JP2010009650A - レーザ光出力制御回路及びそれを備えた光ピックアップ装置及び光ディスク装置並びにレーザ駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電源電圧が一次的に降下したときにでも、過大な電流値の制御信号が半導体レーザへ印加されてしまうことを防止することができるレーザ光出力制御回路及びレーザ駆動方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ７を電流駆動する制御信号Ｓ１を出力するレーザ駆動部２０と、このレーザ駆動部２０から出力される制御信号Ｓ１の電圧を監視し、この電圧と閾値電圧との比較結果に基づいてレーザ駆動部２０からの制御信号Ｓ１の出力を停止させる監視制御部２３とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザ光出力制御回路及びそれを備えた光ピックアップ装置及び光ディスク装置並びにレーザ駆動方法に関する。

レーザダイオードなどの半導体レーザは極めて小型で、かつ駆動電流に高速に応答するため、光ディスク装置、光通信装置、レーザプリンタなど様々な電子機器の光源として広く使用されている。

例えば、光ディスク装置においては、半導体レーザを設けた光ピックアップ装置により、光ディスクなどの記録媒体にデータの再生・記録を行っている。

書き換え可能な光ディスクとしては相変化光ディスク、光磁気ディスクが広く知られている。これらのディスクは、いずれも記録、再生、消去を行う際に照射されるレーザ光の強度が異なる。例えば、再生時は記録時より強度が弱いレーザ光を光ピックアップ装置から光ディスクへ照射することにより、記録ピットを破壊することなく光ディスク上に記録されたデータを読み出すようにしている。

近年、光ディスクの高密度化、高転送レート化が図られており、このような光ディスクに対して記録・再生が可能なエラーレートを得るためには、各動作モード（記録、再生、消去）においてレーザ光の強度を十分に制御することが必要である。

特に、半導体レーザは駆動電流−光出力特性の温度特性変化が著しいことから、そのレーザ光の出力を所望の強度に設定するために、光ピックアップ装置には一般にＡＰＣ（Auto Power Control）回路が設けられている（例えば、特許文献１参照）。

図５に従来の光ピックアップ装置の概略構成図を示す。同図に示すように、光ピックアップ装置１０１は、概略、光学部１０２とレーザ光出力制御回路１０３とから構成されている。そして、レーザ光出力制御回路１０３によって光ディスク１０４に光学部１０２から照射する書き込み用レーザ光の強度を制御しながら、光ディスク１０４にデータを書き込むようにしている。

ここで、光学部１０２は、レーザダイオードなどの半導体レーザ１０７と、フォトダイオード１１２とを有している。そして、レーザ光出力制御回路１０３から出力される制御信号Ｓ１０１に基づいて半導体レーザ１０７から所定強度のレーザ光が出射される。このレーザ光はビームスプリッタ１０８で分光され、一部のレーザ光がフォトダイオード１１２で受光される。一方、残りのレーザ光はコリメータレンズ１０９や対物レンズ１１０を介して光ディスク１０４に照射される。

また、レーザ光出力制御回路１０３は、フォトダイオード１１２から出力される電流信号Ｓ１０２に基づいて制御信号Ｓ１０１を生成する回路である。このレーザ光出力制御回路１０３は、参照信号Ｓ１０３を増減するための可変抵抗Ｒｃｏｎｔを備えた参照信号増減回路１１４と、参照信号Ｓ１０３と電流信号Ｓ１０２との差分を差分電圧信号Ｓ１０６として出力する差分検出回路１１６と、差分電圧信号Ｓ１０６に基づいた制御信号Ｓ１０１を生成する制御信号生成回路１２０とから構成される。

制御信号生成回路１２０は、電圧電流変換回路１２１と出力回路１２２とを直列接続して構成している。そして、差分検出回路１１６から出力される差分電圧信号Ｓ１０６を電圧電流変換回路１２１で電流信号に変換し、その後、出力回路１２２から光学部１０２の半導体レーザ１０７に制御信号Ｓ１０１を出力するようにして、半導体レーザ１０７を電流駆動している。

そして、光ピックアップ装置１０１では、製品仕様ごとに異なる所定強度のレーザ光を半導体レーザ１０７から光ディスク１０４に向けて照射できるように、その出荷前に上記可変抵抗Ｒｃｏｎｔを調整して制御信号Ｓ１０１の大きさを調整している。
特開２００４−２３４７６５号公報

