JP5058875B2 - マスクブランク、マスクブランクの製造方法、評価方法、および感度評価装置 - Google Patents
マスクブランク、マスクブランクの製造方法、評価方法、および感度評価装置 Download PDFInfo
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Description
最新レジスト材料ハンドブック、情報機構、ISBN 4−901677−45−4
[Hpag]=1−EXP(−C*E) (式1)
合成石英ガラス基板を鏡面研磨し、所定の洗浄を施すことにより、152mm×152mm×6.35mmの基板12を得た。次に基板12の上面にCrを主成分とする薄膜14を1000オングストロームの膜厚でDCマグネトロンスパッタ装置により成膜し、マスクブランクを得た。具体的には、Crターゲットを用い、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガス(Ar:N=80:20体積%)を装置内に導入し、CrN膜を150オングストロームの膜厚で成膜し、同じターゲットで、アルゴン、メタンおよびヘリウムの混合ガス(Ar:CH4:He=30:10:60体積%)を装置内に導入し、CrC膜を600オングストロームの膜厚で成膜し、最後に同じターゲットで、アルゴンガスと一酸化窒素ガスの混合ガス(Ar:NO=80:20体積%)を装置内に導入し、CrON膜を250オングストロームの膜厚で成膜した。最後に、薄膜14の表面にレジスト膜16として、富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製の電子線描画用化学増幅型ポジレジスト(型番:FEP171)を塗布してレジスト膜付マスクブランク10を得た。レジスト膜16の膜厚は3000オングストロームとした。
実施例1と同様のプロセスで製造したマスクブランクを用い、薄膜14の表面にレジスト膜16として、富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製の他の電子線描画用化学増幅型ポジレジスト(型番:PRL009)を塗布してレジスト膜付マスクブランク10を得た。また、レジスト膜16の膜厚を2500オングストロームとした。
実施例1と同様のプロセスで製造したマスクブランクを用い、薄膜14の表面にレジスト膜16として、住友化学社製の他の電子線描画用化学増幅型ネガレジスト(型番:NEB22)を塗布してレジスト膜付マスクブランク10を得た。また、レジスト膜16の膜厚を3000オングストロームとした。
図2を用いて説明した感度評価装置100と同様の装置により、紫外線光の照射と反射光の測定を行う評価を行った。UV光源部104としては、重水素ランプを用いた。また、照射スポット202に対し、1秒間隔で紫外線光の照射と反射率の測定を繰り返し、そのポイントにおける反射率の変化をモニタした。更に、解析ソフトウェア(製品名:IGOR)により、測定値である反射率R%について、R%=A+B*EXP(−C’*T)のフィッティングを行った。Tは、紫外線光の照射時間である。
Claims (20)
- 基板上面に転写パターンを形成するための薄膜を成膜し、該薄膜の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜を塗布したマスクブランクであって、
前記レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、
前記薄膜の転写パターンを形成するための領域以外の領域に塗布されているレジスト膜に対し、複数箇所で紫外線光を露光して紫外線光に対する反射率を変化させていることを特徴とするマスクブランク。 - 前記レジスト膜は、深紫外線光の露光で透過率が変化する化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記レジスト膜は、深紫外線光の露光による照射エネルギーで酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランク。
- 前記レジスト膜は、電子線露光用化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
- 基板上面に転写パターンを形成するための薄膜を成膜し、該薄膜の上面に化学増幅型レジストのレジスト膜を塗布したマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、
紫外線光をレジスト膜の表面に露光し、レジスト膜から反射される紫外線光の反射光量を測定する露光測定工程と、
測定された前記反射光量からレジスト膜の感度を評価する感度評価工程と
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記露光測定工程は、前記薄膜の転写パターンを形成する領域以外の領域にあるレジスト膜の表面に対して紫外線光の露光および反射光量の測定を行うことを特徴とする請求項5記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記露光測定工程は、前記薄膜の転写パターンを形成する領域のレジスト膜表面全体を所定の間隔で複数箇所、紫外線光の露光および反射光量の測定を行い、
前記感度評価工程は、転写パターンを形成する領域のレジスト膜の感度分布を評価することを特徴とする請求項5記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記レジスト膜は、深紫外線光の露光で透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、前記露光測定工程は、深紫外線光を前記レジスト膜の表面に露光することを特徴とする請求項5から7のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記レジスト膜は、深紫外線光の露光による照射エネルギーで酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型レジストからなり、前記露光測定工程は、深紫外線光を前記レジスト膜の表面に露光することを特徴とする請求項5から8のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記レジスト膜は、電子線露光用化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項5から9のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- レジスト膜を有する基板におけるレジスト膜の感度を評価する感度評価方法であって、
前記レジスト膜は、紫外線光の露光によって透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、
紫外線光をレジスト膜の表面に露光し、レジスト膜から反射される紫外線光の反射光量を測定する露光測定工程と、
測定された前記反射光量からレジスト膜の感度を評価する感度評価工程と
を有することを特徴とする評価方法。 - 前記レジスト膜は、深紫外線光の露光で透過率が変化する化学増幅型レジストからなり、前記露光測定工程は、深紫外線光を前記レジスト膜の表面に露光することを特徴とする請求項11記載の評価方法。
- 前記レジスト膜は、深紫外線光の露光による照射エネルギーで酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型レジストからなり、前記露光測定工程は、深紫外線光を前記レジスト膜の表面に露光することを特徴とする請求項11または12に記載の評価方法。
- 前記レジスト膜は、電子線露光用化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項11から13のいずれかに記載の評価方法。
- レジスト膜を有する基板におけるレジスト膜の感度を評価する感度評価装置であって、
評価対象であるレジスト膜の表面に紫外線光を照射する紫外線光照射部と、
前記紫外線光がレジスト膜で反射された反射光を受光する受光部と、
前記受光部で受光した前記反射光を分光する分光器と、
前記分光器で分光した前記反射光の分光結果をもとに評価対象のレジスト膜の感度を評価する制御部と
を備えることを特徴とする感度評価装置。 - 前記制御部は、前記反射光の分光結果から特定波長の光における前記レジスト膜の表面からの反射率を算出し、前記特定波長の光における前記レジスト膜への照射量との関係から前記レジスト膜の感度を評価することを特徴とする請求項15記載の感度評価装置。
- 前記レジスト膜の同一箇所に対し、紫外線光照射部による前記レジスト膜の表面への紫外線光の照射と、前記受光部による前記レジスト膜からの反射光の受光を繰り返し、反射率の変化を記憶することを特徴とする請求項15または16に記載の感度評価装置。
- 前記紫外線光照射部は、波長190nm〜400nmの波長の紫外線光を前記レジスト膜の表面に照射することを特徴とする請求項15から17のいずれかに記載の感度評価装置。
- 前記紫外線光照射部は、深紫外線を含む紫外線光を前記レジスト膜の表面に照射することを特徴とする請求項15から18のいずれかに記載の感度評価装置。
- 前記制御部は、前記反射光の分光結果から深紫外線の特定波長の光における前記レジスト膜の表面からの反射率を算出し、前記深紫外線の特定波長における前記レジスト膜への照射量との関係から前記レジスト膜の感度を評価することを特徴とする請求項19記載の感度評価装置。
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