JP2010008906A

JP2010008906A - Manufacturing apparatus of liquid crystal device

Info

Publication number: JP2010008906A
Application number: JP2008170682A
Authority: JP
Inventors: Hideo Nakada; 英男中田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2008-06-30
Filing date: 2008-06-30
Publication date: 2010-01-14

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing apparatus of a liquid crystal device which can prevent the abnormal discharge of a sputtering device. SOLUTION: The manufacturing apparatus includes: a film deposition chamber 2; a sputtering device 3 which is disposed on a side (in a Y direction) of the film deposition chamber 2 and performs the film deposition of an alignment layer material on a film deposition surface Ws of a substrate W in the film deposition chamber 2 by sputtering it to form an inorganic alignment layer; and a substrate conveyance means (roller 6r) which conveys the substrate W in an erect state so that the film deposition surface Ws is along a perpendicular direction (Z direction). The sputtering device 3 has a pair of targets 5a and 5b facing each other with a plasma generation region between, and the pair of targets 5a and 5b are disposed in erected states so that their surfaces facing each other are along perpendicular direction (Z direction). COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この発明は、液晶装置の製造装置に関するものである。 The present invention relates to an apparatus for manufacturing a liquid crystal device.

液晶プロジェクタ等の投射型表示装置の光変調手段として用いられる液晶装置は、一対の基板間の周縁部にシール材が配設され、その中央部に液晶層が封止されて構成されている。その一対の基板の内面側には液晶層に電圧を印加する電極が形成され、これら電極の内面側には非選択電圧印加時において液晶分子の配向を制御する配向膜が形成されている。このような構成によって液晶装置は、非選択電圧印加時と選択電圧印加時との液晶分子の配向変化に基づいて光源光を変調し、表示画像を形成するようになっている。 2. Description of the Related Art A liquid crystal device used as a light modulation unit of a projection display device such as a liquid crystal projector has a configuration in which a sealing material is disposed at a peripheral portion between a pair of substrates and a liquid crystal layer is sealed at the center. Electrodes for applying a voltage to the liquid crystal layer are formed on the inner surfaces of the pair of substrates, and an alignment film for controlling the alignment of the liquid crystal molecules when a non-selective voltage is applied is formed on the inner surfaces of these electrodes. With such a configuration, the liquid crystal device modulates light source light based on a change in the orientation of liquid crystal molecules when a non-selection voltage is applied and when a selection voltage is applied, thereby forming a display image.

ところで、前述した配向膜としては、側鎖アルキル基を付加したポリイミド等からなる高分子膜の表面に、ラビング処理を施したものが一般に用いられている。しかし、このようなラビング法は簡便であるものの、物理的にポリイミド膜をこすることでポリイミド膜に対して配向特性を付与するために、種々の不都合が指摘されている。具体的には、配向性の均一さを確保することが困難であること、ラビング処理時の筋跡が残り易いこと、配向方向の制御およびプレチルト角の選択的な制御が可能ではなく、また広視野角を得るために用いられるマルチドメインを使用した液晶パネルには適さないこと、ガラス基板からの静電気による薄膜トランジスタ素子の破壊や、配向膜の破壊が生じ、歩留まりを低下させること、ラビング布からのダスト発生による表示不良が発生しがちであること、などである。 By the way, as the alignment film described above, a film obtained by rubbing the surface of a polymer film made of polyimide or the like to which a side chain alkyl group is added is generally used. However, although such a rubbing method is simple, various disadvantages have been pointed out in order to impart alignment characteristics to the polyimide film by physically rubbing the polyimide film. Specifically, it is difficult to ensure uniformity of orientation, the traces of rubbing are likely to remain, control of the orientation direction and selective control of the pretilt angle are not possible, and are not wide. It is not suitable for a liquid crystal panel using a multi-domain used for obtaining a viewing angle, the thin film transistor element is broken by static electricity from the glass substrate, the alignment film is broken, and the yield is lowered. It is likely that display defects are likely to occur due to dust generation.

また、このような有機物からなる配向膜では、液晶プロジェクタのような高出力光源を備えた機器に用いた場合、光エネルギーにより有機物がダメージを受けて配向不良を生じてしまう。特に、プロジェクタの小型化および高輝度化を図った場合には、液晶パネルに入射する単位面積あたりのエネルギーが増加し、入射光の吸収によりポリイミドそのものが分解し、また、光を吸収したことによる発熱でさらにその分解が加速される。その結果、配向膜に多大なダメージが付加され、機器の表示特性が低下してしまう。 In addition, when such an alignment film made of an organic material is used in a device equipped with a high output light source such as a liquid crystal projector, the organic material is damaged by light energy, resulting in alignment failure. In particular, when the projector is downsized and the brightness is increased, the energy per unit area incident on the liquid crystal panel is increased, the polyimide itself is decomposed by the absorption of incident light, and the light is absorbed. The decomposition is further accelerated by heat generation. As a result, a great deal of damage is added to the alignment film, and the display characteristics of the device deteriorate.

そこで、このような不都合を解消するため、ターゲットから放出されるスパッタ粒子が１方向から斜めに基板に入射するようにスパッタリングを実施することにより、基板に対して斜め方向に結晶成長した複数の柱状構造を有する無機材料からなる配向膜を形成する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。このような方法によれば、得られる無機配向膜は高い信頼性を有するものと期待されている。
特開２００７−２８６４０１号公報 Therefore, in order to eliminate such inconvenience, by performing sputtering so that the sputtered particles emitted from the target are incident on the substrate obliquely from one direction, a plurality of columnar crystals grown in an oblique direction with respect to the substrate. A method of forming an alignment film made of an inorganic material having a structure has been proposed (see, for example, Patent Document 1). According to such a method, the obtained inorganic alignment film is expected to have high reliability.
JP 2007-286401 A

しかしながら、上記従来のスパッタ装置では、対向する一対のターゲットが鉛直方向上下に重なるように配置されているため、以下のような課題がある。スパッタ装置において長時間放電を行っていると、ターゲット表面の外周部やスパッタ装置の開口部の近傍に設けられた防着カバー等に酸化物等のスパッタ膜が堆積する。そして、鉛直方向上方のターゲットやその近傍に堆積したスパッタ膜が剥離し、下方のターゲットにパーティクルが付着すると、スパッタ装置の放電が不安定になり、異常放電が発生するという課題がある。
スパッタ装置において異常放電が発生すると、ターゲットやその近傍に堆積したパーティクルが飛散して基板に付着したり、ターゲットに割れ等の不具合が発生したりするという問題がある。
また、従来のようにスパッタ装置が成膜室の下方に接続されていると、スパッタ装置のメンテナンスが困難である。 However, the above-described conventional sputtering apparatus has the following problems because a pair of opposed targets are arranged so as to overlap vertically. When long time discharge is performed in the sputtering apparatus, a sputtered film of oxide or the like is deposited on the outer peripheral portion of the target surface or an adhesion cover provided in the vicinity of the opening of the sputtering apparatus. When the target in the vertical direction and the sputtered film deposited in the vicinity thereof peel off and particles adhere to the target in the lower direction, there is a problem that the discharge of the sputtering apparatus becomes unstable and abnormal discharge occurs.
When an abnormal discharge occurs in the sputtering apparatus, there is a problem that particles deposited in the vicinity of the target scatter and adhere to the substrate, or a defect such as a crack occurs in the target.
Further, if the sputtering apparatus is connected to the lower part of the film forming chamber as in the prior art, maintenance of the sputtering apparatus is difficult.

そこで、この発明は、スパッタ装置の異常放電を防止することができる液晶装置の製造装置を提供するものである。 Accordingly, the present invention provides an apparatus for manufacturing a liquid crystal device that can prevent abnormal discharge of a sputtering apparatus.

上記の課題を解決するために、本発明の液晶装置の製造装置は、対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、成膜室と、該成膜室の側方に配置され、該成膜室内にて前記基板の成膜面に配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置と、前記成膜面が鉛直方向に沿うように前記基板を立てた状態で搬送する基板搬送手段と、を備え、前記スパッタ装置は、プラズマ生成領域を挟んで対向する一対のターゲットを有し、前記一対のターゲットは、互いに対向する面がそれぞれ鉛直方向に沿うように立てた状態で配置されていることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a liquid crystal device manufacturing apparatus of the present invention includes a liquid crystal layer sandwiched between a pair of opposing substrates, and an inorganic alignment film is formed on the inner surface side of at least one of the substrates. An apparatus for manufacturing a liquid crystal device comprising: a film forming chamber; and a film forming chamber disposed on a side of the film forming chamber, wherein an alignment film material is formed on the film forming surface of the substrate by sputtering. A sputtering apparatus for forming an inorganic alignment film; and a substrate transfer means for transferring the substrate in an upright state so that the film-forming surface is along a vertical direction. The sputtering apparatus is opposed to the plasma generation region. The pair of targets are arranged in a state where the surfaces facing each other are erected so as to be along the vertical direction.