ところが、従来の光ピックアップ装置１０１では、電源電圧が一時的に降下した場合に制御信号Ｓ１０１が所望の電流より大きくなりすぎ、半導体レーザ１０７に過大な電流が流れて光ディスク１０４の破損に繋がる虞があった。

ここで、従来のレーザ光出力制御回路１０３において、電源電圧が一時的に降下した場合に過電流が発生するメカニズムを図６を参照して説明する。

レーザ光出力制御回路１０３の電源電圧が、何らかの理由でその電圧レベルが一時的に降下する電源異常が発生したとする。このとき、出力回路１２２の特性上電流が流れなくなるような電源電圧になると(図６に示すタイミングｔ１参照。)、制御信号Ｓ１０１が小さくなって電流信号Ｓ１０２も小さくなる。その結果、誤差増幅回路１１９への入力される電圧信号Ｓ１０４の電圧レベルが小さくなり、誤差増幅回路１１９から出力される差分電圧信号Ｓ１０６は上がる方向に動く。差分電圧信号Ｓ１０６の電圧が上がった状態で電源復帰すると、制御信号Ｓ１０１として過大な電流が流れることになり、光ディスク１０４の破損に繋ってしまう。

このような電源異常を検出する方法としては、レーザ光出力制御回路１０３にその電源電圧を監視する電源監視回路を設ける方法がある。しかし、半導体レーザ１０７においてその閾値や微分抵抗などの特性に個体差があることから、光ピックアップ装置毎に閾値を設定しなければならない。また、半導体レーザ１０７はその温度特性により閾値が変わってしまうため、温度変化に応じた設定や回路が必要となってしまう。

そこで、かかる課題を解決すべく、請求項１に記載の発明は、半導体レーザを電流駆動する制御信号を出力するレーザ駆動部と、前記レーザ駆動部から出力される制御信号の電圧を監視し、この電圧と閾値電圧との比較結果に基づいて前記レーザ駆動部からの前記制御信号の出力を停止させる監視制御部とを備える。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レーザ駆動部は、電源電圧と前記半導体レーザとの間に接続されて入力信号に応じた前記制御信号を前記半導体レーザへ出力するトランジスタを備え、前記監視制御部は、前記制御信号の電圧と前記閾値電圧とを比較する比較器と、前記制御信号の電圧が前記閾値電圧よりも高い電圧のとき前記トランジスタへの前記入力信号の入力を遮断する遮断部とを備える。

また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レーザ駆動部は、前記半導体レーザと接地電圧との間に接続されて入力信号に応じた前記制御信号を前記半導体レーザへ出力するトランジスタを備え、前記監視制御部は、前記制御信号の電圧と前記閾値電圧とを比較する比較器と、前記制御信号の電圧が前記閾値電圧よりも低い電圧のとき前記トランジスタへの前記入力信号の入力を遮断する遮断部とを備える。

また、請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発明において、前記監視制御部は、前記比較器の出力を外部に出力する出力端子を備える。

また、請求項５に記載の発明は、導体レーザと、レーザ光出力制御回路とを備えた光ピックアップ装置において、前記レーザ光出力制御回路は、前記半導体レーザを電流駆動する制御信号を出力するレーザ駆動部と、前記レーザ駆動部から出力される制御信号の電圧を監視し、この電圧と閾値電圧との比較結果に基づいて前記レーザ駆動部からの前記制御信号の出力を停止させる監視制御部とを備える。

また、請求項６に記載の発明は、半導体レーザと、レーザ光出力制御回路とを備えた光ピックアップ装置を備えた光ディスク装置において、前記光ピックアップ装置のレーザ光出力制御回路は、前記半導体レーザを電流駆動する制御信号を出力するレーザ駆動部と、前記レーザ駆動部から出力される制御信号の電圧を監視し、この電圧と閾値電圧との比較結果に基づいて前記レーザ駆動部からの前記制御信号の出力を停止させる監視制御部とを備える。

また、請求項７に記載の発明は、半導体レーザを電流駆動する制御信号をレーザ駆動部から出力するステップと、前記レーザ駆動部から出力される制御信号の電圧と閾値電圧とを比較するステップと、前記制御信号の電圧と閾値電圧との比較結果に基づいて、レーザ駆動部からの前記制御信号の出力を停止させるステップと、を有する。

