JP2009506569A - Mram埋め込み型集積回路の受動素子 - Google Patents
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Abstract
集積回路装置(300)は、基板(301)と、当該基板(308)上に形成されたMRAMアーキテクチャ(314)とを備える。MRAMアーキテクチャ(314)は、基板(301)に形成されたMRAM回路(318)と、当該MRAM回路(318)に結合され且つその上に形成されたMRAMセル(316)とを含む。その上、受動デバイス(320)が、MRAMセル(316)と一緒に形成される。受動デバイス(320)は、1又はそれより多い抵抗及び1又はそれより多いキャパシタであることができる。MRAMアーキテクチャ(314)と受動デバイス(320)との同時製作は、基板(404,504)の能動型回路ブロックの上での使用可能な物理的スペースの効率的で且つコスト的に実効性のある使用を促進し、その結果3次元の集積化をもたらす。
Description
[技術分野]
本発明は、一般的に、電子装置に関する。より詳細には、本発明は、単一の基板上に形成された、磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)構造及び受動デバイス構造を含む集積回路装置に関する。
本発明は、一般的に、電子装置に関する。より詳細には、本発明は、単一の基板上に形成された、磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)構造及び受動デバイス構造を含む集積回路装置に関する。
[背景]
電子電荷を用いてデータを格納するランダム・アクセス・メモリ(RAM)技術とは対照的に、MRAMは、磁気分極を用いて、データを格納するメモリ技術である。MRAMの1つの主たる利点は、それが印加システム電力が存在しなくても格納されたデータを保持すること、従って、不揮発性メモリであることである。一般的に、MRAMは、半導体基板上に形成された非常に多数の磁気セルを含み、そこにおいて、それぞれのセルは、1データ・ビットを表す。情報は、セル内の磁気素子の磁化方向を変えることにより書き込まれ、そして1ビット・セルは、セルの抵抗値(例えば、低い抵抗値は典型的には「0」ビットを表し、高い抵抗値は典型的には「1」ビットを表す。)を測定することにより読み出される。
電子電荷を用いてデータを格納するランダム・アクセス・メモリ(RAM)技術とは対照的に、MRAMは、磁気分極を用いて、データを格納するメモリ技術である。MRAMの1つの主たる利点は、それが印加システム電力が存在しなくても格納されたデータを保持すること、従って、不揮発性メモリであることである。一般的に、MRAMは、半導体基板上に形成された非常に多数の磁気セルを含み、そこにおいて、それぞれのセルは、1データ・ビットを表す。情報は、セル内の磁気素子の磁化方向を変えることにより書き込まれ、そして1ビット・セルは、セルの抵抗値(例えば、低い抵抗値は典型的には「0」ビットを表し、高い抵抗値は典型的には「1」ビットを表す。)を測定することにより読み出される。
MRAMデバイスは、一般的に、しばしば導電性ビット・ライン及び導電性デジット・ラインと呼ばれるプログラミング・ラインを用いて、プログラミングされるセルのアレイを含む。MRAMデバイスは、既知の半導体プロセス技術を用いて製作される。例えば、ビット・ライン及びデジット・ラインは、1又はそれより多い絶縁層及び/又は追加の金属層により分離されている異なる金属層から形成される。従来の製造プロセスは、個別のMRAMデバイスを専用の基板上に容易に製作することを可能にする。
多くの最近の応用の小型化は、電子デバイスの物理的サイズを小さくすること、複数の部品又はデバイスを単一のチップの中に一体化すること、及び/又は回路レイアウトの効率を改善することを望ましいものにする。抵抗及びキャパシタのような受動素子と一緒に単一の基板上に一体化するMRAMアーキテクチャを含む半導体ベースのデバイスであって、MRAMアーキテクチャ及び受動素子が同じプロセス技術を用いて製作される当該半導体ベースのデバイスを有することが望ましい。更に、本発明の他の望ましい特徴及び特性が、添付の図面と関係した以下の詳細な説明及び添付の特許請求の範囲、及び前述の技術分野及び背景から明らかになるであろう。
