DE102020115091A1 - Element zur Kühlung elektronischer Komponenten - Google Patents

Element zur Kühlung elektronischer Komponenten Download PDF

Info

Publication number
DE102020115091A1
DE102020115091A1 DE102020115091.1A DE102020115091A DE102020115091A1 DE 102020115091 A1 DE102020115091 A1 DE 102020115091A1 DE 102020115091 A DE102020115091 A DE 102020115091A DE 102020115091 A1 DE102020115091 A1 DE 102020115091A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductive layer
electrically conductive
substrate
cooling
electronic components
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102020115091.1A
Other languages
English (en)
Inventor
Klaus Olesen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SEMIKRON DANFOSS GMBH, DE
Original Assignee
Danfoss Silicon Power GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Danfoss Silicon Power GmbH filed Critical Danfoss Silicon Power GmbH
Priority to DE102020115091.1A priority Critical patent/DE102020115091A1/de
Publication of DE102020115091A1 publication Critical patent/DE102020115091A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Ein Element (2) zur Kühlung eines oder mehrerer elektronischer Komponenten (4), wobei das Element (2) offenbart ist. Das Element (2) umfasst:- ein elektrisch isolierendes Substrat (14);- eine erste elektrisch leitende Schicht (12), die auf einer ersten Seite des Substrats (14) angebracht ist;- einen elektrisch und thermisch leitenden Deckel (6), der an der Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht (12) angebracht ist, die der Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht (12) gegenüberliegt, die an dem Substrat (14) angebracht ist;- eine oder mehrere elektronische Komponenten (4), die auf der Seite des Deckels (6) angebracht sind, die der Seite des Deckels (6) gegenüberliegt, die an der ersten elektrisch leitenden Schicht (12) angebracht ist. In der ersten elektrisch leitenden Schicht (12) ist mindestens ein Kühlkanal (18, 18', 18") vorgesehen.

Description

  • Bereich der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Element zur Kühlung elektronischer Komponenten. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein elektronisches Gerät, das durch eine Zweiphasenkühlanordnung gekühlt wird, die ein elektrisch isolierendes Kältemittel umfasst, wobei der Verdampfer nahe an den wärmeerzeugenden elektronischen Komponenten angeordnet ist. Die vorliegende Erfindung bezieht sich ferner auf ein durch eine Zweiphasenkühlanordnung gekühltes Leistungsmodul.
  • Stand der Technik
  • Die Zweiphasenkühlung ist eine äußerst effiziente Technologie, die für die Abführung von Wärme aus Wärmequellen entwickelt und eingesetzt wird. Da die latente Wärme für ein typisches Kältemittel groß ist, ist es möglich, auch bei relativ kleinen Masseströmen eine große Wärmeabfuhr zu erreichen, wenn das Kältemittel seine Phase von Flüssigkeit zu Dampf ändert.
  • Typischerweise erfolgt die Zweiphasenkühlung der Leistungselektronik, indem ein Kältemittel durch eine kalte Platte gepumpt wird, auf der die Leistungsmodule befestigt sind. Zwischen dem Leistungsmodul und der kalten Platte ist ein thermisches Interfacematerial erforderlich. Solche Materialien, die in Form von Epoxiden, Fetten, Pasten oder Blättern vorliegen können, werden zur Unterstützung der Wärmeleitung zwischen den Oberflächen in einem Wärmepfad verwendet. Allerdings reduzieren thermische Interfacematerialien jedoch oft die thermische Leistung erheblich, da sie unvollkommene Wärmeleiter sind. Ihr stationärer Wärmewiderstand ist daher groß, und die transiente thermische Impedanz des Pfades ist ebenfalls groß, mit langen thermischen Zeitkonstanten.
  • In manchen Fällen ist ein Kühlsystem mit einer langen thermischen Zeitkonstante von Vorteil, z. B. bei Anwendungen, in denen es keine starken Laständerungen über kurze Zeiträume gibt.
  • Eine große Zeitkonstante gibt dann Zeit zum Reagieren, wenn z. B. die Kühlung plötzlich ausfällt.
  • Andererseits sind in einer typischen Automobil-Antriebsanwendung mit schnellen Lastwechseln kurze Zeitkonstanten vorteilhaft, da die Temperaturschwankungen reduziert werden können und dadurch eine höhere Strombelastbarkeit gewährleistet wird.
  • Dementsprechend ist es vorteilhaft, die Kühlung so nah wie möglich an der Wärmequelle vorzusehen. Die resultierende thermische Zeitkonstante wird recht klein, was ein Vorteil zur Reduzierung schneller Temperaturzyklen ist. Die fehlende thermische Masse macht das System jedoch sehr empfindlich gegenüber einigen externen Faktoren, wie z. B. Kühlungsverlust. Um dieses Problem zu lösen, kann eine große thermische Masse unter dem Kühler platziert werden. In diesem Fall befindet sich die hocheffiziente Kühlung immer noch direkt unter der Wärmequelle und die zusätzliche thermische Masse ist unterhalb des Kühlers positioniert.
