JP2010008887A - 光デバイスの製造方法および光デバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】デバイスの製造時における光導波路の放電破壊を回避すること。
【解決手段】パターン形成工程によって、折り返し部１２３ａを有する導波路パターン１２０ａと、折り返し部１２３ａの外周側に位置する導体パターン３１２と、折り返し部１２３ａと導体パターン３１２を接続するダミーパターン１３０ａと、を誘電体基板１１０上に形成する。つぎに、パターン形成工程によってパターン形成された誘電体基板１１０を熱拡散処理して導波路パターン１２０ａを光導波路にする。
【選択図】図３

Description

この発明は、誘電体基板に光導波路を形成した光デバイスの製造方法および光デバイスに関する。
ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム）やＬｉＴａＯ3（タンタル酸リチウム）などの電気光学結晶の誘電体基板を用いた光デバイスは、結晶基板上の一部にＴｉ（チタン）などの金属膜を形成し熱拡散させ、あるいはパターニング後に安息香酸中でプロトン交換するなどして光導波路を形成した後、光導波路近傍に電極を設けることで製造される。
このような光デバイスにおいて、光導波路は、たとえば、光を分岐する分岐部と、分岐部によって分岐された各光を通過させる平行導波路と、平行導波路を通過した各光を結合させる結合部と、を有する。そして、平行導波路に沿って信号電極および接地電極を設け、コプレーナ電極を形成する。誘電体基板にＺカット基板を用いる場合は、Ｚ方向の電界による屈折率変化を利用するため、光導波路の真上に沿って信号電極を配置する。
光変調器を高速で駆動する場合は、信号電極と接地電極の終端を抵抗で接続して進行波電極とし、信号電極の入力側からマイクロ波信号を印加する。これにより、電界によって平行導波路の各導波路の屈折率がそれぞれ＋Δｎａ、−Δｎｂのように変化し、平行導波路の各導波路間の位相差が変化する。これにより、結合部における各光の干渉がマッハツェンダ干渉となり、強度変調された光信号が結合部から出力される。
こうした光変調器を２つ直列につなぎ、一方をクロック信号、他方をＮＲＺ（Ｎｏｎ Ｒｅｔｕｒｎ ｔｏ Ｚｅｒｏ）データ信号で駆動することによって、ＲＺ信号が生成される。また、折り返し導波路を用いて２つの変調器を１つのチップ上に集積する構成が提案されている。折り返し導波路の部分では、Ｕ字型に曲がった光導波路の外周に沿って溝を設けることで光の損失を抑えることができる（たとえば、下記特許文献１参照。）。
ところで、ＬｉＮｂＯ3やＬｉＴａＯ3の結晶を用いた誘電体基板はかなり大きな焦電効果（焦電性）を有している。このため、誘電体基板の温度が変化すると焦電荷が発生し、誘電体基板の表面が帯電して大きな電位が発生する。したがって、加熱によってＴｉ等の金属パターンを誘電体基板の表面に拡散させるときに、多量に発生する焦電荷が金属パターン（導波路パターン）に溜まり易い。その結果、金属パターンに放電が発生し、光導波路パターンが破壊されるといった問題がある。
これに対して、チップ有効範囲から外れた位置において、光導波路となる導波路パターンの端部が、比較的面積の大きな導体パターンに接続しておく技術が開示されている（たとえば、下記特許文献２参照。）。これにより、熱拡散処理を行うときに、導波路パターンに溜まった焦電荷が導体パターンの方へと逃れ、光導波路の放電破壊が軽減される。
特開２００４−２８７０９３号公報 国際公開第９４／０１０５９２号パンフレット
しかしながら、上述した従来技術では、光導波路が折り返し部を有する場合は、折り返し部と、焦電荷を逃すための導体パターンと、の間が離れる。このため、熱拡散処理を行うときに、折り返し部と導体パターンの間で電荷密度が異なり、折り返し部と導体パターンの間に電位差が生じる。この電位差が大きくなると、折り返し部と導体パターンの間で放電が発生し、光導波路の折り返し部付近が破壊されるという問題がある。
開示の光デバイスの製造方法および光デバイスは、上述した問題点を解消するものであり、デバイスの製造時における光導波路の放電破壊を回避することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するため、この光デバイスの製造方法は、折り返し部を有する導波路パターンと、前記折り返し部の外周側に位置する導体パターンと、前記折り返し部と前記導体パターンを接続するダミーパターンと、を誘電体基板上に形成するパターン形成工程と、前記パターン形成工程によってパターン形成された前記誘電体基板を熱拡散処理して前記導波路パターンを光導波路にする熱拡散工程と、を含むことを要件とする。
上記方法によれば、熱拡散工程の熱拡散処理によって導波路パターンの折り返し部付近に発生した焦電荷が、ダミーパターンを介して導体パターンへ逃れる。
開示の光デバイスの製造方法および光デバイスによれば、デバイスの製造時における光導波路の放電破壊を回避することができるという効果を奏する。
以下に添付図面を参照して、この光デバイスの製造方法および光デバイスの好適な実施の形態を詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１にかかる光デバイスの構成を示す平面図である。図１に示すように、実施の形態１にかかる光デバイス１００は、誘電体基板１１０と、光導波路１２０と、ダミー導波路１３０と、溝１４０と、信号電極１５１および信号電極１５２と、接地電極１５３と、を備えている。光デバイス１００は、光を変調する光変調器である。
誘電体基板１１０は、焦電性を有する誘電体基板である。誘電体基板１１０は、たとえばＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3の結晶基板である。ここでは、誘電体基板１１０はＺカットのＬｉＮｂＯ3基板であるとする。誘電体基板１１０はチップ状に形成されている。誘電体基板１１０の長手方向の両端部をそれぞれ端部１１１および端部１１２とする。また、誘電体基板１１０の各側面をそれぞれ側面１１３および側面１１４とする。
光導波路１２０は、誘電体基板１１０上に形成されている。光導波路１２０は、入力端１２１と、第１変調部１２２と、折り返し部１２３と、第２変調部１２４と、出力端１２５と、を有している。入力端１２１および出力端１２５は、誘電体基板１１０の端部１１１に導出されている。入力端１２１には光が入力される。入力端１２１へ入力される光はたとえば連続光である。入力端１２１は、入力された光を第１変調部１２２へ出射する。