このように構成することで、ターゲットの近傍にスパッタ膜が堆積し、一方のターゲットのスパッタ膜が剥離してパーティクルが落下した場合であっても、対向する他方のターゲットにパーティクルが付着することが防止される。すなわち、ターゲットは、互いに対向する面が鉛直方向に沿うように立てた状態で配置されている。そのため、一方のターゲットに堆積したスパッタ膜が剥離してパーティクルが落下すると、他方のターゲットに対向する面に沿って鉛直方向下方に落下し、他方のターゲットに付着することが防止される。また、ターゲットは立てた状態で配置されているので、ターゲット自身やその近傍においてパーティクルが再びそのターゲットに付着することが防止される。
このように、堆積したスパッタ膜が剥離してパーティクルが落下した場合に、そのパーティクルがターゲットに付着することを防止することで、スパッタ装置の放電を安定させ、異常放電を防止することができる。これにより、基板へのパーティクルの付着を防止したり、ターゲットに割れ等の不具合が発生したりすることを防止できる。
したがって、本発明の液晶装置の製造装置によれば、スパッタ装置の異常放電を防止して、良好な無機配向膜を成膜することができる。 With this configuration, even when a sputtered film is deposited in the vicinity of the target and the sputtered film of one target is peeled off and particles are dropped, the particles can adhere to the other target facing each other. Is prevented. That is, the target is arranged in a state where the surfaces facing each other are erected along the vertical direction. Therefore, when the sputtered film deposited on one target peels off and particles fall, it is prevented from falling down vertically along the surface facing the other target and adhering to the other target. Further, since the target is arranged in an upright state, particles are prevented from adhering to the target again in the target itself or in the vicinity thereof.
In this way, when the deposited sputtered film is peeled off and particles are dropped, by preventing the particles from adhering to the target, the discharge of the sputtering apparatus can be stabilized and abnormal discharge can be prevented. As a result, it is possible to prevent the particles from adhering to the substrate and the occurrence of defects such as cracks in the target.
Therefore, according to the apparatus for manufacturing a liquid crystal device of the present invention, it is possible to prevent abnormal discharge of the sputtering device and form a good inorganic alignment film.

また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記プラズマ生成領域からスパッタ粒子を放出する前記スパッタ装置の開口部の近傍には、防着カバーが設けられていることを特徴とする。 In addition, the liquid crystal device manufacturing apparatus of the present invention is characterized in that a deposition cover is provided in the vicinity of the opening of the sputtering device for emitting sputtered particles from the plasma generation region.

このように構成することで、スパッタ装置の開口部の近傍や、その開口部の近傍の成膜室の内側等に、スパッタ粒子に由来するスパッタ膜が付着することが防止される。
また、スパッタ装置が成膜室の側方に配置され、成膜室内で基板を立てた状態で搬送するので、防着カバーも鉛直方向に沿って立てた状態で配置される。そのため、従来のようにスパッタ装置が成膜室の下方に配置されている場合と比較して、重力による防着カバーのたわみを防止することができる。これにより、防着カバーの端部がターゲットに接触することが防止され、スパッタ装置の異常放電を防止することができる。 With this configuration, it is possible to prevent the sputtered film derived from the sputtered particles from adhering to the vicinity of the opening of the sputtering apparatus, the inside of the film forming chamber near the opening, or the like.
In addition, since the sputtering apparatus is disposed on the side of the film formation chamber and is transported in a state where the substrate is set up in the film formation chamber, the deposition cover is also disposed in a state where the cover is set up in the vertical direction. Therefore, it is possible to prevent deflection of the deposition cover due to gravity, as compared with the conventional case where the sputtering apparatus is disposed below the film forming chamber. Thereby, it is prevented that the edge part of a deposition cover contacts a target, and the abnormal discharge of a sputtering device can be prevented.

また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記スパッタ装置は、装置接続部を介して前記成膜室に脱着可能に接続され、前記スパッタ装置の脱着時に前記スパッタ装置を水平方向に沿って移動させるスパッタ装置移動手段を備えていることを特徴とする。 In the liquid crystal device manufacturing apparatus of the present invention, the sputtering apparatus is detachably connected to the film forming chamber via an apparatus connecting portion, and the sputtering apparatus moves along a horizontal direction when the sputtering apparatus is detached. A sputtering apparatus moving means is provided.

このように構成することで、液晶装置の製造装置のメンテナンス性を著しく改善することができる。従来のようにスパッタ装置が成膜室の下方に設けられている場合には、スパッタ装置のメンテナンス時に成膜室が障害となり、スパッタ装置の脱着が困難であった。また、基板が大型化すると、スパッタ装置もそれに合わせて大型化する。そのため、スパッタ装置の重量が増加して、よりメンテナンス性を低下させる要因となっていた。
しかし、本発明の液晶装置の製造装置では、スパッタ装置のメンテナンス時には、成膜室の側方に接続された装置接続部の接続を解除し、スパッタ装置移動手段によってスパッタ装置を水平方向に沿って移動させることで、スパッタ装置を成膜室から取り外すことができる。したがって、スパッタ装置のメンテナンス性が著しく向上するだけでなく、スパッタ装置が大型化して重量が増加した場合であっても、メンテナンス性が低下することを防止できる。 With this configuration, the maintainability of the liquid crystal device manufacturing apparatus can be remarkably improved. When the sputtering apparatus is provided below the film forming chamber as in the prior art, the film forming chamber becomes an obstacle at the time of maintenance of the sputtering apparatus, and it is difficult to detach the sputtering apparatus. Further, when the substrate is increased in size, the sputtering apparatus is increased in size accordingly. For this reason, the weight of the sputtering apparatus is increased, which causes a decrease in maintainability.
However, in the apparatus for manufacturing a liquid crystal device of the present invention, at the time of maintenance of the sputtering apparatus, the connection of the apparatus connecting portion connected to the side of the film forming chamber is released, and the sputtering apparatus is moved along the horizontal direction by the sputtering apparatus moving means. By moving, the sputtering apparatus can be removed from the film formation chamber. Therefore, not only the maintainability of the sputtering apparatus is remarkably improved, but also the maintainability can be prevented from deteriorating even when the sputtering apparatus is increased in size and weight.

また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記スパッタ装置は、前記プラズマ生成領域に第１のスパッタガスを流通させる第１のガス供給手段を有しており、前記成膜室は、前記プラズマ生成領域から放出されるスパッタ粒子と反応して前記無機配向膜を前記基板上に形成する第２のスパッタガスを前記基板上に流通させる第２のガス供給手段と、前記成膜室の内部圧力を制御して所望の真空度を得るための排気制御装置と、を有していることを特徴とする。 Also, in the liquid crystal device manufacturing apparatus of the present invention, the sputtering apparatus has a first gas supply means for circulating a first sputtering gas in the plasma generation region, and the film formation chamber includes the plasma A second gas supply means for flowing a second sputtering gas on the substrate that reacts with the sputtered particles released from the generation region to form the inorganic alignment film on the substrate; and an internal pressure of the film forming chamber. And an exhaust control device for obtaining a desired degree of vacuum.

このように構成することで、スパッタ装置の内部に第１のガス供給手段から第１のスパッタガスを導入しつつ放電させ、ターゲットに挟まれる空間にプラズマを発生させ、ターゲットから配向膜材料をスパッタ粒子としてたたき出すことができる。そして、基板の面上に飛来したスパッタ粒子と、成膜室を流通する第２のスパッタガスとを基板上で反応させ、基板上に無機配向膜を形成することができる。 With this configuration, the first sputtering gas is introduced from the first gas supply means to the inside of the sputtering apparatus to be discharged, plasma is generated in the space between the targets, and the alignment film material is sputtered from the targets. Can be knocked out as particles. Then, the sputtered particles flying on the surface of the substrate and the second sputter gas flowing through the film formation chamber are reacted on the substrate, whereby an inorganic alignment film can be formed on the substrate.

また、本発明の液晶装置の製造装置は、前記第２のガス供給手段は、前記スパッタ装置の接続部に関して前記排気制御装置と反対側に設けられていることを特徴とする。 Further, the liquid crystal device manufacturing apparatus of the present invention is characterized in that the second gas supply means is provided on the opposite side of the exhaust control device with respect to the connection portion of the sputtering device.

このように構成することで、第２のガス供給手段から成膜室内に導入された第２のスパッタガスは、基板の搬送方向に沿って成膜室を流通し、基板の成膜面上を流通して排気制御装置によって成膜室外に排出される。したがって、成膜面における第２のスパッタガスの濃度や圧力を均一にして、良好な配向膜を形成することができる。 With this configuration, the second sputtering gas introduced from the second gas supply unit into the film formation chamber flows through the film formation chamber along the substrate transport direction, and moves over the film formation surface of the substrate. It flows and is discharged out of the film forming chamber by the exhaust control device. Therefore, it is possible to form a good alignment film by making the concentration and pressure of the second sputtering gas uniform on the film formation surface.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。また、以下では、基板の搬送方向をＸ方向、基板の成膜面及びＸ方向に垂直な方向をＹ方向、鉛直方向をＺ方向とする直交座標系を用いて説明する。また、スパッタ粒子の放出方向をＹａ方向、スパッタ装置のターゲットに垂直な方向をＸａ方向としている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the technical scope of the present invention is not limited to the following embodiments. In the drawings used for the following description, the scale of each member is appropriately changed in order to make each member a recognizable size. In the following, description will be made using an orthogonal coordinate system in which the transport direction of the substrate is the X direction, the film formation surface of the substrate and the direction perpendicular to the X direction are the Y direction, and the vertical direction is the Z direction. Further, the emission direction of the sputtered particles is the Ya direction, and the direction perpendicular to the target of the sputtering apparatus is the Xa direction.