  • In einem Form-Modul nach dem Stand der Technik, das über ein thermisches Interfacematerial in Kontakt mit einer kalten Platte steht, werden die Halbleiterkomponenten typischerweise auf der Oberseite eines Direkt- Kupfer-Bonding (DCB)-Substrats montiert.
  • Dementsprechend muss die von den Halbleiterbauelementen erzeugte Wärme durch die obere Metallschicht, die Isolierung, die untere Metallschicht des DCB und das thermische Interfacematerial in die kalte Platte gelangen, die durch ein Kühlmittel gekühlt wird oder zumindest in der Lage ist, die Wärme des Moduls ohne nennenswerte Temperaturerhöhung aufzunehmen.
  • Im Stand der Technik wird die Kühlung fast immer weit entfernt von der Wärmequelle aufgebaut; der thermische Stapel ist kompliziert und der thermische Weg ist lang. Dies führt zu einer schlechten Kühlung. Bei den derzeit besten Lösungen sind die Kühlkanäle nahe an der Wärmequelle platziert, z. B. durch eine kalte Platte direkt unter dem Leistungsmodul.
  • Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Element zur Kühlung elektronischer Komponenten bereitzustellen, das in der Lage ist, eine verbesserte Kühlleistung zu erbringen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Der Zweck der vorliegenden Erfindung kann durch ein Element zur Kühlung elektronischer Komponenten gemäß Anspruch 1 und durch ein Verfahren gemäß Anspruch 9 erreicht werden. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Unteransprüchen definiert, in der nachfolgenden Beschreibung erläutert und in den beigefügten Zeichnungen dargestellt.
  • Das erfindungsgemäße Element ist ein Element zur Kühlung eines oder mehrerer elektronischer Komponenten, wobei das Element umfasst:
    • - ein elektrisch isolierendes Substrat;
    • - eine erste elektrisch leitende Schicht, die auf einer ersten Seite des Substrats angebracht ist;
    • - einen elektrisch und thermisch leitenden Deckel, der an der Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht angebracht ist, die der Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht gegenüberliegt, die an dem Substrat angebracht ist;
    • - eine oder mehrere elektronische Komponenten, die an der Seite des Deckels angebracht sind, die der Seite des Deckels gegenüberliegt, die an der ersten elektrisch leitenden Schicht angebracht ist, wobei mindestens ein Kühlkanal in der ersten elektrisch leitenden Schicht vorgesehen ist.
  • Hierdurch ist es möglich, die Länge des thermischen Pfades von den elektronischen Komponenten zum Kühlmittel zu reduzieren. Auf diese Weise ist es möglich, eine verbesserte Kühlleistung zu erreichen.
  • Das erfindungsgemäße Element ist ein Element zur Kühlung eines oder mehrerer elektronischer Komponenten, die Wärme erzeugen. Der Bedarf an Kühlung steigt im Allgemeinen mit zunehmender Leistungsaufnahme. Bei dem einen oder den mehreren elektronischen Komponenten kann es sich um Leistungskomponenten wie z. B. Schaltgeräte (Dioden, Thyristoren und Leistungstransistoren wie z. B. der Leistungs-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, MOSFET, und der Insulated-Gate-Bipolar-Transistor, IGBT) und Gleichrichter handeln.
  • Das Element umfasst ein elektrisch isolierendes Substrat. In einer Ausführungsform ist das Substrat eine isolierende Schicht aus keramischem Material wie Aluminiumoxid (Al2O3).
  • In einer Ausführungsform ist das Substrat eine isolierende Schicht aus Berylliumoxid (BeO).
  • In einer Ausführungsform ist das Substrat eine Isolierschicht aus Aluminiumnitrid (AIN).
  • In einer Ausführungsform ist das Substrat eine Isolierschicht aus einem organischen Film.
  • In einer Ausführungsform ist das elektrisch isolierende Substrat plattenförmig.
  • Die erste elektrisch leitende Schicht ist auf einer ersten Seite des Substrats angebracht.
  • In einer Ausführungsform ist in der ersten elektrisch leitenden Schicht eine Vielzahl von Kanälen vorgesehen.
  • In einer Ausführungsform erstreckt sich der untere Teil aller Kühlkanäle entlang der gleichen Ebene. In einer Ausführungsform ist diese Ebene in einem Abstand ungleich Null von der Oberseite der ersten elektrisch leitenden Schicht angeordnet, wobei die Oberseite die Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht ist, die dem Deckel zugewandt ist.
  • In einer Ausführungsform verlaufen die Kühlkanäle parallel zu einer Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht.
  • In einer Ausführungsform verlaufen die Kühlkanäle parallel zur Längsachse der ersten elektrisch leitenden Schicht.
  • In einer Ausführungsform verlaufen die Kühlkanäle senkrecht zur Längsachse der ersten elektrisch leitenden Schicht.
  • In einer Ausführungsform ist die erste elektrisch leitende Schicht plattenförmig.
