JP2009266965A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電荷を蓄積させる量を容易に調整可能であり、信号遅延回路において信号遅延量を所望に調整可能にする。
【解決手段】セレクタ回路３００が、第１半導体部１００の電位および第２半導体部２００の電位を調整し、第１半導体部１００と信号配線１０との間と、第２半導体部２００と信号配線１０との間との少なくとも一方において電位差を生じさせる。これにより、第１半導体部１００と信号配線１０との間と、第２半導体部２００と信号配線１０との間との少なくとも一方を、静電容量素子として機能させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置に関する。特に、本発明は、静電容量素子を含む半導体装置に関する。

半導体装置においては、さまざまな種類の半導体素子が集積されており、たとえば、入力された電気信号を遅延させる信号遅延回路が、この半導体素子として設けられている。

信号遅延回路においては、ゲート遅延を利用する方式の他に、ＭＯＳ容量素子を利用する方式が適用されている。ここでは、大きな信号遅延量が必要な場合には、後者のＭＯＳ容量素子を利用する方式が、多く使用されている（たとえば、特許文献１参照）。

特開２００７−２８８０２８号公報（図６など）

しかしながら、上記の信号遅延回路においては、一水準の信号遅延量を得るのみであって、信号遅延量を所望に調整することが困難である。すなわち、上記のようなＭＯＳ容量素子においては、電荷を蓄積させる量を調整することが困難であるために、このような不具合が生ずる場合がある。

したがって、本発明は、電荷を蓄積させる量を容易に調整可能であり、信号遅延回路において信号遅延量を所望に調整可能な半導体装置を提供する。

本発明の半導体装置は、入力された電気信号を遅延させて出力する信号遅延部を有し、前記信号遅延部は、前記電気信号が一端から入力され、他端にて出力される信号配線と、前記信号配線の一端から他端の間に設けられており、誘電体膜を介して前記信号配線に対面している第１半導体部と、前記信号配線の一端から他端の間にて前記第１半導体部から間隔を隔てて設けられており、誘電体膜を介して前記信号配線に対面している第２半導体部と、前記第１半導体部の電位および前記第２半導体部の電位を調整する電位調整部とを含み、前記電位調整部が、前記第１半導体部の電位および前記第２半導体部の電位を調整し、前記第１半導体部と前記信号配線との間と、前記第２半導体部と前記信号配線との間との少なくとも一方に電位差を生じさせて、前記第１半導体部と前記信号配線との間と、前記第２半導体部と前記信号配線との間との少なくとも一方を静電容量素子として機能させることによって、前記信号配線の一端から入力された電気信号を遅延させる。

また、本発明の半導体装置は、配線と、誘電体膜を介して前記配線に対面している第１半導体部と、前記第１半導体部から間隔を隔てて設けられており、誘電体膜を介して前記配線に対面している第２半導体部と、前記第１半導体部の電位および前記第２半導体部の電位を調整する電位調整部とを含み、前記電位調整部が、前記第１半導体部の電位および前記第２半導体部の電位を調整し、前記第１半導体部と前記配線との間と、前記第２半導体部と前記配線との間との少なくとも一方に電位差を生じさせて、前記第１半導体部と前記配線との間と、前記第２半導体部と前記配線との間との少なくとも一方を静電容量素子として機能させる。

本発明においては、第１半導体部と信号配線などの配線との間と、第２半導体部と、その配線との間との少なくとも一方において電位差を生じさせるように、電位調整部が、第１半導体部の電位および第２半導体部の電位を調整する。これにより、第１半導体部と配線との間と、第２半導体部と配線との間との少なくとも一方を、静電容量素子として機能させる。

本発明によれば、電荷を蓄積させる量を容易に調整可能であり、信号遅延回路において信号遅延量を所望に調整可能な半導体装置を提供することができる。

以下より、本発明の実施形態について説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す図である。

また、図２と図３は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す断面図である。ここで、図２は、図１のＡ−Ｂ部分において紙面に垂直な面について示す断面図である。また、図３は、図１のＣ−Ｄ−Ｅ部分において紙面に垂直な面について示す断面図である。