第１変調部１２２は、入力端１２１から出射された光を分岐する分岐部１２２Ａと、分岐部１２２Ａによって分岐された各光を通過させる平行導波路１２２Ｂと、平行導波路１２２Ｂを通過した各光を結合させる結合部１２２Ｃと、を有している。第１変調部１２２の結合部１２２Ｃによって結合された光は折り返し部１２３へ出射される。
折り返し部１２３は、誘電体基板１１０の端部１１２の付近に設けられている。折り返し部１２３は、所定の曲率半径を有する曲がり導波路である。折り返し部１２３は、第１変調部１２２から出射された光を１８０度折り返して第２変調部１２４へ出射する。
第２変調部１２４は、折り返し部１２３から出射された光を分岐する分岐部１２４Ａと、分岐部１２４Ａによって分岐された各光を通過させる平行導波路１２４Ｂと、平行導波路１２４Ｂを通過した各光を結合させる結合部１２４Ｃと、を有している。第２変調部１２４の結合部１２４Ｃによって結合された光は出力端１２５へ出射される。
出力端１２５は、第２変調部１２４から出射された光を外部へ出力する。溝１４０は、光導波路１２０の折り返し部１２３の外周に沿って誘電体基板１１０の表面に設けられている。溝１４０は、たとえばエッチングによって形成される。ダミー導波路１３０は、溝１４０から誘電体基板１１０の端部１１２まで導出されている。
信号電極１５１、信号電極１５２および接地電極１５３は、光導波路１２０が形成された誘電体基板１１０の表面に形成されている。信号電極１５１は、第１変調部１２２の平行導波路１２２Ｂの一方の導波路に沿って誘電体基板１１０上に設けられている。信号電極１５１の両端部は、誘電体基板１１０の側面１１３へ導出されている。
信号電極１５２は、第２変調部１２４の平行導波路１２４Ｂの一方の導波路に沿って誘電体基板１１０上に設けられている。信号電極１５２の両端部は、誘電体基板１１０の側面１１４へ導出されている。接地電極１５３は、信号電極１５１および信号電極１５２を囲むように設けられている。また、接地電極１５３は、信号電極１５１および信号電極１５２との間に所定の間隔（ギャップ）を有するように形成されている。
信号電極１５１の入力端１２１側の端部には、マイクロ波信号によってデータが入力される。これにより、第１変調部１２２を通過する光が強度変調される。信号電極１５２の折り返し部１２３側の端部にはクロック信号が入力される。これにより、第２変調部１２４を通過する光がＲＺ変調される。このため、出力端１２５から出力される光は、強度変調およびＲＺ変調がなされた光信号になる。
ここでは図示していないが、信号電極１５１、信号電極１５２および接地電極１５３と、光導波路１２０が形成された誘電体基板１１０の表面と、の間にはバッファ層が設けられている。バッファ層は、たとえば、厚さ０．２〜２μｍ程度のＳｉＯ2である。これにより、光導波路１２０を通過する光が、信号電極１５１、信号電極１５２または接地電極１５３によって吸収されることを回避することができる。
図２は、図１のＡ−Ｂ線断面図である。図２において、図１に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図２に示すように、折り返し部１２３の外周は溝１４０によって縁取られている。また、溝１４０は、誘電体基板１１０において、折り返し部１２３およびダミー導波路１３０よりも深い位置まで形成されている。
たとえば、折り返し部１２３およびダミー導波路１３０のモードフィールド径が３μｍである場合は、溝１４０の深さは３μｍ以上にする。これにより、光導波路１２０とダミー導波路１３０が切り離される。このため、折り返し部１２３を通過する光がダミー導波路１３０へ漏れ込むことを回避し、光損失を低減することができる。
図３は、図１に示した光デバイスの製造工程（その１）を示す平面図である。図３において、図１に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。誘電体基板１１０の点線３０１は、図１に示した端部１１１に対応する部分である。誘電体基板１１０の点線３０２は、図１に示した端部１１２に対応する部分である。
まず、誘電体基板１１０の表面に、導波路パターン１２０ａと、導体パターン３１１および導体パターン３１２と、ダミーパターン１３０ａと、を形成する。導波路パターン１２０ａ、導体パターン３１１、導体パターン３１２およびダミーパターン１３０ａは、たとえばＴｉを誘電体基板１１０にパターニングすることによって形成される。
導波路パターン１２０ａは、図１に示した光導波路１２０と平面形状が同じパターンである。導波路パターン１２０ａは、入力部１２１ａ、第１変調部１２２ａ、折り返し部１２３ａ、第２変調部１２４ａおよび出力部１２５ａを有している。ここでは、２つの導波路パターン１２０ａが誘電体基板１１０の幅方向（短手方向）に並んで形成されている。
導体パターン３１１は、誘電体基板１１０における点線３０１側の端部３２１に形成され、２つの導波路パターン１２０ａの各入力部１２１ａおよび出力部１２５ａに接続されている。導体パターン３１２は、誘電体基板１１０における点線３０２側の端部３２２（折り返し部１２３ａの外周側）に形成されている。導体パターン３１１および導体パターン３１２は、十分な面積を有するように形成されたべたパターンである。
ダミーパターン１３０ａは、図１に示したダミー導波路１３０の平面形状を導体パターン３１２まで延長した形状のパターンである。ダミー導波路１３０は、２つの導波路パターン１２０ａの各折り返し部１２３ａにそれぞれ形成されている。ダミーパターン１３０ａは、折り返し部１２３ａと導体パターン３１２を接続するように形成されている。
この状態において、誘電体基板１１０に対して熱拡散処理を行う。これにより、導波路パターン１２０ａ、導体パターン３１１，３１２およびダミーパターン１３０ａが誘電体基板１１０の表面に拡散する。拡散した導波路パターン１２０ａは、図１に示した光導波路１２０になる。具体的には、入力部１２１ａ、第１変調部１２２ａ、折り返し部１２３ａ、第２変調部１２４ａおよび出力部１２５ａは、それぞれ図１に示した入力端１２１、第１変調部１２２、折り返し部１２３、第２変調部１２４および出力端１２５になる。
図４は、図１に示した光デバイスの製造工程（その２）を示す平面図である。図４において、図１または図３に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図４の符号４１０，４２０，４３０のそれぞれは、図３のＡ−Ｂ線断面図を示している。符号４１０は、誘電体基板１１０に、導波路パターン１２０ａ、導体パターン３１１，３１２およびダミーパターン１３０ａを形成した状態（図３参照）を示している。