（液晶装置の製造装置）
図１（ａ）は本発明の実施の形態に係る液晶装置の製造装置１の概略構成を示す斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う矢視断面図である。
図１（ａ）に示すように、液晶装置の製造装置１は、箱型筐体からなる真空チャンバーである成膜室２を備えている。成膜室２内には、図１（ｂ）に示すように、基板Ｗをその被処理面（成膜面Ｗｓ）が鉛直方向と略平行（ＸＺ面に略平行）になるようにして保持する搬送トレイ（基板搬送手段）６を収容している。成膜室２は断面視で縦長の長方形状に形成され、搬送トレイ６の基板保持面６ｓが鉛直方向と略平行になるように、搬送トレイ６を立てた状態で収容できるようになっている。また、成膜室２は支持部材２ｓ上に配置されている。 (Liquid crystal device manufacturing equipment)
FIG. 1A is a perspective view showing a schematic configuration of a liquid crystal device manufacturing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG.
As shown in FIG. 1A, a liquid crystal device manufacturing apparatus 1 includes a film forming chamber 2 that is a vacuum chamber having a box-shaped housing. As shown in FIG. 1B, the substrate W is held in the film forming chamber 2 so that the surface to be processed (film forming surface Ws) is substantially parallel to the vertical direction (substantially parallel to the XZ plane). A transport tray (substrate transport means) 6 is accommodated. The film formation chamber 2 is formed in a vertically long rectangular shape in a cross-sectional view, and can be accommodated with the transfer tray 6 in an upright state so that the substrate holding surface 6s of the transfer tray 6 is substantially parallel to the vertical direction. . The film formation chamber 2 is disposed on the support member 2s.

成膜室２の内部には、図１（ｂ）に示すように、搬送トレイ６をＸ方向（基板搬送方向）に沿って移動するためのローラー（基板搬送手段）６ｒと、搬送トレイ６の下部を支持する受け部６ｕが設けられている。ローラー６ｒは、搬送トレイ６の上部と下部とを挟持するようにそれぞれ成膜室２の上部と下部とに一対ずつ設けられ、これら上下各一対のローラー６ｒがＸ方向に沿って複数設けられている。また、ローラー６ｒは不図示の搬送制御部に接続されている。受け部６ｕは、搬送トレイ６の下部をＸ方向にスライド可能に支持している。 Inside the film forming chamber 2, as shown in FIG. 1B, a roller (substrate transport means) 6 r for moving the transport tray 6 along the X direction (substrate transport direction), and a transport tray 6 A receiving portion 6u that supports the lower portion is provided. A pair of rollers 6r is provided at the upper and lower portions of the film forming chamber 2 so as to sandwich the upper and lower portions of the transport tray 6, and a plurality of these upper and lower rollers 6r are provided along the X direction. Yes. The roller 6r is connected to a conveyance control unit (not shown). The receiving part 6u supports the lower part of the transport tray 6 so as to be slidable in the X direction.

搬送制御部は、ローラー６ｒをＺ方向と平行な軸周りに回転させることで搬送トレイ６をＸ方向に自在に移動させるようになっている。
かかる構成により、基板Ｗの搬送時には、成膜面ＷｓがＺ方向に沿うように基板Ｗを立てた状態のまま、基板ＷをＸ方向に搬送可能となっている。 The conveyance control unit freely moves the conveyance tray 6 in the X direction by rotating the roller 6r about an axis parallel to the Z direction.
With this configuration, when the substrate W is transported, the substrate W can be transported in the X direction while the substrate W is standing so that the film formation surface Ws is along the Z direction.

成膜室２の−Ｘ側には、成膜室２の真空度を保持した状態での基板Ｗの搬入／搬出を可能とするロードロックチャンバー２Ｌが配置されている。ロードロックチャンバー２Ｌには、これを独立して真空雰囲気に調整する排気制御装置（不図示）が接続されている。ロードロックチャンバー２Ｌと成膜室２とは、チャンバー間を気密に閉塞するゲートバルブ２Ｖを介して接続されている。かかる構成により、成膜室２を大気に解放することなく基板Ｗの出し入れを行えるようになっている。また、ロードロックチャンバー２Ｌ内にも、成膜室２と同様にローラー６ｒが設けられ、搬送トレイ６をＸ方向に移動させることが可能となっている。 On the −X side of the film forming chamber 2, a load lock chamber 2 L that enables loading / unloading of the substrate W in a state where the vacuum degree of the film forming chamber 2 is maintained is arranged. An exhaust control device (not shown) that independently adjusts the load lock chamber 2L to a vacuum atmosphere is connected to the load lock chamber 2L. The load lock chamber 2L and the film formation chamber 2 are connected via a gate valve 2V that hermetically closes the chambers. With this configuration, the substrate W can be taken in and out without releasing the film formation chamber 2 to the atmosphere. Also, a roller 6r is provided in the load lock chamber 2L as in the film forming chamber 2, and the transport tray 6 can be moved in the X direction.

成膜室２の側方（−Ｙ側）には、スパッタ装置３が配置されている。
スパッタ装置３は、成膜室２内において液晶装置の構成部材となる基板Ｗの成膜面Ｗｓに配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成する装置である。スパッタ装置３は、装置接続部２５を介して成膜室２に接続され、Ｙ方向に対して斜め方向（Ｙａ方向）に取り付けられている。
装置接続部２５は、例えばボルト等、不図示の締結部材により成膜室２に着脱可能に接続されている。また、装置接続部２５と成膜室２の外壁との間には例えばガスケット等（不図示）が配置され、装置接続部２５と成膜室２とが気密性を維持した状態で接続されるようになっている。 A sputtering apparatus 3 is disposed on the side (-Y side) of the film forming chamber 2.
The sputtering apparatus 3 is an apparatus that forms an inorganic alignment film by forming an alignment film material on the film formation surface Ws of the substrate W, which is a constituent member of the liquid crystal device, in the film formation chamber 2 by sputtering. The sputtering apparatus 3 is connected to the film forming chamber 2 via the apparatus connection portion 25 and is attached in an oblique direction (Ya direction) with respect to the Y direction.
The apparatus connecting portion 25 is detachably connected to the film forming chamber 2 by a fastening member (not shown) such as a bolt. Also, for example, a gasket or the like (not shown) is disposed between the apparatus connecting portion 25 and the outer wall of the film forming chamber 2, and the apparatus connecting portion 25 and the film forming chamber 2 are connected in a state where airtightness is maintained. It is like that.

スパッタ装置３の下方（−Ｚ側）には、図１（ｂ）に示すように、スパッタ装置３を水平方向（Ｙ方向）に沿って移動させる移動装置（スパッタ装置移動手段）３Ｍが配置されている。移動装置３Ｍは、スパッタ装置３を支持する移動装置本体３Ｍａと、移動装置本体３Ｍａの下方に回転自在に固定された車輪３Ｍｂとにより構成されている。
かかる構成により、移動装置３Ｍは、図１（ｂ）に二点鎖線で示すように、スパッタ装置３の脱着時にスパッタ装置３を水平方向（Ｙ方向）に沿って移動可能となっている。 A moving device (sputtering device moving means) 3M for moving the sputtering device 3 along the horizontal direction (Y direction) is disposed below the sputtering device 3 (on the −Z side) as shown in FIG. ing. The moving device 3M includes a moving device main body 3Ma that supports the sputtering device 3 and wheels 3Mb that are rotatably fixed below the moving device main body 3Ma.
With this configuration, the moving device 3M can move the sputtering device 3 along the horizontal direction (Y direction) when the sputtering device 3 is detached, as shown by a two-dot chain line in FIG.

図２（ａ）は、図１（ｂ）のＢ−Ｂ’線に沿う矢視断面図に相当する製造装置１の断面構成図である。図２（ｂ）は、スパッタ装置３をＸａ方向に観察した側面構成図である。
図２（ａ）に示すように、スパッタ装置３は、そのプラズマ生成領域に放電用のアルゴンガスを流通させる第１のガス供給手段２１を備えている。
成膜室２は、内部に収容された基板Ｗ上に飛来する配向膜材料と反応して無機配向膜を形成する反応ガスとしての酸素ガスを供給する第２のガス供給手段２２を備えている。
成膜室２には、その内部圧力を制御し、所望の真空度を得るための排気制御装置２０が配管２０ａを介して接続されている。また、成膜室２の側方（−Ｙ側）の壁面から外側に突出するようにして、スパッタ装置３が装置接続部２５を介して接続されている。 Fig.2 (a) is a cross-sectional block diagram of the manufacturing apparatus 1 equivalent to the arrow directional cross-sectional view which follows the BB 'line | wire of FIG.1 (b). FIG. 2B is a side view of the sputtering apparatus 3 observed in the Xa direction.
As shown in FIG. 2A, the sputtering apparatus 3 includes first gas supply means 21 for circulating an argon gas for discharge in the plasma generation region.
The film forming chamber 2 includes second gas supply means 22 that supplies oxygen gas as a reaction gas that reacts with the alignment film material flying on the substrate W accommodated therein to form an inorganic alignment film. .
An exhaust controller 20 for controlling the internal pressure of the film forming chamber 2 and obtaining a desired degree of vacuum is connected to the film forming chamber 2 via a pipe 20a. Further, the sputtering apparatus 3 is connected via the apparatus connecting portion 25 so as to protrude outward from the side wall (−Y side) of the film forming chamber 2.

