JP2010010324A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体素子が形成される素子領域を有する基板と、素子領域の隣接部分の基板に形成されるビアホールと、ビアホール内に絶縁層を介して設けられる導通部と、基板と絶縁層との間に設けられる緩衝層とを備え、緩衝層は、基板の熱膨張係数と緩衝層の熱膨張係数との差が、基板の熱膨張係数と絶縁層の熱膨張係数との差より小さい材料から形成される。
【選択図】図1
Description
(半導体装置1の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の断面図の一例である。
図2Aから図2Hは、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の断面図の一例である。
この第1の実施の形態によれば、基板10の熱膨張係数と緩衝層24の熱膨張係数との差が、基板10の熱膨張係数と絶縁層22の熱膨張係数との差よりも小さい材料からなる緩衝層24を基板10と絶縁層22との間に形成するので、半導体装置1に熱を加えた場合に、界面10aへの応力の集中を低減することができる。これにより、本実施の形態に係る半導体装置1に所定の熱を繰り返し加えた場合であっても、基板10の側に伝わる応力が低減され、基板10中に結晶欠陥が発生することを抑制でき、信頼性の高い半導体装置1を提供できる。
(半導体装置1の製造方法)
図3Aから図3Iは、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の断面図の一例である。
(半導体装置1aの構造)
図4は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の部分断面図の一例である。
(半導体装置1bの構造)
図5は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の部分断面図の一例である。
図6は、本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置の部分断面図の一例である。
Claims (5)
- 半導体素子が形成される素子領域を有する基板と、
前記素子領域の隣接部分の前記基板に形成されるビアホールと、
前記ビアホール内に絶縁層を介して設けられる導通部と、
前記基板と前記絶縁層との間に設けられる緩衝層と
を備え、
前記緩衝層は、前記基板の熱膨張係数と前記緩衝層の熱膨張係数との差が、前記基板の熱膨張係数と前記絶縁層の熱膨張係数との差よりも小さい材料から形成される半導体装置。 - 前記緩衝層は、前記絶縁層の熱膨張係数より前記基板の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する材料から形成される請求項1に記載の半導体装置。
- 前記基板は、前記半導体素子が形成された表面に接して形成される表面層を有し、
前記緩衝層は、少なくとも前記ビアホール内の前記表面層と前記基板との境界の端部を含む領域に接して設けられる請求項1に記載の半導体装置。 - 前記緩衝層は、カーボン、窒化ケイ素、ポリイミド、及び炭化タングステンの群から選ばれる少なくとも1つを含む材料から形成される請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体素子が形成される素子領域を有する基板の前記素子領域の隣接部分にビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールの側壁に緩衝層を形成する工程と、
前記緩衝層の前記側壁の反対側に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の前記緩衝層側の反対側の空孔に導通材料を充填する工程と
を備え、
前記緩衝層を形成する工程は、前記基板の熱膨張係数と前記緩衝層の熱膨張係数との差が、前記基板の熱膨張係数と前記絶縁層の熱膨張係数との差よりも小さい材料から前記緩衝層を形成する半導体装置の製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153848A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-07-08 | Imec | 集積回路用相互接続構造の製造方法 |
JP2011159889A (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR20130107591A (ko) * | 2012-03-22 | 2013-10-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2013160976A1 (ja) * | 2012-04-26 | 2013-10-31 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014041879A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5601380B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2014-10-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR20140131976A (ko) * | 2012-02-27 | 2014-11-14 | 퀄컴 인코포레이티드 | 스트레인-완화된 tsv에 대한 구조 및 방법 |
JP2016213349A (ja) * | 2015-05-11 | 2016-12-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 貫通電極及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5353109B2 (ja) * | 2008-08-15 | 2013-11-27 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR101126690B1 (ko) * | 2009-07-02 | 2012-04-02 | 남재우 | Mems 기술을 이용한 테스트 소켓 및 그 제조방법 |
JP4987928B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2012-08-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US8264065B2 (en) | 2009-10-23 | 2012-09-11 | Synopsys, Inc. | ESD/antenna diodes for through-silicon vias |
US8354736B2 (en) * | 2010-01-14 | 2013-01-15 | Synopsys, Inc. | Reclaiming usable integrated circuit chip area near through-silicon vias |
US20110204517A1 (en) * | 2010-02-23 | 2011-08-25 | Qualcomm Incorporated | Semiconductor Device with Vias Having More Than One Material |
US8148824B2 (en) * | 2010-04-16 | 2012-04-03 | Nanya Technology Corp. | Semiconductor device with through substrate via |
KR20120000748A (ko) | 2010-06-28 | 2012-01-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
CN104011848A (zh) * | 2010-07-30 | 2014-08-27 | 昆山智拓达电子科技有限公司 | 一种硅通孔互连结构及其制造方法 |
JP2012164702A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
TWI441292B (zh) * | 2011-03-02 | 2014-06-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 半導體結構及其製法 |
US8487410B2 (en) * | 2011-04-13 | 2013-07-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Through-silicon vias for semicondcutor substrate and method of manufacture |
JP5733002B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-06-10 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR101828063B1 (ko) * | 2011-05-17 | 2018-02-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 형성방법 |
US8587127B2 (en) * | 2011-06-15 | 2013-11-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor structures and methods of forming the same |
US8487425B2 (en) * | 2011-06-23 | 2013-07-16 | International Business Machines Corporation | Optimized annular copper TSV |
US20130015504A1 (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Chien-Li Kuo | Tsv structure and method for forming the same |
US8816505B2 (en) | 2011-07-29 | 2014-08-26 | Tessera, Inc. | Low stress vias |
US8803322B2 (en) * | 2011-10-13 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Through substrate via structures and methods of forming the same |