本実施形態の半導体装置は、図１に示すように、信号遅延部５００を有する。

この信号遅延部５００は、図１に示すように、信号配線１０と、第１半導体部１００と、第２半導体部２００と、セレクタ回路３００とを有する。信号遅延部５００においては、各部が基板１に設けられており、入力された電気信号を遅延させて出力するように構成されている。詳細については後述するが、本実施形態においては、信号遅延部５００は、信号配線１０と第１半導体部１００との間、および、信号配線１０と第２半導体部２００との間に、ゲート遅延を得るためのＭＯＳ容量を形成することで、この信号遅延を実施する。

図１に示すように、信号遅延部５００において、信号配線１０は、基板１のｘｙ面に設けられており、基板１のｘｙ面においてｙ方向に延在している延在部１１を有する。また、第１半導体部１００は、基板１のｘｙ面に設けられており、基板１のｘｙ面においてｙ方向に直交するｘ方向に延在している第１半導体フィンＦ１を有する。また、第２半導体部２００は、基板１のｘｙ面に設けられており、基板１のｘｙ面においてｘ方向に延在している第２半導体フィンＦ２を有する。

信号遅延部５００を構成する各部の詳細内容について、順次、説明する。

信号配線１０について説明する。

信号配線１０は、導電材料によって形成されている。たとえば、信号配線１０は、ポリシリコンを用いて形成されている。

この信号配線１０は、上記したように、延在部１１を有しており、この延在部１１は、図１に示すように、複数が形成されている。本実施形態においては、図１に示すように、たとえば、１０本の延在部１１が設けられており、基板１のｘｙ面において、ｘ方向に間隔を隔てて並ぶように設けられている。つまり、１０本の延在部１１がｙ方向に平行に延在している。

この複数の延在部１１は、互いに電気的に接続されている。ここでは、図１に示すように、連結部１２が、その互いに隣り合う延在部１１を電気的に接続している。具体的には、この複数の延在部１１のそれぞれにおいて、ｘ方向にて互いに隣り合う延在部１１の間であって、ｙ方向における両端部にて、連結部１２が、その互いに隣り合う延在部１１を電気的に接続している。

図１に示すように、連結部１２は、ｘ方向に並ぶ複数の延在部１１において、左側から１本目と２本目の延在部１１を、その上端部にて連結するように設けられている。そして、左側から２本目と３本目の延在部１１については、その下端部にて連結するように設けられている。また、左側から３本目と４本目の延在部１１については、その上端部にて連結するように設けられている。このように、連結部１２は、複数の延在部１１のそれぞれにおいて、ｘ方向にて互いに隣り合う延在部１１を、ｘ方向において交互に上端部と下端部とのそれぞれにて連結するように、順次、設けられている。

そして、この信号配線１０において、複数の延在部１１のそれぞれは、図１に示すように、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１と、第２半導体部２００の第２半導体フィンＦ２とのそれぞれに交差するように設けられている。

ここでは、信号配線１０の延在部１１は、図２および図３に示すように、第１半導体フィンＦ１と交差する部分において、第１半導体フィンＦ１の表面に対面するように形成されている。具体的には、図３に示すように、延在部１１は、基板１のｘｙ面において、凸状に突出するように形成されており、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１において基板１から突出した部分の面を、誘電体膜Ｇｚを介して被覆するように形成されている。つまり、延在部１１は、第１半導体フィンＦ１においてｘ方向に沿って延在する面であって、基板１のｘｙ面に垂直な両側面と、基板１のｘｙ面に平行な上面とを、誘電体膜Ｇｚを介して被覆するように形成されている。

この信号配線１０の延在部１１と、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１との間に挟まれている誘電体膜Ｇｚは、たとえば、シリコン酸化膜として形成されている。

なお、図示を省略しているが、信号配線１０の延在部１１は、第２半導体フィンＦ２についても、第１半導体フィンＦ１の場合と同様に、第２半導体フィンＦ２の表面に対面するように形成されている。

そして、信号配線１０においては、図１に示すように、両端にコンタクトＧＣｉｎ，ＧＣｏｕｔが設けられており、一端から電気信号が入力され、他端から、その電気信号が出力されるように構成されている。

