JP2009533157A5 - - Google Patents

Claims (23)

1. 埋込み型密閉構造を提供するために、該構造の外面の少なくとも一部の上に共形の密閉層を含む、埋込み型密閉構造。
2. 前記共形の密閉層は、前記構造の外面の全体を被覆する、請求項１に記載の構造。
3. 前記共形の密閉層は、前記構造の外面の一部のみを被覆する、請求項１に記載の構造。
4. 前記構造は集積回路である、請求項１に記載の構造。
5. 前記回路は、
   基板と、
   集積回路を含む回路層であって、該回路層が該基板の上面上および／または上面内にある、回路層と、
   該回路層の上面上にある密閉層であって、該回路層を密閉することにより、埋込み型密閉集積回路装置を提供する、密閉層と
   を含む、請求項４に記載の集積回路。
6. 前記密閉層は、前記密閉回路層と該密閉回路層の外部位置との間に電気通信を提供する電気ビアを含む、請求項５に記載の埋込み型密閉集積回路装置。
7. 前記ビアは耐食性の伝導体要素を含む、請求項６に記載の埋込み型密閉集積回路装置。
8. 前記回路層は傾斜端を含む、請求項５に記載の埋込み型密閉集積回路装置。
9. 前記構造は埋込み型パルス発生器である、請求項１に記載の埋込み型密閉構造。
10. 埋込み型密閉集積回路を製造する方法であって、
    回路層を基板の上面に提供することと、
    該回路層を密閉する該回路層の上面上の密閉層を生成することにより、該埋込み型密閉集積回路装置を提供することと
    を含む、方法。
11. 前記密閉層を前記基板の上面上に生成する、請求項１０に記載の方法。
12. 前記密閉層を生成することは、前記回路層の上面上に密閉層材料を蒸着させることを含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記密閉層は、プラズマ蒸着、プラズマ助長化学蒸着、スパッタリング、電子ビーム蒸着、メッキ、陰極アーク蒸着および低圧化学蒸着をから成る群から選択されるプロセスにより蒸着される、請求項１２に記載の方法。
14. 請求項５に記載の密閉集積回路装置を含む埋込み型医療機器。
15. 前記埋込み型医療機器は、埋込み型パルス発生器のリードである、請求項１４に記載の埋込み型医療機器。
16. 請求項５に記載の埋込み型密閉集積回路を含む電極集合体。
17. 前記電極集合体は、２つ以上の電極を含む分割電極である、請求項１６に記載の電極集合体。
18. 前記分割電極は４つの電極を含む、請求項１７に記載の電極集合体。
19. 近位端と遠位端、および請求項１８に記載の電極集合体を少なくとも１つ含む、細長い柔軟構造。
20. 前記構造は血管リードである、請求項１９に記載の細長い柔軟構造。
21. 前記血管リードは２つ以上の電極集合体を含む、請求項２０に記載の細長い柔軟構造。
22. 前記血管リードは３本以下のワイヤを有する多重リードである、請求項２１に記載の細長い柔軟構造。
23. （ａ）電源および電気刺激制御要素を含むハウジングと、
    （ｂ）請求項２０〜２２のいずれか１項に記載の血管リードと
    を含む、埋込み型パルス発生器。