JP2009513033A - 入力端子とパワー・レールとの間のリークを低減する装置および方法 - Google Patents
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Abstract
1つのシステムに関する入力地点(34)と少なくとも1つのパワー・レール(36、38)との間の電流リークを低減する装置(30)は、それぞれ対応するパワー・レールについて、(a)入力地点と結合地点(61、65)との間に接続された第1のダイオード・ユニット(56、57)を含み、第1のダイオード・ユニットは、装置の正常動作時に、ほとんどゼロの電圧降下をもたらすように構成されており、また(b)結合地点と対応するパワー・レールとの間に接続された第2のダイオード・ユニット(58、59)を含み、第2のダイオード・ユニットは、装置の正常動作時に、順バイアスを与えないように構成される。第1および第2のダイオード・ユニットは、装置の予め決められた動作状態時に、入力地点と対応するパワー・レールとの間に電流を流すように共同して作用する。
Description
本発明は、入力回路に関するものであって、更に詳細には、静電気放電(ESD)状態に対処するように動作する入力回路に関する。
(背景)
静電気放電(ESD)セル又はクランプ・ユニットは、端子などの特定の回路位置に電圧が増加することを防止するように設計される。ESDセルと一緒に使用される電気回路は、正常動作の間に特定の端子において又はそれを通して電気的リークを制限又は防止する必要があり、しかもESDセルの制御下では、特定の端子からの静電荷の放電をサポートする必要がある。正常な動作状態において、特定の端子において又はそれを通してほんのごくわずかな電流のみが流れる(すなわち、リークする)ことを保証することは、困難である。
静電気放電(ESD)セル又はクランプ・ユニットは、端子などの特定の回路位置に電圧が増加することを防止するように設計される。ESDセルと一緒に使用される電気回路は、正常動作の間に特定の端子において又はそれを通して電気的リークを制限又は防止する必要があり、しかもESDセルの制御下では、特定の端子からの静電荷の放電をサポートする必要がある。正常な動作状態において、特定の端子において又はそれを通してほんのごくわずかな電流のみが流れる(すなわち、リークする)ことを保証することは、困難である。
ESD状態時に端子などの回路地点を通して電流が流れるのを許容しながら、正常動作時には、電流リークを厳しく制限する装置および方法に対する需要が存在する。
(概要)
1つのシステムに関する入力地点と少なくとも1つのパワー・レールとの間の電流リークを低減する装置は、各々のパワー・レールについて、(a)入力地点と結合地点との間に接続された第1のダイオード・ユニットを含む。第1のダイオード・ユニットは、装置の正常動作時にほとんどゼロの電圧降下をもたらすように構成される。(b)結合地点とそれぞれ対応するパワー・レールとの間に接続された第2のダイオード・ユニット。第2のダイオード・ユニットは、装置の正常動作時に順バイアスを与えないように構成される。これら第1および第2のダイオード・ユニットは、装置の予め決められた動作状態時に、入力地点とそれぞれ対応するパワー・レールとの間に電流を流すように共同して作用する。
1つのシステムに関する入力地点と少なくとも1つのパワー・レールとの間の電流リークを低減する装置は、各々のパワー・レールについて、(a)入力地点と結合地点との間に接続された第1のダイオード・ユニットを含む。第1のダイオード・ユニットは、装置の正常動作時にほとんどゼロの電圧降下をもたらすように構成される。(b)結合地点とそれぞれ対応するパワー・レールとの間に接続された第2のダイオード・ユニット。第2のダイオード・ユニットは、装置の正常動作時に順バイアスを与えないように構成される。これら第1および第2のダイオード・ユニットは、装置の予め決められた動作状態時に、入力地点とそれぞれ対応するパワー・レールとの間に電流を流すように共同して作用する。