本発明のより完全な理解は、添付の図面と関連して考慮されたとき詳細な説明及び特許請求の範囲を参照することにより導かれ、そこにおいては、類似の参照番号は、図面全体を通して類似の構成要素を指す。
以下の詳細な説明は、当然に単なる例示であり、本発明又は本発明の適用及び使用を制限することを意図するものではない。更に、先の技術分野、背景、概要、又は以下の詳細な説明で提示されるいずれの明示的又は黙示的理論により制限されることを意図するものでは無い。
簡潔にするために、MRAM設計、MRAM動作、半導体デバイス製造、及び集積回路デバイスの他の局面に関連した従来の技術及び特徴は、本明細書では詳細には記述していない場合がある。更に、本明細書に含まれる様々な図面に示される回路/部品レイアウト及び構成は、本発明の例示的実施形態を表すことを意図している。
図1は、適切な半導体製造プロセスを用いて基板(図示せず)に形成されている単純化したコアMRAMビット・アーキテクチャ100の略斜視図である。図1は僅か9個のセルを含むMRAMアーキテクチャ100を示すが、典型的なMRAMデバイスは、典型的には、非常に多数のセル(例えば、100万のオーダのセル)を含むであろう。一般的に、MRAMアーキテクチャ100は、1つの金属層から形成された少なくとも1つの電極104と、別の金属層から形成された少なくとも1つの電極106と、これら2つの金属層間に形成された磁気トンネル接合(「MTJ」)コア102とを含む。MTJコア102は、MRAMアーキテクチャ100のためのメモリ場所のアレイを形成するセルを含む。
図2は、本発明の一例示的実施形態に従って構成されたMRAMセル200の略斜視図である。MRAMアーキテクチャ100の一部又は全部のセルが、図2に示されるように構成される。MRAMセル200は、MTJコア102を含み、当該MTJコア102は、第1の強磁性層202と、第2の強磁性層204と、これら2つの強磁性層間に介挿された絶縁層206と、第2の強磁性層204に結合されている底部電極207とを含む。この例では、第1の強磁性層202は、その磁化の方向を切り替えてMRAMセル200のビット状態を変えることができるので、自由磁気層である。しかしながら、第2の強磁性層204は、その磁化方向が正常な書き込み磁界でもって方向を回転させない又は変えないよう設計されているので固定磁気層である。第1の強磁性層202の磁化が第2の強磁性層204の磁化と平行であるとき、MRAMセル200に跨る抵抗値は、第1の強磁性層202の磁化が第2の強磁性層204の磁化に対して逆平行であるときより低い。所与のMRAMセル200の中のデータ(即ち、「0」又は「1」)は、MRAMセル200の抵抗値を測定することにより決定される。MRAMセル200からデータ読み出し及びデータをそれへ書き込むため利用される技術は、当業者には知られており、従って本明細書ではこれ以上詳細には説明しない。
図2はまた、MRAMセル200に関連するビット・ライン208及びデジット・ライン210を示し、そのビット・ライン208は、金属グローバル相互接続(Metal Global Interconnect)(MGI)層として知られている層に形成されることができ、そしてそのデジット・ライン210は、金属デジタル・ライン(Metal Digital Line)(MDL)層として知られている層に形成されることができ、そしてこれらのラインは、本明細書において、個々に又は集約的にプログラム・ラインと呼ばれる。第1の強磁性層202の磁化の向きは、デジット・ライン210に流れる電流の大きさ及び電流の方向に応答して且つビット・ライン208に流れる電流の大きさ及び方向に応答して回転する。典型的なMRAMセル200においては、ビットの向きは、デジット・ライン210の電流を一定の極性に保ちながらビット・ライン208の電流の極性を反転することにより切り替えられる。MRAMセル200のトグル・ビットにおいて、ビットの向きは、プログラム・ライン、即ちビット・ライン208及びデジット・ライン210からの電流パルスのシーケンスにより切り替えられる。一例示的実施形態において、ビット・ライン208は、任意の多数の類似のMRAMセル(例えば、1列のセル)に接続されて、共通書き込み電流をその接続されたセルのそれぞれに与える。同様に、デジット・ライン210は、任意の多数のMRAMセル(例えば、1行のセル)と関連付けられて、共通デジット電流をこれらのセルのそれぞれに与える。例示的マトリクス構成が、図1に概略的に示されている。