具体的には、図１に示すように、信号配線１０は、ｘ方向に並ぶ延在部１１にて一方の端部に位置する延在部１１（左側から１本目）の下端部に、引出し配線部１４ｉｎが電気的に接続されており、この引出し配線部１４ｉｎにコンタクトＧＣｉｎが設けられている。そして、図１に示すように、信号配線１０は、ｘ方向に並ぶ延在部１１にて他方の端部に位置する延在部１１（左側から１０本目）の下端部に、引出し配線部１４ｏｕｔが電気的に接続されており、この引出し配線部１４ｏｕｔにコンタクトＧＣｏｕｔが設けられている。

本実施形態においては、図２および図３に示すように、たとえば、シリコン酸化膜からなる埋め込み酸化膜２（ＢＯＸ）の表面に、信号配線１０を構成する延在部１１，引出し配線部１４ｉｎを被覆するように層間絶縁膜１０ｓが形成されている。そして、図３に示すように、層間絶縁膜１０ｓを貫通するようにコンタクトＧＣｉｎが設けられている。このコンタクトＧＣｉｎは、層間絶縁膜１０ｓ上に設けられた入力端子１３ｉｎと、信号配線１０の引出し配線部１４ｉｎとを電気的に接続している。

また、図示を省略しているが、層間絶縁膜１０ｓは、信号配線１０を構成する連結部１２，引出し配線部１４ｏｕｔについても、被覆するように埋め込み酸化膜２の表面に形成されており、この層間絶縁膜１０ｓを貫通してコンタクトＧＣｏｕｔが設けられている。そして、このコンタクトＧＣｏｕｔは、層間絶縁膜１０ｓ上に設けられた出力端子１３ｏｕｔと、信号配線１０の引出し配線部１４ｏｕｔとを電気的に接続している。

第１半導体部１００について説明する。

第１半導体部１００は、半導体材料によって形成されている。たとえば、第１半導体部１００は、シリコン半導体を用いて形成されている。

この第１半導体部１００は、上記したように、第１半導体フィンＦ１を有する。この第１半導体フィンＦ１は、図１に示すように、複数が形成されている。本実施形態においては、図１に示すように、たとえば、４本の第１半導体フィンＦ１が設けられており、基板１のｘｙ面において、ｙ方向に間隔を隔てて並ぶように設けられている。

本実施形態においては、第１半導体フィンＦ１は、複数の第２半導体フィンＦ２がｙ方向に並んで形成された間の間隔に設けられている。

そして、この複数の第１半導体フィンＦ１は、互いに電気的に接続されている。ここでは、図１に示すように、この複数の第１半導体フィンＦ１のそれぞれにおいて、ｘ方向における一端部に、連結領域Ｆ１ｋが設けられており、この連結領域Ｆ１ｋが、複数の第１半導体フィンＦ１を電気的に接続するように、ｙ方向に延在している。

そして、この複数の第１半導体フィンＦ１のそれぞれは、図１に示すように、信号配線１０の延在部１１に交差している。

ここでは、第１半導体フィンＦ１は、図２および図３に示すように、信号配線１０の延在部１１と交差する部分において、その延在部１１の表面に対面するように形成されている。具体的には、図３に示すように、第１半導体フィンＦ１は、基板１のｘｙ面において、凸状に突出するように形成されており、その基板１から突出した部分の面が、誘電体膜Ｇｚを介して、信号配線１０の延在部１１によって被覆されている。

そして、第１半導体部１００においては、図１に示すように、連結領域Ｆ１ｋにコンタクトＦ１ｃが設けられている。ここでは、図１に示すように、複数のコンタクトＦ１ｃが、ｙ方向に並ぶように、連結領域Ｆ１ｋに設けられている。

本実施形態においては、図２に示すように、第１半導体部１００を構成する第１半導体フィンＦ１および連結領域Ｆ１ｋを被覆するように、層間絶縁膜１０ｓが形成されており、この層間絶縁膜１０ｓを貫通するように、コンタクトＦ１ｃが設けられている。そして、このコンタクトＦ１ｃは、層間絶縁膜１０ｓ上に設けられた配線１００ｈと、第１半導体部１００の連結領域Ｆ１ｋとを電気的に接続している。この配線１００ｈについては、図１では図示をしていないが、この配線１００ｈは、図１に示すように、ｙ方向に並ぶ複数のコンタクトＦ１ｃのそれぞれに接続するように、ｙ方向に延在して形成されている。