1つのシステムに関する入力地点と少なくとも1つのパワー・レールとの間の電流リークを低減する方法は、それぞれ対応するパワー・レールについて、(a)任意の順序で、(1)入力地点と結合地点との間に接続された第1のダイオード・ユニットを提供する工程と、(2)結合地点とそれぞれ対応するパワー・レールとの間に接続された第2のダイオード・ユニットを提供する工程とを含み、(b)任意の順序で、(1)装置の正常動作の間に、第1のダイオード・ユニット両端の電圧降下がほとんどゼロとなるように構成する工程と、(2)装置の正常動作の間に、順バイアスを提供しないように第2のダイオード・ユニットを構成する工程を含み、更に(c)装置の予め決められた動作状態の間に、第1および第2のダイオード・ユニットを共同して作動させて、入力地点とそれぞれ対応するパワー・レールとの間に電流を流すように動作させる工程を含む。
従って、本発明の1つの目的は、ESD状態時には、端子などの回路地点を通って電流が流れるのを許容しながら、正常動作時には、電流リークを厳しく制限する装置および方法を提供することである。
本発明の更なる目的および特徴は、本発明の好適な実施の形態を示す添付図面と関連付けながら考察するとき、以下の明細および特許請求の範囲から明らかになる。添付図面において、同様な要素は、同様な参照符号を用いてラベル付けされている。
図1は、従来技術のリーク防止回路配置の電気的模式図である。図1には、入力回路12を備えた回路10が採用されている。入力回路12は、入力電圧VINを受信する入力ピン14を含む。入力電圧VINは、ホスト・システム(図1に示されていない)に供給される。入力回路12は、また低いほうのレール電圧VSSが供給される下側電圧レール・ピン17に接続された下側電圧レール16と、上側レール電圧VDDが供給される上側電圧レール・ピン19に接続された上側電圧レール18とを含む。下側電圧レール16および上側電圧レール18は、ホスト・システム(図1に示されていない)によって使用されるレール電圧VSS、VDDを提供する。好ましくは、下側レール電圧VSSは、入力電圧VINよりも低く、また入力電圧VINは、上側レール電圧VDDよりも低い。これに限らないが一例として、下側レール電圧VSSは、ゼロ・ボルト、入力電圧VINは、約2ボルト付近で変化し、上側レール電圧VDDは、5ボルトでよい。アース22への静電気放電を容易にするために、静電気放電(ESD)セル20が少なくとも下側レール・ピン16および上側レール電圧ピン18に接続される。
回路10は、下側電圧レール16から入力ピン14が順方向伝導となるように接続された第1のダイオード26と、入力ピン14から上側電圧レール18が順方向伝導となるように接続された第2のダイオード28とを含む。入力回路12の正常動作の間、ダイオード26、28は、各々逆バイアスされる。例えば、人が入力ピン14又は下側電圧レール・ピン17の1つに接触することによって引き起こされるESD状態では、ダイオード26、28の一方又は両方が順バイアスされることによって、ESDセル20を通るアース22への電流経路が確立される。
ホスト・システム(図1に示されていない)の正常動作の間、ダイオード26、28の一方又は両方の両端にリークを引き起こすに十分な比較的高い電圧がダイオード26、28の両端間に印加されることから回路10に問題が生ずる。このようなリークは、好ましくない。最も望ましいことは、入力回路10のような入力回路がESDセル20と共同して、正常状態では、リークがないか、ほとんどないようにしながら、ESD放電などのいくつかの動作に関しては、高レベルのパワーを処理できることである。
図2は、本発明の教示に従って構成されたリーク防止回路配置の第1の実施の形態の電気的模式図である。図2には、入力回路32を備えた回路30が採用されている。入力回路32は、入力電圧VINを受信する入力ピン34を含む。入力電圧VINは、ホスト・システム(図2に示されていない)に供給される。入力回路32は、また低いレール電圧VSSが供給される下側電圧レール・ピン37に接続された下側電圧レール36と、上側レール電圧VDDが供給される上側電圧レール・ピン39に接続された上側電圧レール38とを含む。下側電圧レール36および上側電圧レール38は、ホスト・システム(図2に示されていない)によって使用されるレール電圧VSS、VDDを提供する。好ましくは、下側レール電圧VSSは、入力電圧VINよりも低く、また入力電圧VINは、上側レール電圧VDDよりも低い。これに限らないが一例として、下側レール電圧VSSは、ゼロ・ボルト、入力電圧VINは、約2ボルト付近で変化し、上側レール電圧VDDは、5ボルトでよい。アース42への静電気放電を容易にするために、静電気放電(ESD)セル40が少なくとも下側レール・ピン36および上側レール電圧ピン38に接続される。