図2に示される例示的実施形態において、デジット・ライン210は、導電性デジット構成要素212と、軟磁性材料から形成された透磁性クラッディング材料(permeable cladding material)214とを備える。この例では、クラッディング214は、導電性デジット構成要素212を部分的に取り囲む。詳細には、クラッディング214は、導電性デジット構成要素212の3つの側部の周りに形成され、それにより導電性デジット構成要素212の内向きの表面は、覆われていないままである。図2に示される好適な実施形態においては、ビット・ライン208は、導電性ビット構成要素216と、磁性材料から形成されたクラッディング218とを備える。この例では、クラッディング218は、導電性ビット構成要素216の3つの側部の周りに形成され、それにより導電性ビット構成要素216の内向きの表面は、覆われていないままである。クラッディング214/218は、MTJ102に向かう磁束を集束させて、MRAMセル200をプログラミングする効率を改善する。クラッディングはまた、隣接ビットへの書き込み擾乱を低減する。例示的実施形態において、磁気クラッディングは、MRAMプロセスで用いられる、銅のような、導電性プログラム・ラインの製作に用いられる障壁層の一体部分である。
一例示的的実施形態において、導電性デジット構成要素212及び導電性ビット構成要素216は、銅のような導電性材料から形成され、そしてクラッディング214/218は、NiFe、ニッケル−鉄−コバルト合金、コバルト−鉄合金、パーマロイ、又は類似のもののような軟性の透磁性強磁性材料から形成される。一例示的実施形態において、クラッディング214/218は、ほぼ25から2000オングストローム厚の範囲内であり、典型的には約50から300オングストローム厚の範囲内である。クラッディング214/218の側壁は、僅かにより薄くしてもよい。導電性構成要素及びクラッディングが異なる材料から実現されるが、導電性デジット構成要素212及びクラッディング214は、1つの共通の金属層(例えば、金属第4層)に製作されると考えられ、そして導電性ビット構成要素216及びクラッディング218は、別の共通の金属層(例えば、金属第5層)に製作されると考えられる。
本発明の一例示的実施形態の断面図が、図3に示されている。図3において、集積回路300は、基板301、MRAMアーキテクチャ314、及びスマート電力構成要素(smart power components)を含む。集積回路300は、フロント・エンド製造プロセス及びバック・エンド製造プロセスを含む製造技術を用いて製造される。従って、集積回路300は、フロント・エンド製造プロセスを用いて形成される構成要素又はフィーチャー(features)と、バック・エンド製造プロセスを用いて形成される構成要素又はフィーチャーとを含むことができる。フロント・エンド製造プロセス中に、様々な構成要素又はフィーチャーが、フロント・エンド層304に形成され、そしてバック・エンド製造プロセス中に、様々な構成要素又はフィーチャーが、バック・エンド層302に形成される。これらの層は、金属層、導電体層、誘電体層、及び他のタイプの層を含むことができ、そして多くの周知の製造プロセスのいずれかを用いて形成されることができる。フロント・エンド製造プロセスは時間的にバック・エンド製造プロセスの前に完了されるので、フロント・エンド層304は、基板301の上であるが、しかしバック・エンド層302より下に配置される。
MRAMアーキテクチャ314は、フロント・エンド層304に形成されるMRAM回路318を含む。スマート電力構成要素306は、電力回路308、アナログ電力制御回路310、及び論理制御回路312を備え、これら電力回路308、アナログ電力制御回路310及び論理制御回路312は、基板301上に形成され、そしてフロント・エンド製造プロセスを用いて製作される。本発明の一実施形態において、MRAM回路318及びスマート電力構成要素306は、フロント・エンド製造プロセス中に同時に製作されることができる。MRAM回路318は、MRAMアーキテクチャ314の動作をサポートする任意の数の構成要素又はフィーチャーを含んでよい。こられの構成要素又はフィーチャーには、限定無しで、スイッチング・トランジスタ、入力/出力回路、デコーダ、比較器、センス増幅器又は類似のものが含まれる。