符号４１０に示した状態において、誘電体基板１１０に対して熱拡散処理を行うと、上述したように、導波路パターン１２０ａ、導体パターン３１１，３１２およびダミーパターン１３０ａが誘電体基板１１０の表面に拡散する。たとえば、符号４２０に示すように、拡散した折り返し部１２３ａ（図３参照）は、図１に示した折り返し部１２３になる。
また、拡散したダミーパターン１３０ａ（図３参照）は、図１に示したダミー導波路１３０になる。この熱拡散処理を行う工程において、誘電体基板１１０の焦電効果によって折り返し部１２３ａに溜まった焦電荷は、ダミーパターン１３０ａを介して導体パターン３１２へ逃れる。このため、光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。
つぎに、符号４３０に示すように、光導波路１２０の折り返し部１２３とダミー導波路１３０を切り離すように溝１４０（図１，図２参照）を設ける（溝形成工程）。このあと、点線３０１（図３参照）および点線３０２の位置で誘電体基板１１０を切断し、導体パターン３１１および導体パターン３１２を取り除く（切断工程）。
点線３０１および点線３０２に沿って切断した誘電体基板１１０の各部分はそれぞれ図１に示した端部１１１および端部１１２になる。そして、誘電体基板１１０の表面にバッファ層を設け、バッファ層の上に信号電極１５１，１５２および接地電極１５３を形成（電極形成工程）することで、図１に示した光デバイス１００を製造することができる。
このように、実施の形態１にかかる光デバイス１００の製造方法によれば、導波路パターン１２０ａを形成した誘電体基板１１０を熱拡散処理するときに、誘電体基板１１０の焦電効果によって折り返し部１２３ａ付近に発生した焦電荷が、ダミーパターン１３０ａを介して導体パターン３１２へ逃れる。これにより、光デバイス１００の製造時における光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。
また、折り返し部１２３の外周に沿って溝１４０を設けることで、折り返し部１２３の曲率を小さくしても、折り返し部１２３における光の曲がり損失を低減することができる。これにより、デバイスの小型化および光損失の低減を図りつつ、光デバイス１００の製造時における光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。
また、この溝１４０によって折り返し部１２３とダミー導波路１３０を切り離すことができるため、折り返し部１２３を通過する光がダミー導波路１３０に結合することを回避し、光損失を低減することができる。これにより、光損失を増大させることなく、デバイスの製造時における光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。
ここでは、パターン形成を行う工程で、導波路パターン１２０ａと、ダミーパターン１３０ａと、導体パターン３１１，３１２と、を同一の材料であるＴｉによって形成する場合について説明した。これにより、各パターンをパターニングによって一括して形成することができる。ただし、導波路パターン１２０ａと、ダミーパターン１３０ａと、導体パターン３１１，３１２と、は互いに異なる材料の導体であってもよい。
（実施の形態２）
図５は、実施の形態２にかかる光デバイスの構成を示す平面図である。図５において、図１に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図５に示すように、実施の形態２にかかる光デバイス１００は、図１に示したダミー導波路１３０に代えて、複数のダミー導波路を備えている。
ここでは、光デバイス１００は、ダミー導波路５１１およびダミー導波路５１２を備えている。この光デバイス１００の製造方法においては、パターン形成を行う工程で、ダミーパターン１３０ａ（図３参照）に代えて、それぞれダミー導波路５１１およびダミー導波路５１２と平面形状が同じ２つのダミーパターンを形成する。
これにより、熱拡散処理を行うときに誘電体基板１１０の焦電効果によって折り返し部１２３ａ（図４参照）に溜まった焦電荷が、２つのダミーパターンを介して効率的に導体パターン３１２（図４参照）へ逃れる。また、２つのダミーパターンの一方が断線しても、残ったダミーパターンを介して折り返し部１２３ａから導体パターン３１２へ焦電荷が逃れる。このため、光導波路１２０の放電破壊をより確実に回避することができる。
図６は、図５に示した光デバイスの変形例１である。図６において、図５に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図６に示すように、実施の形態２にかかる光デバイス１００は、図１に示したダミー導波路１３０に代えて、光導波路１２０よりも幅が広いダミー導波路６１１を備えていてもよい。
たとえば、光導波路１２０の幅が１０μｍである場合は、ダミー導波路６１１の幅を１０μｍより広くする。この光デバイス１００の製造方法においては、パターン形成を行う工程で、ダミーパターン１３０ａ（図３参照）に代えて、ダミー導波路６１１と平面形状が同じダミーパターンを誘電体基板１１０上に形成する。
これにより、熱拡散処理を行うときに誘電体基板１１０の焦電効果によって折り返し部１２３ａ（図４参照）に溜まった焦電荷が、幅の広いダミーパターンを介して効率的に導体パターン３１２（図４参照）へ逃れる。また、幅が広いダミーパターンを用いることでダミーパターンの断線を回避することができる。このため、折り返し部１２３ａに溜まった焦電荷が、ダミーパターンの断線によって導体パターン３１２へ逃れない状態を回避できる。このため、光導波路１２０の放電破壊をより確実に回避することができる。
図７は、図５に示した光デバイスの変形例２である。図７において、図５に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図７に示すように、実施の形態２にかかる光デバイス１００は、図１に示したダミー導波路１３０に代えて、ダミー導波路７１１およびダミー導波路７１２を備えていてもよい。
ダミー導波路７１１は、溝１４０から、誘電体基板１１０の側面１１３まで導出されている。ダミー導波路７１２は、溝１４０から、誘電体基板１１０の側面１１４まで導出されている。この光デバイス１００の製造方法においては、パターン形成を行う工程で、ダミーパターン１３０ａ（図３参照）に代えて、それぞれダミー導波路７１１およびダミー導波路７１２と平面形状が同じ２つのダミーパターンを形成する。
