体膜28は、該誘電体膜28の結晶化温度を高める元素を含み、誘電体膜28は、初期層(第1の層)28bとその上の本体層(第2の層)28cとを有し、初期層28bにおける上記元素の組成比は、本体層28cにおける前記元素の組成比よりも多い半導体装置による。
【選択図】図6
【解決手段】シリコン基板10と、シリコン基板10の上方に形成された第1の層間絶縁膜19と、第1の層間絶縁膜19の上に形成され、誘電体膜28を含むキャパシタQとを有し、誘電体膜28は、該誘電体膜28の結晶化温度を高める元素を含み、誘電体膜28は、初期層(第1の層)28bとその上の本体層(第2の層)28cとを有し、初期層28bにおける上記元素の組成比は、本体層28cにおける前記元素の組成比よりも多い半導体装置による。
【選択図】図6
Description
本発明は、半導体装置とその製造方法に関する。
電子機器に用いられるメモリには、揮発性のDRAM(Dynamic Random Access Memory)やSRAM(Static RAM)の他に、電源を切っても情報が保持される不揮発性のフラッシュメモリが広く普及している。
フラッシュメモリは、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(IGFET)のゲート絶縁膜中に埋め込んだフローティングゲートを有し、記憶情報を表す電荷をこのフローティングゲートに蓄積することによって情報を記憶する。しかし、このようなフラッシュメモリでは、情報の書き込みや消去の際に、ゲート絶縁膜にトンネル電流を流す必要があり、比較的高い電圧が必要であるという欠点がある。
そこで、高速且つ低電圧動作が可能なメモリとして、FeRAM(Ferroelectric RAM)、MRAM(Magnetoresistive RAM)、及びPRAM(Phase change RAM)等の開発が進められている。
このうち、FeRAMは、強誘電体材料が持つヒステリシス特性を利用した不揮発性メモリであって、強誘電体キャパシタに情報を記憶するものである。強誘電体キャパシタは、下部電極、強誘電体膜よりなるキャパシタ誘電体膜、及び上部電極をこの順に形成してなる。そして、キャパシタ誘電体膜としては、自発分極量の大きなPZT(Pb (Zr, Ti) O3)膜が形成されることが多い。
PZT膜の強誘電体特性は、強誘電体キャパシタの電気的特性に大きな影響を与える。そのため、PZT膜のスイッチング電荷量等の強誘電体特性を改善することが提案されている。
例えば、PZT膜を多層構造にし、その最上層として他の層よりもZr原子が多い過剰Zr層を形成することによりリーク電流を低減することができ、スイッチング電荷量を向上させることが提案されている(特許文献1)。
また、PZT膜を初期層と本体層とに分けてMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により成膜し、本体層の成膜雰囲気における酸素濃度を初期層におけるよりも増加させることにより、PZT膜のリーク電流を低減する方法も提案されている(特許文献2)。
更に、上記の初期層の組成をその膜厚方向に向かって連続的に変化させ、本体層では組成を一定にすることにより、PZT膜の結晶欠陥を抑制することが提案されている(特許文献3)。
国際公開第05/106956号パンフレット
特開2000−174019号公報
特開2000−67650号公報
強誘電体キャパシタを備えた半導体装置とその製造方法において、信頼性を向上させることを目的とする。
以下の開示の一観点によれば、半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成され、誘電体膜を含むキャパシタとを有し、前記誘電体膜は、該誘電体膜の結晶化温度を高める元素を含み、前記誘電体膜は、第1の層と、前記第1の層の上に形成される第2の層とを有し、前記第1の層における前記元素の組成比は、前記第2の層における前記元素の組成比よりも多い半導体装置が提供される。
また、その開示の別の観点によれば、半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜の上に、誘電体材料からなる第1の層と第2の層とをこの順に積層して誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜の上に第2の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜、前記誘電体膜、及び前記第2の導電膜をパターニングしてキャパシタを形成する工程とを有し、前記誘電体膜を形成するときに、該誘電体膜の結晶化温度を高める元素を該誘電体膜に含めて、前記第1の層における前記元素の組成比を前記第2の層における前記元素の組成比よりも多くする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、誘電体膜の結晶化温度を高める元素の組成比が、第2の層よりも第1の層の方が高いので、高温で誘電体膜を成膜する時に初期に発生するランダム配向成分となる結晶グレインの結晶化が進行し難くなり、第1の層の結晶粒に起因して第2の層の上面に発生する突起の数が減少し、誘電体膜の表面モホロジーが滑らかとなる。
(1)調査結果の説明
本発明の実施の形態の説明に先立ち、本願発明者が行った調査結果について説明する。