MRAMセル316はまたMRAMアーキテクチャ314の一部であるが、このMRAMセル316及び受動素子320は、バック・エンド製造プロセスを用いてバック・エンド層302に形成される。本発明の一例示的実施形態において、MRAMセル316を製作するために用いられる材料はまた、受動素子320の製作に有効であることができる。従って、受動素子320は、フロント・エンド製造プロセス中に同時に製作されることができる。
MRAMアーキテクチャ314は、一般的に、図1及び図2と関係して上記で説明したように構成され得る。実際は、集積回路300は、従来のMRAM設計及びMRAMアーキテクチャ314のための技術を採用することができ、そしてそのような従来の特徴は、本明細書では詳細に説明しない。一般的に、図3に示されるように、MRAMアーキテクチャ314は、フロント・エンド層304に形成されたMRAM回路構成要素318と、バック・エンド層302に形成され且つMRAM回路構成要素318に結合されたMRAMセル316とを含む。
本発明の一例示的実施形態において、電力回路構成要素308は、高電圧で動作して高電流を発生するよう構成されている1又はそれより多い高電力MOSFETデバイスを含む。代替実施形態は、電力回路構成要素308のための異なる電力発生デバイス及び技術を採用し得る。デジタル論理構成要素312は、CMOSトランジスタ又はいずれの適切なデジタル論理装置を用いて実現し得る。デジタル論理構成要素312は、集積回路300のスマート電力アーキテクチャをサポートするデジタル動作を実行するよう構成されている。アナログ電力制御回路310は、集積回路300のスマート電力構成要素をサポートするよう構成されたアナログ回路構成要素を含む。アナログ電力制御回路構成要素310は、例えば、抵抗、キャパシタ、インダクタ、MOSFET、バイポーラ・デバイス及び/又は他のアナログ回路構成要素を含み得る。
受動素子320は、増幅又は利得を与えない部品である。本発明の一実施形態において、受動素子320は、抵抗及びキャパシタであることができる。本発明においては、前述したように、受動素子320は、MRAMセル316を製作するため用いられるプロセス・ステップ中に構成されることができる。従って、受動素子は、その受動素子の少なくとも一部がMRAMセル316の構成要素と同じ層に形成されるときMRAMセル316と一緒に形成される。受動素子320は、スマート電力構成要素306と共に用いることができる。
図4は、MRAM(図示せず)と一体化された抵抗及びスマート電力構成要素(図示せず)を含む集積回路400の一例示的実施形態である。MRAMセルの製作で用いられる材料の多くはまた、良好な抵抗品質を有する。例えば、MTJコア(本明細書では金属MTJ層又はMTJ層と呼ばれる。)の底部電極は、抵抗を形成するため用いることができる。金属局部相互接続(Metal Local Interconnect)(MLI)層を製作するため用いられる材料、及びMTJコアを形成するため用いられる材料は、抵抗として作用することができる。また、一連の抵抗が、1又はそれより多い層上に形成された抵抗素子を接続することにより形成される。
集積回路400は、基板404、その基板404上に形成されたフロント・エンド層405、及びそのフロント・エンド層405上に形成されたバック・エンド層406を含む。バック・エンド層406は、第1のバック・エンド層407及び第2のバック・エンド層408を含む。破線409は、第1のバック・エンド層407と第2のバック・エンド層408との間の分割線を表す。フロント・エンド層405及びバック・エンド層406のサイズ、及び第1のバック・エンド層407と第2のバック・エンド層408とを分割する破線409は、単に例示的目的のために示されており、サイズは変えることができる。
第1のバック・エンド層407は、金属第1層412、金属第2層414及び金属第3層416を含むことができ、これらの層は、導電性バイア419を介して互いに接続されている。第1のバック・エンド層407はまた、様々な誘電体層(図示せず)を含み得る。スマート電力構成要素306(図4に図示せず)及びMRAM回路構成要素318(図4に図示せず)は、フロント・エンド層405に形成され、そして一部の例示的実施形態においては、適宜に金属第1層412、金属第2層414及び金属第3層416を用いて第1のバック・エンド層407に形成される。
