JP2009278792A - スイッチング電源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】突入電流防止回路を備えたスイッチング電源装置において電流損失を低減する。
【解決手段】巻線bに誘起された電圧が、MOSFET(TR2)がオンしている間、ダイオードD2で整流され、抵抗R5,R4で分圧され、MOSFET(TR1)のゲートに印加され、MOSFET(TR1)がオンする。MOSFET(TR1)がオンすると、サイリスタSCR1のアノード側とゲート側とがバイパス抵抗R2およびMOSFET(TR1)を介して電気的に導通し、整流回路D1からの出力電流がサイリスタSCR1のゲートに印加され、サイリスタSCR1がオンして、限流用抵抗R1をバイパスする。MOSFET(TR2)がオフの間は、平滑コンデンサC1に溜まった電荷がダイオードD3を介して巻線bに印加され巻線bにリセット電圧が発生する。さらに、リセット電圧により巻線aに逆電圧が発生してフォワードトランスT1による磁束がリセットされる。
【選択図】図1

Description

本発明は、交流を入力として安定化された直流などを出力するコンデンサ・インプット型のスイッチング電源装置に関し、特に、入力投入時の突入電流を抑制するための回路を備えたスイッチング電源装置に関する。
コンデンサ・インプット型のスイッチング電源装置では、交流入力を整流して平滑コンデンサで平滑し、その平滑コンデンサを介して得られる直流を高周波でスイッチングして所望の電力形態に変換する。この種の装置において突入電流を防止するための回路(突入電流防止回路)を設けていない場合、平滑コンデンサに充電されていない状態において交流電力が入力された時に、その直後に平滑コンデンサに向けて極めて大きな充電電流(突入電流)が流れる。そこで、平滑コンデンサがある程度充電されるまでは入力される電流を限流用の抵抗で制限して過大電流から回路素子を保護し、充電電圧が高くなってスイッチング動作が開始された時点で限流用抵抗と並列のバイパス用スイッチング素子をオンする。このように機能する回路が突入電流防止回路と呼ばれている。
図5は、従来の突入電流防止回路を備えたスイッチング電源装置の一例を示す。
図5において、商用交流電源1から入力端子1a,1bに供給された交流電流は、整流回路D1で整流され、限流用抵抗R1で抑制され平滑コンデンサC1に印加される。その後、平滑コンデンサC1の充電電圧が予め定められた基準電圧に達すると、制御回路3が作動し、制御回路3がMOSFET(metal−oxide−semiconductor field−effect transistor)TR2を規定の周波数でオン/オフさせる。
このMOSFET(TR2)のオン/オフにより、フォワードトランスT1の1次巻線aにスイッチング電流が印加され、1次巻線aに発生するスイッチング電圧がフォワードトランスT1の巻線b,cおよび巻線dに励起される。
巻線bは、いわゆるリセット巻線であり、MOSFET(TR2)がオンの時にフォワードトランスT1に励磁された電流を、MOSFET(TR2)がオフの間にリセットするための巻線である。巻線cは、二次側に電力を伝達するための巻線であり、巻線cに励起された電圧は、ダイオードD4,D5により整流され、コイルL2およびコンデンサC5で平滑化され、直流電圧として出力端子2a,2bに出力される。
出力端子2a,2bの出力電圧は、制御回路3によって監視される。制御回路3は、出力電圧が目標電圧が安定して得られるようにMOSFET(TR2)のオン/オフの時比率を適宜調整する。
また、フォワードトランスT1の巻線dに励起された電圧は、ダイオードD2で整流され、抵抗R5,R3で分圧され、サイリスタSCR1のゲートに印加されドライブ電流が流れることで、サイリスタSCR1がオン(つまり、サイリスタSCR1のアノードとカソード間が導通)し、限流用抵抗R1をバイパスする。
特開平6−153509号公報
ところで、上記のようなスイッチング電源装置において、限流用抵抗をバイパスするためのサイリスタに流すゲート電流(ドライブ電流)は、サイリスタをオンする際にごく短時間流れればよいが、例えば図5に示すような回路構成では、抵抗R5に連続的に電流が流れるため、電流損失が増える。
そこで、サイリスタの代わりに、ゲート電流が比較的に少なくて済むMOSFETを用いることも考えられるが、MOSFETはサイリスタに比べてサージ電流に弱いため、例えば瞬時停電後の復帰時などにMOSFETにサージ電流が流れ、MOSFETに悪影響を及ぼす可能性がある。
本発明は、突入電流を防止する回路を備えたスイッチング電源装置において、電流損失を低減することを目的とする。
