JP2009544011A5 - - Google Patents
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Claims (20)
- 2コンポーネント検出器であって、
フォトダイオードアレイに接合された第1面と、前記フォトダイオードアレイに電気結合された第2面とを有する第1の基板と、
前記第1の基板の前記第2面に取り付けられたシールドと、
処理チップに直接フリップチップボンディングされた第1面、および受動電子素子に接合される第2面を有する第2の基板と、
を備え、
前記処理チップは、前記第2の基板の前記第1面に電気結合され、
前記受動電子素子は前記処理チップに電気結合され、
前記第1の基板の前記第1面の一部は、前記第2の基板の第2面の一部に物理的および電気的に接合されて、前記フォトダイオードアレイ内の複数のフォトダイオードからの、前記第1の基板と前記第2の基板とを通る個々の第1の通路を経由して伝えられる電気情報を前記処理チップにより処理させ、
前記処理チップからの電気情報は、前記第2の基板を通る個々の第2の通路を経由して前記受動電子素子へ伝えられ、
前記第2の通路は前記第1の通路から絶縁される2コンポーネント検出器。 - 前記シールドと前記処理チップとは、物理的に接触しない、請求項1に記載の2コンポーネント検出器。
- 前記シールドは、X線照射が前記処理チップに到達するのを妨げる、請求項1または2に記載の2コンポーネント検出器。
- 前記第1の基板および前記フォトダイオードアレイは第1のコンポーネントを含み、
前記第2の基板および前記処理チップは第2のコンポーネントを含み、
各コンポーネントの動作機能は別個に決定されうる、請求項1から3の何れか1項に記載の2コンポーネント検出器。 - 2コンポーネント検出器であって、
各々が光を電気信号に変換することができる2以上のフォトダイオードを含むフォトダイオードアレイと、
第1面および前記第1面の反対側の第2面を有する第1の基板と、
前記第1の基板の前記第2面に取り付けられるシールドと、
第1面および第2面を有する第2の基板と、
各電気信号を処理する回路を有するダイと、
を備え、
前記第1の基板の前記第1面は前記フォトダイオードアレイに接合され、
前記第1の基板は、前記第1の基板の前記第1面から前記第1の基板の前記第2面の一部に連通する、個々が前記第1の基板を経由する2以上の第1の導電路を有し、
各フォトダイオードは前記第1の基板の前記第1面における前記2以上の第1の導電路の1つに連結され、
前記第2の基板の前記第1面の一部が前記第1の基板の前記第2面の前記一部に接合されることで、前記第1の基板の前記2以上の第1の導電路の各々が、個々が前記第2の基板を経由する2以上の第2の導電路の固有の1つに連結され、
前記ダイは前記第2の基板の前記第1面に直接フリップチップ接合され、前記第2の基板の前記第1面は前記第2の基板の前記第2の導電路の各々を前記ダイに連結し、
前記第2の基板の前記第2面に直接接合される受動電子素子に前記ダイをつなぐ、個々が前記第2の基板を経由する2以上の第3の導電路をさらに備え、
前記第3の導電路は、前記第2の導電路と絶縁される検出器。 - 前記シールドは、前記第1の基板の前記第2面の窪み領域に収容され、
前記窪み領域は前記シールドを収容するのに十分な容積を有する、請求項5に記載の検出器。 - 前記シールドは前記ダイ以上の大きさを有する、請求項5または6に記載の検出器。
- 前記シールドは、X線照射に対して半透過性を有する、請求項5から7の何れか1項に記載の検出器。
- 前記シールドは、原子番号が70を超える材料から実質的に形成される、請求項5から8の何れか1項に記載の検出器。
- 前記第2の基板の前記2以上の第2の導電路の各々は、ボールグリッドアレイはんだバンプを利用して、前記第1の基板の前記2以上の第1の導電路の1つに連結される、請求項5から9の何れか1項に記載の検出器。
- 前記第2の基板の前記第2面は、略平面状であり、受動電子素子を収容できる、請求項5から10の何れか1項に記載の検出器。