回路30は、下側電圧レール36から入力ピン34が順方向伝導となるように接続された第1のダイオード・グループ50と、入力ピン34から上側電圧レール38が順方向伝導となるように接続された第2のダイオード・グループ52とを含む。第1のダイオード・グループ50は、第1のダイオード・ユニット56と第2のダイオード・ユニット58とを含む。第1のダイオード・ユニット56は、好ましくは、入力ピン34につながれ、第2のダイオード・ユニット58につながれたダイオード60を含む。ダイオード60は、ホスト・システム(図2に示されていない)の正常動作の間に、入力ピン34と第2のダイオード・ユニット58との間にほとんどゼロの電圧降下をもたらすように接続される。第2のダイオード・ユニット58は、少なくとも1つのダイオード621、622、623、62nを含む。ダイオード621、622、623、62nは、正常動作の間に下側電圧レール36と入力ピン34との間に順バイアスを生じないように共同して作用することが好ましい。添え字「n」は、第2のダイオード・ユニット58に含まれるダイオードの数が任意であることを表すために採用されている。図2に4個のダイオード621、622、623、62nを含めたことは、単なる例示であって、本発明に含まれるダイオードの数に関して何ら制限を与えるものではない。
ダイオード60およびダイオード621、622、623、62nについて望ましいバイアスを生じさせる好適な構造は、入力端子72を入力ピン34につながれ、出力端子74をダイオード60とダイオード621、622、623、62nとの間の結合端子61につながれたバッファ・ユニット70である。バッファ・ユニット70は、入力端子72に受信したものと本質的に同じ電圧レベルを出力端子74に提供するように構成されることが好ましく、これによって、ダイオード60両端に望ましいほとんどゼロの電圧降下をもたらし、またダイオード621、622、623、62n両端にも望ましい逆バイアスをもたらす。望ましい電圧降下およびバイアスをもたらすために、その他の回路構造を採用することもできる。
第2のダイオード・グループ52は、第1のダイオード・ユニット57と第2のダイオード・ユニット59とを含む。第1のダイオード・ユニット57は、入力ピン34につながれ、第2のダイオード・ユニット59につながれたダイオード64を含むことが好ましい。ダイオード64は、ホスト・システム(図2に示されていない)の正常動作時に、入力ピン34と第2のダイオード・ユニット59との間にほとんどゼロの電圧降下をもたらすように接続される。第2のダイオード・ユニット59は、少なくとも1つのダイオード661、662、663、66mを含む。ダイオード661、662、663、66mは、正常動作の間に入力ピン34と上側電圧レール38との間に順バイアスが印加されないように共同して作用することが好ましい。添え字「m」は、第2のダイオード・ユニット59に含まれるダイオードの数が任意であることを表すために採用されている。図2に4個のダイオード661、662、663、66mを含めたことは、単なる例示であって、本発明に含まれるダイオードの数に関して何ら制限を与えるものではない。
ダイオード64およびダイオード661、662、663、66mについて望ましいバイアスを生じさせる好適な構造は、ダイオード64とダイオード661、662、663、66mとの間の結合端子65に出力端子74を接続されたバッファ・ユニット70である。既に述べたように、バッファ・ユニット70は、入力端子72に受信したものと本質的に同じ電圧レベルを出力端子74に提供するように構成されることが好ましく、これによって、ダイオード64両端に望ましいほとんどゼロの電圧降下をもたらし、またダイオード661、662、663、66m両端にも望ましい逆バイアスをもたらす。望ましい電圧降下およびバイアスをもたらすために、その他の回路構造を採用することもできる。