  • Der Deckel ist elektrisch und thermisch leitend und an der Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht angebracht, die der Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht gegenüberliegt, die am Substrat angebracht ist. Das bedeutet, dass der Deckel zwischen dem einen oder den mehreren elektronischen Komponenten und der ersten elektrisch leitenden Schicht eingesetzt ist.
  • Da die eine oder die mehreren elektronischen Komponenten an der Seite des Deckels befestigt sind, die nicht an der ersten elektrisch leitenden Schicht befestigt ist, kann die von der einen oder den mehreren elektronischen Komponenten erzeugte Wärme durch den Deckel in das Kühlmittel übertragen werden, das sich in dem mindestens einen in der ersten elektrisch leitenden Schicht vorgesehenen Kühlkanal befindet. Hierdurch ist es möglich, die Kühleffizienz zu verbessern.
  • In einer Ausführungsform ist die erste elektrisch leitende Schicht aus Metall gefertigt.
  • In einer Ausführungsform ist die erste elektrisch leitende Schicht aus Kupfer gefertigt.
  • In einer Ausführungsform ist die erste elektrisch leitende Schicht aus Aluminium gefertigt.
  • In einer Ausführungsform ist der Deckel plattenförmig. Hierdurch ist es möglich, den Abstand zwischen der einen oder mehreren elektronischen Komponenten und dem Kühlmittel zu minimieren.
  • In einer Ausführungsform ist der Deckel aus Metall gefertigt.
  • In einer Ausführungsform ist der Deckel aus Kupfer gefertigt.
  • In einer Ausführungsform ist der Deckel aus Aluminium gefertigt.
  • Es kann von Vorteil sein, dass die erste elektrisch leitende Schicht, die zweite elektrisch leitende Schicht und das Substrat ein DCB-Substrat bilden.
  • In einer Ausführungsform bilden die erste elektrisch leitende Schicht, die zweite elektrisch leitende Schicht und das Substrat ein DAB-Substrat (Direct Aluminium Bonding).
  • In einer Ausführungsform werden die ein oder mehreren Kanäle durch Ätzen erzeugt.
  • In einer Ausführungsform ist der Deckel durch einen Lötprozess mit der ersten elektrisch leitenden Schicht verbunden.
  • In einer Ausführungsform ist der Deckel durch einen Sinterprozess mit der ersten elektrisch leitenden Schicht verbunden. Beide Verfahren sind praktisch, zuverlässig und im Bereich der Leistungselektronik bekannt.
  • Es kann von Vorteil sein, dass die Kanäle einen Verteiler für die Zirkulation eines Kühlmittels bilden. Hierdurch kann das Kühlmittel durch den Verteiler zirkulieren und dabei Wärme an kältere Bereiche zum Wärmeaustausch abgeben.
  • In einer Ausführungsform sind die Kanäle so angeordnet und gestaltet, dass sie einen Verdampfer für die Zirkulation eines Kältemittels bilden. Dabei können die Kanäle genutzt werden, um das Kältemittel von der flüssigen Form in seine gasförmige Form zu überführen.
  • In einer Ausführungsform ist das Substrat mit einem Einlass und einem Auslass versehen, wobei der Einlass so angeordnet und konfiguriert ist, dass das Kühlmittel durch den Einlass in den Verteiler eintreten kann, wobei der Auslass so angeordnet und konfiguriert ist, dass das Kühlmittel den Verteiler durch den Auslass verlassen kann. Hierdurch ist es möglich, eine praktische und zuverlässige Art und Weise bereitzustellen, das Kühlmittel auf effiziente Weise zu verteilen.
  • In einer Ausführungsform erstreckt sich der Einlass entlang einer ersten Seite des Deckels, wobei sich der Auslass entlang einer zweiten, gegenüberliegenden Seite des Deckels erstreckt. Diese Konfiguration ermöglicht es, das Kühlmittel über nahezu die gesamte Fläche des Deckels zu verteilen. Dementsprechend ermöglicht sie eine Optimierung der Kühlleistung.
  • In einer Ausführungsform erstreckt sich der Einlass entlang einer ersten Seite des Deckels, wobei sich der Auslass parallel zum Einlass und entlang einer zweiten, gegenüberliegenden Seite des Deckels erstreckt, wobei sich eine Vielzahl von Kanälen zwischen dem Einlass und dem Auslass erstreckt. Hierdurch ist es möglich, eine gleichmäßige Kühlung über die gesamte Fläche des Deckels bereitzustellen.
  • Es kann vorteilhaft sein, dass der Einlass eine langgestreckte Geometrie hat.
  • In einer Ausführungsform hat der Einlass eine im Wesentlichen rechteckige Form.
  • Es kann von Vorteil sein, dass sich der Einlass im Wesentlichen über die gesamte Länge einer ersten Seite des Deckels erstreckt.
  • In einer Ausführungsform erstreckt sich der Einlass über mindestens 90 % der gesamten Länge einer ersten Seite des Deckels.
  • Es kann vorteilhaft sein, dass der Auslass eine langgestreckte Geometrie hat.