本発明の実施の形態の説明に先立ち、本願発明者が行った調査結果について説明する。
強誘電体キャパシタの強誘電体膜としては、PZT膜等のABO3型ペロブスカイト結晶構造の強誘電体膜が用いられることが多い。その強誘電体膜は、例えばMOCVD法で形成される。
MOCVD法では、成膜の初期に形成された初期層の上に強誘電体膜の本体層がエピタキシャルに成長する。本体層の成長速度は初期層の結晶粒に依存するので、初期層においてランダム配向成分となる結晶粒がある程度成長してしまっていると、それを引き継いで本体層の成長速度が場所によって異なるようになり、成長速度が速いランダム配向成分の強誘電体膜の表面に突起が形成されることがある。
このような強誘電体膜の表面モホロジーの荒れは、強誘電体膜上に形成される上部電極のカバレッジを低下させ、ひいては強誘電体キャパシタの信頼性が低下させてしまう。
単に表面モホロジーを改善するだけなら、スパッタやSol-gel法により常温で成膜することも考えられる。しかしながら、高密度ですぐれた膜を得るためには、高温で結晶化する方が望ましい。高温で成膜する際は他のランダムな配向のグレインが異常に成長する懸念があり、その制御が重要である。
そこで、このように成膜温度を制御するのではなく、量産に向いた簡便な手法により強誘電体膜の表面モホロジーを改善するのが望まれる。
本願発明者は、強誘電体膜の元素の組成比に着目し、表面モホロジーが初期層中の元素の組成比にどのように依存するのかについて以下のような調査を行った。
図1は、その調査で使用されたサンプルの断面図である。
このサンプルは、シリコン基板1の上に下部電極2としてイリジウム膜を形成し、その上にMOCVD法により厚さ5nmのPZT膜3の初期層3aと厚さ115nmの本体層3bとを形成してなる。
そのMOCVD法は次のようにして行った。
まず、Pb(DPM)2(化学式Pb(C11H19O2)2))、Zr(dmhd)4(化学式Zr(C9H15O2)4)、及びTi(O−iOr)2(DPM)2(化学式Ti(C3H7O)2(C11H19O2)2)のそれぞれを酢酸ブチル(化学式C6H12O2)に溶解させ、Pb、Zr、及びTiの各液体原料を作成した。そして、これらの液体原料をMOCVD装置の気化器にそれぞれ0.3sccm、0.4sccm、及び0.4sccmの流量で供給して気化させることにより、Pb、Zr、及びTiの原料ガスを得た。更に、成膜に際しては、これらの原料ガスと共に、O2ガスとArガスとをチャンバに供給した。
図2(a)は、初期層3aと本体層3bの双方において、Zrの組成比(Zr/(Zr+Ti))を共に0.45とした場合に、PZT膜3の表面をSEM(Scanning Electron Microscope)により観察して得られた像を基に描いた図である。なお、Zrの組成比は、上記の各原料ガスの流量を制御することにより調節した。
この場合、同図で示されている正方形の領域には63個の突起が発生している。その突起は、PZTの(111)配向以外の配向の結晶粒であり、図中の平坦面はPZTの(111)面に相当する。
一方、図2(b)は、初期層3aのZrの組成比(Zr/(Zr+Ti))を0.62に高め、本体層3bのZrの組成比を0.45とした場合のSEM像を基にして描いた図である。なお、一辺の長さは図2(a)と同じである。
この場合は、PZTの(111)面上での突起の数が21個に減少した。
図3は、このようなサンプルを複数形成し、初期層3aのZrの組成比(Zr/(Zr+Ti))と、PZT膜3の表面の突起の個数との関係を調査して得られた図である。なお、その突起が計数された領域の形状と広さは図2(a)、(b)と同じである。また、いずれのサンプルにおいても、本体層3bについては、Zrの組成比を0.45としている。
図3に示されるように、初期層3aのZrの組成比を増加させると、突起の個数が減少し、PZT膜3の表面モホロジーが改善されることが明らかとなった。
これは、ZrがPZTの結晶化温度を高める作用を有するため、Zrの組成比を高めると初期層3aの結晶化温度が高まり、初期層3aにおいてランダムな配向をもつグレインのPZT結晶が十分に成長せず、本体層3bの成長が初期層3aをひきついで均一に成長するためと考えられる。
よって、PZT膜以外のABO3型ペロブスカイト結晶構造の強誘電体膜でも、その強誘電体膜の結晶化温度を高めるような元素を強誘電体膜にドープし、かつ、初期層におけるその元素の組成比を本体層におけるよりも多くすることで、表面モホロジーの荒れを防止できると考えられる。そのようなABO3型ペロブスカイト結晶構造の強誘電体膜としては、PZT膜の他に、PZT膜にランタンをドープしたPLZT膜や、PZTにランタン、カルシウム、及びストロンチウムをドープしたPLCSZT膜もある。
また、これらの強誘電体膜の結晶化温度を高めるような元素としては、上記のZrの他に、Nbもある。
このような結晶化温度の上昇を利用して表面モホロジーを改善するには、初期層3aにおけるZrの組成比を0.4〜0.9、より好ましくは0.5〜0.8とするのがよい。
また、初期層3aは、このように結晶化温度が高いためPZT結晶が成長し難く、本体層3bと比較してPZT膜3の強誘電体特性への寄与は小さい。よって、PZT膜3の全体の強誘電体特性を高めるには、初期層3aはなるべく薄く、例えば20nm以下とするのが好ましい。