図８は、図７に示した光デバイスの製造工程を示す平面図である。図８において、図３に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。まず、円板状のウエハ８００の一面に、Ｔｉの薄膜（図の黒い部分）を形成する。そして、Ｔｉの薄膜に対してエッチングを行うことで、導波路パターン１２０ａ、導体パターン３１１，３１２およびダミーパターン７１１ａ，７１２ａを形成する。
ここでは、導波路パターン１２０ａが、導波路パターン１２０ａの短手方向に８つ並べて設けられている。ダミーパターン７１１ａおよびダミーパターン７１２ａは、ダミー導波路７１１およびダミー導波路７１２（図７参照）と平面形状が同じ２つのダミーパターンである。ダミーパターン７１１ａ，７１２ａは、８つの導波路パターン１２０ａのそれぞれの折り返し部１２３ａ（符号は不図示）に設けられている。
各導波路パターン１２０ａに接続されたダミーパターン７１１ａは、隣接する導波路パターン１２０ａに接続されたダミーパターン７１２ａと、導体パターン３１２と、に接続されている。そして、ウエハ８００に対して熱拡散処理を行う。これにより、各導波路パターン１２０ａと、導体パターン３１１，３１２と、各導波路パターン１２０ａに接続された各ダミーパターン７１１ａ，７１２ａが誘電体基板１１０の表面に拡散する。
拡散した各導波路パターン１２０ａは、図７に示した光導波路１２０になる。また、拡散した各ダミーパターン７１１ａ，７１２ａは、図７に示した各ダミー導波路７１１，７１２になる。このとき、熱拡散処理によって各導波路パターン１２０ａの折り返し部１２３ａに溜まった焦電荷は、各ダミーパターン７１１ａ，７１２ａを介して導体パターン３１２へ逃れる。このため、光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。
つぎに、光導波路１２０とダミー導波路７１１，７１２とを切り離すように溝１４０（図７参照）を設ける。このあと、ウエハ８００を切断して各光導波路１２０を分離することで、光導波路１２０、ダミー導波路７１１，７１２および溝１４０が形成された誘電体基板１１０を８つ得ることができる。そして、誘電体基板１１０の表面にバッファ層を設け、バッファ層の上に信号電極１５１，１５２および接地電極１５３を形成することで、図７に示した光デバイス１００を製造することができる。
このように、実施の形態２にかかる光デバイス１００の製造方法によれば、実施の形態２にかかる光デバイス１００の製造方法の効果を奏するとともに、パターン形成を行う工程において、ダミーパターン１３０ａ（図３参照）に代えて、複数のダミーパターン、または幅が広いダミーパターンを形成することで、焦電効果によって折り返し部１２３ａに溜まった焦電荷がダミーパターンを介して効率的に導体パターン３１２へ逃れる。このため、光導波路１２０の放電破壊をより確実に回避することができる。
（実施の形態３）
図９は、実施の形態３にかかる光デバイスの製造工程を示す平面図である。図９において、図１に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図９に示すように、実施の形態３にかかる光デバイス１００においては、導波路パターン１２０ａは、入力端１２１と、第１変調部１２２と、出力端１２５と、を有している。第１変調部１２２の結合部１２２Ｃは、出力端１２５に接続されている。
第１変調部１２２の平行導波路１２２Ｂは、誘電体基板１１０の端部１１２付近に折り返し部９１０を有している。平行導波路１２２Ｂの外側の導波路のうちの折り返し部９１０を形成する部分を折り返し導波路９１１とする。また、平行導波路１２２Ｂの内側の導波路のうちの折り返し部９１０を形成する部分を折り返し導波路９１２とする。
ここでは、折り返し導波路９１１および折り返し導波路９１２は、互いに平行のまま曲がっている。ダミー導波路９２０は、折り返し導波路９１２から端部１１２まで、折り返し導波路９１１と交差しつつ導出されている。この光デバイス１００の製造方法においては、パターン形成を行う工程で、図３に示した第１変調部１２２ａに代えて、図９に示す第１変調部１２２ａと平面形状が同じパターンを誘電体基板１１０上に形成する。
また、ダミーパターン１３０ａ（図３参照）に代えて、ダミー導波路９２０と平面形状が同じダミーパターンを誘電体基板１１０上に形成する。このダミーパターンは、折り返し導波路９１１および折り返し導波路９１２となる各パターンと、端部１１２側に設けられた導体パターン３１２（図３参照）と、を接続する導体パターンである。
これにより、熱拡散処理を行うときに誘電体基板１１０の焦電効果によって、折り返し導波路９１１および折り返し導波路９１２となる各パターン（図４参照）に溜まった焦電荷が、ダミーパターンを介して導体パターン３１２（図４参照）へ逃れる。このため、光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。
図１０は、実施の形態３にかかる光デバイスの構成を示す平面図である。図１１は、図１０のＡ−Ｂ線断面図である。図１０および図１１において、図９に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図９に示した状態において、折り返し導波路９１１の外周に沿って誘電体基板１１０に溝１０１１（第１の溝）を設ける。また、折り返し導波路９１２の外周に沿って溝１０１２（第２の溝）を設ける。
つぎに、誘電体基板１１０の表面にバッファ層１１０１を設け、バッファ層１１０１の上に、信号電極１５１および接地電極１５３を形成することで、図１０に示す光デバイス１００を製造することができる。この光デバイス１００においては、ダミー導波路９２０によって接続されていた折り返し導波路９１１と折り返し導波路９１２が溝１０１２によって切り離されるため、ダミー導波路９２０のうちの溝１０１２によって削られなかった部分によって、溝１０１２と折り返し導波路９１１がつながった状態になる。
図１２は、図１０に示した光デバイスの変形例を示す平面図である。図１３は、図１２のＡ−Ｂ線断面図である。図１４は、図１２のＡ−Ｃ線断面図である。図１２および図１３において、図１０に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図１２に示すように、実施の形態３にかかる光デバイス１００においては、折り返し導波路９１２の内周に沿って溝１２１１（第３の溝）を設けてもよい。
また、溝１２１１の外周に沿って、溝１２１１との間に間隔を有して溝１２１２を設けてもよい。図１４に示すように、折り返し導波路９１１および溝１０１２の間の距離ｄｓ１と、折り返し導波路９１２および溝１２１１の間の距離ｄｓ２と、が等しくなるように溝１２１１を設ける。また、溝１０１１および溝１０１２の間の距離Ｗｒ１と、溝１０１２および溝１２１１の間の距離Ｗｒ２と、が等しくなるように溝１２１１を設ける。