  • In einer Ausführungsform hat der Auslass eine im Wesentlichen rechteckige Form.
  • Es kann von Vorteil sein, dass sich der Auslass im Wesentlichen über die gesamte Länge einer zweiten Seite des Deckels erstreckt.
  • In einer Ausführungsform erstreckt sich der Auslass über mindestens 90 % der gesamten Länge einer ersten Seite des Deckels.
  • Es kann von Vorteil sein, dass der Auslass parallel zum Einlass verläuft.
  • In einer Ausführungsform erstreckt sich die Mehrzahl der Kanäle parallel zueinander.
  • In einer Ausführungsform haben die Kanäle die gleiche Geometrie.
  • Es kann vorteilhaft sein, wenn ein Halbleiter-Leistungsmodul ein erfindungsgemäßes Element umfasst. Hierdurch kann das Risiko eines Ausfalls des Leistungsmoduls, das durch die im Leistungsmodul auftretenden Temperaturschwankungen verursacht wird, reduziert werden. Ungünstige Temperaturschwankungen werden hauptsächlich durch die schwankende Belastung des Leistungsmoduls oder durch Temperaturschwankungen in der Umgebung verursacht. Die Temperaturschwankungen können potenziell zu Ausfallmechanismen wie Bonddrahtabhebungen oder Lötrissen führen. In einem Halbleiter-Leistungsmodul mit einem erfindungsgemäßen Element kann die Länge des thermischen Pfades von den elektronischen Halbleiterbauelementen zum Kühlmittel reduziert werden. Dadurch erhält das Halbleiter-Leistungsmodul eine verbesserte Kühlfähigkeit. Das Halbleiter-Leistungsmodul kann z. B. ein zweiphasig gekühltes Leistungsmodul für einen Automobilantrieb sein. Alternativ kann das Halbleiter-Leistungsmodul durch den Durchfluss einer Kühlflüssigkeit gekühlt werden, die keinen Phasenwechsel durchläuft (einphasiges Kühlsystem).
  • Da das Kühlmittel in Kontakt mit dem elektrisch leitenden Deckel steht, auf dem die elektronische Komponente befestigt ist, und auch mit anderen Teilen des Kühlmittelkreislaufs in Kontakt stehen kann, die im Betrieb auf unterschiedlichen elektrischen Potentialen liegen können, kann das Kühlmittel elektrisch isolierend sein.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ist ein Verfahren zum Zusammenbau eines erfindungsgemäßen Elements, wobei das Verfahren den Schritt umfasst:
    • - Bereitstellen eines oder mehrerer Kanäle in der ersten elektrisch leitenden Schicht;
    • - Befestigung einer oder mehrerer elektronischer Komponenten an dem DeckelBefestigung des Deckels an der ersten elektrisch leitenden Schicht.
  • Hierdurch ist es möglich, eine zuverlässige und praktische Art der Herstellung des erfindungsgemäßen Elements bereitzustellen.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt der Bereitstellung einer Vielzahl von Kanälen in der ersten elektrisch leitenden Schicht.
  • In einer Ausführungsform werden die eine oder mehreren elektronischen Komponenten am Deckel befestigt, bevor der Deckel an der ersten elektrisch leitenden Schicht befestigt wird.
  • In einer Ausführungsform wird der Deckel an der ersten elektrisch leitenden Schicht befestigt, bevor die eine oder mehreren elektronischen Komponenten am Deckel befestigt werden.
  • In einer Ausführungsform sind die eine oder mehrere der elektronischen Komponenten Halbleiter.
  • In einer Ausführungsform bildet die erste elektrisch leitende Schicht einen Teil eines DCB-Substrats.
  • In einer Ausführungsform bildet die erste elektrisch leitende Schicht einen Teil eines Direct Aluminium Bonding (DAB)-Substrats.
  • Es kann von Vorteil sein, dass das Verfahren die Schritte des Anbringens der ersten elektrisch leitenden Schicht auf dem Deckel mittels eines Sinterprozesses umfasst.
  • Es kann von Vorteil sein, dass das Verfahren die Schritte des Anbringens der einen oder mehreren elektronischen Komponenten am Deckel mittels eines Sinterprozesses umfasst.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren die Schritte des Anbringens der ersten elektrisch leitenden Schicht am Deckel mittels eines Lötprozesses.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren die Schritte des Anbringens der einen oder mehreren elektronischen Komponenten am Deckel mittels eines Lötprozesses.
  • Es kann vorteilhaft sein, dass das Verfahren gleichzeitig die Schritte des Anbringens der ersten elektrisch leitenden Schicht und der einen oder mehreren elektronischen Komponenten auf dem Deckel umfasst. Hierdurch kann die Fertigungszeit minimiert werden.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren die Schritte des gleichzeitigen Anbringens der ersten elektrisch leitenden Schicht am Deckel mittels eines Lötprozesses.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren die Schritte des gleichzeitigen Anbringen der einen oder mehreren elektronischen Komponenten am Deckel mittels eines Lötprozesses.