一方、本体層3bは、Zrが多くドープされていると結晶化温度が高くなって結晶化し難くなり、PZT膜3の全体の強誘電体特性が悪くなってしまう。そのため、本体層3bについては、強誘電体特性を優先させ、Zr組成比を初期層3aよりも小さくするのが好ましい。PZT膜3全体の強誘電体特性の維持には、本体層3bにおけるZr組成比を0.2〜0.6、より好ましくは0.4〜0.5とするのがよい。
なお、このような効果は、MOCVD法だけでなく、スパッタ法によって各層3a、3bを形成する場合にも得られると期待される。
ところで、上記のように初期層3aにおけるZrの組成比を高めると、PZT膜3の表面モホロジーは改善されるが、初期層3aにおいて結晶が成長し難くなるため、その結晶が一方向に揃わなくなるおそれがある。PZT膜の分極軸方向は(001)方向であるが、この方向にPZT結晶粒を配向させるのは困難なので、実際の製品においては配向が容易な(111)方向に揃えるのが理想的である。
本願発明者は、上記のように初期層3aのZrの組成比を0.62と高めた場合に、PZT膜3の(111)配向が、初期層3aの成膜雰囲気中の酸素の分圧にどのように依存するかについて調査した。
その調査結果を図4に示す。
図4の横軸は、初期層3aの成膜雰囲気中において、原料ガスを除いた酸素の分圧の百分率を示す。なお、いずれのサンプルについても、本体層3bを形成するときの酸素の分圧は100%としている。
また、縦軸は、PZT膜3の(111)方向の配向の強さI(111)と、これ以外の配向の強さの和(I(100)+I(101)+I(111))との比で定義される(111)方向の配向率を表す。なお、配向の強さについては、XRDにより測定した。
そして、同図中のCenterとは、200mmのシリコン基板1の中心での値を意味し、Edgeとはシリコン基板1の周辺部分での値を意味する。
更に、図4におけるリファレンスは、初期層3aと本体層3bの双方のZrの組成比(Zr/(Zr+Ti))を0.45とした場合のものである。また、そのリファレンスでは、初期層3aの成膜雰囲気における酸素分圧を25%とし、本体層3bの成膜雰囲気における酸素分圧を100%とした。
図4に示されるように、初期層3aのZr組成比が0.62の場合、酸素分圧が15〜25%では、基板周辺部分における(111)配向率がリファレンスよりも低下する。
これに対し、酸素分圧が35〜55%となると、リファレンスと同程度に良好の(111)配向率が得られる。
このことから、PZT膜3の表面モホロジーの改善と(111)配向率の向上との両立を図るには、初期層3aを形成するときの酸素分圧を35〜55%とすればよいことが明らかとなった。
(2)本発明の実施の形態
以下では、スタック型のFeRAMの製造工程に上記した調査結果を利用する。但し、本発明はスタック型に限定されず、プレーナ型であってもよい。
以下では、スタック型のFeRAMの製造工程に上記した調査結果を利用する。但し、本発明はスタック型に限定されず、プレーナ型であってもよい。
図5〜図9は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。
最初に、図5(a)に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、p型のシリコン基板10に素子分離溝を形成し、その中に素子分離絶縁膜11として酸化シリコン膜を埋め込む。このような素子分離構造はSTI(Shallow Trench Isolation)と呼ばれる。なお、STIに代えて、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)により素子分離を行ってもよい。
次いで、シリコン基板10にp型不純物をイオン注入してpウェル12を形成した後、素子分離絶縁膜11で画定された活性領域におけるシリコン基板10表面を熱酸化してゲート絶縁膜14となる熱酸化膜を形成する。
続いて、シリコン基板10の上側全面に非晶質又は多結晶のシリコン膜及びタングステンシリサイド膜を順に形成し、これらの膜をフォトリソグラフィによりパターニングしてゲート電極15を形成する。
pウェル12上には、上記の2つのゲート電極15が間隔をおいてほぼ平行に配置され、それらのゲート電極15はワード線の一部となる。
次いで、シリコン基板10の上側全面に絶縁膜を形成し、その絶縁膜をエッチバックしてゲート電極15の横に絶縁性サイドウォール16として残す。その絶縁膜として、例えばCVD法により酸化シリコン膜を形成する。
続いて、絶縁性サイドウォール16とゲート電極15をマスクにしながら、シリコン基板10にn型不純物をイオン注入することにより、ゲート電極15の側方のシリコン基板10にn型ソース/ドレイン領域13を形成する。
ここまでの工程により、シリコン基板10の活性領域には、ゲート絶縁膜14、ゲート電極15、及びn型ソース/ドレイン領域13等を有するMOSトランジスタTRが形成されたことになる。
次に、シリコン基板10の上側全面に、スパッタ法によりコバルト層等の高融点金属層を形成した後、この高融点金属層を加熱してシリコンと反応させ、シリコン基板10上に高融点金属シリサイド層17を形成する。その高融点金属シリサイド層17はゲート電極15の表層部分にも形成され、それにより各ゲート電極15が低抵抗化されることになる。