本発明に係るスイッチング電源装置は、一次巻線、二次巻線、および制御巻線を含むトランスと、入力された交流電流を整流する整流回路と、前記整流回路からの出力電流を抑制する限流用抵抗と、前記限流用抵抗と並列に接続され、前記限流用抵抗をバイパスするサイリスタと、前記限流用抵抗あるいは前記サイリスタからの出力電流を平滑化する平滑コンデンサと、前記平滑コンデンサを介して前記一次巻線に入力される直流をスイッチングするスイッチ回路と、前記平滑コンデンサの充電電圧が予め定められた基準電圧に達すると作動する制御回路であって、前記スイッチ回路のスイッチングタイミングを制御する制御回路と、前記制御巻線に誘起する電圧が印加されることでオンするスイッチ素子であって、オンすることで前記サイリスタのアノード側とゲート側とをバイパス抵抗を介して電気的に接続するスイッチ素子と、を備え、前記スイッチ素子がオンすることで、前記整流回路からの出力電流がゲート電流として前記サイリスタのゲートに印加され前記サイリスタがオンして、前記サイリスタが前記限流用抵抗をバイパスする、ことを特徴とする。
本発明に係るスイッチング電源装置によれば、制御巻線に誘起する電圧が印加されることでスイッチ素子がオンして、そのスイッチ素子がオンすることで整流回路からの出力電流がバイパス抵抗を介してゲート電流としてサイリスタのゲートに印加されサイリスタがオンして、サイリスタが限流用抵抗をバイパスする。これにより、スイッチ素子をオンするために流す必要がある電流を小さくすることでき、さらに、サイリスタにゲート電流を流す時のみ、サイリスタのアノードとゲートとをバイパスするためのバイパス抵抗に電流が流れるようにすることができるため、スイッチング電源装置の電流損失を低減することができる。
本発明に係るスイッチング電源装置の一つの態様では、前記スイッチ素子は、印加される電圧が予め定められた基準電圧に達するとオンする電圧スイッチ素子であり、前記制御巻線は、前記スイッチ回路がオンの時に前記トランスに励磁された電流を、前記スイッチ回路がオフの間にリセットするためのリセット巻線を兼ねることを特徴とする。
本発明に係るスイッチング電源装置の一つの態様によれば、リセット巻線と制御巻線とで一つの巻線を共用することができるため、トランスの構成を簡素化することができる。
本発明によれば、制御巻線に誘起する電圧に基づいてスイッチ素子がオンすることで、整流回路からの出力電流がゲート電流としてバイパス抵抗を介してサイリスタのゲートに印加され、サイリスタが限流用抵抗をバイパスするように構成した。よって、電流が小さくてもオンすることが可能なスイッチ素子を採用することで、スイッチ素子をオンするために流す必要がある電流を小さくすることでき、さらに、サイリスタにゲート電流を流す時のみ、サイリスタのアノードとゲートとをバイパスするためのバイパス抵抗に電流が流れるように構成したので、スイッチング電源装置の電流損失を低減することができる。
本発明を実施するための最良の形態(以下、「実施形態」と称す。)について、以下図面を用いて説明する。
図1は、本実施形態に係るスイッチング電源装置の回路構成を示す図である。図1において、図5と同様な構成要素については同一符号を付けて詳細な説明は省略する。
図1に示すように、本実施形態に係るスイッチング電源装置は、サイリスタSCR1のアノード側とゲート側とを電気的に導通させ、整流回路D1からの出力電流をサイリスタSCR1のゲートに印加するためのバイパス抵抗R2とMOSFET(TR1)とを備える。
さらに、本実施形態に係るスイッチング電源装置では、図5に示す従来のスイッチング電源装置におけるリセット巻線である巻線bが、制御巻線である巻線dと兼用され、フォワードトランスT1の巻線が一つ削減されている。
図1において、MOSFET(TR1)のゲートは、ダイオードD2および抵抗R5を介して、フォワードトランスT1の巻線bに接続され、MOSFET(TR1)は、フォワードトランスT1の巻線bに励起された電圧が、ダイオードD2および抵抗R5を介してゲートに印加されることでオンする。
バイパス抵抗R2の一端は、サイリスタSCR1のアノード側に接続され、バイパス抵抗R2の他端は、MOSFET(TR1)のドレインに接続される。MOSFET(TR2)のソースには、サイリスタSCR1のゲートが接続される。このように構成することで、MOSFET(TR1)がオンした際に、バイパス抵抗R2を介して整流回路D1からの出力電流がサイリスタSCR1のゲートに印加される。
さて、このように構成されたスイッチング電源装置では、商用交流電源1から入力端子1a,1bに供給された交流電流は、整流回路D1で整流され、限流用抵抗R1で抑制され平滑コンデンサC1に印加される。その後、平滑コンデンサC1の充電電圧が予め定められた基準電圧に達すると、制御回路3が作動し、制御回路3がMOSFET(TR2)を規定の周波数でオン/オフさせる。
MOSFET(TR2)のオン/オフにより、フォワードトランスT1の1次巻線aにスイッチング電流が印加され、1次巻線aに発生するスイッチング電圧がフォワードトランスT1の巻線b,cに励起される。