  • Figurenliste
  • Die Erfindung wird durch die nachfolgende detaillierte Beschreibung besser verständlich. Die begleitenden Zeichnungen sind nur zur Veranschaulichung gegeben, und somit sind sie nicht einschränkend für die vorliegende Erfindung. In den begleitenden Zeichnungen:
    • 1A zeigt eine Querschnittsansicht eines Elements zur Kühlung elektronischer Komponenten gemäß der Erfindung;
    • 1B zeigt eine Querschnittsansicht eines weiteren Elements zur Kühlung von elektronischen Komponenten gemäß der Erfindung;
    • 1C zeigt eine Querschnittsansicht eines Elements zur Kühlung elektronischer Komponenten gemäß der Erfindung, wobei die Zirkulation eines Kühlmittels angedeutet ist;
    • 2A zeigt eine Querschnittsansicht eines Elements des Standes der Technik zur Kühlung elektronischer Komponenten;
    • 2B zeigt eine Querschnittsansicht eines Elements zur Kühlung von elektronischen Komponenten gemäß der Erfindung, wobei die Zirkulation eines Kühlmittels angedeutet ist;
    • 3A zeigt eine Explosionsdarstellung eines Elements zur Kühlung elektronischer Komponenten gemäß der Erfindung;
    • 3B zeigt, wie die Komponenten des in 3A gezeigten Elements zusammengebaut werden;
    • 3C zeigt das in 3A und 3B gezeigte Element in einer zusammengebauten Konfiguration;
    • 4 zeigt eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Leistungsmoduls mit einem erfindungsgemäßen Element und einem Formgehäuse und
    • 5 zeigt ein Flussdiagramm zur Veranschaulichung eines Verfahrens zum Zusammenbau eines Elements gemäß der Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen zur Veranschaulichung bevorzugter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist in 1A ein Element 2 zur Kühlung elektronischer Komponenten gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt.
  • 1A zeigt eine Querschnittsansicht eines Elements 2 zur Kühlung elektronischer Komponenten gemäß der Erfindung. Das Element 2 umfasst ein elektrisch isolierendes Substrat 14, das einen rechteckigen Querschnitt aufweist.
  • Auf einer ersten Seite des Substrats 14 ist eine erste elektrisch leitende Schicht 12 angebracht, die mit einer Vielzahl von Kühlkanälen 18, 18', 18" versehen ist. Die Kühlkanäle 18, 18', 18" verlaufen parallel zueinander und sind gleich geformt. In einer anderen Ausführungsform kann die Geometrie der Kühlkanäle 18, 18', 18" jedoch davon abweichen.
  • Ein elektrisch und thermisch leitender Deckel 6 ist an der Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 angebracht, die der Seite gegenüberliegt, die am Substrat 14 befestigt ist. Dementsprechend ist die erste elektrisch leitende Schicht 12 zwischen dem Substrat 14 und dem elektrisch und thermisch leitenden Deckel 6 eingeschlossen. Es ist zu erkennen, dass die Breite W des Deckels 6 groß genug ist, um alle Kühlkanäle 18, 18', 18" vollständig abzudecken.
  • Das Element 2 umfasst eine elektronische Komponente 4, die auf der Seite des Deckels 6 angebracht ist, die der Seite des Deckels 6 gegenüberliegt, die mit der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 verbunden ist. Dementsprechend ist der Deckel 6 zwischen der elektronischen Komponente 4 und der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 eingesetzt. Die elektronische Komponente 4 ist mit dem Deckel 6 durch Verbindungsmittel wie Lot oder Sinter verbunden.
  • Durch das Vorsehen von Kühlkanälen 18, 18', 18" in der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 ist es möglich, die Länge des thermischen Pfades von der elektronischen Komponente 4 zum Kühlmittel in den Kühlkanälen 18, 18', 18" zu reduzieren. Hierdurch kann die Kühlleistung erhöht werden.
  • 1B zeigt eine Querschnittsansicht eines Elements 2 zur Kühlung von elektronischen Komponenten gemäß der Erfindung. Das Element 2 entspricht im Wesentlichen dem in 1A gezeigten. Das elektrisch isolierende Substrat 14 ist jedoch mit einer zweiten (darunter liegenden) elektrisch leitenden Schicht 16 verbunden. Dementsprechend ist das elektrisch isolierende Substrat 14 sandwichartig zwischen der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 und der zweiten elektrisch leitenden Schicht 16 angeordnet.
  • In einer Ausführungsform bilden das elektrisch isolierende Substrat 14, die erste elektrisch leitende Schicht 12 und die zweite elektrisch leitende Schicht 16 ein DCB-Substrat oder ein DAB-Substrat.
  • 1C zeigt eine Querschnittsansicht eines Elements 2 zur Kühlung von elektronischen Komponenten gemäß der Erfindung. Das Element 2 umfasst eine elektronische Komponente 4, die auf einem elektrisch und thermisch leitenden Deckel 6 befestigt ist. Der Deckel 6 ist auf einer ersten elektrisch leitenden Schicht 12 eines DCB-Substrats 10 befestigt. Das DCB-Substrat 10 umfasst ein elektrisch isolierendes Substrat 14, das zwischen der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 und einer zweiten elektrisch leitenden Schicht 16 angeordnet ist.