本発明によれば、半導体レーザに印加される制御信号の電圧と閾値電圧との比較結果に応じて、レーザ駆動部から制御信号の出力を停止させるので、電源電圧が一次的に降下したときにおいて、過大な電流値の制御信号が半導体レーザへ印加されてしまうことを防止することができる。従って、電源電圧が一次的に降下したときであっても、光ディスクの破損を回避することが可能となる。

本発明の一実施形態におけるレーザ光出力制御回路は、半導体レーザを電流駆動する制御信号を出力するレーザ駆動部を備えており、光ディスク装置の光ピックアップ装置やその他の電子機器に適用することができる。また、このレーザ光出力制御回路は、ＡＰＣ（Auto Power Control）機能を有しており、レーザ光の出力を所望の強度に設定するようにしている。

上述のように、従来のレーザ光出力制御回路では、電源電圧が一時的に降下した場合に過電流が発生して、半導体レーザに過電流が流れ、光ディスク１０４の破損が生じてしまう虞があった。

そこで、本実施形態におけるレーザ光出力制御回路では、レーザ駆動部から出力される制御信号の電圧を監視し、この電圧と閾値電圧との比較結果に基づいてレーザ駆動部からの制御信号の出力を停止させる監視制御部を設けている。

この監視制御部により、レーザ光出力制御回路の電源電圧に電源異常が発生して半導体レーザに過電流が発生する前に半導体レーザへの制御信号の供給を停止することができるので、光ディスクなどの記憶媒体やその書き込みデータを保護することができる。

しかも、半導体レーザの一端に印加される制御信号の電圧を監視することにより、個々の半導体レーザにより異なる固有閾値、微分抵抗、温度特性に応じた閾値設定を行う必要がない。

半導体レーザの一端に印加される制御信号の電圧の検出によって、レーザ駆動部に供給される電源電圧から半導体レーザに供給するレーザ駆動電圧を減算した電圧（以下、この電圧を「ヘッドルーム電圧」と呼ぶ）の検出を行うことができる。従って、このヘッドルーム電圧の電圧レベルを検出することで、電源電圧に電源異常が発生しているか否かを把握することができ、上記監視制御部においては、ヘッドルーム電圧が所定の閾値電圧以下のときに電源異常の発生を検出するようにしている。

ここで、レーザ駆動部において、入力信号に応じた制御信号を半導体レーザへ出力する出力トランジスタが電源電圧と半導体レーザとの間に接続されているとする。このとき、監視制御部は、制御信号の電圧と所定の閾値電圧とを比較する比較器と、制御信号の電圧が閾値電圧よりも高い電圧のとき出力トランジスタへの入力信号の入力を遮断する遮断部とにより構成することができる。

また、レーザ駆動部において、入力信号に応じた制御信号を半導体レーザへ出力する出力トランジスタが半導体レーザと接地電圧との間に接続されているとする。このとき、監視制御部は、制御信号の電圧と閾値電圧とを比較する比較器と、制御信号の電圧が閾値電圧よりも低い電圧のときトランジスタへの入力信号の入力を遮断する遮断部とにより構成することができる。

以下、本発明のレーザ光出力制御回路を適用した電子機器の一例として光ディスク装置の構成について説明する。図１は本発明の一実施形態における光ディスク装置に内蔵される光ピックアップ装置の概略構成図である。

本実施形態における光ディスク装置Ａは、図１に示すように、光ディスク（記憶媒体）４へのデータの記録・再生を行う光ピックアップ装置１を備えている。

光ピックアップ装置１は、光学部２とレーザ光出力制御回路３とから構成しており、光学部２から光ディスク４に向けて照射するレーザ光の強度をレーザ光出力制御回路３によって制御するようにしている。

以下に光学部２及びレーザ光出力制御回路３の具体的な構成について説明する。

光学部２は、レーザ光を光ディスク４に照射するための光照射装置５と、同光照射装置５から照射されるレーザ光の強度を検出するための受光装置６とから構成されている。

光照射装置５は、レーザ光出力制御回路３から出力される制御信号Ｓ１に応じた強度のレーザ光をレーザダイオードなどの半導体レーザ７から出射する。半導体レーザ７から出射されたレーザ光はビームスプリッタ８で分光され、一部のレーザ光が受光装置６に入射する。一方、ビームスプリッタ８で分光された残りのレーザ光はコリメータレンズ９と対物レンズ１０とを介して光ディスク４に照射される。