巻線bは、上記の通り、制御巻線およびリセット巻線を兼ね、巻線cは、二次側に電力を伝達するための巻線である。
巻線cに励起された電圧は、ダイオードD4,D5により整流され、コイルL2およびコンデンサC5で平滑化され、直流電圧として出力端子2a,2bに出力される。
巻線bに誘起された電圧は、MOSFET(TR2)がオンしている間、ダイオードD2で整流され、抵抗R5、抵抗R4で分圧され、MOSFET(TR1)のゲートに印加され、MOSFET(TR1)がオンする。MOSFET(TR1)がオンすると、サイリスタSCR1のアノード側とゲート側とがバイパス抵抗R2およびMOSFET(TR1)を介して電気的に導通し、整流回路D1からの出力電流がサイリスタSCR1のゲートに印加され、サイリスタSCR1がオンして、限流用抵抗R1をバイパスする。
一方、MOSFET(TR2)がオフの間は、平滑コンデンサC1に溜まった電荷がダイオードD3を介して巻線bに印加され、巻線bにリセット電圧が発生する。さらに、リセット電圧により巻線aに逆電圧が発生してフォワードトランスT1による磁束がリセットされる。フォワードトランスT1をリセットすることで、フォワードトランスT1の磁気飽和が防止できる。
以上、本実施形態によれば、巻線bに励起される電圧は、オンするためのゲート電流が比較的に少なくて済むMOSFET(TR1)に印加される。つまり、MOSFET(TR2)のオン/オフが継続している間、抵抗R5に継続的に流れる電流は、図5に示すような従来のスイッチング電源装置において巻線dに励起された電圧が限流用抵抗のバイパス用のサイリスタをオンするために用いられる場合よりも小さい。つまり、従来に比べて抵抗R5での電流損失を低減することができる。
また、サイリスタSCR1がオンすると、バイパス抵抗R2には、電流が印加されなくなる。つまり、バイパス抵抗R2には、サイリスタSCR1をオンする際に瞬間的に電流が印加されるだけであるため、抵抗R2での電流損失は小さい。
したがって、本実施形態に係るスイッチング電源装置によれば、従来の装置に比べて、抵抗による電流損失を低減することができる。
また、本実施形態に係るスイッチング電源装置によれば、MOSFET(TR1)にゲート電圧を印加するための巻線がリセット巻線と併用されているため、トランスの構成を簡素化できる。
さらに、本実施形態に係るスイッチング電源装置によれば、瞬時停電後の復帰時などにサージ電流が発生しても、MOSFET(TR1,TR2)のゲートに直接サージ電流が印加されにくい回路構成のため、サージ電流によるMOSFETへの悪影響を避けることができる。
図2は、図1に示す本実施形態に係るスイッチング電源装置において、商用交流電源1から入力端子1a,1bに交流電流の供給を開始した際の、整流回路D1への入力電流I0、平滑コンデンサC1の電圧VC1、バイパス用のサイリスタSCR1のオン/オフ状態、抵抗R2,R5における損失の時間的な変化を示す図である。
図2に示すように、コンデンサ電圧C1の電圧VC1が所定の基準電圧Vtに達すると、サイリスタSCR1がオンして、その後は、商用交流電源1から入力端子1a,1bに交流電流の供給が継続している限り、サイリスタSCR1はオン状態が継続する。
また、MOSFET(TR1)がオンした直後、整流回路D1からの入力電流が抵抗R2に印加されサイリスタSCR1がオンする。この時、抵抗R2では電流損失が発生する。しかし、サイリスタSCR1が一端オンした後は、整流回路D1からの入力電流は、サイリスタSCR1によりバイパスされるため、抵抗R2には流れない。つまり、サイリスタSCR1が一端オンした後は、抵抗R2での電流損失は無くなる。
一方、抵抗R5には、MOSFET(TR2)がオン/オフを継続する限り、巻線bに誘起された電圧に基づく電流が継続的に流れる。しかし、高電圧スイッチ素子であるMOSFETをオンするために抵抗R5に流す必要がある電流は、大電流スイッチ素子であるサイリスタをオンするために必要な電流よりも小さく済む。つまり、MOSFETをオンするための電流が流れる抵抗R5での電流損失は、従来のようにサイリスタをオンするための電流が流れる抵抗R5での電流損失よりも低減する。
したがって、図2に示すように、サイリスタSCR1がオンした直後は、抵抗R2による損失の影響で瞬間的に大きくなるものの、その後、抵抗R2での損失は無くなり、抵抗R5での損失は、点線で示す従来のスイッチング電源装置(図5参照)における抵抗R5の損失に比べて小さい。よって、本実施形態に係るスイッチング電源装置における抵抗R2,R5の合計損失は、従来の抵抗R5での損失よりも小さくすることができる。
なお、上記の実施形態では、図5に示す従来のスイッチング電源装置におけるリセット巻線である巻線bと、制御巻線である巻線dと兼用する例について説明した。しかし、図3に示すように、従来のスイッチング電源装置の回路構成を極力用いて設計変更を少なくするために、リセット巻線(巻線b)と制御巻線(巻線d)とを兼用せず、それぞれフォワードトランスT1に設けてもよい。
