JP2009271473A5 - マスクブランク、マスクブランクの製造方法、評価方法、および感度評価装置 - Google Patents

Claims (20)

1. 基板上面に転写パターンを形成するための薄膜を成膜し、該薄膜の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜を塗布したマスクブランクであって、
   前記レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、
   前記薄膜の転写パターンを形成するための領域以外の領域に塗布されているレジスト膜に対し、複数箇所で紫外線光を露光して紫外線光に対する反射率を変化させていることを特徴とするマスクブランク。
2. 前記レジスト膜は、深紫外線光の露光で透過率が変化する化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク。
3. 前記レジスト膜は、深紫外線光の露光による照射エネルギーで酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項１または２に記載のマスクブランク。
4. 前記レジスト膜は、電子線露光用化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランク。
5. 基板上面に転写パターンを形成するための薄膜を成膜し、該薄膜の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜を塗布したマスクブランクの製造方法であって、
   前記レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、
   紫外線光をレジスト膜の表面に露光し、レジスト膜から反射される紫外線光の反射光量を測定する露光測定工程と、
   測定された前記反射光量からレジスト膜の感度を評価する感度評価工程と
   を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
6. 前記露光測定工程は、前記薄膜の転写パターンを形成する領域以外の領域にあるレジスト膜の表面に対して紫外線光の露光および反射光量の測定を行うことを特徴とする請求項５記載のマスクブランクの製造方法。
7. 前記露光測定工程は、前記薄膜の転写パターンを形成する領域のレジスト膜表面全体を所定の間隔で複数箇所、紫外線光の露光および反射光量の測定を行い、
   前記感度評価工程は、転写パターンを形成する領域のレジスト膜の感度分布を評価することを特徴とする請求項５記載のマスクブランクの製造方法。
8. 前記レジスト膜は、深紫外線光の露光で透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、前記露光測定工程は、深紫外線光を前記レジスト膜の表面に露光することを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
9. 前記レジスト膜は、深紫外線光の露光による照射エネルギーで酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型レジストからなり、前記露光測定工程は、深紫外線光を前記レジスト膜の表面に露光することを特徴とする請求項５から８のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
10. 前記レジスト膜は、電子線露光用化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項５から９のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
11. レジスト膜を有する基板におけるレジスト膜の感度を評価する感度評価方法であって、
    前記レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、
    紫外線光をレジスト膜の表面に露光し、レジスト膜から反射される紫外線光の反射光量を測定する露光測定工程と、
    測定された前記反射光量からレジスト膜の感度を評価する感度評価工程と
    を有することを特徴とする評価方法。
12. 前記レジスト膜は、深紫外線光の露光で透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、前記露光測定工程は、深紫外線光を前記レジスト膜の表面に露光することを特徴とする請求項１１記載の評価方法。
13. 前記レジスト膜は、深紫外線光の露光による照射エネルギーで酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型レジストからなり、前記露光測定工程は、深紫外線光を前記レジスト膜の表面に露光することを特徴とする請求項１１または１２に記載の評価方法。
14. 前記レジスト膜は、電子線露光用化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項１１から１３のいずれかに記載の評価方法。
15. レジスト膜を有する基板におけるレジスト膜の感度を評価する感度評価装置であって、
    評価対象であるレジスト膜の表面に紫外線光を照射する紫外線光照射部と、
    前記紫外線光がレジスト膜で反射された反射光を受光する受光部と、
    前記受光部で受光した前記反射光を分光する分光器と、
    前記分光器で分光した前記反射光の分光結果をもとに評価対象のレジスト膜の感度を評価する制御部と
    を備えることを特徴とする感度評価装置。
16. 前記制御部は、前記反射光の分光結果から特定波長の光における前記レジスト膜の表面からの反射率を算出し、前記特定波長の光における前記レジスト膜への照射量との関係から前記レジスト膜の感度を評価することを特徴とする請求項１５記載の感度評価装置。
17. 前記レジスト膜の同一箇所に対し、紫外線光照射部による前記レジスト膜の表面への紫外線光の照射と、前記受光部による前記レジスト膜からの反射光の受光を繰り返し、反射率の変化を記憶することを特徴とする請求項１５または１６に記載の感度評価装置。
18. 前記紫外線光照射部は、波長１９０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外線光を前記レジスト膜の表面に照射することを特徴とする請求項１５から１７のいずれかに記載の感度評価装置。
19. 前記紫外線光照射部は、深紫外線を含む紫外線光を前記レジスト膜の表面に照射することを特徴とする請求項１５から１８のいずれかに記載の感度評価装置。
20. 前記制御部は、前記反射光の分光結果から深紫外線の特定波長の光における前記レジスト膜の表面からの反射率を算出し、前記深紫外線の特定波長における前記レジスト膜への照射量との関係から前記レジスト膜の感度を評価することを特徴とする請求項１９記載の感度評価装置。