これにより、折り返し導波路９１１および折り返し導波路９１２の断面形状を互いに同じにすることができる。このため、折り返し導波路９１１および折り返し導波路９１２を通過する光の損失が等しくなり、結合部１２２Ｃによって干渉した光の消光比を向上させることができる。このため、変調した光信号の特性を向上させることができる。
図１５は、図１２に示した光デバイスの変形例を示す平面図である。図１５において、図１２に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図１５に示すように、実施の形態３にかかる光デバイス１００においては、光導波路１２０と信号電極１５１との相互作用部の全域に沿って各溝を設けてもよい。具体的には、図１２に示した溝１０１１，１０１２，１２１１，１２１２のそれぞれを、光導波路１２０のうちの折り返し導波路９１１および折り返し導波路９１２以外の部分にまで延長して設ける。
光導波路１２０と信号電極１５１との相互作用部とは、信号電極１５１のうちの光導波路１２０に沿っている部分である。これにより、信号電極１５１の特性インピーダンスやマイクロ波の伝播速度が相互作用部の全域に渡って均一になり、高周波特性を向上させることができる。図１５のＡ−Ｂ線断面図は、図１３に示した断面図と同様である。
図１６は、折り返し部の曲率半径と光の散乱損失の関係を示すグラフである。図１６において、横軸は、折り返し導波路９１１の曲率半径（ｍｍ）を示している。縦軸は、折り返し導波路９１１を通過する光の散乱損失（ｄＢ）を示している。図１５に示した光デバイス１００においては、折り返し導波路９１１の内側にダミー導波路９２０が残る。
このため、折り返し導波路９１１の曲率半径が大きいとダミー導波路９２０による光の散乱損失が発生する。関係１６１０は、溝１０１１を設けない場合の、折り返し導波路９１１の曲率半径と光の散乱損失の関係を示している。関係１６２０は、溝１０１１を設けた場合の、折り返し導波路９１１の曲率半径と光の散乱損失の関係を示している。
関係１６１０および関係１６２０に示すように、折り返し導波路９１１の曲率半径が４ｍｍ以下の範囲において、溝１０１１を設けることによる光の散乱損失の低減効果が大きいことが分かる。したがって、折り返し導波路９１１の曲率半径を４ｍｍ以下にすることで、光の散乱損失を抑えつつ、光デバイス１００の小型化を図ることができる。
このように、実施の形態３にかかる光デバイス１００の製造方法によれば、平行導波路１２２Ｂの部分に折り返し部９１０が設けられている構成においても、折り返し部９１０を形成する折り返し導波路９１１および折り返し導波路９１２に沿ってそれぞれ溝１０１１および溝１０１２を設けることで、実施の形態１にかかる光デバイス１００の製造方法と同様に、デバイスの小型化および光損失の低減を図りつつ、デバイスの製造時における光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。
（実施の形態４）
図１７は、実施の形態４にかかる光デバイスの構成を示す平面図である。図１７において、図１０に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。実施の形態４にかかる光デバイス１００においては、第１変調部１２２の平行導波路１２２Ｂは、２カ所以上の折り返し部を有している。
具体的には、平行導波路１２２Ｂは、端部１１２付近に折り返し部１７１０を有している。平行導波路１２２Ｂの外側の導波路のうちの折り返し部１７１０を形成する部分を折り返し導波路１７１１とする。また、平行導波路１２２Ｂの内側の導波路のうちの折り返し部１７１０を形成する部分を折り返し導波路１７１２とする。ここでは、折り返し導波路１７１１および折り返し導波路１７１２は、互いに平行のまま曲がっている。
溝１７２１は、折り返し導波路１７１１の外周に沿って誘電体基板１１０に設けられている。溝１７２２は、折り返し導波路１７１２の外周に沿って設けられている。ダミー導波路１７３０は、折り返し導波路１７１２から端部１１２まで、折り返し導波路１７１１と交差しつつ導出され、溝１７２１および溝１７２２のそれぞれによって切り離されている。このため、ダミー導波路１７３０は、溝１７２１および端部１１２をつなぐ部分と、溝１７２２および折り返し導波路１７１１をつなぐ部分と、に分かれている。
また、平行導波路１２２Ｂは、端部１１１付近に折り返し部１７４０を有している。平行導波路１２２Ｂの外側の導波路のうちの折り返し部１７４０を形成する部分を折り返し導波路１７４１とする。また、平行導波路１２２Ｂの内側の導波路のうちの折り返し部１７４０を形成する部分を折り返し導波路１７４２とする。ここでは、折り返し導波路１７４１および折り返し導波路１７４２は、互いに平行のまま曲がっている。
溝１７５１は、折り返し導波路１７４１の外周に沿って誘電体基板１１０に設けられている。溝１７５２は、折り返し導波路１７４２の外周に沿って設けられている。ダミー導波路１７６０は、折り返し導波路１７４２から端部１１１まで、折り返し導波路１７４１と交差しつつ導出され、溝１７５１および溝１７５２のそれぞれによって切り離されている。このため、ダミー導波路１７６０は、溝１７５１および端部１１１をつなぐ部分と、溝１７５２および折り返し導波路１７４１をつなぐ部分と、に分かれている。
この光デバイス１００の製造方法においては、パターン形成を行う工程で、誘電体基板１１０の端部１１２側および端部１１１側のそれぞれに導体パターンが形成される。そして、光導波路１２０となる導波路パターンが形成される。また、ダミー導波路１７３０となるダミーパターンが、折り返し導波路１７１１および折り返し導波路１７１２となる導波路パターンを、端部１１２側の導体パターンに接続するように形成される。
また、ダミー導波路１７６０となるダミーパターンが、折り返し導波路１７４１および折り返し導波路１７４２となる導波路パターンを、端部１１１側の導体パターンに接続するように形成される。これにより、熱拡散処理を行うときに誘電体基板１１０の焦電効果によって、折り返し導波路１７１１および折り返し導波路１７１２となる導波路パターンに溜まった焦電荷が、ダミーパターンを介して端部１１２側の導体パターンへ逃れる。
また、熱拡散処理を行うときに誘電体基板１１０の焦電効果によって、折り返し導波路１７４１および折り返し導波路１７４２となる導波路パターンに溜まった焦電荷が、ダミーパターンを介して端部１１１側の導体パターンへ逃れる。このため、光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。つぎに、折り返し導波路１７１１の外周に沿って溝１７２１が設けられ、折り返し導波路１７１２の外周に沿って溝１７２２が設けられる。