  • In der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 ist ein Kühlkanal 18 vorgesehen.
  • Ein Kühlmittel 20 tritt durch einen Einlass 34, der sich durch das elektrisch isolierende Substrat 14 und die zweite elektrisch leitende Schicht 16 erstreckt, in den Kühlkanal 18 ein. Es ist zu erkennen, dass das Kühlmittel 20 durch den Einlass 34 in den Kühlkanal 18 eintritt und dass das Kühlmittel 20 durch den Kühlkanal 18 strömt und dabei die von der elektronischen Komponente 4 erzeugte (und durch den Deckel 6 und die Anschlussmittel 8 wie Lot oder Sinter geleitete) Wärme durch Wärmeaustausch abführt.
  • Die elektronische Komponente 4 kann durch den Durchfluss eines Kühlmittels 20 gekühlt werden, das keinen Phasenwechsel durchläuft (wie in einem einphasigen Kühlsystem), oder der Kühlprozess kann einen Phasenwechsel des Kühlmittels 20 innerhalb des Netzwerks von Kanälen 18 nutzen, so dass das Element 2 als Verdampfer in einem zweiphasigen Kühlsystem wirkt. Da die latente Wärme für ein typisches zweiphasiges Kühlmittel groß ist, ist es möglich, eine große Wärmeabfuhr auch bei relativ kleinen Masseströmen zu erreichen, wenn das Kühlmittel seine Phase von Flüssigkeit zu Dampf ändert.
  • Da das Kühlmittel 20 in Kontakt mit dem elektrisch leitenden Deckel 6 steht, auf dem die elektronische Komponente 4 befestigt ist, und auch mit anderen Teilen des Kühlmittelkreislaufs in Kontakt sein kann, die im Betrieb auf unterschiedlichen elektrischen Potentialen liegen können, kann das Kühlmittel 20 mit Vorteil elektrisch isolierend sein.
  • 2A zeigt eine Querschnittsansicht eines Elements 102 aus dem Stand der Technik zur Kühlung elektronischer Komponenten. Das Element 102 umfasst eine elektronische Komponente 4, die mit Hilfe von Verbindungsmitteln 8 (z. B. Lot oder Sinter) an einem DCB-Substrat 10 befestigt ist. Das DCB-Substrat 10 ist mittels eines thermischen Interfacematerials 26 an einer kalten Platte 22 befestigt. Das Element 102 umfasst ein Formgehäuse 28, das die elektronische Komponente 4 und das DCB-Substrat 10 abdeckt. Es ist zu erkennen, dass der Wärmepfad 124 (durch einen Pfeil angedeutet) recht lang ist. Durch das erfindungsgemäße Element (siehe 4) wird die Länge des Wärmeweges 124 erfolgreich reduziert, wodurch die Kühlleistung erhöht wird.
  • 2B zeigt eine Querschnittsansicht eines erfindungsgemäßen Elements 2 zur Kühlung elektronischer Komponenten. Das Element 2 entspricht im Wesentlichen dem in 1C dargestellten Element. Es ist jedoch zu erkennen, dass das Element 2 einen Auslass 36 aufweist, der sich durch das elektrisch isolierende Substrat 14 und die zweite elektrisch leitende Schicht 16 erstreckt. Es ist zu erkennen, dass das Kühlmittel 20 durch den Einlass 34 in den Kühlkanal 18 eintritt und dass das Kühlmittel 20 den Kühlkanal 18 durchströmt und durch den Auslass 36 den Kühlkanal 18 verlässt.
  • 3A zeigt eine Explosionsdarstellung eines Elements 2 zur Kühlung von elektronischen Komponenten gemäß der Erfindung. Das Element 2 umfasst eine einzelne elektronische Komponente 4. In einer Ausführungsform umfasst das Element 2 jedoch eine Vielzahl von elektronischen Komponenten 4.
  • Das Element 2 umfasst ein elektrisch isolierendes Substrat 14, das zur Aufnahme der elektronischen Komponente 4 konfiguriert ist. Das Element 2 umfasst ferner eine erste elektrisch leitende Schicht 12, die mit einer Vielzahl von Kühlkanälen 18, 18', 18" versehen ist, die sich parallel zur Längsachse X der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 erstrecken.
  • Die erste elektrisch leitende Schicht 12 ist so konfiguriert, dass sie auf einer ersten Seite (der Oberseite) des Substrats 14 angebracht werden kann, wie in 3C gezeigt. Ein Einlass 34 und ein Auslass 36 sind in dem Substrat 14 vorgesehen. Es ist zu erkennen, dass der Einlass 34 und der Auslass 36 länglich sind und sich senkrecht zur Längsachse X' des Substrats 14 erstrecken. Der Einlass 34 und der Auslass 36 sind so angeordnet, dass ein Kühlmittel an einem ersten Ende der Kühlkanäle 18, 18', 18" eintritt und die Kühlkanäle 18, 18', 18" am gegenüberliegenden Ende der Kühlkanäle 18, 18', 18" verlässt.