装置接続部２５は、成膜室２内部に収容される基板Ｗの成膜面Ｗｓの法線方向（図示Ｙ方向）と所定の角度（θ１）を成して斜め方向に延びて形成されている。また、装置接続部２５は、その先端部に接続されるスパッタ装置３を基板Ｗに対して所定の角度で斜めに向けて配置することができるようになっている。 The apparatus connection portion 25 is formed to extend obliquely at a predetermined angle (θ1) with the normal direction (Y direction in the drawing) of the film formation surface Ws of the substrate W accommodated in the film formation chamber 2. Yes. In addition, the apparatus connecting portion 25 is configured so that the sputtering apparatus 3 connected to the tip end portion thereof can be arranged obliquely with respect to the substrate W at a predetermined angle.

第２のガス供給手段２２は、装置接続部２５に関して排気制御装置２０と反対側に接続されており、第２のガス供給手段２２から供給される酸素ガスは、矢印２２ｆで示すように、成膜室２の＋Ｘ側から基板Ｗの成膜面Ｗｓ上を経由して排気制御装置２０側へ図示−Ｘ方向に流通するようになっている。 The second gas supply means 22 is connected to the side opposite to the exhaust control device 20 with respect to the device connection portion 25, and oxygen gas supplied from the second gas supply means 22 is formed as shown by an arrow 22f. From the + X side of the film chamber 2 to the exhaust control device 20 side via the film formation surface Ws of the substrate W, it circulates in the illustrated -X direction.

スパッタ装置３は、２枚のターゲット５ａ，５ｂを対向配置してなる対向ターゲット型のスパッタ装置である。ターゲット５ａ，５ｂは、互いに対向する面がそれぞれ鉛直方向（ＹａＺ平面）に略平行なるように立てた状態で配置されている。
第１のターゲット５ａは略平板状の第１電極９ａに装着され、第２のターゲット５ｂは略平板状の第２電極９ｂに装着されている。電極９ａ、９ｂに支持されたターゲット５ａ，５ｂは、基板Ｗ上に形成する無機配向膜の構成物質を含む材料、例えばシリコンからなるものとされる。ターゲット５ａ，５ｂはＺ方向に延びる細長い板状のものが用いられており（図３参照）、互いの対向面がほぼ平行になるように設置されている。 The sputtering apparatus 3 is a counter target type sputtering apparatus in which two targets 5a and 5b are arranged to face each other. The targets 5a and 5b are arranged in a state where the surfaces facing each other are set up so as to be substantially parallel to the vertical direction (YaZ plane).
The first target 5a is attached to the substantially flat plate-like first electrode 9a, and the second target 5b is attached to the substantially flat plate-like second electrode 9b. The targets 5a and 5b supported by the electrodes 9a and 9b are made of a material containing a constituent material of an inorganic alignment film formed on the substrate W, for example, silicon. The targets 5a and 5b are long and thin plate-like ones extending in the Z direction (see FIG. 3), and are installed so that their opposing surfaces are substantially parallel to each other.

第１電極９ａには直流電源又は高周波電源からなる電源４ａが接続され、第２電極９ｂには直流電源又は高周波電源からなる電源４ｂが接続されている。そして、各電源４ａ、４ｂから供給される電力によりターゲット５ａ，５ｂが対向する空間（プラズマ生成領域）にプラズマＰｚを発生させるようになっている。 The first electrode 9a is connected to a power source 4a composed of a DC power source or a high frequency power source, and the second electrode 9b is connected to a power source 4b composed of a DC power source or a high frequency power source. The plasma Pz is generated in the space (plasma generation region) where the targets 5a and 5b are opposed by the power supplied from the power sources 4a and 4b.

第１電極９ａのターゲット５ａと反対側にはターゲット５ａを冷却するための第１の冷却手段８ａが設けられている。第１の冷却手段８ａには、第１の冷媒循環手段１８ａが配管等を介して接続されている。
また第２電極９ｂのターゲット５ｂと反対側には、ターゲット５ｂを冷却するための第２の冷却手段８ｂが設けられている。第２の冷却手段８ｂには、配管等を介して第２の冷媒循環手段１８ｂが接続されている。 A first cooling means 8a for cooling the target 5a is provided on the opposite side of the first electrode 9a from the target 5a. A first refrigerant circulating means 18a is connected to the first cooling means 8a via a pipe or the like.
A second cooling means 8b for cooling the target 5b is provided on the opposite side of the second electrode 9b from the target 5b. A second refrigerant circulation means 18b is connected to the second cooling means 8b via a pipe or the like.

第１の冷却手段８ａは、図１（ｂ）に示すようにターゲット５ａとほぼ同一の寸法に形成されている。また、第１の冷却手段８ａは、図１（ａ）に示す第１電極９ａを介してターゲット５ａとＸａ方向の側面視で重なる位置に配設されている。また特に図示はしないが、第２の冷却手段８ｂについても同様にターゲット５ｂとＸａ方向の側面視で重なる位置に配設されている。冷却手段８ａ、８ｂは内部に冷媒を流通させる冷媒流路を備えており、かかる冷媒流路に対して冷媒循環手段１８ａ、１８ｂから供給される冷媒を循環させることでターゲット５ａ，５ｂの冷却を行うようになっている。 The 1st cooling means 8a is formed in the dimension substantially the same as the target 5a, as shown in FIG.1 (b). Further, the first cooling means 8a is disposed at a position overlapping the target 5a in a side view in the Xa direction via the first electrode 9a shown in FIG. Although not specifically shown, the second cooling means 8b is also disposed at a position overlapping the target 5b in the side view in the Xa direction. The cooling means 8a and 8b are provided with a refrigerant flow path for circulating the refrigerant therein, and the targets 5a and 5b are cooled by circulating the refrigerant supplied from the refrigerant circulation means 18a and 18b through the refrigerant flow path. To do.

また、図１（ｂ）に示すように、側面視矩形状の第１の冷却手段８ａを取り囲むようにして矩形枠状の永久磁石、電磁石、これらを組み合わせた磁石等からなる第１の磁界発生手段１６ａが配設されている。図１（ａ）に示す第２の冷却手段８ｂを取り囲む第２の磁界発生手段１６ｂも同様の形状である。
なお、冷却手段８ａ、８ｂは、導電部材により作製してそれぞれ第１電極９ａ、９ｂと電気的に接続してもよく、この場合には冷却手段８ａ、８ｂに対しそれぞれ電源４ａ、４ｂを電気的に接続することができる。また、第１電極９ａ、９ｂの内部に冷媒流路を形成することで第１電極９ａ、９ｂが冷却手段を兼ねる構成としてもよい。 Further, as shown in FIG. 1B, a first magnetic field generation comprising a rectangular frame-like permanent magnet, an electromagnet, a combination of these, etc. so as to surround the first cooling means 8a having a rectangular shape when viewed from the side. Means 16a are provided. The second magnetic field generating means 16b surrounding the second cooling means 8b shown in FIG. 1 (a) has the same shape.
The cooling means 8a and 8b may be made of a conductive member and electrically connected to the first electrodes 9a and 9b, respectively. In this case, the power supplies 4a and 4b are electrically connected to the cooling means 8a and 8b, respectively. Can be connected. Moreover, it is good also as a structure by which the 1st electrodes 9a and 9b serve as a cooling means by forming a refrigerant | coolant flow path inside the 1st electrodes 9a and 9b.

図３は、スパッタ装置３の構成を示す図である。図３（ａ）はスパッタ装置３を成膜室２側から見た側面図である。図３（ｂ）は図３（ａ）におけるＧ−Ｇ’線に沿う矢視断面図である。
図２及び図３に示すように、第１電極９ａ及び第２電極９ｂは、それらの一端部（−Ｙａ側端部）に接続された側壁部材１９と、第１電極９ａ及び第２電極９ｂのＺ軸方向両端部にそれぞれ接続された側壁部材９ｃ，９ｄとともにスパッタ装置３の真空チャンバーとなる箱形筐体を構成している。ただし、箱形筐体を構成する第１電極９ａ、第２電極９ｂ、及び側壁部材９ｃ，９ｄ，１９は互いに絶縁された構造である。箱形筐体は、装置接続部２５を介して成膜室２に接続されている。箱形筐体は、第１電極９ａ及び第２電極９ｂの側壁部材１９と反対側の端部にスパッタ粒子５ｐが排出される開口部３ａを有している。そして、開口部３ａを介して成膜室２に突出形成された装置接続部２５と接続され、かかる接続構造により前記箱形筐体の内部は成膜室２の内部と連通している。 FIG. 3 is a diagram showing a configuration of the sputtering apparatus 3. FIG. 3A is a side view of the sputtering apparatus 3 as viewed from the film forming chamber 2 side. FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line GG ′ in FIG.
As shown in FIGS. 2 and 3, the first electrode 9 a and the second electrode 9 b are composed of a side wall member 19 connected to one end thereof (−Ya side end), the first electrode 9 a and the second electrode 9 b. Together with the side wall members 9c and 9d respectively connected to both ends in the Z-axis direction, a box-shaped housing serving as a vacuum chamber of the sputtering apparatus 3 is configured. However, the first electrode 9a, the second electrode 9b, and the side wall members 9c, 9d, and 19 constituting the box-shaped housing are insulated from each other. The box-shaped housing is connected to the film forming chamber 2 via the apparatus connection portion 25. The box-shaped housing has an opening 3a through which sputtered particles 5p are discharged at the ends of the first electrode 9a and the second electrode 9b opposite to the side wall member 19. And it connects with the apparatus connection part 25 protrudingly formed in the film-forming chamber 2 through the opening part 3a, and the inside of the said box-shaped housing | casing is connected with the inside of the film-forming chamber 2 by this connection structure.

