JP2009290098A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiC基板1上に化合物半導体領域2を形成し、その後、化合物半導体領域2上にゲート電極4g、ソース電極4s及びドレイン電極4dを形成し、更に、化合物半導体領域2上にソース電極4sに接続されるAu膜10を形成する。次に、SiC基板1の裏面にレーザビームを照射して、SiC基板1、化合物半導体領域2及びAu層を貫通するバイアホール21を形成する。次に、バイアホール21の側面及びSiC基板1の裏面にわたってビア配線14を形成する。次に、バイアホール21内に溶融金属滴32を充填し凝固させることにより、導通ビアを形成する。そして、溶融金属滴32を充填する際に、SiC基板1を溶融金属滴32に対して相対的に振動させる。
【選択図】図1K
Description
2:化合物半導体領域
3:素子分離領域
4d:ドレイン電極
4g:ゲート電極
4s:ソース電極
10:Au層
14:ビア配線
21:バイアホール
31:ステージ
32:溶融金属滴
32a:導通ビア
Claims (6)
- 基板上に化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層上にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、及び前記ソース電極に接続される金属層を形成する工程と、
前記基板の裏面にレーザビームを照射して、前記基板及び化合物半導体層を貫通し、少なくとも前記金属層の一部を露出するバイアホールを形成する工程と、
前記バイアホール内に溶融金属を充填し凝固させることにより、導通ビアを形成する工程と、
を有し、
前記溶融金属を充填する際に、前記基板を前記溶融金属に対して相対的に振動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記バイアホールを形成する工程において、前記金属層を貫通する前記バイアホールを形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザビームを前記裏面に垂直な方向に対して傾斜した方向から照射することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記傾斜の角度を10°以上とすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バイアホールを形成する工程と前記導通ビアを形成する工程との間に、前記バイアホールの側面及び前記基板の裏面にビア配線を形成する工程を有することを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に形成された化合物半導体層と、
前記化合物半導体層上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
前記化合物半導体層上に形成され前記ソース電極に接続された金属層と、
前記基板、化合物半導体層及び金属層を貫通するバイアホールと、
前記バイアホールの側面及び前記基板の裏面に形成されたビア配線と、
前記バイアホール内に充填された導通ビアと、
を有し、
前記バイアホールは、前記基板の裏面から前記基板の表面に向かって径が小さくなる形状であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009290098A true JP2009290098A (ja) | 2009-12-10 |
JP5386854B2 JP5386854B2 (ja) | 2014-01-15 |
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JP (1) | JP5386854B2 (ja) |
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