また、受光装置６は、ビームスプリッタ８で分光されたレーザ光を集光レンズ１１で集光してフォトダイオード１２へ入射する。フォトダイオード１２では入射されたレーザ光をその強度に応じた電流値を有する電流信号Ｓ２に変換する。

一方、レーザ光出力制御回路３は、ＡＰＣ（Auto Power Control）機能を有し、電流信号Ｓ２に基づいて制御信号Ｓ１を生成する。このレーザ光出力制御回路３は、参照信号Ｓ３を増減するための参照信号増減回路１４と、電流信号Ｓ２と参照信号Ｓ３との差に応じた差分電圧信号Ｓ６を出力する差分検出回路１６と、差分電圧信号Ｓ６に基づいた制御信号Ｓ１を生成するレーザ駆動部２０とを備えている。

参照信号増減回路１４は、参照信号生成回路１５に可変抵抗Ｒｃｏｎｔを接続し、同可変抵抗Ｒｃｏｎｔの抵抗値を増減することによって参照信号生成回路１５で生成する参照信号Ｓ３の電流値を増減する。なお、参照信号生成回路１５では、可変抵抗Ｒｃｏｎｔの抵抗値を増大させた場合に、参照信号Ｓ３の電流値が直線的に減少するように構成している。

このように、光ピックアップ装置１では、出荷前に参照信号増減回路１４に設けた可変抵抗Ｒｃｏｎｔを調整することによって、制御信号Ｓ１の大きさを調整可能としている。これにより製品仕様ごとに異なる強度のレーザ光を光照射装置５から光ディスク４に向けて照射できる。

差分検出回路１６は、目標信号変換回路１７、比較信号変換回路１８、誤差増幅回路１９により構成されている。目標信号変換回路１７は、参照信号増減回路１４から出力される参照信号Ｓ３を電流電圧変換して目標信号Ｓ５を生成し、比較信号変換回路１８は光学部２から出力される電流信号Ｓ２を電流電圧変換して比較信号Ｓ４を生成する。そして、誤差増幅回路１９は、目標信号Ｓ５と比較信号Ｓ４とを比較して、目標信号Ｓ５の電圧と比較信号Ｓ４の電圧の差分に応じた電圧レベルの差分電圧信号Ｓ６を出力する。

また、レーザ駆動部２０は、半導体レーザ７を電流駆動する制御信号Ｓ１を出力する機能を有しており、電流電圧変換回路２１と、出力回路２２とにより構成される。電流電圧変換回路２１は、差分検出回路１６から出力される差分電圧信号Ｓ６をその電圧値に応じた電流値の差分電流信号Ｓ７に変換する。出力回路２２は、後述のように出力トランジスタを有しており、電流電圧変換回路２１から出力される差分電流信号Ｓ７に基づいて制御信号Ｓ１を生成し、この制御信号Ｓ１を出力トランジスタから光学部２の光照射装置５に出力するようにしている。

ここで、レーザ光出力制御回路３は、制御信号Ｓ１の電圧を監視してレーザ駆動部２０を制御する監視制御部２３をさらに備えている。そして、電源異常によって電源電圧の一次的な降下が発生したとき、この監視制御部２３によってレーザ駆動部２０からの制御信号Ｓ１の出力を停止して、過大な電流値の制御信号Ｓ１が半導体レーザに印加されることを防止している。

以下、電源電圧Ｖｃｃが一時的に降下した場合に、レーザ駆動部２０からの制御信号Ｓ１を監視制御部２３によって停止する構成について具体的に説明する。

まず、レーザ光出力制御回路３をカソードコモン用のレーザ光出力制御回路とした場合の例について説明する。図２はカソードコモン用のレーザ光出力制御回路の出力回路及び監視制御部の構成を示す図、図３は本実施形態のレーザ光出力制御回路において電源電圧が一時的に降下した場合の動作の説明図である。なお、レーザ光出力制御回路３は樹脂モールドなどによりＩＣパッケージ化されている。

このレーザ光出力制御回路３は、図２に示すように、レーザ駆動部２０の出力回路２２として、電流増幅器Ａ１と、遮断部としてのスイッチＳＷ１と、出力トランジスタＴ１とから構成される。