第2のバック・エンド層408は、この例示的実施形態においては、金属第4層422、MMTJ層426、MLI層428及び導電性バイア430を含むことができる。第2のバック・エンド層408はまた、様々な誘電体層を含むが、これれは、簡潔にするため、図4には示されていない。この例示的実施形態においては、MRAMセル及び抵抗の両方は、一緒に製作されることができる。
本発明の一例示的実施形態において、抵抗450は、第2のバック・エンド層408に形成される。この例示的実施形態において、抵抗450は、抵抗素子452を含む。この例示的実施形態において、抵抗素子452は、MLI層428に形成される。MMTJ層426及びMTJ層(図示せず)は、電気的接続を与えるため用いられており、抵抗として用いられてはいない。入力460及び出力462は、金属第4層422に形成される。前に記したように、MRAMのデジット・ライン104はまた、金属第4層422に形成される。入力460及び出力462は、電力構成要素による使用のため基板に電気的に結合される。
一例示的実施形態において、抵抗素子452は、窒化タンタル(TaN)の薄い層から製作される。抵抗450は、論理回路の上に形成され、これは、レイアウト効率を改善する。
別の例示的実施形態においては、バック・エンド層の異なる層の材料は、直列の抵抗として作用する。図5は、基板504を有する集積回路500を示し、その基板504の上にフロント・エンド層405が、形成される。バック・エンド層406は、フロント・エンド層405の上に形成され、そして第1のバック・エンド層407及び第2のバック・エンド層408を備える。想像線409は、第1のバック・エンド層407と第2のバック・エンド層408とを分割している。
第1のバック・エンド層407は、金属第1層510、金属第2層512及び金属第3層514を含むことができる。これら金属層は、導電性バイア516により相互に接続される。第1のバック・エンド層407はまた、様々な誘電体層(図示せず)を含み得る。スマート電力構成要素306及びMRAM回路構成要素318(両方とも図示せず)は、フロント・エンド層405に形成されることができ、そして或る設計では、適宜に、金属第1層510、金属第2層512及び金属第3層514を用いて、第1のバック・エンド層407に形成されることができる。
第2のバック・エンド層408は、この例示的実施形態において、バイア528により相互に接続されている金属第4層520、MMTJ層522、MTJ層524及びMLI層526を含むことができる。MTJ層524は、図5において単一の層として示されているが、しかし、図1及び図2に示され且つ前に説明したように、MTJ層524は、第1の強磁性層202、第2の強磁性層204、及びこれら2つの強磁性層の間にある絶縁層206を備える。
一例示的実施形態において、抵抗530は、直列に接続された幾つかの個別の抵抗素子から構成される。第1の抵抗素子532、第2の抵抗素子534及び第3の抵抗素子536は、MMTJ層522に形成される。前に説明したように、MMTJ層522は、MRAMの底部電極が形成されることができる同じ層である。第4の抵抗素子538、第5の抵抗素子540、第6の抵抗素子542及び第7の抵抗素子546が、MTJ層524、即ち、MTJコア102が製作される同じ層に形成される。第8の抵抗素子548及び第9の抵抗素子550は、MLI層526に形成される。
図5の例示的実施形態において、MTJ層524に形成された抵抗素子は、MRAMセル200のMTJコア102と同じ材料から形成される。従って、MTJ層524に製作される抵抗は、第1の強磁性層202の磁化の方向が第2の強磁性層204の磁化の方向に対して平行か逆平行かに応じて2つの抵抗状態のうちの1つに設定されることができる。従って、第1の強磁性層202の磁化を切り替えることにより、MTJ層524に形成された抵抗の抵抗値は、2つの値の間で調整されることができる。従って、MTJ層524の抵抗素子は、調整可能である。
その上、MTJコア102の抵抗は、過剰な電圧が印加されたとき使用不能にされることができる。過剰な電圧は、絶縁層206を破断させ、それは、抵抗素子の短絡をもたらす。当業者は、例示的図を特定の抵抗の絶縁を可能にし、従ってヒューズとして可能な(fusable)抵抗のアレイを生成するよう適応させることができる。この方法を用いることにより、アレイを形成する抵抗の組み合わせは、或る範囲の抵抗値を与えるよう構成されることができる。