その後、素子分離絶縁膜11の上等で未反応となっている高融点金属層をウエットエッチングして除去する。
続いて、プラズマCVD法により、カバー絶縁膜18として窒化シリコン(SiN)膜を厚さ約20nmに形成する。次いで、カバー絶縁膜18の上に、TEOSガスを使用するプラズマCVD法により酸化シリコン膜を約1000nmに形成し、その酸化シリコン膜を第1の層間絶縁膜19とする。
その後に、第1の層間絶縁膜19の上面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)法により研磨して平坦化する。このCMPの結果、第1の層間絶縁膜19の厚さは、シリコン基板10の平坦面上で約700nmとなる。
次に、図5(b)に示すように、カバー絶縁膜18と第1の層間絶縁膜19とをパターニングして、n型ソース/ドレイン領域13の上のこれらの絶縁膜にコンタクトホール19aを形成する。
そして、そのコンタクトホール19aの内面と第1の層間絶縁膜19の上面に、スパッタ法により厚さ約30nmのチタン膜と厚さ約20nmの窒化チタン膜とをこの順にグルー膜として形成する。更に、六フッ化タングステンガスを使用するCVD法により、上記のグルー膜の上にタングステン膜を形成し、そのタングステン膜でコンタクトホール19aを完全に埋め込む。その後に、第1の層間絶縁膜19上の余分なタングステン膜とグルー膜とをCMP法により研磨して除去し、これらの膜をコンタクトホール19aの中に第1の導電性プラグ21として残す。
続いて、図5(c)に示すように、スパッタ法により下地導電膜25としてチタン膜を約20nmの厚さに形成する。そして、N2雰囲気中におけるRTA(Rapid Thermal Anneal)によりそのチタン膜を窒化して窒化チタン膜とする。このように窒化により得られた窒化チタンは、後述のPZTを(111)方向に揃えるのに好適な(111)配向となる。
次いで、この下地導電膜25の上に、導電性酸素バリア膜26として窒化チタンアルミニウム(TiAlN)膜26をスパッタ法により約100nmの厚さに形成する。
導電性酸素バリア膜26は、外部雰囲気中の酸素が第1の導電性プラグ21に侵入するのを阻止し、製造途中に第1の導電性プラグ21が異常酸化してコンタクト不良を引き起こすのを防止する役割を担う。
次に、図6(a)に示すように、導電性酸素バリア膜26の上にスパッタ法によりイリジウム膜を厚さ約100nmに形成し、そのイリジウム膜を第1の導電膜27とする。
第1の導電膜27はイリジウム膜に限定されない。第1の導電膜27としては、イリジウム膜、酸化イリジウム(IrO2)膜、窒化チタンアルミニウム膜、窒化チタン膜、及びSrRuO3膜のいずれかを形成し得る。
そして、図6(b)に示すように、第1の導電膜27の上にMOCVD法によりPZT膜の初期層(第1の層)28bを20nm以下の厚さ、例えば5nmに形成する。
その初期層28bの形成に際しては、Pb(DPM)2(化学式Pb(C11H19O2)2))、Zr(dmhd)4(化学式Zr(C9H15O2)4)、及びTi(O−iOr)2(DPM)2(化学式Ti(C3H7O)2(C11H19O2)2)のそれぞれを酢酸ブチル(化学式C6H12O2)に溶解させ、Pb、Zr、及びTiの各液体原料を作成する。
そして、これらの液体原料をMOCVD装置の気化器にそれぞれ0.3sccm、0.4sccm、及び0.4sccmの流量で供給して気化させることにより、Pb、Zr、及びTiの原料ガスを得る。
その後に、これらの原料ガスと共にO2ガスとArガスとをMOCVDチャンバに供給しながら、圧力を5Torrに維持し、基板温度を620℃とすることで、上記の初期層28bを形成する。なお、O2ガスの流量は例えば0.625slmとされ、Arガスの流量は例えば1.375slmとされる。
調査結果において説明したように、初期層28bにおける結晶成長を抑制するために、初期層28bにおけるZrの組成比Zr/(Zr+Ti)は後述の本体層よりも多いのが好ましく、0.4〜0.9の範囲、より好適には0.5〜0.8の範囲にZrの組成比を調節するのがよい。本実施形態ではその組成比を0.62とする。組成比の調節は、原料ガスの流量によって制御することができる。
このようにZr組成比を高めることで、初期層28bの結晶化温度が高くなり、初期層28b中でランダム配向のPZT結晶が成長し難くなる。
また、原料ガスを除いた成膜雰囲気中の酸素の分圧については、図4で説明した調査結果より、35〜55%の範囲とすることで、最終的に得られる強誘電体膜の(111)配向の配向率を高めるのが好ましい。
次いで、図6(c)に示すように、初期層28bの成膜に使用したMOCVDチャンバを引き続いて使用し、初期層28bの成膜時と同じ圧力と基板温度の条件で、初期層28bの上にPZTの本体層(第2の層)28cを約115nmの厚さに形成する。
その本体層28cは、初期層28bと同じ原料ガスを使用して形成し得る。但し、Zrの組成比については、初期層28bよりも少なくなるように0.2〜0.6の範囲、より好適には0.4〜0.5とするのが好ましく、本実施形態では0.45とする。
これにより、初期層28bと比較して本体層28cの結晶化温度が低くなり、本体層28cにおいてPZT結晶粒の成長が促される。
