JP2009283732A - 回路基板及び電子装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】回路基板の生産歩留まりを向上させ、安定した動作が可能な回路基板及び電子装置を提供すること。
【解決手段】一主面に冷媒流路となるべき第1の凹部1aを有する誘電体基板1と、前記第1の凹部を覆うように、前記誘電体基板の一主面に設けられた第1の金属板2と、を具備した回路基板。前記誘電体基板の他主面に第2の金属板3をさらに有することが好ましい。前記第1の金属板は、電子素子4が搭載されるべき搭載部と、前記電子素子と電気的に接続された回路部とを有するものであることが好ましい。前記誘電体基板は、前記搭載部と前記回路部との間に突出する凸部、又は第2の凹部を有することが好ましい。
【選択図】図1
【解決手段】一主面に冷媒流路となるべき第1の凹部1aを有する誘電体基板1と、前記第1の凹部を覆うように、前記誘電体基板の一主面に設けられた第1の金属板2と、を具備した回路基板。前記誘電体基板の他主面に第2の金属板3をさらに有することが好ましい。前記第1の金属板は、電子素子4が搭載されるべき搭載部と、前記電子素子と電気的に接続された回路部とを有するものであることが好ましい。前記誘電体基板は、前記搭載部と前記回路部との間に突出する凸部、又は第2の凹部を有することが好ましい。
【選択図】図1
Description
本発明は、回路基板及び電子装置に関するものである。
従来の半導体装置の概略図を図6に示す。図6に示す半導体装置200は、セラミック絶縁体101と、上記セラミック絶縁体101の一の面に接合され、上記セラミック絶縁体101との間に液体の流れる空間101aを形成する凸形状を有する第1の金属部材102aと、を具備したものである(例えば、特許文献1参照)。
特開平7−130925号公報
しかしながら、従来の半導体装置では、第1の金属部材上に半導体素子を取付ける場合や、半導体装置の動作時に、第1の金属部材が加熱され、第1の金属部材がセラミック絶縁体から剥離するおそれがあった。
そこで、回路基板の生産歩留まりを向上し、安定した動作が可能な回路基板及び電子装置が望まれていた。
本発明の実施形態にかかる回路基板は、一主面に冷媒流路となるべき第1の凹部を有する誘電体基板と、前記第1の凹部を覆うように、前記誘電体基板の一主面に設けられた第1の金属板と、を具備した。
また、本発明の実施形態にかかる電子装置は、前記回路基板と、前記第1の金属板の前記搭載部上に取着された電子素子と、を具備した。
本発明の実施形態にかかる回路基板は、一主面に冷媒流路となるべき第1の凹部を有する誘電体基板と、前記第1の凹部を覆うように、前記誘電体基板の一主面に設けられた第1の金属板と、を具備したことから、第1の金属板の剛性により、第1の金属板の変形を抑制し、以って誘電体基板から第1の金属板の剥離を抑制することができる。
また、本発明の実施形態にかかる電子装置は、前記回路基板を備えることから、第1の金属板の剥離を抑制できるため、安定した動作が可能なものとなる。
以下、本発明の実施形態にかかる電子装置100を添付図面に基づき説明する。
図1は、本実施形態にかかる電子装置100の斜視図である。
図1に示す電子装置100は、一主面に冷媒流路となるべき第1の凹部1aを有する誘電体基板1と、第1の凹部1aを覆うように、誘電体基板1の一主面に設けられた第1の金属板2と、を具備する回路基板10を有する。また、第1の金属板2には、電子素子4が取着されている。
ここで、冷媒流路1aは、誘電体基板1に設けられた第1の凹部1aと、第1の金属板2とを有する。本実施形態では、誘電体基板1に第1の凹部1aを有するため、従来の半導体装置と同じ流路面積の場合、金属と冷媒とが接する領域が従来のものよりも小さいものとなる。それゆえ、冷媒に起因する金属の腐食を抑制し、以って電子装置100の安定動作を提供することができる。
また、第1の金属板2に冷媒流路形成のための凹凸を設けなくともよい。それゆえ、第1の金属板2の剛性を維持できるため、第1の金属板2の変形を抑制し、以って誘電体基板1から第1の金属板2の剥離を抑制することができる。
以上のように、本実施形態にかかる電子装置100によれば、第1の金属板2の腐食や剥離を抑制できるため、安定した動作が可能なものとなる。
以下、本実施形態にかかる回路基板10について、各構成要素に分けて詳細に説明する。
<回路基板>
(誘電体基板)
誘電体基板1は、冷媒流路となるべき第1の凹部1aを有する。
<回路基板>
(誘電体基板)
誘電体基板1は、冷媒流路となるべき第1の凹部1aを有する。
誘電体基板1を構成する材料としては、酸化アルミニウム(Al2O3)質焼結体、ムライト(3Al2O3・2SiO2)質焼結体、炭化珪素(SiC)質焼結体、窒化アルミニウム(AlN)質焼結体、窒化珪素(Si3N4)質焼結体、ガラスセラミックス等のセラミック材料、又はポリイミド等の高耐熱の樹脂材料等の絶縁材料を用いることもできる。