MRAMデバイスと同じ集積回路上に製作される抵抗を設けることに加えて、キャパシタがまた、MRAM及びスマート電力構成要素と一体化されることができる。図6は、MRAMデバイス(図示せず)と一緒に同じ集積回路600上に形成されたキャパシタ602を示す。キャパシタは、電荷を蓄積し、そして典型的には、2つの導体間に介挿された誘電体材料又は絶縁体から成る。図6の集積回路600においては、底部電極614が、MLI層に形成される。一例示的実施形態において、底部電極614は、TaNから作られる。誘電体層は、底部電極614の上に形成される。一実施形態において、誘電体層は、TEOS(二酸化珪素誘導テトラエチルオルトシリケート(tetraethylorthosilicate derived silicon dioxide)604の1000オングストローム層、及びプラズマ増強窒化物(plasma enhanced nitride)(PEN)606の650オングストローム層を備える。頂部電極612は、誘電体層604の上でMGI層に形成される。一実施形態において、頂部電極612は、銅から作られる。本発明においては、MRAMのビット・ライン106は、頂部電極612と同じ層に製作されることができる。底部電極614は、第1のバイア610によりMTJ層616に電気的に結合される。頂部電極612(MGI)は、第2のバイア613により金属第4層618に電気的に結合される。
代替実施形態において、キャパシタ602は、頂部電極としてのMLI層(前には底部電極614)の材料と、底部電極としてのMTJ層616の材料と、MTJ層616とMLI層614との間(そこにはバイア610が示されている。)の、TEOSのような誘電体を用いて製作されることができる。更に別の実施形態において、キャパシタ602は、頂部電極としてのMTJ層616の材料と、底部電極としての金属第4層618の材料と、誘電体層の、PEN及びTEOSのような誘電体(そこにはバイア611が通常形成される。)と用いて製作されることができる。その上、上記のキャパシタの組み合わせのいずれか又はその全てが、一緒に用いられることができる。
先の説明において、抵抗及びキャパシタの構成要素が、特定のバック・エンド層に形成されるよう説明した。しかしながら、抵抗及びキャパシタの構成要素を製作するため用いられるバック・エンド層の正確な名前は、本発明の教示に重要ではない。本発明においては、抵抗及びキャパシタは、MRAMセルと抵抗又はキャパシタのうちの少なくとも1つの構成要素とが少なくとも1つの共通の層を共用する限り、MRAMセルと一緒に形成される。
要約すると、本発明の例示的実施形態に従って構成された回路、装置及び方法は、基板と、当該基板上に形成されたMRAMアーキテクチャとを備える集積回路装置に関連する。MRAMアーキテクチャは、前記基板上に形成されたMRAM回路と、当該MRAM回路に結合され且つその上に形成されたMRAMセルとを含む。更に、受動素子が、前記MRAMセルと一緒に形成される。一実施形態において、前記受動素子は、抵抗である。別の実施形態において、前記受動素子は、キャパシタである。前記抵抗は、MLI層、MMTJ層又はMTJ層に形成された抵抗素子であることができる。又は、複数の前記抵抗素子は、幾つかの順列のいずれかで組み合わせることができる。前記抵抗素子が前記MTJ層に製作される場合、前記抵抗素子は、第1の強磁性層、第2の強磁性層、及びこれら2つの強磁性層の間にある絶縁層を備える。前記抵抗素子の抵抗値は、前記第1の強磁性層の磁化が前記第2の強磁性層の磁化に対して逆平行であるとき高状態に設定され、そして第1の強磁性層の磁化が第2の強磁性層の磁化に対して平行であるとき低状態に設定されることができる。更に、前記抵抗素子が前記MTJ層に形成される場合、前記抵抗素子は、過剰な電圧を前記MTJ層の前記抵抗素子に印加することにより短絡されることができる。
一例示的実施形態において、前記キャパシタは、金属第6レベルに形成された頂部電極と、MLIレベルに形成された底部電極と、前記頂部電極と底部電極との間に形成された誘電体層とを備える。代替として、前記キャパシタは、MLIレベルに形成された頂部電極と、MMTJ層に形成された底部電極と、前記頂部電極と底部電極との間に形成された誘電体層とを備える。