入力回路32の正常動作の間、ダイオード・グループ50、52は、各々逆バイアスされる。ダイオード60、64は、各々入力ピン34からそれぞれ対応する第2のダイオード・ユニット58、59へほとんどゼロの電圧降下を提供し、それによって、ダイオード60、64両端のリークを低減し、またそれによって入力ピン34と電圧レール36、38との間のリークも低減する。例えば、人が入力ピン34又は下側電圧レール・ピン37の1つに接触することによって引き起こされるESD状態では、ダイオード50、52の一方又は両方が順バイアスされることによって、ESDセル40を通るアース42への電流経路が確立される。
図3は、本発明の教示に従って構成されたリーク防止回路配置の第2の実施の形態の電気的模式図である。図3には、入力回路82を備えた回路80が採用されている。入力回路82は、入力電圧VINを受信する入力ピン84を含む。入力電圧VINは、ホスト・システム(図3に示されていない)に供給される。入力回路82は、また低いレール電圧VSSが供給される下側電圧レール・ピン87に接続された下側電圧レール86と、上側レール電圧VDDが供給される上側電圧レール・ピン89に接続された上側電圧レール88とを含む。下側電圧レール86および上側電圧レール88は、ホスト・システム(図3に示されていない)によって使用されるレール電圧VSS、VDDを提供する。好ましくは、下側レール電圧VSSは、入力電圧VINよりも低く、また入力電圧VINは、上側レール電圧VDDよりも低い。これに限らないが一例として、下側レール電圧VSSは、ゼロ・ボルト、入力電圧VINは、約2ボルト付近で変化し、上側レール電圧VDDは、5ボルトでよい。アース92への静電気放電を容易にするために、静電気放電(ESD)セル90が少なくとも下側レール・ピン86および上側レール電圧ピン88に接続される。
回路80は、下側電圧レール86から入力ピン84が順方向伝導となるように接続された第1のダイオード・グループ100と、入力ピン84から上側電圧レール88が順方向伝導となるように接続された第2のダイオード・グループ102とを含む。第1のダイオード・グループ100は、第1のダイオード・ユニット106と第2のダイオード・ユニット108とを含む。第1のダイオード・ユニット106は、好ましくは、ベース112、コレクタ114およびエミッタ116を有するダイオード接続されたバイポーラ・トランジスタ110を含む。エミッタ116は、入力ピン84に接続される。コレクタ114は、ベース112に接続され、それによってトランジスタ110のダイオード接続を構成する。ベース112は、第2のダイオード・ユニット108にも接続される。第2のダイオード・ユニット108は、好ましくは、ベース122、コレクタ124およびエミッタ126を有するダイオード接続されたバイポーラ・トランジスタ120を含む。エミッタ126は、トランジスタ110のベース112に接続される。ベース122は、下側電圧レール86に接続される。コレクタ114の接続は、ダイオード接続されたトランジスタ120を構成して望ましいリーク特性を得るのに適したように、回路設計に詳しいデザイナによって、下側電圧レール86又は上側電圧レール88又はエミッタ126へと確立される。
第2のダイオード・グループ102は、第1のダイオード・ユニット136と第2のダイオード・ユニット138とを含む。第1のダイオード・ユニット136は、ベース142、コレクタ144およびエミッタ146を有するダイオード接続されたバイポーラ・トランジスタ140を含むことが好ましい。エミッタ146は、入力ピン84に接続される。コレクタ144は、ベース142に接続され、それによってトランジスタ140のダイオード接続を構成する。ベース142は、第2のダイオード・ユニット138にも接続される。第2のダイオード・ユニット138は、好ましくは、ベース152、コレクタ154およびエミッタ156を有するダイオード接続されたバイポーラ・トランジスタ150を含む。エミッタ156は、トランジスタ140のベース142に接続される。ベース152は、上側電圧レール88に接続される。コレクタ154の接続は、ダイオード接続されたトランジスタ150を構成して、望ましいリーク特性を得るのに適したように、回路設計に詳しいデザイナによって、下側電圧レール86又は上側電圧レール88又はエミッタ156へと確立される。