誘電体基板1は、セラミック材料からなる場合、樹脂材料等の絶縁材料と比較して、剛性や耐熱性、腐食性に優れる。また、セラミック材料は、樹脂材料よりも剛性に優れることから、従来よりも高圧力で冷媒を流路に供給した場合であっても、当該水圧で誘電体基板1が変形することを抑制でき、以って、後述する第1の金属板2、第2の金属板3との接合信頼性を高めることができる。
反対に、誘電体基板1は、樹脂材料等の絶縁材料からなる場合、セラミック材料と比較して比重が小さいため、装置の軽量化が容易となる。
上記誘電体基板1の製造方法は、従来周知の製造方法を用いることができる。
また、誘電体基板1に第1の凹部1aを形成するためには、スライシングやダイシングのブレードで溝状に第1の凹部1aを形成したり、レーザやブラスト,エッチングで第1の凹部1aを形成したりする方法を用いることができる。
スライシングやダイシングのブレードで溝状に第1の凹部1aを形成する場合は、プレス焼成加工の場合と比較して、凹部の寸法形成精度が高いという点で優れる。
また、レーザ加工の一例としては、従来周知のYAGレーザや炭酸ガスレーザ等を用いることができる。この場合、ブラスト加工、エッチング加工よりも、第1の凹部1aの寸法精度を高め、且つ冷媒流路の自由度を高めることができる。
さらに、第1の凹部1aの内周表面にメッキを施すことが好ましい。この場合、基板表面より第1の凹部1aの表面粗さを小さくすれば、第1の凹部1aを流れる冷媒に加わる抵抗を低減できる。
メッキとして具体的には、無電解Ni、無電解Ni+Au等を用いることができる。無電解Ni+Auメッキの場合は、無電解Niメッキと比べて、表面粗さをより微細化することが出来る点で好ましい。
誘電体基板1の破壊靭性強度は、5MPa以上であることが好ましい。5MPa以上とすることにより、第1の金属又は第2の金属と誘電体基板1との熱膨張係数差に起因した回路基板10の疲労破壊を抑制できる。また、誘電体基板1でネジ止め固定した場合であっても、誘電体基板1に亀裂が生じることを抑制できる。
それゆえ、回路基板10に大電流を流した場合であっても、亀裂等が生じる箇所を低減できるため、以って短絡電流等を抑制した回路基板10を提供することができる。
なお、誘電体基板1の上記破壊靭性強度は、インシトロンジャパンカンパニイリミテッド社製・エンビロメンタル強度試験機8562型装置により測定することが可能である。
回路基板10の破壊靱性強度を測定するためには、まずJIS R 1607ファインセラミックスの破壊靭性試験方法に基づき、試験片を製作する。次にJIS R1607のIF法(Indentation Fracture Method)に従い、所定の試験治具を用いて測定を実施する。最後に、JIS R 1607に従い、測定にて得られた値を計算する。
以上のようにして、本実施形態にかかる誘電体基板1の破壊靭性強度を測定することができる。
(第1の金属板)
第1の金属板2は、例えば、銀、銅、又はアルミニウム等の導電体材料を用いることができる。特に、第1の金属板2として銅板を用いた場合には、銀板よりも低コストで、また、電気伝導率がアルミニウムよりも高いことから好適に第1の金属板2として利用することができる。
(第1の金属板)
第1の金属板2は、例えば、銀、銅、又はアルミニウム等の導電体材料を用いることができる。特に、第1の金属板2として銅板を用いた場合には、銀板よりも低コストで、また、電気伝導率がアルミニウムよりも高いことから好適に第1の金属板2として利用することができる。
第1の金属板2は、第1の凹部1aを覆うように、誘電体基板1の一主面に設けられるものである。
第1の凹部1aの直上に位置する第1の金属板2の下面は、誘電体基板1の第1の凹部1aに設けられたメッキと同一のメッキが施されていることが好ましい。この場合、単に第1の金属板2の腐食抑制を得られるだけではなく、冷媒流路を冷媒が流れる際に、冷媒流路の上部と下部とで潤滑性の差異を抑制できる。それゆえ、安定した冷媒の供給、排出を行うことができる。
冷媒流路は、誘電体基板1に設けられた第1の凹部1aと、この第1の凹部1aを覆う第1の金属板2とを具備する。
第1の金属板2は、後述する電子素子4が搭載されるべき搭載部2aと、電子素子4と電気的に接続された回路部2bとを有することが好ましい。この場合、電子素子4と回路部2bとがボンディングワイヤ等の接続手段で電気的に接続されるため、仮に回路部2bで局所的に発熱等が生じた場合であっても、搭載部2aと回路部2bとが接続されているため、安定して回路基板10全体を冷却することができる。