第２半導体部２００について説明する。

第２半導体部２００は、半導体材料によって形成されている。たとえば、第２半導体部２００は、第１半導体部１００と同様に、シリコン半導体を用いて形成されている。

この第２半導体部２００は、上記したように、第２半導体フィンＦ２を有する。この第２半導体フィンＦ２は、図１に示すように、複数が形成されている。本実施形態においては、図２に示すように、たとえば、４本の第２半導体フィンＦ２が設けられており、基板１のｘｙ面において、ｙ方向に間隔を隔てて並ぶように設けられている。

本実施形態においては、第２半導体フィンＦ２は、複数の第１半導体フィンＦ１がｙ方向に並んで形成された間の間隔に設けられている。

そして、この複数の第２半導体フィンＦ２は、互いに電気的に接続されている。ここでは、図１に示すように、この複数の第２半導体フィンＦ２のそれぞれにおいて、ｘ方向における他端部に、連結領域Ｆ２ｋが設けられており、この連結領域Ｆ２ｋが、複数の第２半導体フィンＦ２を電気的に接続するように、ｙ方向に延在している。

そして、図１に示すように、この複数の第２半導体フィンＦ２のそれぞれは、第１半導体フィンＦ１と同様に、信号配線１０の延在部１１に交差している。

図示を省略しているが、第２半導体フィンＦ２は、第１半導体フィンＦ１の場合と同様に、信号配線１０の延在部１１と交差する部分において、その延在部１１の表面に対面するように形成されている。具体的には、図３において第１半導体フィンＦ１について示した場合と同様に、第２半導体フィンＦ２は、基板１のｘｙ面において、凸状に突出するように形成されており、その基板１から突出した部分の面が、誘電体膜Ｇｚを介して、信号配線１０の延在部１１によって被覆されている。

そして、第２半導体部２００においては、図１に示すように、連結領域Ｆ２ｋにコンタクトＦ２ｃが設けられている。ここでは、図１に示すように、複数のコンタクトＦ２ｃが、ｙ方向に並ぶように、連結領域Ｆ２ｋに設けられている。

また、図示を省略しているが、第１半導体部１００の場合と同様に、第２半導体部２００を構成する第２半導体フィンＦ２および連結領域Ｆ２ｋを被覆するように、層間絶縁膜１０ｓが形成されている。そして、この層間絶縁膜１０ｓを貫通するように、コンタクトＦ２ｃが設けられている。そして、このコンタクトＦ２ｃは、層間絶縁膜１０ｓ上に設けられた配線（図示なし）と、第２半導体部２００の連結領域Ｆ２ｋとを電気的に接続している。図示を省略しているが、この配線は、この第１半導体部１００に接続された配線１００ｈと同様に、ｙ方向に並ぶ複数のコンタクトＦ２ｃのそれぞれに接続するように、ｙ方向に延在して形成されている。

セレクタ回路３００について説明する。

セレクタ回路３００は、第１半導体部１００の電位および第２半導体部２００の電位を調整するように構成されている。

ここでは、信号配線１０の一端に電気信号が入力された際に、第１半導体部１００と信号配線１０との間と、第２半導体部２００と信号配線１０との間との少なくとも一方にて電位差を生じさせ、第１半導体部１００の電位と第２半導体部２００との電位を調整する。これにより、セレクタ回路３００は、第１半導体部１００と信号配線１０との間と、第２半導体部２００と信号配線１０との間との少なくとも一方に静電容量素子を形成する。つまり、第１半導体部１００と第２半導体部２００とのそれぞれを、下部電極として用いると共に、信号配線１０を、上部電極として用いることで、静電容量素子を形成する。このようにすることによって、信号配線１０の一端から入力された電気信号による電荷を蓄積させて、その信号配線１０の他端から出力させ、信号配線１０の一端から入力された電気信号を遅延させる。