第1のダイオード・ユニット106は、ホスト・システム(図3に示されていない)の正常動作時に、入力ピン84と第2のダイオード・ユニット108との間にほとんどゼロの電圧降下をもたらすように接続される。第2のダイオード・ユニット108は、正常動作時に、下側電圧レール86と入力ピン84との間に順バイアスを生じないことが好ましい。第1のダイオード・ユニット136は、ホスト・システム(図3に示されていない)の正常動作時に、入力ピン84と第2のダイオード・ユニット138との間にほとんどゼロの電圧降下をもたらすように接続される。第2のダイオード・ユニット138は、正常動作時に、入力ピン84と上側電圧レール88との間に順バイアスを生じないことが好ましい。
バッファ・ユニット160は、入力ピン84につながれた入力端子162と出力端子164とを有する。出力端子164は、ダイオード・ユニット106、108間の結合端子113に接続され、またダイオード・ユニット136、138間の結合端子143に接続される。バッファ・ユニット160は、入力端子162に受信したものと本質的に同じ電圧レベルを出力端子164に提供するように構成されることが好ましく、これによって、ダイオード・ユニット106両端およびダイオード136両端に望ましいほとんどゼロの電圧降下をもたらす。出力端子164を結合地点113、143に接続することも、ダイオード・ユニット108、138両端に望ましい逆バイアスをもたらすことに寄与する。望ましい電圧降下およびバイアスをもたらすために、その他の回路構造を採用することもできる。
入力回路82の正常動作の間、ダイオード・グループ100、102は、各々逆バイアスされる。ダイオード・ユニット106、136は、各々入力ピン84からそれぞれ対応する第2のダイオード・ユニット108、138へほとんどゼロの電圧降下を提供し、それによってダイオード・ユニット106、136両端のリークを低減し、またそれによって入力ピン84と電圧レール86、88との間のリークも低減する。例えば、人が入力ピン84又は下側電圧レール・ピン87の1つに接触することによって引き起こされるESD状態では、ダイオード・グループ100、102の一方又は両方が順バイアスされることによって、ESDセル90を通るアース92への電流経路が確立される。
図4は、本発明の教えに従って構成されたリーク防止回路配置の第3の実施の形態の電気的模式図である。図4には、入力回路182を備えた回路180が採用されている。入力回路182は、入力電圧VINを受信する入力ピン184を含む。入力電圧VINは、ホスト・システム(図4に示されていない)に供給される。入力回路182は、また低いレール電圧VSSが供給される下側電圧レール・ピン187に接続された下側電圧レール186と、上側レール電圧VDDが供給される上側電圧レール・ピン189に接続された上側電圧レール188とを含む。下側電圧レール186および上側電圧レール188は、ホスト・システム(図4に示されていない)によって使用されるレール電圧VSS、VDDを提供する。好ましくは、下側レール電圧VSSは、入力電圧VINよりも低く、また入力電圧VINは、上側レール電圧VDDよりも低い。これに限らないが一例として、下側レール電圧VSSは、ゼロ・ボルト、入力電圧VINは、約2ボルト付近で変化し、上側レール電圧VDDは、5ボルトでよい。アース192への静電気放電を容易にするために、静電気放電(ESD)セル190が少なくとも下側レール・ピン186および上側レール電圧ピン188に接続される。
回路180は、下側電圧レール186から入力ピン184が順方向伝導となるように接続された第1のダイオード・グループ200と、入力ピン184から上側電圧レール188が順方向伝導となるように接続された第2のダイオード・グループ202とを含む。第1のダイオード・グループ200は、第1のダイオード・ユニット206と第2のダイオード・ユニット208とを含む。第1のダイオード・ユニット206は、好ましくは、ベース212、コレクタ214およびエミッタ216を有するダイオード接続されたバイポーラ・トランジスタ210を含む。エミッタ216は、入力ピン184に接続される。コレクタ214は、上側電圧レール188に接続されて、第1のバイポーラ・トランジスタ210のハードな逆バイアスを確立させる。