また、成膜雰囲気の酸素分圧は、初期層28bの形成時よりも高くすることで結晶成長を促し、良好なPZT結晶を得るのが好ましい。本実施形態では、原料ガス以外のガスとしてO2ガスのみを2slmの流量で供給し、Arガスは供給しない。これにより、原料ガスを除いた成膜雰囲気中における酸素の分圧は100%となり、初期層28bと比較して強誘電体特性が高い本体層28cが得られる。
以上により、第1の導電膜27の上に、初期層28bと本体層28cとを積層してなる強誘電体膜28が形成されたことになる。
上記のように初期層28bではZr組成比を高めてランダムなPZT結晶の成長を抑制したことで、その結晶粒に起因して本体層28cの表面に形成される突起の数が少なくなり、本体層28cの表面モホロジーが滑らかとなる。
なお、PZTの結晶化温度を高める元素としては、Zrの他に、Nbもある。よって、初期層28bと本体層28cのそれぞれにNbをドープし、かつ、初期層28bにおけるNbの組成比(Nb/(Nb+Zr+Ti))を本体層28cにおけるよりも多くすることによっても、初期層28bの結晶化温度を高めることができる。
ところで、初期層28bは、このように表面モホロジーの改善に寄与する一方、PZT結晶粒の酸素が少ないため本体層28cと比較して強誘電体膜28の強誘電体特性への寄与の程度は少ない。したがって、初期層28bの膜厚を20nm以下に薄くすることにより、強誘電体膜28の大部分を本体層28cが占めるようにし、強誘電体膜28の強誘電体特性を高めるのが好ましい。
また、この例では強誘電体膜28としてPZT膜を形成したが、これに代えてPLZT膜やPLCSZT膜を形成してもよい。
次いで、図7(a)に示すように、強誘電体膜28の上に第2の導電膜29としてスパッタ法により酸化イリジウム膜を厚さ約150nmに直接形成する。
第2の導電膜29は酸化イリジウム膜に限定されない。第2の導電膜29としては、イリジウム膜、酸化イリジウム膜、及びSrRuO3膜のいずれかまたはそれらの積層を形成し得る。
更に、第2の導電膜29の上に、貴金属膜30としてスパッタ法によりイリジウム膜を厚さ約50nmに形成する。
そして、図7(b)に示すように、不図示のハードマスクをマスクにし、ハロゲンガスを含むエッチングガスを用いて各膜25〜30をドライエッチングすることにより、第1の導電性プラグ21の直上に強誘電体キャパシタQを形成する。
その強誘電体キャパシタQは、第1の導電膜27をパターニングしてなる下部電極27a、強誘電体膜28をパターニングしてなるキャパシタ誘電体膜28a、及び第2の導電膜29をパターニングしてなる上部電極29aをこの順に積層してなる。
ところで、キャパシタ誘電体膜28a中のPZTは、水素等の還元性物質によって容易に還元され、残留分極電荷量等の強誘電体特性が劣化し易い。
そこで、次の工程では、図8(a)に示すように、水素のバリア性に優れたアルミナ膜を絶縁性水素バリア膜33としてシリコン基板1の上側全面に形成する。そのアルミナ膜は、例えばスパッタ法により約20nmの厚さに形成する。
その後に、ここまでの工程においてキャパシタ誘電体膜28aが受けたダメージを回復させるため、キャパシタ誘電体膜28aに対して酸素含有雰囲気中でアニールを行う。そのアニールは回復アニールとも呼ばれ、例えばファーネス内で基板温度を600℃として約60分間行われる。
次に、図8(b)に示すように、絶縁性水素バリア絶縁膜33の上にHDPCVD(High Density Plasma CVD)法により酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜を第2の層間絶縁膜34とする。
HDPCVD法により形成された第2の層間絶縁膜34は埋め込み性に優れているため、隣接する強誘電体キャパシタQ間の狭いスペースをその第2の層間絶縁膜34で良好に埋め込むことができる。
その後に、第2の層間絶縁膜34の上面をCMPにより研磨して平坦化する。CMP後の第2の層間絶縁膜34の膜厚は、上部電極29aの上で例えば300nmとなる。
次いで、図9(a)に示すように、絶縁性水素バリア絶縁膜33と第2の層間絶縁膜34のそれぞれをパターニングし、強誘電体キャパシタQと第1の導電性プラグ21のそれぞれの上に第1のホール34aと第2のホール34bを形成する。
なお、これらのホール34a、34bを同時に形成しようとすると、第2のホール34bよりも浅い第1のホール34aの形成が先に終了し、第1のホール34aに露出する強誘電体キャパシタQがエッチング雰囲気に長時間曝されてダメージを受けるおそれがある。
そのため、最初に第1のホール34aを形成した後、第1のホール34aをレジストパターンで多いながら第2のホール34bを形成するのが好ましい。
次に、図9(b)に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、各ホール34a、34bのそれぞれの内面と第2の層間絶縁膜34の上面に、スパッタ法により窒化チタン膜を形成し、更にその上にCVD法によりタングステン膜を形成して各ホール34a、34bを完全に埋め込む。その後に、第2の層間絶縁膜34の上の余分な窒化チタン膜とタングステン膜とをCMP法により研磨して除去し、これらの膜を各ホール34a、34b内に第2の導電性プラグ39として残す。