つぎに、端部１１２および端部１１１の各部分で誘電体基板１１０を切断して、端部１１２側および端部１１１側の各導体パターンを取り除く。つぎに、誘電体基板１１０の表面にバッファ層を設け、バッファ層の上に信号電極１５１，１５２および接地電極１５３を形成することで、図１７に示す光デバイス１００を製造することができる。
このように、実施の形態４にかかる光デバイス１００の製造方法によれば、平行導波路１２２Ｂの部分において２カ所以上の折り返し部を有している構成においても、各折り返し部のそれぞれにダミーパターンを設け、各折り返し部の各導波路のそれぞれの外周に沿って溝を設けることで、実施の形態１にかかる光デバイス１００の製造方法と同様に、デバイスの小型化および光損失の低減を図りつつ、デバイスの製造時における光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。
（実施の形態５）
図１８は、実施の形態５にかかる光デバイスの構成を示す平面図である。図１８において、図１に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図１８に示すように、実施の形態５にかかる光デバイス１００においては、ダミー導波路１３０が、光導波路１２０における折り返し部１２３の近傍の直線部１８１１と、誘電体基板１１０の端部１１２と、をつなぐように設けられている。
この光デバイス１００の製造方法においては、パターン形成を行う工程で、ダミー導波路１３０となるダミーパターンが、直線部１８１１となるパターンと端部１１２側の導体パターンとを接続するように形成される。つぎに、誘電体基板１１０の表面にバッファ層を設ける。つぎに、バッファ層の上に、信号電極１５１，１５２および接地電極１５３を形成することで、図１８に示す光デバイス１００を製造することができる。
直線部１８１１とダミー導波路１３０の接続部分において、直線部１８１１とダミー導波路１３０の間の角度θが小さすぎると光損失が大きくなるため、角度θは３０度以上にすることが好ましい。または、ダミー導波路１３０の幅を、直線部１８１１の幅よりもせまくしてもよい。これにより、直線部１８１１を通過する光のダミー導波路１３０への結合を低減することができる。このため、光損失を低減することができる。
図１９は、図１８に示した光デバイスの変形例１を示す平面図である。図１９において、図１８に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図１９に示すように、実施の形態５にかかる光デバイス１００においては、図１８に示した構成において、ダミー導波路１３０が、直線部１８１１と、誘電体基板１１０の側面１１４と、をつなぐように設けられていてもよい。
図２０は、図１８に示した光デバイスの変形例２を示す平面図である。図２０において、図１８に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図２０に示すように、実施の形態５にかかる光デバイス１００においては、図１８に示した構成において、光導波路１２０のうちの、折り返し部１２３から直線部１８１１までの部分に沿って溝１４０を設けてもよい。
これにより、溝１４０によって直線部１８１１とダミー導波路１３０を切り離すことができるため、直線部１８１１を通過する光のダミー導波路１３０への結合を低減することができる。このため、光損失を低減することができる。つぎに、図２０に示した点線１８２０の部分の詳細について説明する。
図２１は、図２０に示した光デバイスの一部を拡大して示す平面図である。図２１において、図２０に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図２０に示した構成において、直線部１８１１と溝１４０の距離が短いと、溝１４０の荒れによって直線部１８１１で光損失が発生する。これに対して、直線部１８１１と溝１４０の間の距離が、直線部１８１１とダミー導波路１３０の接続部分に近づくほど徐々に小さくなるように溝１４０を設けるとよい。
これにより、溝１４０の荒れによる直線部１８１１の光損失を最小限に抑えることができる。さらに、直線部１８１１とダミー導波路１３０の接続部分においては、直線部１８１１と溝１４０の距離が０になるように溝１４０を設けるとよい。これにより、直線部１８１１とダミー導波路１３０を完全に切り離すことができる。
このように、実施の形態５にかかる光デバイス１００の製造方法によれば、導波路パターン１２０ａを形成した誘電体基板１１０を熱拡散処理するときに、誘電体基板１１０の焦電効果によって折り返し部１２３ａ付近に発生した焦電荷が、直線部１８１１とダミーパターン１３０ａを介して導体パターン３１２（図３参照）へ逃れる。これにより、デバイスの製造時における光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。
また、折り返し部１２３の外周に沿って溝１４０を設けることで、折り返し部１２３の曲率を小さくしても、折り返し部１２３における光の曲がり損失を低減することができる。これにより、デバイスの小型化および光損失の低減を図りつつ、デバイスの製造時における光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。
また、直線部１８１１とダミー導波路１３０を接続し、直線部１８１１とダミー導波路１３０の間の角度θを大きく（たとえば３０度以上）し、またはダミー導波路１３０の幅を直線部１８１１の幅よりもせまくすることで、光損失を低減することができる。または、溝１４０によって直線部１８１１とダミー導波路１３０を切り離すことで、光損失を低減することができる。これにより、光損失を増大させることなく、デバイスの製造時における光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。
（実施の形態６）
図２２は、実施の形態６にかかる光デバイスの構成を示す平面図である。図２２において、図１に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。上述した各実施の形態においては、光導波路１２０の第１変調部１２２および第２変調部１２４が、分岐部、平行導波路および結合部を有するマッハツェンダ型の変調器である場合について説明したが、各変調部はマッハツェンダ型の変調器に限られない。