発明人は、第1のバイポーラ・トランジスタ210のこのようなハードな逆バイアスの確立が、回路180のより少ないリークにつながることを発見した。ベース212は、第2のダイオード・ユニット208に接続される。第2のダイオード・ユニット208は、好ましくは、ベース222、コレクタ224およびエミッタ226を有するダイオード接続されたバイポーラ・トランジスタ220を含む。エミッタ226は、トランジスタ210のベース212に接続される。ベース222は、下側電圧レール186に接続される。コレクタ214の接続は、ダイオード接続されたトランジスタ220を構成して、望ましいリーク特性を得るのに適したように、回路設計に詳しいデザイナによって、下側電圧レール186又は上側電圧レール188又はエミッタ226へと確立される。
第2のダイオード・グループ202は、第1のダイオード・ユニット236と第2のダイオード・ユニット238とを含む。第1のダイオード・ユニット236は、好ましくは、ベース242、コレクタ244およびエミッタ246を有するダイオード接続されたバイポーラ・トランジスタ240を含む。エミッタ246は、入力ピン184に接続される。コレクタ244は、下側電圧レール186に接続されて、第1のバイポーラ・トランジスタ240のハードな逆バイアスを確立させる。発明人は、第1のバイポーラ・トランジスタ240のこのようなハードな逆バイアスの確立が、回路180のより少ないリークにつながることを発見した。ベース242は、第2のダイオード・ユニット238に接続される。第2のダイオード・ユニット238は、好ましくは、ベース252、コレクタ254およびエミッタ256を有するダイオード接続されたバイポーラ・トランジスタ250を含む。エミッタ256は、トランジスタ240のベース242に接続される。ベース252は、上側電圧レール188に接続される。コレクタ254の接続は、ダイオード接続されたトランジスタ250を構成して、望ましいリーク特性を得るのに適したように、回路設計に詳しいデザイナによって、下側電圧レール186又は上側電圧レール188又はエミッタ256へと確立される。
第1のダイオード・ユニット206は、ホスト・システム(図4に示されていない)の正常動作時に、入力ピン184と第2のダイオード・ユニット208との間に本質的にゼロの電圧降下をもたらすように接続される。第2のダイオード・ユニット208は、正常動作時に、下側電圧レール186と入力ピン184との間に順バイアスを生じないことが好ましい。第1のダイオード・ユニット236は、ホスト・システム(図4に示されていない)の正常動作時に、入力ピン184と第2のダイオード・ユニット238との間に本質的にゼロの電圧降下をもたらすように接続される。第2のダイオード・ユニット238は、正常動作時に、入力ピン184と上側電圧レール188との間に順バイアスを生じないことが好ましい。
バッファ・ユニット260は、入力ピン184につながれた入力端子262と出力地点264、266とを有する。バッファ・ユニット260は、入力端子262に受信したものと本質的に同じ電圧レベルに差分電圧量δを加えたものを出力端子264に提供するように構成されることが好ましい。バッファ・ユニット206は、また入力端子262に受信したものと本質的に同じ電圧レベルから差分電圧量δを差し引いたものを出力端子266に提供するように構成されることが好ましい。バッファ・ユニット260は、二重出力オフセット・バッファとして機能し、地点264、266の出力信号として、入力端子262に受信した入力信号からダイオード・ユニット206、208、236、238をバイアスする小さい電圧量だけオフセットした出力信号を提供する。これに限らないが一例として、電圧出力のオフセット値δは、熱電圧(kT)数個分の程度になるように選ぶことができる。熱電圧kTは、回路設計の当業者には、ダイオード設計に含まれる温度に関する因子として知られている。これに限らないが更なる一例として、熱電圧kTは、室温で約0.026ボルトであり、電気回路に関する高い動作温度(例えば、摂氏150度)では、熱電圧kTは、約0.04ボルトになる。
出力端子264を結合端子243に接続することによって、ダイオード・ユニット236両端に望ましい本質的にゼロの電圧降下が得られ、またダイオード・ユニット238両端に望ましい逆バイアスが得られる。出力端子266を結合端子213に接続することによって、ダイオード・ユニット206両端に望ましい本質的にゼロの電圧降下が得られ、またダイオード・ユニット288両端に望ましい逆バイアスが得られる。