次いで、第2の導電性プラグ39と第2の層間絶縁膜34のそれぞれの上にスパッタ法により金属積層膜を形成し、それをパターニングして一層目金属配線層40として残す。その金属積層膜として、例えば、厚さ約50nmの窒化チタン膜、厚さ約360nmのアルミニウム膜、及び厚さ約70nmの窒化チタン膜をこの順に形成する。
以上により、本実施形態に係る半導体装置の基本構造が完成した。
上記した本実施形態によれば、図6(c)を参照して説明したように、MOCVD法で強誘電体膜28を形成するとき、初期層28bにおけるZrの組成比(Zr/(Zr+Ti))を、本体層28cにおけるよりも高くした。これにより、初期層28bの結晶化温度が本体層28cよりも高まるので、初期層28bにおいて結晶化が進行し難くなる。その結果、初期層28bの結晶粒に起因して本体層28cの上面に発生する突起の数が少なくなり、本体層28cの表面モホロジーが滑らかとなる。これにより、キャパシタ誘電体膜28aを覆う上部電極29aのカバレッジが良好となり、強誘電体キャパシタQの信頼性が向上する。
更に、強誘電体膜28は、表面モホロジーの改善に有効な初期層28bを最下層に一層のみ有しており、特許文献1のように過剰Zr層を複数層有しておらず、本体層28cの上に第2の導電膜29が直接形成される。よって、強誘電体膜28において、その強誘電体特性の向上に寄与する本体層28cが占める割合が特許文献1よりも多くなり、強誘電体特性を高め易くすることが可能となる。
以下に、本発明の諸態様を付記にまとめる。
(付記1) 半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成され、誘電体膜を含むキャパシタとを有し、
前記誘電体膜は、該誘電体膜の結晶化温度を高める元素を含み、
前記誘電体膜は、第1の層と、前記第1の層の上に形成される第2の層とを有し、
前記第1の層における前記元素の組成比は、前記第2の層における前記元素の組成比よりも多いことを特徴とする半導体装置。
前記半導体基板の上方に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成され、誘電体膜を含むキャパシタとを有し、
前記誘電体膜は、該誘電体膜の結晶化温度を高める元素を含み、
前記誘電体膜は、第1の層と、前記第1の層の上に形成される第2の層とを有し、
前記第1の層における前記元素の組成比は、前記第2の層における前記元素の組成比よりも多いことを特徴とする半導体装置。
(付記2) 前記誘電体膜はPZT膜、PLZT膜、及びPLCSZT膜のいずれかであり、前記結晶化温度を高める元素はZrであることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記3) 前記組成比はZr/(Zr+Ti)であり、その値は前記第1の層において0.4〜0.9であることを特徴とする付記2に記載の半導体装置。
(付記4) 前記組成比はZr/(Zr+Ti)であり、その値は前記第2の層において0.2〜0.6であることを特徴とする付記2に記載の半導体装置。
(付記5) 前記結晶化温度を高める元素として、更にNbがドープされたことを特徴とする付記2に記載の半導体装置。
(付記6) 前記初期層の厚さは20nm以下であることを特徴とする付記1〜5のいずれかに記載の半導体装置。
(付記7) 前記本体層の上に、前記強誘電体キャパシタの上部電極が直接形成されたことを特徴とする付記1〜6のいずれかに記載の半導体装置。
(付記8) 半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に第1の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜の上に、誘電体材料からなる第1の層と第2の層とをこの順に積層して誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の上に第2の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜、前記誘電体膜、及び前記第2の導電膜をパターニングしてキャパシタを形成する工程とを有し、
前記誘電体膜を形成するときに、該誘電体膜の結晶化温度を高める元素を該誘電体膜に含めて、前記第1の層における前記元素の組成比を前記第2の層における前記元素の組成比よりも多くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記絶縁膜の上に第1の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜の上に、誘電体材料からなる第1の層と第2の層とをこの順に積層して誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の上に第2の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜、前記誘電体膜、及び前記第2の導電膜をパターニングしてキャパシタを形成する工程とを有し、