- 前記ダイは、前記第2の基板の前記第1面上に配設され、前記フォトダイオードアレイから見ると前記シールドの下に位置する、請求項5から11の何れか1項に記載の検出器。
- 前記シールドおよび前記ダイは、前記ダイおよび前記シールド間に熱絶縁バッファを作成するよう配設される、請求項5から12の何れか1項に記載の検出器。
- X線照射検出器であって、
第1の基板と、
第2の基板と、
シールドと
を備え、
前記第1の基板の第1面は、各々が電気信号を生成することのできる2以上の検出器を有する検出器アレイに接合され、
前記第1の基板は、個々が前記第1の基板を経由する2以上の第1の導電路を有し、
各検出器について、前記第1の基板の前記第1の導電路の1つが前記第1の基板の第2面上の2以上のパス接続点のうちの1つに対して前記電気信号を搬送し、
前記第2の基板は、第1面と、個々が前記第2の基板を経由する2以上の第2の導電路と、前記第2の基板の前記第1面上の2以上のパス受信点と、を有し、
前記2以上のパス受信点の1つは、前記第1の基板の前記2以上のパス接続点のうちの前記1つに対応しており、
前記第1の基板の前記パス接続点の各々は、前記第2の基板の前記パス受信点の各々に、ボールグリッドアレイはんだバンプを利用して接合され、
前記パス受信点の各々は、前記2以上の第2の導電路の1つを介して回路ダイに連結され、
前記回路ダイは、前記第2の基板に直接フリップチップボンディングされ、
前記シールドは、前記回路ダイと前記シールドとの間に絶縁間隙が残るよう、前記検出器アレイと前記回路ダイとの間に介在する前記第1の基板に取り付けられ、
前記第2の基板の前記第2面に直接接合される受動電子素子に前記回路ダイをつなぐ、個々が前記第2の基板を経由する2以上の第3の導電路をさらに備え、
前記第3の導電路は、前記第2の導電路と絶縁されるX線照射検出器。 - 各検出器は、フォトダイオードを含み、
前記フォトダイオードの少なくとも1面は、X線照射を光に変換することのできるシンチレータ結晶に接合され、
各フォトダイオードは光を電気に変換することができる、請求項14に記載のX線照射検出器。 - 前記回路ダイはカプセル化されている、請求項14または15に記載のX線照射検出器。
- 前記シールドは、前記第1の基板の前記第2面上に配設される、請求項14から16の何れか1項に記載のX線照射検出器。
- フォトダイオード検出器アレイの回路ダイを遮蔽する方法であって、
電気信号を生成することのできる各フォトダイオードを含む前記フォトダイオード検出器アレイを、第1の基板の第1面に接合する段階と、
前記フォトダイオードの各々の前記電気信号を、個々が前記第1の基板を経由する、前記フォトダイオードの各々に固有の第1の導電路により、前記第1の基板の第2面の少なくとも第1の部分上の固有の接続点に搬送する段階と、
ボールグリッドアレイはんだバンプを利用して、前記第1の基板の前記固有の接続点の各々を、第2の基板の第1面の第1の部分上の対応する固有の受信点に電気接続する段階と、
前記フォトダイオードの各々の前記電気信号を、個々が前記第2の基板を経由する、前記固有の受信点の各々に固有の第2の導電路により、前記固有の受信点から、前記第2の基板の前記第1面の第2の部分に直接フリップチップボンディングされた前記回路ダイへと伝送する段階と、
前記フォトダイオード検出器アレイと前記回路ダイとの間に介在し前記フォトダイオード検出器アレイから見ると前記回路ダイを覆うよう、シールドを前記第1の基板の前記第2面の第2の部分に取り付ける段階と
前記固有の第2の導電路と絶縁され、個々が前記第2の基板を経由する固有の第3の導電路によって、前記回路ダイから前記第2の基板の前記第2面の一部に直接接合される受動電子素子へ電気信号を伝送する段階と
を備える方法。 - 前記シールドは、前記第2の基板の窪み領域に配設される、請求項18に記載の方法。
- 材料がない間隙が前記シールドと前記回路ダイとの間に残る、請求項18または19に記載の方法。
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