二重出力オフセット・バッファとして実施されるバッファ・ユニット260を採用することによって、バッファ・ユニット260の作動など、演算増幅器動作を実現する回路部品で許容される電圧オフセット許容値がより緩和される。より緩やかな許容値のおかげで、バッファ・ユニット260などの回路デバイスが安価となり、回路レイアウトの要求が少なくなり(すなわち、回路を実現するための「敷地」又はダイ・スペースが少なくて済む)、回路(図3)によって提供されるものよりもより低い入力容量が回路180(図4)に実現する。望みの電圧降下およびバイアスを得るために、二重出力オフセット・バッファ以外の回路構造を採用してもよい。
入力回路182の正常動作の間、ダイオード・グループ200、202は、各々逆バイアスされる。ダイオード・ユニット206、236は、各々入力ピン184からそれぞれ対応する第2のダイオード・ユニット208、238へ本質的にゼロの電圧降下を提供し、それによってダイオード・ユニット206、236両端のリークを低減し、またそれによって入力ピン184と電圧レール186、188との間のリークも低減する。例えば、人が入力ピン184又は下側電圧レール・ピン187の1つに接触することによって引き起こされるESD状態では、ダイオード・グループ200、202の一方又は両方が順バイアスされることによって、ESDセル190を通るアース192への電流経路が確立される。
図5は、本発明の方法を示すフロー図である。図5で、1つのシステムの入力地点と少なくとも1つのパワー・レールとの間の電流リークを低減する方法300は、START地点302から始まる。方法300は、前記少なくとも1つのパワー・レールのうちの選ばれた各パワー・レールに関して、以下の工程を含む。(a)任意の順序で、(1)ブロック304に示すように、入力地点と結合地点との間に接続された第1のダイオード・ユニットを提供する工程と、(2)ブロック306に示すように、結合地点とそれぞれ対応する選ばれたパワー・レールとの間に接続された第2のダイオード・ユニットを提供する工程とを含む。方法300は、更に(b)任意の順序で、(1)ブロック308に示すように、回路の正常動作の間に、第1のダイオード・ユニット両端の電圧降下が本質的にゼロとなるように第1のダイオード・ユニットを構成する工程と、(2)ブロック310に示すように、回路の正常動作時に、順バイアスを提供しないように第2のダイオード・ユニットを構成する工程へと続く。方法300は、(c)ブロック312に示すように、回路の予め決められた動作状態の間に、第1および第2のダイオード・ユニットを共同して作動させて、入力地点とそれぞれ対応するパワー・レールとの間に電流を流すように動作させる工程へと続く。方法300は、END地点314で終了する。
本発明が関連する分野の当業者は、特許請求される本発明の範囲から外れることなく、上記の実施の形態およびその他の実施の形態に対して変更を行い得ることを理解する。
Claims (11)
- 1つのシステムの入力地点とパワー・レールとの間の電流リークを制限する装置であって、装置は、前記入力地点と第1のパワー・レールとの間に直列に接続された第1のダイオード・ユニットおよび第2のダイオード・ユニットを含み、前記第1のダイオード・ユニットは、装置の正常動作時に前記第1のダイオード・ユニット両端にほとんどゼロの電圧降下をもたらすように構成されており、前記第2のダイオード・ユニットは、装置の正常動作時に、順バイアスを与えないように構成されており、前記第1および第2のダイオード・ユニットは、装置の予め決められた動作状態において、前記入力地点と前記第1のパワー・レールとの間に電流を流すように共同して作用する装置。
- 請求項1記載の装置であって、更に、前記入力地点と第2のパワー・レールとの間に直列に接続された第3のダイオード・ユニットおよび第4のダイオード・ユニットを含み、前記第3のダイオード・ユニットは、装置の正常動作時に前記第3のダイオード・ユニット両端にほとんどゼロの電圧降下をもたらすように構成されており、前記第4のダイオード・ユニットは、装置の正常動作時に、順バイアスを与えないように構成されており、前記第3および第4のダイオード・ユニットは、前記予め決められた動作状態において、前記入力地点と前記第2のパワー・レールとの間に電流を流すように共同して作用する前記装置。