前記誘電体膜を形成するときに、該誘電体膜の結晶化温度を高める元素を該誘電体膜に含めて、前記第1の層における前記元素の組成比を前記第2の層における前記元素の組成比よりも多くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記9) 前記誘電体膜としてPZT膜、PLZT膜、及びPLCSZT膜のいずれかを形成し、前記結晶化温度を高める元素としてZrを採用することを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10) 前記組成比はZr/(Zr+Ti)であり、その値を前記第1の層において0.4〜0.9とすることを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造方法。
(付記11) 前記組成比はZr/(Zr+Ti)であり、その値を前記第2の層において0.2〜0.6とすることを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造方法。
(付記12) 前記結晶化温度を高める元素として、更にNbを採用することを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造方法。
(付記13) 前記誘電体膜をMOCVD法により形成すると共に、前記第1の層の成膜雰囲気に添加される酸素の分圧を、前記第2の層を成膜するときよりも低くすることを特徴とする付記9〜12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記14) 前記酸素の分圧を35%〜55%とすることを特徴とする付記13に記載の半導体装置の製造方法。
(付記15) 前記誘電体膜をスパッタ法により形成することを特徴とする付記8〜12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記16) 前記第2の層の上に、前記第2の導電膜を直接形成することを特徴とする付記8〜15のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
1…シリコン基板、2…下部電極、3…PZT膜、3a…初期層、3b…本体層、10…シリコン基板、11…素子分離絶縁膜、12…pウェル、13…n型ソース/ドレイン領域、14…ゲート絶縁膜、15…ゲート電極、16…絶縁性サイドウォール、17…高融点金属シリサイド層、18…カバー絶縁膜、19…第1の層間絶縁膜、21…第1の導電性プラグ、25…下地導電膜、26…導電性酸素バリア膜、27…第1の導電膜、28…強誘電体膜、28a…キャパシタ誘電体膜、28b…初期層、28c…本体層、29…第2の導電膜、30…貴金属膜、33…絶縁性水素バリア膜、34…第2の層間絶縁膜、34a…第1のホール、34b…第2のホール、39…第2の導電性プラグ、40…一層目金属配線層、Q…強誘電体キャパシタ、TR…MOSトランジスタ。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成され、誘電体膜を含むキャパシタとを有し、
前記誘電体膜は、該誘電体膜の結晶化温度を高める元素を含み、
前記誘電体膜は、第1の層と、前記第1の層の上に形成される第2の層とを有し、
前記第1の層における前記元素の組成比は、前記第2の層における前記元素の組成比よりも多いことを特徴とする半導体装置。 - 前記誘電体膜はPZT膜、PLZT膜、及びPLCSZT膜のいずれかであり、前記結晶化温度を高める元素はZrであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記組成比はZr/(Zr+Ti)であり、その値は前記第1の層において0.4〜0.9であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記組成比はZr/(Zr+Ti)であり、その値は前記第2の層において0.2〜0.6であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に第1の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜の上に、誘電体材料からなる第1の層と第2の層とをこの順に積層して誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の上に第2の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜、前記誘電体膜、及び前記第2の導電膜をパターニングしてキャパシタを形成する工程とを有し、
前記誘電体膜を形成するときに、該誘電体膜の結晶化温度を高める元素を該誘電体膜に含めて、前記第1の層における前記元素の組成比を前記第2の層における前記元素の組成比よりも多くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008171123A JP2010010603A (ja) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008171123A JP2010010603A (ja) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010010603A true JP2010010603A (ja) | 2010-01-14 |
Family
ID=41590698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008171123A Withdrawn JP2010010603A (ja) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010010603A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015213920A1 (de) | 2014-08-07 | 2016-02-11 | Fujitsu Semiconductor Limited | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon |
-
2008
- 2008-06-30 JP JP2008171123A patent/JP2010010603A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015213920A1 (de) | 2014-08-07 | 2016-02-11 | Fujitsu Semiconductor Limited | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon |
US9472611B2 (en) | 2014-08-07 | 2016-10-18 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5109341B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP5205741B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5140972B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009212448A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2009117768A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
US7897413B2 (en) | Methods of making a ferroelectric memory device having improved interfacial characteristics | |
US20070228431A1 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
JP2007201153A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP5347381B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4983172B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4845624B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP5655585B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4230243B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4616830B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20110140238A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US8263419B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2010010603A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2009105223A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20070158715A1 (en) | Ferroelectric capacitor and method for fabricating the same | |
JP5360023B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5304810B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2011129719A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPWO2008004297A1 (ja) | キャパシタを含む半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007053141A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005039292A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110906 |