電流増幅器Ａ１は、電流電圧変換回路２１から出力される差分電圧信号Ｓ６を電流増幅した差分電流信号Ｓ７をスイッチＳＷ１の一端へ出力する。このスイッチＳＷ１の他端には出力トランジスタＴ１のゲートが接続されており、スイッチＳＷ１が短絡状態のとき、差分電流信号Ｓ７が出力トランジスタＴ１のゲートに入力される。また、出力トランジスタＴ１のソースは電源電圧Ｖｃｃに接続され、そのドレインは出力端子Ｖｏｕｔに接続されており、この出力端子Ｖｏｕｔを介して半導体レーザ７へ制御信号Ｓ１が出力される。なお、半導体レーザ７は、そのアノードが出力端子Ｖｏｕｔに接続され、カソードが接地電圧ＧＮＤに接続される。

一方、監視制御部２３は、比較器Ｃ１により構成される。そして、この比較器Ｃ１の反転入力端子Ｖ−には、出力トランジスタＴ１のドレイン及び出力端子Ｖｏｕｔが接続される。一方、非反転入力端子Ｖ＋には電圧Ｖｔｈ（以下、「閾値電圧Ｖｔｈ」とする。）の可変電源を介して電源電圧Ｖｃｃが接続され、閾値電圧Ｖｔｈ’（＝電源電圧Ｖｃｃ−閾値電圧Ｖｔｈ）が印加されている。

そのため、出力端子Ｖｏｕｔから出力される制御信号Ｓ１が閾値電圧Ｖｔｈ’よりも高い電圧のとき、比較器Ｃ１からＨレベルの出力信号Ｓ１０が出力される。一方、制御信号Ｓ１が閾値電圧Ｖｔｈ’以下の電圧のとき、比較器Ｃ１からＬレベルの出力信号Ｓ１０が出力される。

比較器Ｃ１の出力はスイッチＳＷ１の制御端子に接続されており、出力信号Ｓ１０がＨレベルのときスイッチＳＷ１が開放状態となり、出力トランジスタＴ１のゲートへの差分電流信号Ｓ７の入力が遮断される。一方、出力信号Ｓ１０がＬレベルのときスイッチＳＷ１が短絡状態となり、出力トランジスタＴ１のゲートへ差分電流信号Ｓ７が入力される。

従って、制御信号Ｓ１が閾値電圧Ｖｔｈ’よりも高い電圧である間、換言すればヘッドルーム電圧Ｖｈｄが閾値電圧Ｖｔｈよりも低い電圧である間、スイッチＳＷ１が開放状態となりレーザ駆動部２０からの制御信号Ｓ１の出力が停止する（図３参照）。

その結果、電源電圧Ｖｃｃが一次的に降下したときに、過大な電流値の制御信号Ｓ１が半導体レーザ７へ印加されてしまうことを防止することができ、光ディスク４の破損を回避することが可能となる。

次に、レーザ光出力制御回路３をアノードコモン用のレーザ光出力制御回路とした場合の例について説明する。図４はアノードコモン用のレーザ光出力制御回路の出力回路及び監視制御部の構成を示す図である。

図４に示すように、アノードコモン用のレーザ光出力制御回路３におけるレーザ駆動部２０の出力回路２２は、電流増幅器Ａ２と、遮断部としてのスイッチＳＷ２と、出力トランジスタＴ２とから構成される。

電流増幅器Ａ２は、電流電圧変換回路２１から出力される差分電圧信号Ｓ６を電流増幅した差分電流信号Ｓ７をスイッチＳＷ２の一端へ出力する。また、スイッチＳＷ２の他端には出力トランジスタＴ２のゲートが接続されており、スイッチＳＷ２が短絡状態のとき、差分電流信号Ｓ７が出力トランジスタＴ２のゲートに入力される。この出力トランジスタＴ２のソースは接地電圧ＧＮＤに接続され、そのドレインは出力端子Ｖｏｕｔに接続されており、この出力端子Ｖｏｕｔを介して半導体レーザ７へ制御信号Ｓ１が出力される（半導体レーザ７からの電流が流れ込む）。なお、半導体レーザ７は、そのカソードが出力端子Ｖｏｕｔに接続され、アノードが電源電圧Ｖｃｃに接続される。

一方、監視制御部２３は、比較器Ｃ２により構成される。そして、この比較器Ｃ２の非反転入力端子Ｖ＋には出力トランジスタＴ２のドレインが接続され、反転入力端子Ｖ−には閾値電圧Ｖｔｈが印加されている。

そのため、出力端子Ｖｏｕｔから出力される制御信号Ｓ１が閾値電圧Ｖｔｈよりも低い電圧のとき、比較器Ｃ２からＨレベルの出力信号Ｓ１０が出力される。一方、制御信号Ｓ１が閾値電圧Ｖｔｈ以上の電圧のとき、比較器Ｃ２からＬレベルの出力信号Ｓ１０が出力される。