本実施形態においては、セレクタ回路３００は、図１に示すように、４つのスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４の各ゲートに、電気的に接続されている。たとえば、各スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４として、ＭＯＳトランジスタが基板１に形成されており、そのＭＯＳトランジスタのゲート電極のそれぞれに、セレクタ回路３００が接続されている。そして、セレクタ回路３００は、制御部（図示無し）からコントロール端子ＣＴＬ１，ＣＴＬ２，ＣＴＬ３，ＣＴＬ４に入力される選択信号によって、各スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４のオン／オフ動作を制御するように構成されている。つまり、本実施形態では、セレクタ回路とトランスファゲートを組み合わせて、バイアスを選択的に印加するように構成されている。ここでは、セレクタ回路３００は、各スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４のオン／オフ動作を制御し、各オン／オフ動作を組み合わせた動作を実施することによって、複数通りの信号遅延を実現可能となっている。

図４は、本発明に係る第１実施形態において、信号遅延を実施する際のタイミングチャートを示す図である。図４においては、横軸が時間ｔであって、縦軸が電圧Ｖである。そして、この図４において、（ａ）は、信号配線１０の一端に入力される電気信号を示している。また、（ｂ）は、信号配線１０の他端において出力される電気信号を示している。そして、（ｃ）は、信号配線１０の他端において出力される電気信号を波形成形した後の電気信号を示している。

図４（ａ）に示すように、信号配線１０の一端においてパルス信号として入力された電気信号は、信号配線１０の一端と他端との間において、上記のようにして形成される静電容量素子によって、充電がされた後に、放電される。このため、信号配線１０の一端において矩形形状のパルス信号として入力された電気信号は、図４（ｂ）に示すように、その信号波形が変形される。

ここでは、図４（ｂ）に示すように、静電容量素子によって電荷が蓄積された後に、その蓄積された電荷が放電されるため、前段部分において、電位が徐々に上昇した信号波形となる。そして、その後、後段部分にて電位が徐々に下降していく信号波形になって、電気信号が、信号配線１０の他端から出力される。そして、図４（ｃ）に示すように、その信号配線１０の他端から出力された電気信号を、バッファ素子（図示なし）が閾値に基づいて、矩形形状に波形整形する。これにより、所定の信号遅延量ＳＴで信号遅延が実施されたパルス信号として、電気信号が生成される。

図５は、本発明に係る第１実施形態において、信号遅延を実施する際に、各スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４について動作させる様子を示す図である。図５において、「ＯＮ」は、各スイッチング素子をオン状態にすることを示し、「ＯＦＦ」は、各スイッチング素子をオフ状態にすることを示している。また、「○」は、スイッチング素子を動作させた際に、そのスイッチング素子に接続している半導体部と信号配線との間が、静電容量素子として機能することを示している。一方で、「×」は、静電容量素子として機能しないことを示している。

本実施形態において、上記の信号遅延量ＳＴを得る際には、たとえば、図５（ａ１）に示すように、第１スイッチング素子ＳＷ１をオン状態にすると共に、第２スイッチング素子ＳＷ２をオフ状態にする。そして、これと同時に、第３スイッチング素子ＳＷ３をオン状態にすると共に、第４スイッチング素子ＳＷ４をオフ状態にする。このようにすることによって、第１半導体部１００に固定電位（たとえば、ＶｄｄまたはＧＮＤ）を与えて、第１半導体部１００と信号配線１０との間にて電位差を生じさせ、第１半導体部１００と信号配線１０とが交差する部分を、静電容量素子として機能させる（図１参照）。そして、これと共に、第２半導体部２００に固定電位（たとえば、ＶｄｄまたはＧＮＤ）を与えて、信号配線１０との間において電位差を生じさせることで、第２半導体部２００と信号配線１０とが交差する部分を、静電容量素子として機能させる（図１参照）。すなわち、図１に示すように、第１半導体部１００および第２半導体部２００のそれぞれと、信号配線１０とが交差する部分に電位差を生じさせる。そして、これにより、ｘ方向とｙ方向との各方向にてマトリクス状に並ぶ、第１半導体部１００および第２半導体部２００と、信号配線１０との交点に、ゲート遅延を得るためのＭＯＳ容量を多数形成する。このため、図５（ａ１）に示すように、第１半導体部１００と信号配線１０との間と、第２半導体部２００と信号配線１０との間との両者が静電容量素子として機能するので、信号配線１０の一端から入力された電気信号を遅延させることができる。