KR101845529B1 (ko) | 2012-02-02 | 2018-04-05 | 삼성전자주식회사 | 관통전극을 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
US8587131B1 (en) * | 2012-06-07 | 2013-11-19 | Nanya Technology Corp. | Through-silicon via and fabrication method thereof |
US8956974B2 (en) * | 2012-06-29 | 2015-02-17 | Micron Technology, Inc. | Devices, systems, and methods related to planarizing semiconductor devices after forming openings |
US8916979B2 (en) * | 2012-12-28 | 2014-12-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Through-vias and methods of forming the same |
KR102327422B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2021-11-17 | 인텔 코포레이션 | 스루-바디 비아 라이너 퇴적 |
US10163655B2 (en) * | 2015-11-20 | 2018-12-25 | Micron Technology, Inc. | Through substrate via liner densification |
CN107980171B (zh) * | 2016-12-23 | 2022-06-24 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法 |
KR102269743B1 (ko) * | 2019-03-05 | 2021-06-25 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이너 리드 패턴 그룹을 포함하는 반도체 패키지 및 그 방법 |
US11031348B2 (en) * | 2019-07-24 | 2021-06-08 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor structure |
CN111081632A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-28 | 联合微电子中心有限责任公司 | 一种减小热应力的硅通孔结构及其制造方法 |
CN111081666A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-28 | 联合微电子中心有限责任公司 | 一种减小热应力的tsv结构及其形成方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080399A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006108328A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006261552A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100338783B1 (en) * | 2000-10-28 | 2002-06-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Semiconductor device having expanded effective width of active region and fabricating method thereof |
KR100400308B1 (ko) * | 2001-03-28 | 2003-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 보더리스 콘택 형성방법 |
JP4202641B2 (ja) * | 2001-12-26 | 2008-12-24 | 富士通株式会社 | 回路基板及びその製造方法 |
US6800930B2 (en) * | 2002-07-31 | 2004-10-05 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor dice having back side redistribution layer accessed using through-silicon vias, and assemblies |
TWI288448B (en) * | 2004-09-10 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7262495B2 (en) * | 2004-10-07 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | 3D interconnect with protruding contacts |
US7863189B2 (en) * | 2007-01-05 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Methods for fabricating silicon carriers with conductive through-vias with low stress and low defect density |
US7795735B2 (en) * | 2007-03-21 | 2010-09-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods for forming single dies with multi-layer interconnect structures and structures formed therefrom |
US20090001591A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Michael Haverty | Reducing resistivity in metal interconnects by compressive straining |
-
2008
- 2008-06-26 JP JP2008166876A patent/JP2010010324A/ja active Pending
-
2009
- 2009-06-26 US US12/492,167 patent/US7994641B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-27 US US13/169,140 patent/US8252692B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080399A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006108328A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006261552A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153848A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-07-08 | Imec | 集積回路用相互接続構造の製造方法 |
JP2011159889A (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5601380B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2014-10-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8916468B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-12-23 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device fabrication method |
KR101580941B1 (ko) * | 2012-02-27 | 2015-12-30 | 퀄컴 인코포레이티드 | 스트레인-완화된 tsv에 대한 구조 및 방법 |
KR20140131976A (ko) * | 2012-02-27 | 2014-11-14 | 퀄컴 인코포레이티드 | 스트레인-완화된 tsv에 대한 구조 및 방법 |
KR20130107591A (ko) * | 2012-03-22 | 2013-10-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101934045B1 (ko) * | 2012-03-22 | 2019-01-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2013160976A1 (ja) * | 2012-04-26 | 2013-10-31 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPWO2013160976A1 (ja) * | 2012-04-26 | 2015-12-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9024390B2 (en) | 2012-04-26 | 2015-05-05 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014041879A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2016213349A (ja) * | 2015-05-11 | 2016-12-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 貫通電極及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20110256703A1 (en) | 2011-10-20 |
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