- 請求項1又は2記載の装置であって、前記入力地点は、本質的に入力電位にあり、ここで装置は、更にバッファ・ユニットを含み、前記バッファ・ユニットは、前記第1のダイオード・ユニットおよび前記第2のダイオード・ユニットの少なくとも1つにバイアス電位を提供するように、前記入力地点に接続され、また前記第1のダイオード・ユニットおよび前記第2のダイオード・ユニットの少なくとも1つに接続される前記装置。
- 請求項2記載の装置であって、前記入力地点は、本質的に入力電位にあり、ここで装置は、更にバッファ・ユニットを含み、前記バッファ・ユニットは、前記第1のダイオード・ユニットおよび前記第2のダイオード・ユニットの少なくとも1つにバイアス電位を与えるように、前記入力地点に接続され、また前記第1のダイオード・ユニットおよび前記第2のダイオード・ユニットの少なくとも1つに接続されており、前記バッファ・ユニットは、前記第3のダイオード・ユニットおよび前記第4のダイオード・ユニットの少なくとも1つにバイアス電位を与えるように、前記入力地点に接続され、また前記第3のダイオード・ユニットおよび前記第4のダイオード・ユニットの少なくとも1つに接続されており、前記バイアス電位は、ほとんど前記入力電位に等しい前記装置。
- 請求項1又は2記載の装置であって、前記第1のダイオード・ユニットおよび前記第2のダイオード・ユニットの少なくとも1つは、ダイオード接続されたトランジスタ・ユニットを含む前記装置。
- 請求項2記載の装置であって、前記第1、第2、第3および第4のダイオード・ユニットの少なくとも1つは、ダイオード接続されたトランジスタ・ユニットを含む前記装置。
- 請求項14記載の装置であって、ダイオード接続されたトランジスタ・ユニットは、直列に接続された複数のダイオード・ユニットを実現するように構成された複数のダイオード接続されたトランジスタである前記装置。
- 請求項1、2、4、6又は7記載の装置であって、前記予め決められた動作状態は、前記入力地点から、前記第1のパワー・レールおよび前記第2のパワー・レールの少なくとも1つへの静電気放電である前記装置。
- 1つのシステムに関する入力地点と少なくとも1つのパワー・レールとの間の電流リークを低減する方法であって、前記方法は、前記少なくとも1つのパワー・レールのそれぞれ対応する選ばれたパワー・レールに対して、
(a)任意の順序で、
(1)前記入力地点と結合地点との間に接続された第1のダイオードを提供する工程と、
(2)前記結合地点と前記それぞれ対応する選ばれたパワー・レールとの間に接続された第2のダイオード・ユニットを提供する工程と、
(b)任意の順序で、
(1)装置の正常動作の間に、前記第1のダイオード・ユニット両端にほとんどゼロの電圧降下をもたらすように前記第1のダイオード・ユニットを構成する工程と、
(2)装置の正常動作の間に、順バイアスを与えないように第2のダイオード・ユニットを構成する工程と、
(c)装置の予め決められた動作状態の間に、前記第1のダイオード・ユニットおよび第2のダイオード・ユニットを共同して動作させて、前記入力地点と前記対応するパワー・レールとの間に電流を流させる工程と、
を含む方法。 - 請求項9記載の方法であって、前記入力地点は、本質的に入力電位にあり、ここで、方法は、更に、
(d)工程(a)に、任意の順序で、前記入力地点に接続され、前記第1のダイオード・ユニットおよび前記第2のダイオード・ユニットの少なくとも1つに接続されたバッファ・ユニットを提供する工程を含み、
(e)工程(b)に、任意の順序で、前記第1のダイオード・ユニットおよび前記第2のダイオード・ユニットの少なくとも1つに、ほとんど前記入力電位に等しいバイアス電位を与えるように前記バッファ・ユニットを構成する工程を含む前記方法。 - 請求項9又は10記載の方法であって、前記予め決められた動作状態は、前記入力地点から前記対応するパワー・レールへの静電気放電である前記方法。
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