また、本実施形態において、上記よりも小さい信号遅延量ＳＴを得る際には、図５（ｂ１）に示すように、上記と異なり、第３スイッチング素子ＳＷ３をオフ状態にすると共に、第４スイッチング素子ＳＷ４をオン状態にする。すなわち、第１スイッチング素子ＳＷ１をオン状態にし、第２スイッチング素子ＳＷ２をオフ状態にすると同時に、第３スイッチング素子ＳＷ３をオフ状態にし、第４スイッチング素子ＳＷ４をオン状態にする。このようにすることで、上記と同様に、第１半導体部１００に固定電位（たとえば、ＶｄｄまたはＧＮＤ）を与えて、第１半導体部１００と信号配線１０とが交差する部分を、静電容量素子として機能させる（図１参照）。一方で、第２半導体部２００と信号配線１０とは互いに信号電圧が印加されて同電位であり、電位差が生じないため、第２半導体部２００と信号配線１０とが交差する部分については、静電容量素子として機能させない（図１参照）。このように、第１半導体部１００と信号配線１０との間のみを静電容量素子として機能させ、第２半導体部２００と信号配線１０との間においては、静電容量素子として機能させない状態にする。このため、信号配線１０の一端から入力された電気信号を、上記よりも小さい信号遅延量ＳＴになるように、遅延させることができる。

一方で、本実施形態において、信号遅延量ＳＴを得ない場合においては、図５（ｃ１）に示すように、第１スイッチング素子ＳＷ１をオフ状態にすると共に、第２スイッチング素子ＳＷ２をオン状態にする。そして、これと共に、第３スイッチング素子ＳＷ３をオフ状態にすると共に、第４スイッチング素子ＳＷ４をオン状態にする。これによって、第１半導体部１００と信号配線１０との間において電位差を生じさせず、第１半導体部１００と信号配線１０とが交差する部分が、静電容量素子として機能しない（図１参照）。同様に、第２半導体部２００と信号配線１０とが交差する部分が、静電容量素子として機能しない（図１参照）。つまり、図５（ｃ１）に示すように、第１半導体部１００と信号配線１０との間と、第２半導体部２００と信号配線１０との間との両者を静電容量素子として機能させない。このため、信号配線１０の一端から入力された電気信号を遅延させずに出力させることができる。

なお、図５（ｂ１’）に示すように、各スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４を動作させることによって、図５（ｂ１）に示した場合と同じ信号遅延を実現することができる。具体的には、図５（ｂ１’）に示すように、第１スイッチング素子ＳＷ１をオフ状態にし、第２スイッチング素子ＳＷ２をオン状態にすると同時に、第３スイッチング素子ＳＷ３をオン状態にし、第４スイッチング素子ＳＷ４をオフ状態にする。これにより、第１半導体部１００と信号配線１０とのそれぞれは、信号電圧が印加されて同電位であり、電位差が生じないため、第１半導体部１００と信号配線１０とが交差する部分については、静電容量素子として機能しない（図１参照）。一方で、第２半導体部２００においては、固定電位（たとえば、ＶｄｄまたはＧＮＤ）が与えられるので、第２半導体部２００と信号配線１０とが交差する部分が、静電容量素子として機能する（図１参照）。このように、第２半導体部２００と信号配線２０との間のみを、静電容量素子として機能させ、第１半導体部１００と信号配線１０との間においては、静電容量素子として機能させない状態にする。このため、図５（ｂ１）に示した場合と同様な静電容量が生ずるので、同様に、信号配線１０の一端から入力された電気信号を遅延させることができる。よって、上記した図５（ｂ１）に示した場合に代わって、図５（ｂ１’）に示すように、各スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４を動作させてもよい。