集積回路装置を形成する方法は、前記集積回路装置のフロント・エンド層上に少なくとも1つの電力構成要素を形成するステップと、前記集積回路装置の前記フロント・エンド層上にMRAM回路を形成するステップと、前記集積回路装置のバック・エンド層上にMRAMセルを形成するステップと、前記MRAMセルのフィーチャーと同時に見つけられるフィーチャーを有する受動デバイスを前記バック・エンド層上に形成するステップとを備える。バック・エンド層上に受動デバイスを形成する前記ステップが更に、その上に前記MRAMセルのフィーチャーが製作されるバック・エンド層上に、少なくとも1つの抵抗素子を備える抵抗を形成するステップを備える。また、バック・エンド層上に受動デバイスを形成する前記ステップが更に、キャパシタを形成するステップを備え、前記キャパシタが、前記バック・エンド層上に形成された頂部電極と底部電極と、前記頂部電極と前記底部電極との間の誘電体とを備え、前記キャパシタが見つけられる前記バック・エンド層のうちの少なくとも1つのバック・エンド層が、前記MRAMセルのフィーチャーと関連付けられている。抵抗がMTJ層に形成される場合、前記抵抗素子は、第1の強磁性層と、第2の強磁性層と、これら2つの強磁性層の間にある絶縁層とを備える。前記抵抗素子の抵抗値は、前記第1の強磁性層の磁化が前記第2の強磁性層の磁化に対して逆平行であるとき高状態に設定され、前記第1の強磁性層の磁化が前記第2の強磁性層の磁化に対して平行であるとき低状態に設定されることが可能である。その上、前記抵抗が或る抵抗値を有する場合、前記抵抗が、複数の抵抗素子を備え、前記複数の抵抗素子の一部分が、MTJ層上に形成された抵抗素子を備え、前記複数の抵抗素子の前記一部分の少なくとも1つが、短絡されて、前記抵抗の抵抗値を変えることが可能である。
集積回路装置は、基板と、前記基板の上に形成された複数の第1のフロント・エンド層と、前記複数の第1のフロント・エンド層に形成されたMRAM制御回路と、前記複数のフロント・エンド層に形成された1又はそれより多い電力構成要素と、前記フロント・エンド層の上に形成された複数のバック・エンド層とを備える。前記バック・エンド層は、前記複数のバック・エンド層に形成された磁気ランダム・アクセス・メモリ(「MRAM」)セルを含む。前記MRAMセルは、前記MRAM制御回路に結合され、そして前記MRAMセルが、少なくとも1つのデジット・ラインと、少なくとも1つのビット・ラインと、前記少なくとも1つのデジット・ラインと前記少なくとも1つのビット・ラインとの間に結合された磁気トンネル接合コアとを備える。更に、少なくとも1つの受動デバイスが、前記複数のバック・エンド層に形成され、そこにおいて前記受動デバイスの少なくとも一部分が、前記MRAMセルの少なくとも一部分が製作されるとき製作される。前記受動デバイスが、1又はそれより多い抵抗及び/又はキャパシタである。
本明細書で説明された例示的実施形態は、本発明の範囲、適用又は構成をいずれの方法でも制限することを意図するものではない。むしろ、前述の詳細な説明は、当業者に、説明した実施形態を実行するための便利なロード・マップを与えるであろう。様々な変化が、添付の特許請求の範囲及びその法的均等物の範囲から逸脱することなしに構成要素の機能及び構成の点で行われることができることが理解されるべきである。
Claims (20)
- 基板と、
前記基板の上に形成された複数のフロント・エンド層と、
前記複数のフロント・エンド層の上に形成された複数のバック・エンド層と、
前記複数のバック・エンド層に形成されたMRAMセルと、
前記複数のバック・エンド層のうちで前記MRAMの少なくとも一部が形成されている1つのバック・エンド層に少なくとも部分的に形成された受動デバイスと
を備える集積回路装置。 - 前記基板の上に設けられた少なくとも1つの追加の回路構成要素を更に備え、
前記少なくとも1つの追加の回路構成要素が、前記受動デバイスの下に形成される
請求項1記載の集積回路装置。 - 前記受動デバイスが抵抗である請求項1記載の集積回路装置。
- 前記受動デバイスがキャパシタである請求項1記載の集積回路装置。
- 前記抵抗が、金属局部相互接続層に形成された抵抗素子を備える請求項3記載の集積回路装置。
- 前記抵抗が、磁気トンネル接合層の底部電極に形成された抵抗素子を備える請求項3記載の集積回路装置。
- 前記抵抗が、磁気トンネル接合層に形成された抵抗素子を備える請求項3記載の集積回路装置。
- 前記抵抗素子が、第1の強磁性層、第2の強磁性層、及びこれら2つの強磁性層間にある絶縁層を備え、
前記抵抗素子の抵抗値は、前記第1の強磁性層の磁化が前記第2の強磁性層の磁化に対して逆平行であるとき高状態に設定され、前記第1の強磁性層の磁化が前記第2の強磁性層の磁化に対して平行であるとき低状態に設定される