図3において、MOSFET(TR2)がオンしている間、巻線dに誘起された電圧が、ダイオードD2で整流され、抵抗R5、抵抗R4で分圧され、MOSFET(TR1)のゲートに印加され、MOSFET(TR1)がオンする。MOSFET(TR1)がオンすると、サイリスタSCR1がオンして、限流用抵抗R1がバイパスされる。
一方、MOSFET(TR2)がオフすると、平滑コンデンサC1に溜まった電荷がダイオードD3を介して巻線bに印加され、巻線bにリセット電圧が発生し、フォワードトランスT1による磁束がリセットされる。
また、図4に示すように、サイリスタSCR1として、双方向サイリスタ(TRIAC)を用いてもかまわない。また、ダイオードD2のカソードにコンデンサC4を接続し、抵抗R4と並列にコンデンサC3を接続してもよい。コンデンサC4を挿入することでフォワードトランスT1に発生する電気的なノイズを低減することができる。また、コンデンサC3を挿入することで、MOSFET(TR1)に入力される電気的なノイズを低減することができ、MOSFET(TR1)の誤動作を防止することができる。
本発明によれば、スイッチ素子をオンするために流す必要がある電流を小さくして、さらに、サイリスタにゲート電流を流す時のみ、サイリスタのアノードとゲートとをバイパスするためのバイパス抵抗に電流が流れるように構成したことで、スイッチング電源装置の電流損失を低減することができる。したがって、入力投入時の突入電流を抑制するための突入電流防止回路を備えたスイッチング電源装置などに適用することができる。
本実施形態に係るスイッチング電源装置の回路構成を示す図である。 本実施形態に係るスイッチング電源装置における抵抗R2,R5における電流損失について説明するための図である。 本実施形態に係るスイッチング電源装置の変形例について説明するための図である。 本実施形態に係るスイッチング電源装置の変形例について説明するための図である。 従来のスイッチング電源装置の回路構成を示す図である。
符号の説明
1 商用交流電源
3 制御回路
a,b,c,d 巻線
C1 平滑コンデンサ
D1 整流回路
D2,D3,D4,D5 ダイオード
R1 限流用抵抗
R2 バイパス抵抗
TR1,TR2 MOSFET
SCR1 サイリスタ
T1 フォワードトランス


Claims (2)

  1. 一次巻線、二次巻線、および制御巻線を含むトランスと、
    入力された交流電流を整流する整流回路と、
    前記整流回路からの出力電流を抑制する限流用抵抗と、
    前記限流用抵抗と並列に接続され、前記限流用抵抗をバイパスするサイリスタと、
    前記限流用抵抗あるいは前記サイリスタからの出力電流を平滑化する平滑コンデンサと、
    前記平滑コンデンサを介して前記一次巻線に入力される直流をスイッチングするスイッチ回路と、
    前記平滑コンデンサの充電電圧が予め定められた基準電圧に達すると作動する制御回路であって、前記スイッチ回路のスイッチングタイミングを制御する制御回路と、
    前記制御巻線に誘起する電圧に基づいてオンするスイッチ素子であって、オンすることで前記サイリスタのアノード側とゲート側とをバイパス抵抗を介して電気的に接続するスイッチ素子と、
    を備え、
    前記スイッチ素子がオンすることで、前記整流回路からの出力電流に基づくゲート電流が前記サイリスタのゲートに印加され前記サイリスタがオンして、前記サイリスタが前記限流用抵抗をバイパスする、
    ことを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 請求項1に記載のスイッチング電源装置において、
    前記スイッチ素子は、印加される電圧が予め定められた基準電圧に達するとオンする電圧スイッチ素子であり、
    前記制御巻線は、前記スイッチ回路がオンの時に前記トランスに励磁された電流を、前記スイッチ回路がオフの間にリセットするためのリセット巻線を兼ねる、
    ことを特徴とするスイッチング電源装置。




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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103151929A (zh) * 2013-03-22 2013-06-12 深圳市航天新源科技有限公司 一种适用于低压输入的正激复位电路
JP2014003888A (ja) * 2012-06-15 2014-01-09 Tdk Corp コンバータ

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