図２に示すように、ターゲット５ａ，５ｂに挟まれるプラズマ生成領域に対して成膜室２と反対側に配置された側壁部材１９には、第１のガス供給手段２１が接続されている。第１のガス供給手段２１から供給されるアルゴンガスは、側壁部材１９側からプラズマ生成領域（ターゲット対向領域）に流入し、装置接続部２５を介して成膜室２内に流入するようになっている。
そして、成膜室２に流入したアルゴンガスは、矢印２１ｆで示すように、第２のガス供給手段２２から供給されて矢印２２ｆに沿って流通する酸素ガスと合流して排気制御装置２０側へ流れるようになっている。 As shown in FIG. 2, the first gas supply means 21 is connected to the side wall member 19 disposed on the opposite side of the film forming chamber 2 with respect to the plasma generation region sandwiched between the targets 5a and 5b. Argon gas supplied from the first gas supply means 21 flows into the plasma generation region (target facing region) from the side wall member 19 side, and then flows into the film forming chamber 2 through the apparatus connection portion 25. ing.
The argon gas that has flowed into the film forming chamber 2 joins with the oxygen gas supplied from the second gas supply means 22 and circulated along the arrow 22f as shown by an arrow 21f, and moves to the exhaust control device 20 side. It comes to flow.

本実施形態の製造装置１では、第１のスパッタガスであるアルゴンガスを図示Ｙａ方向に沿って成膜室２側へ流通させ、成膜室２内を−Ｘ方向に流通する酸素ガスと合流させ、その後−Ｘ方向に流通させるようになっている。また、第２のスパッタガスである酸素ガスの流通方向と前記アルゴンガスの流通方向との成す角度が鋭角になるようにしてスパッタガスを円滑に流通させるようになっている。
これにより、酸素ガスとアルゴンガスとの合流地点においてガス流が乱れるのを防止することができ、基板Ｗに対するスパッタ粒子５ｐの入射角度がばらつくのを防止することができる。また、成膜面Ｗｓにおける酸素ガスの濃度や圧力を均一にして、良好な配向膜を形成することができる。 In the manufacturing apparatus 1 of the present embodiment, argon gas, which is the first sputtering gas, is circulated to the film forming chamber 2 side along the Ya direction in the drawing, and merged with oxygen gas flowing in the film forming chamber 2 in the −X direction. And then circulate in the -X direction. Further, the sputtering gas is smoothly circulated such that the angle formed by the flow direction of the oxygen gas that is the second sputtering gas and the flow direction of the argon gas is an acute angle.
Thereby, it is possible to prevent the gas flow from being disturbed at the junction of the oxygen gas and the argon gas, and it is possible to prevent the incident angle of the sputtered particles 5p with respect to the substrate W from varying. In addition, a good alignment film can be formed by making the concentration and pressure of the oxygen gas uniform on the film formation surface Ws.

図２（ａ）に示すように、第１電極９ａのターゲット５ａと反対側に第１の磁界発生手段１６ａが配置され、第２電極９ｂのターゲット５ｂと反対側には第２の磁界発生手段１６ｂが配置されている。また、図３（ｂ）に示すように、第２の磁界発生手段１６ｂは、矩形状のターゲット５ｂの外周端に沿って配置された矩形枠状であり、第１の磁界発生手段１６ａも同様である。 As shown in FIG. 2A, the first magnetic field generating means 16a is disposed on the opposite side of the target 5a of the first electrode 9a, and the second magnetic field generating means is disposed on the opposite side of the second electrode 9b to the target 5b. 16b is arranged. Further, as shown in FIG. 3B, the second magnetic field generating means 16b has a rectangular frame shape arranged along the outer peripheral edge of the rectangular target 5b, and the first magnetic field generating means 16a is also the same. It is.

したがって、第１の磁界発生手段１６ａと第２の磁界発生手段１６ｂとは、対向配置されたターゲット５ａ，５ｂの外周部で互いに対向して配置されている。そして、これらの磁界発生手段１６ａ，１６ｂがターゲット５ａ，５ｂを取り囲むＸａ方向の磁界をスパッタ装置３内に発生させ、かかる磁界によってプラズマＰｚに含まれる電子をプラズマ生成領域内に拘束する電子拘束手段を構成している。 Therefore, the first magnetic field generating means 16a and the second magnetic field generating means 16b are arranged to face each other at the outer peripheral portions of the targets 5a and 5b arranged to face each other. Then, the magnetic field generating means 16a, 16b generate a magnetic field in the Xa direction surrounding the targets 5a, 5b in the sputtering apparatus 3, and the electronic restraining means for restraining electrons contained in the plasma Pz within the plasma generation region by the magnetic field. Is configured.

図２（ａ）に示すように、搬送トレイ６には、保持した基板Ｗを加熱するためのヒータ（加熱手段）７が設けられている。さらに、搬送トレイ６には、保持した基板Ｗを冷却するための第３の冷却手段８ｃが設けられている。
ヒータ７は、電源等を具備した制御部７ａに接続されている。そして、ヒータ７は、制御部７ａを介した昇温動作により所望の温度に搬送トレイ６を加熱し、これによって基板Ｗを所望の温度に加熱できるように構成されている。
一方、第３の冷却手段８ｃは、第３の冷媒循環手段１８ｃと配管等を介して接続されている。そして、第３の冷却手段８ｃは、第３の冷媒循環手段１８ｃから供給される冷媒を循環させることにより所望の温度に搬送トレイ６を冷却し、これによって基板Ｗを所望の温度に冷却するように構成されている。 As shown in FIG. 2A, the transport tray 6 is provided with a heater (heating means) 7 for heating the held substrate W. Further, the transport tray 6 is provided with a third cooling means 8c for cooling the held substrate W.
The heater 7 is connected to a control unit 7a having a power source and the like. The heater 7 is configured to heat the transport tray 6 to a desired temperature by a temperature raising operation via the control unit 7a, thereby heating the substrate W to the desired temperature.
On the other hand, the third cooling means 8c is connected to the third refrigerant circulating means 18c via a pipe or the like. Then, the third cooling unit 8c cools the transport tray 6 to a desired temperature by circulating the refrigerant supplied from the third refrigerant circulating unit 18c, and thereby cools the substrate W to the desired temperature. It is configured.

図４は、図２（ａ）に示すスパッタ装置３の開口部３ａ近傍の拡大断面図である。
図４に示すように、スパッタ装置３の開口部３ａの近傍には、例えばスパッタ粒子５ｐと酸素ガスとが反応して生成された酸化物等のスパッタ膜が、成膜室２及びスパッタ装置３の内面に付着を防止するための防着カバー１１が設けられている。防着カバー１１は鉛直方向（Ｚ方向）に延びるスパッタ装置３の開口部３ａに沿って、鉛直方向に延びるように形成され、鉛直方向に立てた状態で開口部３ａの近傍に配置されている。防着カバー１１は、成膜室２内の装置接続部２５の接続箇所の近傍からスパッタ装置３内のターゲット５ａ，５ｂの外周部と重なる箇所まで、成膜室２及びスパッタ装置３の内面を覆うように設けられている。 FIG. 4 is an enlarged sectional view of the vicinity of the opening 3a of the sputtering apparatus 3 shown in FIG.
As shown in FIG. 4, in the vicinity of the opening 3 a of the sputtering apparatus 3, for example, a sputtered film such as an oxide generated by a reaction between the sputtered particles 5 p and oxygen gas is formed in the film forming chamber 2 and the sputtering apparatus 3. An adhesion-preventing cover 11 for preventing adhesion is provided on the inner surface. The deposition cover 11 is formed so as to extend in the vertical direction along the opening 3a of the sputtering apparatus 3 extending in the vertical direction (Z direction), and is disposed in the vicinity of the opening 3a in a state where it is erected in the vertical direction. . The deposition cover 11 covers the inner surfaces of the film formation chamber 2 and the sputtering apparatus 3 from the vicinity of the connection portion of the apparatus connection portion 25 in the film formation chamber 2 to the position overlapping the outer peripheral portion of the targets 5a and 5b in the sputtering apparatus 3. It is provided to cover.

また、防着カバー１１は成膜室２及びスパッタ装置３に対して脱着可能に設けられ、メンテナンス時には、成膜室２と装置接続部２５との接続箇所の近傍で分離するようになっている。防着カバー１１は、例えばアルミニウム等の非磁性体により形成され、接地されてアノードとしても機能するようになっている。また、防着カバー１１の表面１１ｓには例えば表面処理が施され、堆積したスパッタ膜が剥離し難くなっている。 The deposition cover 11 is detachably attached to the film formation chamber 2 and the sputtering apparatus 3, and is separated in the vicinity of the connection portion between the film formation chamber 2 and the apparatus connection portion 25 during maintenance. . The deposition cover 11 is formed of a nonmagnetic material such as aluminum, and is grounded so as to function as an anode. Further, the surface 11s of the deposition cover 11 is subjected to surface treatment, for example, so that the deposited sputtered film is difficult to peel off.