比較器Ｃ２の出力はスイッチＳＷ２の制御端子に接続されており、出力信号Ｓ１０がＨレベルのときスイッチＳＷ２が開放状態となり、出力トランジスタＴ２のゲートへの差分電流信号Ｓ７の入力が遮断される。一方、出力信号Ｓ１０がＬレベルのときスイッチＳＷ２が短絡状態となり、出力トランジスタＴ２のゲートへ差分電流信号Ｓ７が入力される。

従って、制御信号Ｓ１が閾値電圧Ｖｔｈよりも低い電圧である間、換言すればヘッドルーム電圧Ｖｈｄが閾値電圧Ｖｔｈよりも低い電圧である間、スイッチＳＷ２が開放状態となりレーザ駆動部２０からの制御信号Ｓ１の出力が停止する（図３参照）。

その結果、電源電圧Ｖｃｃが一次的に降下したときに、過大な電流値の制御信号Ｓ１が半導体レーザ７へ印加されてしまうことを防止することができ、光ディスク４の破損を回避することが可能となる。

なお、閾値電圧Ｖｔｈは、レーザ駆動部２０の出力トランジスタＴ１，Ｔ２が所望の出力電流を保証可能なドレイン−ソース電圧Ｖｄｓから決められており、レジスタ設定により複数段階の閾値（例えば、２段階の閾値）で設定可能になっている。なお、閾値電圧Ｖｔｈの初期値は、出力トランジスタＴ１，Ｔ２の個体差に応じて決定される。

また、上述においては、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を直接出力信号Ｓ１０で駆動するようにしたが、比較器Ｃ１，Ｃ２の出力をラッチ回路を介してスイッチＳＷ１，ＳＷ２の制御端子に接続するようにしてもよい。この場合、比較器Ｃ１，Ｃ２からＨレベルの出力信号Ｓ１０が出力されると、ラッチ回路でラッチされてＨレベルの信号がスイッチＳＷ１の制御端子に入力されスイッチＳＷ１が開放状態となる。そして、この状態は、レーザ光出力制御回路３の電源が一端ＯＦＦ状態となるまで継続する。

なお、ラッチ回路を介してスイッチＳＷ１，ＳＷ２を制御するのか、ラッチ回路を介さずにスイッチＳＷ１，ＳＷ２を制御するのかを図示しないレジスタ設定により選択するようにしてもよい。また、図示しないレジスタ設定により比較器Ｃ１，Ｃ２の出力をスイッチＳＷ１，ＳＷ２へ出力しない（ラッチ回路を介すか介さないかに関わらず）ように構成してもよい。

さらに、図１，２，４に示すように、比較器Ｃ１，Ｃ２の出力信号Ｓ１０を外部へ出力する出力端子である異常検出端子Ｖａｂに出力することができるようにしている。そして、光ディスク装置Ａは、この異常検出端子Ｖａｂの電圧がＨレベルのとき、電圧異常があった旨の情報を図示しない記憶部のフィードバックアドレス領域に記憶する。光ディスク装置Ａのユーザは、このフィードバックアドレス領域にアクセスすることで、異常検出結果を確認することが可能となる。

また、比較器Ｃ１，Ｃ２の出力をラッチ回路を介して異常検出端子Ｖａｂに接続するようにしてもよい。この場合、比較器Ｃ１，Ｃ２からＨレベルの出力信号Ｓ１０が出力されると、ラッチ回路でラッチされてＨレベルの信号が異常検出端子Ｖａｂから出力される。この場合も同様に、ラッチ回路を介して異常検出端子Ｖａｂに出力するか、ラッチ回路を介さずに異常検出端子Ｖａｂに出力するかを図示しないレジスタ設定により選択するようにしてもよい。

また、スイッチＳＷ１，ＳＷ２の制御端子には、図示しないデータ制御端子からの信号も入力されており、このデータ制御端子に入力されるデータに基づいて、制御信号Ｓ１の出力の供給／停止を行うようにしている。なお、データ制御端子からの信号と比較器Ｃ１，Ｃ２の出力信号Ｓ１０とは図示しない論理和回路を介してスイッチＳＷ１，ＳＷ２の制御端子に入力される。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