  • Das Element 2 umfasst einen elektrisch und thermisch leitfähigen Deckel 6, der zur Befestigung an der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 ausgebildet ist. Hierdurch kann die von der elektronischen Komponente 4 erzeugte Wärme durch den Deckel 6 in ein Kühlmittel in den Kühlkanälen 18, 18', 18" übertragen werden.
  • Der untere Abschnitt jedes Kühlkanals 18, 18', 18" erstreckt sich entlang einer einzigen Ebene in einem von Null verschiedenen Abstand von der Oberseite der ersten elektrisch leitenden Schicht 12, wobei die Oberseite die Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 ist, die dem Deckel 6 zugewandt ist.
  • 3B zeigt, wie die Komponenten des in 3A gezeigten Elements 2 zusammengebaut werden. 3C zeigt das in 3A und 3B gezeigte Element 2 im zusammengebauten Zustand. Es ist zu erkennen, dass die elektronische Komponente 4 mit Hilfe von Verbindungsmitteln 8, wie z. B. Lot oder Sinter, am Deckel 6 befestigt wurde.
  • 4 zeigt eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Leistungsmoduls 30 mit einem Element 2 zur Kühlung von elektronischen Bauelementen gemäß der Erfindung und einem Formgehäuse 28. Das Element 2 zur Kühlung elektronischer Bauelemente entspricht dem in 2B gezeigten und erläuterten Element. Das Formgehäuse 28 umschließt die elektronische Komponente 4 und das DCB-Substrat 10. Es ist zu erkennen, dass der Wärmepfad 24 (angedeutet durch einen Pfeil) im Vergleich zu dem in 2A gezeigten kurz ist.
  • 5 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren 150 zum Zusammenbau eines erfindungsgemäßen Elements 2 veranschaulicht. Das Verfahren 150 umfasst die Schritte:
    • - Bereitstellung 151 von einem oder mehreren Kanälen 18, 18', 18" in der ersten elektrisch leitenden Schicht 12;
    • - Befestigung 152 einer oder mehrerer elektronischer Komponenten 4 auf dem Deckel 6;
    • - Befestigung 153 des Deckels 6 an der ersten elektrisch leitenden Schicht 12.
  • Bezugszeichenliste
    • 2
    Element zur Kühlung elektronischer Komponenten
    4
    elektronische Komponente
    6
    Deckel
    8
    Verbindungsmittel (Lot oder Sinter)
    10
    direktes Kupferbonding (DCB) Substrat
    12
    erste elektrisch leitende Schicht
    14
    elektrisch isolierendes Substrat
    16
    zweite elektrisch leitende Schicht
    18, 18', 18"
    Kanal
    20
    Kühlmittel
    22
    Kalte Platte
    24
    Wärmepfad
    26
    Thermisches Interface-Material
    28
    Form-Paket
    30
    Leistungsmodul
    34
    Einlass
    36
    Auslass
    102
    Element zur Kühlung elektronischer Komponenten
    124
    Wärmepfad
    150
    Verfahren zum Zusammenbau eines Elements
    151
    erster Schritt des Verfahrens
    152
    zweiter Schritt des Verfahrens
    153
    dritter Schritt des Verfahrens
    W
    Breite
    X, X'
    Längsachse

Claims (12)

  1. Ein Element (2) zum Kühlen einer oder mehrerer elektronischer Komponenten (4), wobei das Element (2) umfasst: - ein elektrisch isolierendes Substrat (14); - eine erste elektrisch leitende Schicht (12), die auf einer ersten Seite des Substrats (14) angebracht ist; - einen elektrisch und thermisch leitenden Deckel (6), der an der Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht (12) angebracht ist, die der Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht (12) gegenüberliegt, die an dem Substrat (14) angebracht ist; - eine oder mehrere elektronische Komponenten (4), die an der Seite des Deckels (6) angebracht sind, die der Seite des Deckels (6) gegenüberliegt, die an der ersten elektrisch leitenden Schicht (12) angebracht ist, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Kühlkanal (18, 18', 18") in der ersten elektrisch leitenden Schicht (12) vorgesehen ist.
  2. Element (2) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite elektrisch leitende Schicht (16) auf der der ersten elektrisch leitenden Schicht (12) gegenüberliegenden Seite des Substrats (14) angebracht ist.
  3. Element (2) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste elektrisch leitende Schicht (12), die zweite elektrisch leitende Schicht (16) und das Substrat (14) ein Direct-Kupfer-Bonding (DCB)-Substrat (10) oder ein Direct-Aluminium-Bonding (DAB)-Substrat bilden.
  4. Element (2) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanäle (18, 18', 18") durch Ätzen erzeugt sind.
  5. Element (2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Deckel (6) durch einen Löt- und/oder Sinterprozess befestigt ist.
  6. Element (2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanäle (18, 18', 18") einen Verteiler für die Umwälzung eines Kühlmittels (20) bilden.