次に、本実施形態の液晶装置の製造装置１の作用について説明する。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、液晶装置の構成部材である基板Ｗは成膜面Ｗｓが鉛直方向（ＸＺ平面）に平行になるように立てられた状態で、ローラー６ｒの回転により−Ｘ側のロードロックチャンバー２Ｌから＋Ｘ側の成膜室２内に搬送される。成膜室２内に搬送された基板Ｗは、ローラー６ｒの回転によりさらに＋Ｘ方向に搬送され、図２に示すように、スパッタ装置３により成膜面Ｗｓに無機配向膜が形成される。 Next, the operation of the liquid crystal device manufacturing apparatus 1 of the present embodiment will be described.
As shown in FIG. 1A and FIG. 1B, the substrate W, which is a constituent member of the liquid crystal device, is a roller in a state where the film formation surface Ws is set up in parallel with the vertical direction (XZ plane). By the rotation of 6r, the film is transferred from the load lock chamber 2L on the -X side into the film forming chamber 2 on the + X side. The substrate W transferred into the film forming chamber 2 is further transferred in the + X direction by the rotation of the roller 6r, and an inorganic alignment film is formed on the film forming surface Ws by the sputtering apparatus 3 as shown in FIG.

基板Ｗの成膜面Ｗｓ上に無機配向膜を形成するには、第１のガス供給手段２１からアルゴンガスを導入しつつ、第１電極９ａ及び第２電極９ｂにＤＣ電力（ＲＦ電力）を供給する。これにより、ターゲット５ａ，５ｂに挟まれる空間にプラズマＰｚを発生させ、プラズマ雰囲気中のアルゴンイオン等をターゲット５ａ，５ｂに衝突させる。そして、ターゲット５ａ，５ｂから配向膜材料（シリコン）をスパッタ粒子５ｐとしてたたき出す。さらにプラズマＰｚに含まれるスパッタ粒子５ｐのうち、プラズマＰｚから開口部３ａ側へ飛行するスパッタ粒子５ｐのみを選択的に成膜室２側へ放出する。そして、基板Ｗの面上に斜め方向から飛来したスパッタ粒子５ｐと、成膜室２を流通する酸素ガスとを基板Ｗ上で反応させることで、シリコン酸化物からなる配向膜を基板Ｗの成膜面Ｗｓ上に形成するようになっている。 In order to form the inorganic alignment film on the film formation surface Ws of the substrate W, DC power (RF power) is applied to the first electrode 9a and the second electrode 9b while introducing argon gas from the first gas supply means 21. Supply. Thereby, plasma Pz is generated in the space between the targets 5a and 5b, and argon ions or the like in the plasma atmosphere collide with the targets 5a and 5b. Then, the alignment film material (silicon) is sputtered from the targets 5a and 5b as sputtered particles 5p. Further, among the sputtered particles 5p contained in the plasma Pz, only the sputtered particles 5p flying from the plasma Pz to the opening 3a side are selectively released to the film forming chamber 2 side. Then, the sputtered particles 5p flying from the oblique direction on the surface of the substrate W and the oxygen gas flowing through the film forming chamber 2 are reacted on the substrate W, whereby an alignment film made of silicon oxide is formed on the substrate W. It is formed on the film surface Ws.

なお、本実施形態では、スパッタ粒子５ｐとしてのシリコンを、第２のスパッタガスである酸素ガスと反応させることでシリコン酸化物を基板Ｗ上に成膜する場合について説明しているが、ターゲット５ａ，５ｂとして例えばシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）やアルミニウム酸化物（ＡｌＯｙ等）などを用い、ターゲット５ａ，５ｂに対してＲＦ電力を入力してスパッタ動作を行うことで、これらシリコン酸化物やアルミニウム酸化物からなる無機配向膜を基板Ｗ上に形成することができる。またこの場合において、第２のスパッタガス（酸素ガス）を成膜室２内に流通させておくことで、形成される無機配向膜の酸化物組成からのずれを防止することができ、無機配向膜の絶縁性を高めることができる。 In this embodiment, the case where silicon oxide is formed on the substrate W by reacting silicon as the sputtered particles 5p with oxygen gas that is the second sputtering gas has been described. , 5b using, for example, silicon oxide (SiOx), aluminum oxide (AlOy, etc.), etc., and performing sputtering operation by inputting RF power to the targets 5a, 5b, these silicon oxide and aluminum oxide An inorganic alignment film made of can be formed on the substrate W. In this case, the second sputtering gas (oxygen gas) is allowed to flow in the film formation chamber 2 to prevent deviation of the formed inorganic alignment film from the oxide composition. The insulating properties of the film can be increased.

基板Ｗへの無機配向膜の成膜を繰り返し行っていると、スパッタ装置３のターゲット５ａ，５ｂの近傍に例えばスパッタ粒子５ｐに起因するシリコン酸化物等のスパッタ膜が堆積し、そのスパッタ膜が剥離してパーティクルが落下する場合がある。
ここで、本実施形態の製造装置１では、図１（ａ）及び図２（ａ）に示すように、スパッタ装置３のターゲット５ａ，５ｂの互いに対向する面が鉛直方向（ＹａＺ平面）に略平行になるように配置されている。そのため、ターゲット５ａ，５ｂの近傍に堆積したスパッタ膜が剥離しても、パーティクルはそのまま鉛直方向下方（−Ｚ側）へと落下していく。そして、スパッタ装置３内のターゲット５ａ，５ｂの−Ｚ側のターゲット５ａ，５ｂに影響を及ぼさない箇所に堆積する。したがって、ターゲット５ａ，５ｂの表面やその近傍において剥離したパーティクルが再びそのターゲット５ａ，５ｂに付着することが防止される。また、従来の液晶装置の製造装置のように、例えば一方のターゲット５ｂから剥離して落下したパーティクルが対向する他方のターゲット５ａに付着することが防止される。 When the inorganic alignment film is repeatedly formed on the substrate W, a sputtered film such as silicon oxide caused by the sputtered particles 5p is deposited in the vicinity of the targets 5a and 5b of the sputtering apparatus 3, and the sputtered film is The particles may fall off and fall off.
Here, in the manufacturing apparatus 1 of the present embodiment, as shown in FIGS. 1A and 2A, the surfaces of the targets 5a and 5b of the sputtering apparatus 3 facing each other are substantially in the vertical direction (YaZ plane). They are arranged in parallel. For this reason, even if the sputtered film deposited in the vicinity of the targets 5a and 5b is peeled off, the particles continue to fall downward in the vertical direction (−Z side). And it deposits in the location which does not affect the targets 5a and 5b of -Z side of the targets 5a and 5b in the sputtering apparatus 3. Therefore, it is possible to prevent particles peeled off on the surfaces of the targets 5a and 5b and in the vicinity thereof from adhering to the targets 5a and 5b again. Further, as in a conventional liquid crystal device manufacturing apparatus, for example, particles that have been peeled off and dropped from one target 5b are prevented from adhering to the opposite target 5a.

このように、堆積したスパッタ膜が剥離してパーティクルが落下した場合にそのパーティクルがターゲット５ａ，５ｂに付着することを防止することで、スパッタ装置３の電極９ａ，９ｂの放電を安定させ、異常放電を防止することができる。これにより、パーティクルの飛散を防止して基板Ｗにパーティクルが付着することを防止したり、ターゲット５ａ，５ｂに割れ等の不具合が発生したりすることを防止できる。
したがって、本実施形態の液晶装置の製造装置１によれば、スパッタ装置３の異常放電を防止して、基板Ｗの成膜面Ｗｓに良好な無機配向膜を成膜することができる。 In this way, when the deposited sputtered film is peeled off and particles are dropped, the particles are prevented from adhering to the targets 5a and 5b, so that the discharge of the electrodes 9a and 9b of the sputtering apparatus 3 is stabilized and abnormal. Discharge can be prevented. As a result, it is possible to prevent the particles from scattering and prevent the particles from adhering to the substrate W, and to prevent problems such as cracks in the targets 5a and 5b.
Therefore, according to the liquid crystal device manufacturing apparatus 1 of the present embodiment, an abnormal discharge of the sputtering apparatus 3 can be prevented and a good inorganic alignment film can be formed on the film formation surface Ws of the substrate W.

また、本実施形態の液晶装置の製造装置１においては、図４に示すように、スパッタ装置３の開口部３ａの近傍には、スパッタ装置３の内側や成膜室２の内側へのスパッタ膜の付着を防止する防着カバー１１が設けられている。そのため、スパッタ装置３の開口部３ａの近傍や、その開口部３ａの近傍の成膜室２の内側等に、スパッタ粒子５ｐに由来するスパッタ膜が付着することが防止される。これにより、製造装置１のメンテナンス周期を延長し、メンテナンス性を向上させることができる。また、防着カバー１１の表面１１ｓに表面処理が施されているので、防着カバー１１からのスパッタ膜の剥離が防止され、基板Ｗに良好な無機配向膜を形成することができる。 Further, in the liquid crystal device manufacturing apparatus 1 of the present embodiment, as shown in FIG. 4, a sputtered film inside the sputtering apparatus 3 or inside the film forming chamber 2 is located near the opening 3 a of the sputtering apparatus 3. An adhesion-preventing cover 11 is provided to prevent the adhesion. Therefore, the sputtered film derived from the sputtered particles 5p is prevented from adhering to the vicinity of the opening 3a of the sputtering apparatus 3 or the inside of the film forming chamber 2 near the opening 3a. Thereby, the maintenance period of the manufacturing apparatus 1 can be extended and the maintainability can be improved. Further, since the surface treatment is performed on the surface 11 s of the deposition cover 11, peeling of the sputtered film from the deposition cover 11 is prevented, and a good inorganic alignment film can be formed on the substrate W.