請求項7記載の集積回路装置。 - 前記抵抗素子は、過剰な電圧を前記磁気トンネル接合層の前記抵抗素子に印加することにより短絡されることが可能である請求項7記載の集積回路装置。
- 前記キャパシタが、MGIレベルに形成された頂部電極と、金属局部相互接続レベルに形成された底部電極と、前記頂部電極と前記底部電極との間に形成された誘電体層とを備える請求項4記載の集積回路装置。
- 前記キャパシタは、金属局部相互接続レベルに形成された頂部電極と、磁気トンネル接合層の底部電極に形成された底部電極と、前記頂部電極と前記底部電極との間に形成された誘電体層とを備える請求項4記載の集積回路装置。
- 前記キャパシタは、磁気トンネル接合層MMTJレベルの底部電極に形成された頂部電極と、金属デジタル・ライン・レベルに形成された底部電極と、前記頂部電極と前記底部電極との間に結合された誘電体層とを備える請求項4記載の集積回路装置。
- 集積回路装置を形成する方法であって、
前記集積回路装置のフロント・エンド層上に少なくとも1つの電力構成要素を形成するステップと、
前記集積回路装置の前記フロント・エンド層上にMRAM回路を形成するステップと、
前記集積回路装置のバック・エンド層上にMRAMセルを形成するステップと、
前記MRAMセルのフィーチャーが見つけられるバック・エンド層に形成されたフィーチャーを有する受動デバイスを前記バック・エンド層上に形成するステップと
を備える方法。 - バック・エンド層上に受動デバイスを形成する前記ステップが更に、その上に前記MRAMセルのフィーチャーが製作されるバック・エンド層上に、少なくとも1つの抵抗素子を備える抵抗を形成するステップを備える請求項13記載の方法。
- バック・エンド層上に受動デバイスを形成する前記ステップが更に、キャパシタを形成するステップを備え、前記キャパシタが、前記バック・エンド層上に形成された頂部電極と底部電極と、前記頂部電極と前記底部電極との間の誘電体とを備え、前記キャパシタが見つけられる前記バック・エンド層のうちの少なくとも1つのバック・エンド層が、前記MRAMセルのフィーチャーと関連付けられている請求項13記載の方法。
- 抵抗を形成する前記ステップが更に、磁気トンネル接合層上に形成された抵抗素子を備える抵抗を形成するステップを備え、
前記抵抗素子が、第1の強磁性層と、第2の強磁性層と、これら2つの強磁性層の間にある絶縁層とを備え、
前記抵抗素子の抵抗値は、前記第1の強磁性層の磁化が前記第2の強磁性層の磁化に対して逆平行であるとき高状態に設定され、前記第1の強磁性層の磁化が前記第2の強磁性層の磁化に対して平行であるとき低状態に設定されることが可能である
請求項14記載の方法。 - 抵抗を形成する前記ステップが更に、或る抵抗値を有する抵抗を形成するステップを備え、前記抵抗が、複数の抵抗素子を備え、前記複数の抵抗素子の一部分が、磁気トンネル接合層上に形成された抵抗素子を備え、前記複数の抵抗素子の前記一部分の少なくとも1つが、短絡されて、前記抵抗の抵抗値を変えることが可能である
請求項14記載の方法。 - 集積回路装置であって、
基板と、
前記基板の上に形成された複数の第1のフロント・エンド層と、
前記複数の第1のフロント・エンド層に少なくとも部分的に形成されたMRAM制御回路と、
前記複数のフロント・エンド層に形成された1又はそれより多い電力構成要素と、
前記フロント・エンド層の上に形成された複数のバック・エンド層と、
前記複数のバック・エンド層に形成された磁気ランダム・アクセス・メモリ(「MRAM」)セルとを備え、
前記MRAMセルは、前記MRAM制御回路に結合され、
前記MRAMセルが、
少なくとも1つのデジット・ラインと、
少なくとも1つのビット・ラインと、
前記少なくとも1つのデジット・ラインと前記少なくとも1つのビット・ラインとの間に結合された磁気トンネル接合コアとを備え、
前記集積回路装置が更に、複数のバック・エンド層に形成された少なくとも1つの受動デバイスを備え、
前記受動デバイスの少なくとも一部分が、前記MRAMセルの少なくとも一部分が製作されるとき製作される、集積回路装置。 - 前記受動デバイスが抵抗である請求項18記載の集積回路装置。
- 前記受動デバイスがキャパシタである請求項18記載の集積回路装置。
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