  7. Element (2) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (14) mit einem Einlass (34) und einem Auslass (36) versehen ist, wobei der Einlass (34) so angeordnet und konfiguriert ist, dass das Kühlmittel (20) durch den Einlass (34) in den Verteiler eintreten kann, wobei der Auslass (36) so angeordnet und konfiguriert ist, dass das Kühlmittel (20) den Verteiler durch den Auslass (36) verlassen kann.
  8. Halbleiter-Leistungsmodul (30) mit einem Element (2) nach einem der Ansprüche 1-7.
  9. Verfahren zum Zusammenbau eines Elements (2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren den Schritt umfasst: - Bereitstellen eines oder mehrerer Kanäle (18, 18', 18") in der ersten elektrisch leitenden Schicht (12); - Anbringen einer oder mehrerer elektronischer Komponenten (4) am Deckel (6); - Anbringen des Deckels (6) an der ersten elektrisch leitenden Schicht (12).
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die erste elektrisch leitende Schicht (12) einen Teil eines DCB-Substrats bildet.
  11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die Schritte des Anbringens der ersten elektrisch leitenden Schicht (12) und/oder der einen oder mehreren elektronischen Komponenten (4) an den Deckel (6) mittels eines Sinterprozesses umfasst.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die Schritte des gleichzeitigen Anbringens der ersten elektrisch leitenden Schicht (12) und der einen oder mehreren elektronischen Komponenten (4) an dem Deckel (6) umfasst.
DE102020115091.1A 2020-06-05 2020-06-05 Element zur Kühlung elektronischer Komponenten Pending DE102020115091A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020115091.1A DE102020115091A1 (de) 2020-06-05 2020-06-05 Element zur Kühlung elektronischer Komponenten

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020115091.1A DE102020115091A1 (de) 2020-06-05 2020-06-05 Element zur Kühlung elektronischer Komponenten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102020115091A1 true DE102020115091A1 (de) 2021-12-09

Family

ID=78605370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102020115091.1A Pending DE102020115091A1 (de) 2020-06-05 2020-06-05 Element zur Kühlung elektronischer Komponenten

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102020115091A1 (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677368A (ja) 1992-08-27 1994-03-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2009283732A (ja) 2008-05-23 2009-12-03 Kyocera Corp 回路基板及び電子装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677368A (ja) 1992-08-27 1994-03-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2009283732A (ja) 2008-05-23 2009-12-03 Kyocera Corp 回路基板及び電子装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008016960B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung mit einem darin befestigten Modul
EP0221399B1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE69821779T2 (de) Kühlmodul für elektronische bauelemente
DE102012206596B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE112014005694B4 (de) Halbleitermodul
DE112014002061T5 (de) Halbleitermodul
DE102007046349A1 (de) Anordnung zum Kühlen eines Leistungshalbleitermoduls
DE102009001722B4 (de) Verfahren zum Aufbringen eines Wärmeleitmediums auf eine Wärmeableitfläche
EP1378008A2 (de) Leistungsmodul
DE102018206020A1 (de) Kühlanordnung für elektrische Bauelemente, Stromrichter mit einer Kühlanordnung sowie Luftfahrzeug mit einem Stromrichter
DE102018104509A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE112020006374T5 (de) Leistungsmodul mit verbesserten elektrischen und thermischen Charakteristiken
WO2021099019A1 (de) Elektronikmodul mit einer pulsierenden heatpipe
DE102017212233A1 (de) Elektrische Baugruppe und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Baugruppe
DE112014001491T5 (de) Halbleitermodul
DE102008063724B4 (de) Sammelschienenanordnung mit eingebauter Kühlung, Fahrzeugwechselrichtermodul und Verfahren zum Kühlen eines Wechselrichtermoduls
DE102022133534A1 (de) Halbleitergehäuse einschließlich Wärmestrahlungsstruktur, Kühlsystem unter Anwendung des Halbleitergehäuses, Substrat, das eine Wärmestrahlungsstruktur umfasst, und Verfahren zur Herstellung des Substrats
DE102012216086B4 (de) Leistungselektronikmodul
WO2005106954A2 (de) Leistungshalbleiterschaltung und verfahren zum herstellen einer leistungshalbleiterschaltung
DE102015115132B4 (de) Halbleitermodul mit integrierter Stift- oder Rippenkühlstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2006910B1 (de) Leistungselektronikmodul
DE102020115091A1 (de) Element zur Kühlung elektronischer Komponenten
WO2022096263A1 (de) Flüssigkeits-kühlkörper, insbesondere zur kühlung von leistungselektronik-bauelementen
WO2021069324A1 (de) Elektronische baugruppe, insbesondere für elektrofahrzeuge oder hybridfahrzeuge
DE102007005234B4 (de) Leistungselektronisches Modul mit einer Keramikumhüllung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: SEMIKRON DANFOSS GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: DANFOSS SILICON POWER GMBH, 24941 FLENSBURG, DE

R016 Response to examination communication