また、図１及び図２に示すように、スパッタ装置３が成膜室２の側方（−Ｙ側）に配置され、成膜室２内で基板Ｗが立った状態で搬送されるので、防着カバー１１も鉛直方向（Ｚ方向）に沿って立てた状態で配置される。そのため、従来のようにスパッタ装置３が成膜室２の下方に配置されている場合と比較して、防着カバー１１が重力によりターゲット５ａ側にたわむことを防止できる。これにより、防着カバー１１の端部がターゲット５ａ，５ｂに接触することが防止され、スパッタ装置３の異常放電を防止することができる。 Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the sputtering apparatus 3 is disposed on the side (−Y side) of the film formation chamber 2, and the substrate W is transported while standing in the film formation chamber 2. The protective cover 11 is also arranged in a standing state along the vertical direction (Z direction). Therefore, compared with the case where the sputtering apparatus 3 is arrange | positioned under the film-forming chamber 2 conventionally, it can prevent that the deposition cover 11 bends to the target 5a side by gravity. Thereby, it is prevented that the edge part of the adhesion prevention cover 11 contacts target 5a, 5b, and the abnormal discharge of the sputtering apparatus 3 can be prevented.

従来のようにスパッタ装置が成膜室の下方に設けられている場合には、スパッタ装置のメンテナンス時に成膜室が障害となり、スパッタ装置の脱着が困難であった。また、基板が大型化すると、スパッタ装置もそれに合わせて大型化するため、スパッタ装置の重量が増加して、よりメンテナンス性を低下させる要因となっていた。 When the sputtering apparatus is provided below the film forming chamber as in the prior art, the film forming chamber becomes an obstacle at the time of maintenance of the sputtering apparatus, and it is difficult to detach the sputtering apparatus. Further, when the substrate is increased in size, the sputtering apparatus is also increased in size accordingly, so that the weight of the sputtering apparatus is increased, which causes a decrease in maintainability.

しかし、本実施形態の液晶装置の製造装置１では、スパッタ装置３が成膜室２の側方に配置され、装置接続部２５を介して成膜室２に脱着可能に接続されている。また、スパッタ装置３の脱着時にスパッタ装置３を水平方向（Ｙ方向）に沿って移動させる移動装置３Ｍを備えている。そのため、製造装置１のメンテナンス時には、装置接続部２５と成膜室２との間の接続を解除して、移動装置３Ｍにより、スパッタ装置３を−Ｙ方向に移動させることで、成膜室２からスパッタ装置３を取り外すことができる。そして、そのままの状態でスパッタ装置３の下方に堆積したパーティクルを除去するなどのメンテナンスを行うことができる。これにより、製造装置１のメンテナンス性を著しく改善することができる。 However, in the liquid crystal device manufacturing apparatus 1 of the present embodiment, the sputtering apparatus 3 is disposed on the side of the film formation chamber 2 and is detachably connected to the film formation chamber 2 via the apparatus connection portion 25. Further, a moving device 3M is provided for moving the sputtering device 3 along the horizontal direction (Y direction) when the sputtering device 3 is detached. Therefore, at the time of maintenance of the manufacturing apparatus 1, the connection between the apparatus connection unit 25 and the film forming chamber 2 is released, and the sputtering apparatus 3 is moved in the −Y direction by the moving device 3 M, thereby forming the film forming chamber 2. The sputter device 3 can be removed from. Then, it is possible to perform maintenance such as removing particles deposited below the sputtering apparatus 3 as they are. Thereby, the maintainability of the manufacturing apparatus 1 can be remarkably improved.

以上説明したように、本実施形態の液晶装置の製造装置１によれば、スパッタ装置３の異常放電を防止すること可能となり、基板Ｗの成膜面Ｗｓに良好な無機配向膜を形成することができる。加えて、製造装置１のメンテナンス性を著しく改善することができる。 As described above, according to the liquid crystal device manufacturing apparatus 1 of the present embodiment, it is possible to prevent abnormal discharge of the sputtering apparatus 3 and to form a good inorganic alignment film on the film formation surface Ws of the substrate W. Can do. In addition, the maintainability of the manufacturing apparatus 1 can be significantly improved.

また、対向ターゲット型のスパッタ装置３を基板Ｗに対して所定角度（θ１）傾けて配置しているので、スパッタ装置３の開口部３ａから放出されるスパッタ粒子５ｐを所定角度で斜め方向から基板Ｗの成膜面に入射させることができる。そして、このようにして斜め方向から入射させたスパッタ粒子５ｐの堆積により、一方向に配向した柱状構造を具備した無機配向膜を基板Ｗ上に形成することができるようになっている。また、対向ターゲット型のスパッタ装置３では、開口部３ａから放出されないスパッタ粒子は、主にターゲット５ａ，５ｂに入射して再利用されるため、極めて高いターゲット利用効率を得られるようになっている。さらにスパッタ装置３においては、ターゲット間隔を狭めることで開口部３ａから放出されるスパッタ粒子５ｐの指向性を高めることができるので、基板Ｗに到達するスパッタ粒子５ｐの入射角は高度に制御されたものとなり、形成される無機配向膜における柱状構造の配向性も良好なものとなる。 Further, since the opposed target type sputtering apparatus 3 is disposed at a predetermined angle (θ1) with respect to the substrate W, the sputtered particles 5p emitted from the openings 3a of the sputtering apparatus 3 are obliquely inclined at a predetermined angle from the substrate. The light can enter the W film-forming surface. Then, an inorganic alignment film having a columnar structure oriented in one direction can be formed on the substrate W by depositing the sputtered particles 5p incident from an oblique direction in this way. Further, in the facing target type sputtering apparatus 3, sputtered particles that are not emitted from the opening 3a are mainly incident on the targets 5a and 5b and reused, so that extremely high target utilization efficiency can be obtained. . Further, in the sputtering apparatus 3, since the directivity of the sputtered particles 5p emitted from the opening 3a can be increased by narrowing the target interval, the incident angle of the sputtered particles 5p reaching the substrate W is highly controlled. Thus, the orientation of the columnar structure in the formed inorganic alignment film is also good.

［液晶装置の製造方法］
次に、上記製造装置１を用いた液晶装置の製造方法（基板Ｗ上に無機配向膜を形成する工程）について説明する。
まず、基板Ｗとして、液晶装置用基板としてスイッチング素子や電極等、所定の構成部材が形成された基板を用意する。次いで、基板Ｗを成膜室２に併設されたロードロックチャンバー２Ｌ内に収容し、搬送トレイ６に基板Ｗをセットする。そして、ロードロックチャンバー２Ｌ内を減圧して真空状態とする。また、これとは別に、排気制御装置を作動させて成膜室２内を所望の真空度に調整しておく。 [Method of manufacturing liquid crystal device]
Next, a method for manufacturing a liquid crystal device using the manufacturing apparatus 1 (step of forming an inorganic alignment film on the substrate W) will be described.
First, as the substrate W, a substrate on which predetermined components such as switching elements and electrodes are formed is prepared as a substrate for a liquid crystal device. Next, the substrate W is accommodated in a load lock chamber 2 L provided in the film forming chamber 2, and the substrate W is set on the transfer tray 6. Then, the load lock chamber 2L is depressurized to be in a vacuum state. Separately from this, the exhaust control device is operated to adjust the inside of the film forming chamber 2 to a desired degree of vacuum.

続いて、搬送トレイ６及びローラー６ｒにより基板Ｗを成膜室２内に搬送する。そして、配向膜形成の前処理として、搬送トレイ６のヒータ７によって基板Ｗを例えば２５０℃〜３００℃程度で加熱し、基板Ｗの表面に付着した吸着水やガスなどの脱水・脱ガス処理を行う。次いで、ヒータ７による加熱を停止した後、スパッタリングによる基板温度の上昇を抑制するため、冷媒循環手段１８ｃを作動させて冷却手段８ｃに冷媒を循環させることで基板Ｗを所定温度、例えば室温に保持する。 Subsequently, the substrate W is transported into the film forming chamber 2 by the transport tray 6 and the roller 6r. Then, as a pretreatment for forming the alignment film, the substrate W is heated at, for example, about 250 ° C. to 300 ° C. by the heater 7 of the transport tray 6 to perform dehydration / degassing processing such as adsorbed water and gas adhering to the surface of the substrate W Do. Next, after the heating by the heater 7 is stopped, the substrate W is held at a predetermined temperature, for example, room temperature, by operating the refrigerant circulating means 18c and circulating the refrigerant to the cooling means 8c in order to suppress an increase in the substrate temperature due to sputtering. To do.