誘電体基板1と第1の金属板2との接合方法は、活性金属法や、Mo−Mn法を用いることができる。すなわち、まず、誘電体基板1にチタン等の活性金属を含む化合物層(メタライズ層)を形成する。次いで、活性金属層と第1の金属板2との間にロウ材を設ける。
最後に、当該ロウ材を熱処理により溶融させて活性金属層と第1の金属板2とを接合する。
最後に、当該ロウ材を熱処理により溶融させて活性金属層と第1の金属板2とを接合する。
活性金属法は、Mo−Mn法と比較して、工法が容易、且つ、接続層を薄くできるため第1の金属板2と誘電体基板1との熱伝導を容易となるため好ましい。
(第2の金属板)
第2の金属板3は、誘電体基板1の他主面に設けられるものである。
(第2の金属板)
第2の金属板3は、誘電体基板1の他主面に設けられるものである。
第2の金属板3の材料は、第1の金属板2と同様の材料を用いることができる。
誘電体基板1と第2の金属板3との接合方法は、従来周知の活性金属法や、Mo−Mn法を用いることができる。
第2の金属板3は、第1の金属板2と比較して同一寸法とすることで、誘電体基板1の表裏における熱膨張のバランスをとり易く、接合信頼性が向上する点で好ましい。
また、第2の金属板3は、第1の金属板2と比較して面積を大きくした場合は、第2の金属板厚みより薄くすることが接合信頼性を向上させる点で好ましい。
(変形例)
以下、変形例について添付図面に基づき説明する。
(変形例)
以下、変形例について添付図面に基づき説明する。
第1変形例の回路基板10を図3に示す。
第1変形例と本実施形態との相違点は、冷媒流路1aの形状である。すなわち、第1変形例に示す回路基板10では、その冷媒流路1aの形状が、第1の凹部1aの底部から第1の金属に向かって広がるものである。
第1変形例は、冷媒流路の断面積が、図2に示す実施形態と同一である場合、図2に示す実施形態よりも、冷媒流路1aの底面と側壁面のなす角度が大きいので底面と側壁面のコーナー部に加わる応力が小さくなり、コーナー部にクラックが生じることを抑制できる。
なお、第1変形例に示す冷媒流路1aの形状は、誘電体基板1をブラスト処理することにより容易に形成できるため、回路基板10の大量生産に適する。また、ブラストにより形成した冷媒流路1aは各コーナー部にRが形成されるため、誘電体基板1の冷媒流路1aの角部に応力が集中しにくいので好ましい。
次に、第2変形例の回路基板10を図4(a)、図4(b)に示す。
第2変形例と本実施形態との相違点は、誘電体基板1の形状である。すなわち、誘電体基板1に、搭載部2aと回路部2bとの間に突出する凸部1b、又は第2の凹部1cを有するものである。
この場合、図4(a)のように、搭載部2aと回路部2bとの間に突出する凸部1bがある場合は、空間距離が向上するため、回路基板10の絶縁性を向上させることができる。また、図4(b)のように、搭載部2aと回路部2bとの間に第2の凹部1cがある場合は、沿面距離が向上するため、回路基板10の絶縁性を向上させることができる。
最後に、第3変形例の回路基板10を図5に示す。
第3変形例と本実施形態との相違点は、冷媒流路の形成部位である。すなわち、凹部の形状は、溝状であり、搭載部2aの周囲を囲うように配されてなることから、搭載部2aから回路部2bへ誘電体基板1を介して熱伝導することを抑制できる。それゆえ、回路部2bにおける熱抵抗を低減し、以って、電力損失を抑制した回路基板10とすることができる。
また、凹部の形状は、平面視して螺旋状に配されることが好ましく、電子素子4の過冷却を抑制できるため、安定した電子素子4の冷却を提供することができる回路基板10とすることができる。
さらに、誘電体基板1は、一主面又は側面に、冷媒を供給するための供給口5と、該冷媒を排出するための排出口6とを有することが好ましく、回路基板10や電子装置100を外部回路基板等(不図示)に取り付けた後に、作業性良く冷媒流路に冷媒を供給することができる。また、当該構成によれば、回路基板10への冷媒供給パイプ(不図示)又は冷媒排出パイプ(不図示)の取り付け、取り外し等が容易であるため、回路基板10のメンテナンス等も容易に行うことができる。
<電子装置>
(電子素子)
電子素子4は、IC、LSI、半導体レーザ(LD)、フォトダイオード(PD)等である。
<電子装置>
(電子素子)
電子素子4は、IC、LSI、半導体レーザ(LD)、フォトダイオード(PD)等である。
特に、電子素子4として、SiC半導体を用いた場合は、回路基板10には、高電圧が印加され、当然、電子素子4の発熱も高いものとなる。本実施形態によれば、冷却媒体により発熱を抑制できるため、電子素子4の動作を一層安定したものとできる。
なお、電子素子4に30A以上の電流が流れる場合、本実施形態にかかる電子装置100は特に有効である。すなわち、30A以上の電流が電子素子4に流れ、電子素子4が発熱した場合であっても、外部への熱放散を良好なものにできる。それゆえ、さらに安定した電子素子4の動作を得ることができる。