このように、本実施形態においては、各スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４のオン／オフ動作を制御し、各オン／オフ動作を組み合わせた動作を実施することによって、合計で３通りの信号遅延を実現可能となっている。

その他、第１半導体部１００と第２半導体部２００とのそれぞれの電位をセレクタ回路３００が、コントロール端子ＣＴＬ１，ＣＴＬ２，ＣＴＬ３，ＣＴＬ４に入力される選択信号に基づいて調整することで、種々の信号遅延を実現することができる。

以下より、本実施形態において、上記の半導体装置を製造する製造方法の要部について説明する。

図６と図７と図８は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法において、各工程にて製造される要部の断面を示す断面図である。この図６と図７と図８とのそれぞれは、前述の図３と同様に、図１のＣ−Ｄ−Ｅ部分において紙面に垂直な面について示す断面図である。

この図６と図７と図８とにおいては、（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ）の順にて、順次、各工程にて製造される装置の要部の断面を示しており、この各工程を順次実施することによって、上記の半導体装置を製造する。ここでは、第１半導体部１００を形成する部分を代表として示すが、第２半導体部２００についても、第１半導体部１００と同様に製造する。

まず、図６（ａ）に示すように、基板１の表面に、埋め込み酸化膜２と半導体層３とを設ける。

ここでは、たとえば、シリコン半導体である基板１の表面から深い位置に酸素イオンを注入後、熱処理を実施する。これにより、基板１にシリコン酸化膜からなる埋め込み酸化膜２を形成すると共に、その埋め込み酸化膜２の表面に、シリコン半導体からなる半導体層３を設ける。このようにすることで、本実施形態においては、ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｏｆ Ｏｘｙｇｅｎ）構造を形成する。

つぎに、図６（ｂ）に示すように、第１半導体フィンＦ１を形成する。

ここでは、図６（ｂ）においては図示していないが、第１半導体フィンＦ１の他、第１半導体フィンＦ１と共に第１半導体部１００を構成する連結領域Ｆ１ｋと、第２半導体部２００を構成する第２半導体フィンＦ２および連結領域Ｆ２ｋを形成する。

本実施形態においては、図１に示した第１半導体部１００と第２半導体部２００との平面形状に対応するように、半導体層３をパターン加工することによって、第１半導体部１００と第２半導体部２００とを、同一工程で同時に形成する。

具体的には、まず、半導体層３上に、膜厚が５〜１０ｎｍ程度の薄いシリコン酸化膜（図示なし）を、たとえば、熱酸化法によって、形成する。つぎに、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、シリコン窒化膜（図示なし）を、その表面に成膜する。その後、フォトリソグラフィ法によって、図１に示した第１半導体部１００と第２半導体部２００との平面形状に対応するように、上記のシリコン窒化膜をパターニングして、ハードマスク（図示なし）を形成する。

たとえば、上記のシリコン窒化膜においてパターン加工を施す面に、感光性材料からなるフォトレジスト膜を成膜する。そして、設計パターンに対応するようにマスクパターンが形成されたフォトマスクを照明し、その照明によって生ずるマスクパターン像を、そのフォトレジスト膜に露光して転写する。その後、そのマスクパターン像が転写されたフォトレジスト膜を現像して、レジストマスクを形成する。そして、このレジストマスクを用いて、エッチング処理を実施することによって、シリコン窒化膜をパターン加工し、ハードマスクを形成する。なお、シリコン窒化膜のハードマスクと半導体層３との間に、薄いシリコン酸化膜を設けているため、シリコン窒化膜のハードマスクによって半導体層３に与えられる応力を緩和することができる。

そして、上記のハードマスクを用いて、たとえば、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法によって、埋め込み酸化膜２の表面が露出するまで、半導体層３についてエッチング処理を実施し、半導体層３をパターン加工する。その後、ハードマスクとして形成したシリコン窒化膜と、シリコン酸化膜とを除去する。

このようにすることで、図１に示した第１半導体部１００と第２半導体部２００との平面形状に、半導体層３を加工する。つまり、第１半導体部１００と第２半導体部２００とを、串歯状に形成し、その串歯が第１半導体部１００と第２半導体部２００とにおいて交互になるように設けている。