次に、アルゴンガスを第１のガス供給手段２１からスパッタ装置３内に所定流量で導入し、酸素ガスを第２のガス供給手段２２から所定流量で成膜室２内に導入するとともに、排気制御装置２０を作動させ、所定の操作圧力、例えば１０^−１Ｐａ程度に調整する。酸素ガスプラズマでは酸素ラジカル、酸素の負イオンが発生するため、本実施形態の製造装置１では、プラズマ生成領域であるターゲット５ａ，５ｂの前面にはアルゴンガスのみを導入し、酸素ガスは別系統のガス供給路から基板Ｗ上へ流入させている。また、成膜中にも必要に応じてヒータ７、冷却手段８ｃを作動させることにより、基板Ｗを室温に保持することが好ましい。 Next, argon gas is introduced from the first gas supply means 21 into the sputtering apparatus 3 at a predetermined flow rate, oxygen gas is introduced from the second gas supply means 22 into the film formation chamber 2 at a predetermined flow rate, and evacuation is performed. The control device 20 is operated and adjusted to a predetermined operating pressure, for example, about 10 ⁻¹ Pa. Since oxygen radicals and negative ions of oxygen are generated in oxygen gas plasma, only the argon gas is introduced into the front surfaces of the targets 5a and 5b, which are plasma generation regions, in the manufacturing apparatus 1 of this embodiment, and the oxygen gas is a separate system. From the gas supply path to the substrate W. Further, it is preferable to keep the substrate W at room temperature by operating the heater 7 and the cooling means 8c as necessary during film formation.

その後、このような成膜条件のもとで、搬送トレイ６及びローラー６ｒにより基板Ｗを図１中のＸ方向に所定の速度で移動させ、スパッタ装置３によるスパッタリングを行う。すると、ターゲット５ａ，５ｂからは、配向膜材料となるスパッタ粒子（シリコン）が放出されるが、対向ターゲット型のスパッタ装置３では、ターゲット対向方向に進行するスパッタ粒子はプラズマＰｚ内に閉じ込められ、ターゲット面方向の開口部３ａに向かって進行するスパッタ粒子５ｐのみが開口部３ａから成膜室２内に放出され、進行方向を規制されたスパッタ粒子５ｐのみが基板Ｗ上に入射するようになる。 Thereafter, under such film forming conditions, the substrate W is moved in the X direction in FIG. 1 at a predetermined speed by the transport tray 6 and the roller 6r, and sputtering by the sputtering apparatus 3 is performed. Then, sputtered particles (silicon) serving as the alignment film material are emitted from the targets 5a and 5b. However, in the facing target type sputtering apparatus 3, the sputtered particles traveling in the target facing direction are confined in the plasma Pz. Only the sputtered particles 5p traveling toward the opening 3a in the target surface direction are emitted into the film forming chamber 2 from the opening 3a, and only the sputtered particles 5p whose traveling direction is regulated are incident on the substrate W. .

スパッタ粒子５ｐは、装置接続部２５に臨む基板Ｗの成膜面Ｗｓに対してのみ選択的に入射し、基板Ｗ上で酸素ガスと反応してシリコン酸化物の被膜を形成する。このように基板Ｗに対して斜めに傾けて配置されたスパッタ装置３から放出され、さらに基板Ｗに対してスパッタ装置３と同様に斜めに傾けて配置された装置接続部２５を通過したスパッタ粒子５ｐは、基板Ｗの成膜面に対して所定の角度、すなわち前記θ１で入射するようになる。その結果、基板Ｗ上で酸素ガスとスパッタ粒子５ｐとの反応を伴って堆積した無機配向膜は、前記の入射角θ１に対応した角度で傾斜する柱状構造を有した無機配向膜となる。 The sputtered particles 5p selectively enter only the film-forming surface Ws of the substrate W facing the device connection portion 25 and react with oxygen gas on the substrate W to form a silicon oxide film. Sputtered particles emitted from the sputtering apparatus 3 arranged obliquely with respect to the substrate W in this way and further passed through the apparatus connecting portion 25 arranged obliquely with respect to the substrate W in the same manner as the sputtering apparatus 3. 5p is incident on the film formation surface of the substrate W at a predetermined angle, that is, θ1. As a result, the inorganic alignment film deposited on the substrate W with the reaction between the oxygen gas and the sputtered particles 5p becomes an inorganic alignment film having a columnar structure inclined at an angle corresponding to the incident angle θ1.

このように、製造装置１により基板Ｗ状に形成される無機配向膜は所望の角度で傾斜した柱状構造を有する無機配向膜であり、この配向膜を備えてなる液晶装置は、かかる無機配向膜によって液晶のプレチルト角を良好に制御することがでるものとなる。 As described above, the inorganic alignment film formed in the substrate W shape by the manufacturing apparatus 1 is an inorganic alignment film having a columnar structure inclined at a desired angle, and a liquid crystal device including the alignment film has such an inorganic alignment film. As a result, the pretilt angle of the liquid crystal can be controlled well.

以上の工程により基板Ｗ上に無機配向膜を形成したならば、別途製造した他の基板とシール材を介して貼り合わせ、基板間に液晶を封入することで液晶装置を製造することができる。なお、本発明に係る液晶装置の製造方法において、無機配向膜の形成工程以外の製造工程については公知の製造方法を適用することができる。 If the inorganic alignment film is formed on the substrate W through the above steps, a liquid crystal device can be manufactured by pasting together another separately manufactured substrate through a sealing material and enclosing a liquid crystal between the substrates. In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention, a known manufacturing method can be applied to a manufacturing process other than the process of forming the inorganic alignment film.

尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、スパッタ装置には、防着カバーやスリットが形成されていなくてもよい。また、スパッタ装置は基板の搬送方向に対して垂直に配置されたものであってもよい。また、基板の搬送方向や酸素ガスの流通方向等は上述の実施形態と逆向きであってもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, the sputter apparatus does not need to be formed with a deposition cover or a slit. Further, the sputtering apparatus may be arranged perpendicular to the substrate transport direction. Further, the substrate transport direction, the oxygen gas flow direction, and the like may be opposite to those in the above-described embodiment.

実施形態に係る液晶装置の製造装置の概略構成図。1 is a schematic configuration diagram of an apparatus for manufacturing a liquid crystal device according to an embodiment. 図１に示す液晶装置の製造装置の詳細構成図。FIG. 2 is a detailed configuration diagram of the manufacturing apparatus for the liquid crystal device shown in FIG. 1. 図１に示す液晶装置の製造装置のスパッタ装置の詳細構成図。The detailed block diagram of the sputtering device of the manufacturing apparatus of the liquid crystal device shown in FIG. 図１に示す液晶装置の製造装置のスパッタ装置の開口部近傍の概略構成図。The schematic block diagram of the opening part vicinity of the sputtering device of the manufacturing apparatus of the liquid crystal device shown in FIG.

Explanation of symbols

１製造装置、２成膜室、３スパッタ装置、３ａ開口部、５ａ，５ｂターゲット、５ｐスパッタ粒子、６搬送トレイ（基板搬送手段）、６ｒローラー（基板搬送手段）、１１防着カバー、２０排気制御装置、２１第１のガス供給手段、２２第２のガス供給手段、２５装置接続部、３Ｍ移動装置（スパッタ装置移動手段）、Ｗ基板、Ｗｓ成膜面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Manufacturing apparatus, 2 Film-forming chamber, 3 Sputtering apparatus, 3a Opening part, 5a, 5b Target, 5p Sputtered particle, 6 Conveyance tray (substrate conveyance means), 6r Roller (substrate conveyance means), 11 Deposit cover Control apparatus, 21 1st gas supply means, 22 2nd gas supply means, 25 apparatus connection part, 3M movement apparatus (sputter apparatus movement means), W substrate, Ws film formation surface

Claims

An apparatus for manufacturing a liquid crystal device comprising a liquid crystal layer sandwiched between a pair of opposing substrates, wherein an inorganic alignment film is formed on the inner surface side of at least one of the substrates,
A film forming chamber, and a sputtering apparatus that is disposed on a side of the film forming chamber and forms an inorganic alignment film by forming an alignment film material on the film forming surface of the substrate by a sputtering method in the film forming chamber; Substrate transport means for transporting the substrate in an upright state so that the film-forming surface is along the vertical direction;
The sputtering apparatus has a pair of targets facing each other across the plasma generation region,
The pair of targets are arranged in a state in which surfaces facing each other are erected so as to be along the vertical direction, respectively.

The apparatus for manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein a deposition cover is provided in the vicinity of an opening of the sputtering apparatus that discharges sputtered particles from the plasma generation region.

The sputtering apparatus includes a sputtering apparatus moving unit that is detachably connected to the film forming chamber via an apparatus connecting portion and moves the sputtering apparatus along a horizontal direction when the sputtering apparatus is detached. An apparatus for manufacturing a liquid crystal device according to claim 1 or 2.

The sputtering apparatus has a first gas supply means for circulating a first sputtering gas in the plasma generation region,
The film forming chamber includes a second gas supply unit configured to circulate a second sputter gas that forms the inorganic alignment film on the substrate by reacting with the sputtered particles emitted from the plasma generation region. And an exhaust control device for obtaining a desired degree of vacuum by controlling an internal pressure of the film forming chamber. Manufacturing equipment for liquid crystal devices.

The liquid crystal device manufacturing apparatus according to claim 4, wherein the second gas supply unit is provided on a side opposite to the exhaust control device with respect to a connection portion of the sputtering apparatus.