1・・・・・誘電体基板
1a・・・第1の凹部
1b・・・凸部
1c・・・第2の凹部
2・・・・・第1の金属板
2a・・・搭載部
2b・・・回路部
3・・・・・第2の金属板
4・・・・・電子素子
5・・・・・供給口
6・・・・・排出口
10・・・・回路基板
100・・・電子装置
1a・・・第1の凹部
1b・・・凸部
1c・・・第2の凹部
2・・・・・第1の金属板
2a・・・搭載部
2b・・・回路部
3・・・・・第2の金属板
4・・・・・電子素子
5・・・・・供給口
6・・・・・排出口
10・・・・回路基板
100・・・電子装置
Claims (10)
- 一主面に冷媒流路となるべき第1の凹部を有する誘電体基板と、
前記第1の凹部を覆うように、前記誘電体基板の一主面に設けられた第1の金属板と、
を具備した回路基板。 - 前記誘電体基板の他主面に第2の金属板をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の回路基板。
- 前記第1の金属板は、電子素子が搭載されるべき搭載部と、前記電子素子と電気的に接続された回路部とを有するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の回路基板。
- 前記誘電体基板は、前記搭載部と前記回路部との間に突出する凸部、又は第2の凹部を有することを特徴とする請求項3に記載の回路基板。
- 前記第1の凹部は、前記搭載部の直下に設けられてなることを特徴とする請求項3に記載の回路基板。
- 前記第1の凹部の形状は、前記第1の凹部の底部から前記第1の金属に向かって広がるものであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の回路基板。
- 前記第1の凹部の形状は、溝状であり、前記搭載部の周囲を囲うように配されてなることを特徴とする請求項3に記載の回路基板。
- 前記第1の凹部の形状は、平面視して螺旋状に配されることを特徴とする請求項7に記載の回路基板。
- 前記誘電体基板は、前記一主面又は側面に、前記冷媒を供給するための供給口と、該冷媒を排出するための排出口とを有することを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の回路基板。
- 請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の回路基板と、
前記第1の金属板の前記搭載部上に取着された電子素子と、
を具備した電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008134925A JP2009283732A (ja) | 2008-05-23 | 2008-05-23 | 回路基板及び電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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JP2009283732A true JP2009283732A (ja) | 2009-12-03 |
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ID=41453870
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Country Status (1)
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JP (1) | JP2009283732A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016171343A (ja) * | 2011-07-28 | 2016-09-23 | 京セラ株式会社 | 流路部材、これを用いた熱交換器および電子部品装置ならびに半導体製造装置 |
DE102020115091A1 (de) | 2020-06-05 | 2021-12-09 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Element zur Kühlung elektronischer Komponenten |
-
2008
- 2008-05-23 JP JP2008134925A patent/JP2009283732A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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