本発明の一実施形態における光ディスク装置に内蔵される光ピックアップ装置の概略構成図である。 カソードコモン用のレーザ光出力制御回路における出力回路及び監視制御部の構成を示す図である。 本発明の一実施形態のレーザ光出力制御回路において電源電圧が一時的に降下した場合の動作の説明図である。 アノードコモン用のレーザ光出力制御回路における出力回路及び監視制御部の構成を示す図である。 従来の光ピックアップ装置の概略構成図である。 従来のレーザ光出力制御回路において電源電圧が一時的に降下した場合の動作の説明図である。

符号の説明

Ａ 光ディスク装置
１，１００ 光ピックアップ装置
２，１０２ 光学部
３，１０３ レーザ光出力制御回路
４，１０４ 光ディスク
５ 光照射装置
６ 受光装置
７,１０７ 半導体レーザ
８，１０８ ビームスプリッタ
９，１０９ コリメータレンズ
１０，１１０ 対物レンズ
１１ 集光レンズ
１２，１１２ フォトダイオード
１４，１１４ 参照信号増減回路
１５，１１５ 参照信号生成回路
１６，１１６ 差分検出回路
１７，１１７ 目標信号変換回路
１８，１１８ 比較信号変換回路
１９，１１９ 誤差増幅回路
２０，１２０ レーザ駆動部
２１，１２１ 電流電圧変換回路
２２，１２２ 出力回路
２３ 監視制御部
Ａ１，Ａ２ 電流増幅器
Ｃ１，Ｃ２ 比較器
Ｔ１，Ｔ２ 出力トランジスタ
ＳＷ１，ＳＷ２ スイッチ（遮断部）

Claims (7)

1. 半導体レーザを電流駆動する制御信号を出力するレーザ駆動部と、
   前記レーザ駆動部から出力される制御信号の電圧を監視し、この電圧と閾値電圧との比較結果に基づいて前記レーザ駆動部からの前記制御信号の出力を停止させる監視制御部と
   を備えたレーザ光出力制御回路。
2. 前記レーザ駆動部は、電源電圧と前記半導体レーザとの間に接続されて入力信号に応じた前記制御信号を前記半導体レーザへ出力するトランジスタを備え、
   前記監視制御部は、前記制御信号の電圧と前記閾値電圧とを比較する比較器と、前記制御信号の電圧が前記閾値電圧よりも高い電圧のとき前記トランジスタへの前記入力信号の入力を遮断する遮断部とを備える請求項１に記載のレーザ光出力制御回路。
3. 前記レーザ駆動部は、前記半導体レーザと接地電圧との間に接続されて入力信号に応じた前記制御信号を前記半導体レーザへ出力するトランジスタを備え、
   前記監視制御部は、前記制御信号の電圧と前記閾値電圧とを比較する比較器と、前記制御信号の電圧が前記閾値電圧よりも低い電圧のとき前記トランジスタへの前記入力信号の入力を遮断する遮断部とを備える請求項１に記載のレーザ光出力制御回路。
4. 前記監視制御部は、前記比較器の出力を外部に出力する出力端子を備える請求項１〜３のいずれか１項に記載のレーザ光出力制御回路。
5. 半導体レーザと、レーザ光出力制御回路とを備え、
   前記レーザ光出力制御回路は、
   前記半導体レーザを電流駆動する制御信号を出力するレーザ駆動部と、
   前記レーザ駆動部から出力される制御信号の電圧を監視し、この電圧と閾値電圧との比較結果に基づいて前記レーザ駆動部からの前記制御信号の出力を停止させる監視制御部と
   を備える光ピックアップ装置。
6. 半導体レーザと、レーザ光出力制御回路とを備えた光ピックアップ装置を備え、
   前記光ピックアップ装置のレーザ光出力制御回路は、
   前記半導体レーザを電流駆動する制御信号を出力するレーザ駆動部と、
   前記レーザ駆動部から出力される制御信号の電圧を監視し、この電圧と閾値電圧との比較結果に基づいて前記レーザ駆動部からの前記制御信号の出力を停止させる監視制御部と
   を備える光ディスク装置。
7. 半導体レーザを電流駆動する制御信号をレーザ駆動部から出力するステップと、
   前記レーザ駆動部から出力される制御信号の電圧と閾値電圧とを比較するステップと、
   前記制御信号の電圧と閾値電圧との比較結果に基づいて、レーザ駆動部からの前記制御信号の出力を停止させるステップと、を有するレーザ駆動方法。

Images