図２２に示すように、実施の形態６にかかる光デバイス１００においては、光導波路１２０の第１変調部１２２および第２変調部１２４のそれぞれが直線導波路になっている。信号電極１５１は、直線導波路である第１変調部１２２に沿って設けられている。信号電極１５２は、直線導波路である第２変調部１２４に沿って設けられている。
このように、実施の形態６にかかる光デバイス１００の製造方法によれば、マッハツェンダ型の変調器でない構成においても、実施の形態１にかかる光デバイス１００の製造方法と同様に、デバイスの小型化および光損失の低減を図りつつ、デバイスの製造時における光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。
以上説明したように、開示の光デバイスの製造方法および光デバイスによれば、デバイスの製造時における光導波路の放電破壊を回避することができる。
なお、上述した各実施の形態においては、パターン形成の後に溝（たとえば溝１４０）を設ける場合について説明したが、パターン形成の前に溝を設けることも可能である。たとえば、実施の形態１にかかる光デバイス１００の製造工程において、誘電体基板１１０の表面に溝１４０を設けた後に、折り返し部１２３ａと導体パターン３１２を接続するようにダミーパターン１３０ａを形成する。
これにより、熱拡散処理を行うときに、誘電体基板１１０の焦電効果によって折り返し部１２３ａに溜まった焦電荷が、ダミーパターン１３０ａを介して導体パターン３１２へ逃れる。このため、光導波路１２０の放電破壊を回避することができる。この場合は、形成された折り返し部１２３を通過する光のダミー導波路１３０への結合をするため、溝１４０を十分に深くする。
また、上述した各実施の形態においては、パターン形成した誘電体基板１１０を熱拡散処理した後に、導体パターン３１２を取り除く場合について説明したが、導体パターン３１２は取り除かなくてもよいし、導体パターン３１２の一部のみを取り除いてもよい。この場合は、たとえば実施の形態１にかかる光デバイス１００においては、折り返し部１２３とダミー導波路１３０が溝１４０によって切り離されているため、導体パターン３１２の一部が残っていても、折り返し部１２３を通過する光に影響はない。
また、上述した各実施の形態においては、Ｔｉ拡散によってパターン形成を行う場合について説明したが、パターン形成はＴｉ拡散に限らない。たとえば、プロトン交換によって、導波路パターン１２０ａ、ダミーパターン１３０ａおよび導体パターン３１１，３１２などを形成してもよい。上述した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）折り返し部を有する導波路パターンと、前記折り返し部の外周側に位置する導体パターンと、前記折り返し部と前記導体パターンを接続するダミーパターンと、を誘電体基板上に形成するパターン形成工程と、
前記パターン形成工程によってパターン形成された前記誘電体基板を熱拡散処理して前記導波路パターンを光導波路にする熱拡散工程と、
を含むことを特徴とする光デバイスの製造方法。
（付記２）前記熱拡散工程によって形成された光導波路の折り返し部の外周に沿って前記誘電体基板上に溝を設ける溝形成工程を含むことを特徴とする付記１に記載の光デバイスの製造方法。
（付記３）前記熱拡散工程では、前記ダミーパターンがダミー導波路になり、
前記溝形成工程では、前記光導波路と、前記ダミー導波路と、を切り離すように前記溝を設けることを特徴とする付記２に記載の光デバイスの製造方法。
（付記４）前記パターン形成工程では、前記ダミーパターンを複数形成することを特徴とする付記１に記載の光デバイスの製造方法。
（付記５）前記パターン形成工程では、前記導波路パターンよりも幅が広い前記ダミーパターンを形成することを特徴とする付記１に記載の光デバイスの製造方法。
（付記６）前記熱拡散工程によって熱拡散処理された前記誘電体基板における、前記パターン形成工程によって前記導体パターンが形成された部分を切断により取り除く切断工程を含むことを特徴とする付記１に記載の光デバイスの製造方法。
（付記７）前記パターン形成工程では、前記折り返し部を有する平行導波路を含む前記導波路パターンと、前記平行導波路の各導波路と前記導体パターンを接続する前記ダミーパターンを形成し、
前記溝形成工程では、前記平行導波路の外側の折り返し導波路の外周に沿って第１の溝を設け、前記平行導波路の内側の折り返し導波路の外周に沿って第２の溝を設けることを特徴とする付記２に記載の光デバイスの製造方法。
（付記８）前記溝形成工程では、前記平行導波路の内側の折り返し導波路の内周に沿って第３の溝を設けることを特徴とする付記７に記載の光デバイスの製造方法。
（付記９）前記溝形成工程では、前記外側の折り返し導波路および前記第２の溝の間の距離と、前記内側の折り返し導波路および前記第３の溝の間の距離と、が等しくなるように前記第３の溝を設けることを特徴とする付記８に記載の光デバイスの製造方法。
（付記１０）前記溝形成工程では、前記第１の溝および前記第２の溝の間の距離と、前記第２の溝および前記第３の溝の間の距離と、が等しくなるように前記第３の溝を設けることを特徴とする付記８または９に記載の光デバイスの製造方法。
（付記１１）前記熱拡散工程によって形成された光導波路に沿って信号電極を前記誘電体基板上に設ける電極形成工程を含み、
前記第１の溝、第２の溝および第３の溝は、前記光導波路と前記信号電極の相互作用部の全域に沿って設けられることを特徴とする付記７〜１０のいずれか一つに記載の光デバイスの製造方法。
（付記１２）前記外側の折り返し導波路の曲率半径は４ｍｍ以下であることを特徴とする付記７〜１１のいずれか一つに記載の光デバイスの製造方法。
（付記１３）前記パターン形成工程では、２カ所以上の折り返し部を有する前記平行導波路と、前記２カ所以上の折り返し部の外周側にそれぞれ位置する各導体パターンと、前記２カ所以上の折り返し部と前記各導体パターンをそれぞれ接続する各ダミーパターンと、を形成することを特徴とする付記７に記載の光デバイスの製造方法。
（付記１４）前記溝形成工程では、前記２カ所以上の折り返し部の外周に沿ってそれぞれ溝を設けることを特徴とする付記１３に記載の光デバイスの製造方法。
（付記１５）折り返し部を有する導波路パターンと、前記折り返し部の外周側に位置する導体パターンと、前記導波路パターンにおける前記折り返し部の近傍の直線部と前記導体パターンを接続するダミーパターンと、を誘電体基板上に形成するパターン形成工程と、
前記パターン形成工程によってパターン形成された前記誘電体基板を熱拡散処理して前記導波路パターンを光導波路にする熱拡散工程と、
を含むことを特徴とする光デバイスの製造方法。
（付記１６）前記パターン形成工程では、前記直線部と前記ダミーパターンとの間の角度は３０度以上となるように前記ダミーパターンを形成することを特徴とする付記１５に記載の光デバイスの製造方法。
（付記１７）前記パターン形成工程では、前記直線部よりも幅がせまい前記ダミーパターンを形成することを特徴とする付記１５に記載の光デバイスの製造方法。
（付記１８）前記熱拡散工程によって形成された光導波路の折り返し部の外周および直線部に沿って前記誘電体基板上に溝を設ける溝形成工程を含むことを特徴とする付記１５〜付記１７のいずれか一つに記載の光デバイスの製造方法。
（付記１９）前記溝形成工程においては、前記直線部と前記溝の間の距離が、前記直線部と前記溝の接続部分に近づくほど徐々に小さくなるように前記溝を設けることを特徴とする付記１８に記載の光デバイスの製造方法。
（付記２０）誘電体基板上に形成され、折り返し部を有する光導波路と、
前記折り返し部の外周に沿って前記誘電体基板上に設けられた溝と、
前記溝から前記誘電体基板の端部まで導出されたダミー導波路と、
を備えることを特徴とする光デバイス。
実施の形態１にかかる光デバイスの構成を示す平面図である。 図１のＡ−Ｂ線断面図である。 図１に示した光デバイスの製造工程（その１）を示す平面図である。 図１に示した光デバイスの製造工程（その２）を示す平面図である。 実施の形態２にかかる光デバイスの構成を示す平面図である。 図５に示した光デバイスの変形例１である。 図５に示した光デバイスの変形例２である。 図７に示した光デバイスの製造工程を示す平面図である。 実施の形態３にかかる光デバイスの製造工程を示す平面図である。 実施の形態３にかかる光デバイスの構成を示す平面図である。 図１０のＡ−Ｂ線断面図である。 図１０に示した光デバイスの変形例を示す平面図である。 図１２のＡ−Ｂ線断面図である。 図１２のＡ−Ｃ線断面図である。 図１２に示した光デバイスの変形例を示す平面図である。 折り返し部の曲率半径と光の散乱損失の関係を示すグラフである。 実施の形態４にかかる光デバイスの構成を示す平面図である。 実施の形態５にかかる光デバイスの構成を示す平面図である。 図１８に示した光デバイスの変形例１を示す平面図である。 図１８に示した光デバイスの変形例２を示す平面図である。 図２０に示した光デバイスの一部を拡大して示す平面図である。 実施の形態６にかかる光デバイスの構成を示す平面図である。
符号の説明
１００ 光デバイス
１１０ 誘電体基板
１１１，１１２，３２１，３２２ 端部
１１３，１１４ 側面
１２０ 光導波路
１２０ａ 導波路パターン
１２１ 入力端
１２１ａ 入力部
１２２，１２２ａ 第１変調部
１２２Ａ，１２４Ａ 分岐部
１２２Ｂ，１２４Ｂ 平行導波路
１２２Ｃ，１２４Ｃ 結合部
１２３，１２３ａ，９１０，１７１０，１７４０ 折り返し部
１２４，１２４ａ 第２変調部
１２５ 出力端
１２５ａ 出力部
１３０，５１１，５１２，６１１，７１１，７１２，９２０，１７３０，１７６０ ダミー導波路
１３０ａ，７１１ａ，７１２ａ ダミーパターン
１４０，１０１１，１０１２，１２１１，１２１２，１７２１，１７２２，１７５１，１７５２ 溝
１５１，１５２ 信号電極
１５３ 接地電極
３１１，３１２ 導体パターン
８００ ウエハ
９１１，９１２，１７１１，１７１２，１７４１，１７４２ 折り返し導波路
１１０１ バッファ層
１８１１ 直線部

Claims (10)

  1. 折り返し部を有する導波路パターンと、前記折り返し部の外周側に位置する導体パターンと、前記折り返し部と前記導体パターンを接続するダミーパターンと、を誘電体基板上に形成するパターン形成工程と、
    前記パターン形成工程によってパターン形成された前記誘電体基板を熱拡散処理して前記導波路パターンを光導波路にする熱拡散工程と、
    を含むことを特徴とする光デバイスの製造方法。
  2. 前記熱拡散工程によって形成された光導波路の折り返し部の外周に沿って前記誘電体基板上に溝を設ける溝形成工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの製造方法。
  3. 前記熱拡散工程では、前記ダミーパターンがダミー導波路になり、
    前記溝形成工程では、前記光導波路と、前記ダミー導波路と、を切り離すように前記溝を設けることを特徴とする請求項２に記載の光デバイスの製造方法。
  4. 前記パターン形成工程では、前記ダミーパターンを複数形成することを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの製造方法。
  5. 前記パターン形成工程では、前記導波路パターンよりも幅が広い前記ダミーパターンを形成することを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの製造方法。
  6. 前記熱拡散工程によって熱拡散処理された前記誘電体基板における、前記パターン形成工程によって前記導体パターンが形成された部分を切断により取り除く切断工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの製造方法。
  7. 前記パターン形成工程では、前記折り返し部を有する平行導波路を含む前記導波路パターンと、前記平行導波路の各導波路と前記導体パターンを接続する前記ダミーパターンを形成し、
    前記溝形成工程では、前記平行導波路の外側の折り返し導波路の外周に沿って第１の溝を設け、前記平行導波路の内側の折り返し導波路の外周に沿って第２の溝を設けることを特徴とする請求項２に記載の光デバイスの製造方法。
  8. 前記溝形成工程では、前記平行導波路の内側の折り返し導波路の内周に沿って第３の溝を設けることを特徴とする請求項７に記載の光デバイスの製造方法。
  9. 折り返し部を有する導波路パターンと、前記折り返し部の外周側に位置する導体パターンと、前記導波路パターンにおける前記折り返し部の近傍の直線部と前記導体パターンを接続するダミーパターンと、を誘電体基板上に形成するパターン形成工程と、
    前記パターン形成工程によってパターン形成された前記誘電体基板を熱拡散処理して前記導波路パターンを光導波路にする熱拡散工程と、
    を含むことを特徴とする光デバイスの製造方法。
  10. 誘電体基板上に形成され、折り返し部を有する光導波路と、
    前記折り返し部の外周に沿って前記誘電体基板上に設けられた溝と、
    前記溝から前記誘電体基板の端部まで導出されたダミー導波路と、
    を備えることを特徴とする光デバイス。
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