そして、上記のように形成された第１半導体部１００と第２半導体部２００とに対して、イオン注入を実行する。ここでは、図１に示したように、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１と、第２半導体部２００の第２半導体フィンＦ２とにおいて、信号配線１０の延在部１１に交差する部分についても、高濃度にイオンを注入する。
たとえば、リンを、１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２程度の濃度になるように、イオン注入を実施する。

つぎに、図７（ｃ）に示すように、誘電体膜Ｇｚを形成する。

ここでは、たとえば、熱酸化処理を実施して、図７（ｃ）に示すように、第１半導体フィンＦ１の表面に、厚さが２ｎｍ程度のシリコン酸化膜を設けることで、この誘電体膜Ｇｚを形成する。

また、図７（ｃ）においては図示していないが、第２半導体フィンＦ２の表面においても、第１半導体フィンＦ１と同様にしてシリコン酸化膜を設けることで、この誘電体膜Ｇｚを形成する。

つぎに、図７（ｄ）に示すように、信号配線１０を形成する。

ここでは、まず、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のポリシリコン膜（図示なし）を、たとえば、ＣＶＤ法によって、埋め込み酸化膜２の表面に成膜する。その後、そのポリシリコン膜をパターン加工することで、信号配線１０を形成する。たとえば、ＲＩＥ法によって、そのポリシリコン膜についてエッチング処理を実施することで、信号配線１０へパターン加工する。

具体的には、図１において示したように、基板１のｘｙ面においてｘ方向に間隔を隔てて並ぶように延在部１１を形成する。本実施形態においては、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１と、第２半導体部２００の第２半導体フィンＦ２とのそれぞれに交差するように、複数の延在部１１のそれぞれを形成する。

そして、この複数の延在部１１が、その互いに隣り合う延在部１１の間にて電気的に接続するように、連結部１２を形成する。また、ｘ方向に並ぶ延在部１１にて一方の端部に位置する延在部１１（左側から１本目）の下端部に電気的に接続するように、引出し配線部１４ｉｎを形成する。そして、ｘ方向に並ぶ延在部１１にて他方の端部に位置する延在部１１（左側から１０本目）の下端部に、電気的に接続するように引出し配線部１４ｏｕｔを形成する。

つぎに、図８（ｅ）に示すように、層間絶縁膜１０ｓを形成する。

ここでは、上記のように基板１の面に形成した各部を被覆するように、層間絶縁膜１０ｓを形成する。たとえば、ＣＶＤ法によって、シリコン酸化膜を堆積後、たとえば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法によって、そのシリコン酸化膜の表面を平坦化して、この層間絶縁膜１０ｓを形成する。

つぎに、図８（ｆ）に示すように、コンタクトＧＣｉｎと入力端子１３ｉｎとを形成する。

ここでは、まず、信号配線１０の一端に設けた引出し配線部１４ｉｎの表面が露出するように、コンタクトホール（図示なし）を層間絶縁膜１０ｓに形成する。たとえば、ＲＩＥ法によって層間絶縁膜１０ｓについてエッチング処理を実施することで、このコンタクトホール（図示なし）を形成する。その後、そのコンタクトホールにアルミニウムなどの金属材料を埋め込み、パターン加工することで、信号配線１０の一端に設けた引出し配線１４部ｉｎにコンタクトＧＣｉｎを電気的に接続させて形成する。

また、図８（ｆ）においては図示していないが、この工程においては、図１に示すように、信号配線１０の他端に設けた引出し配線部１４ｏｕｔについても、上記と同様にして、コンタクトＧＣｏｕｔを接続させて形成する。

そして、図１に示すように、第１半導体部１００の連結領域Ｆ１ｋと、第２半導体部２００の連結領域Ｆ２ｋのそれぞれについても、上記と同様にして、コンタクトＦ１ｃ，Ｆ２ｃを形成する。具体的には、図２に示すように、第１半導体部１００の連結領域Ｆ１ｋ表面が露出するように形成されたコンタクトホールに、金属材料を埋め込むことで、コンタクトＦ１ｃを形成する。そして、これと同様に、第２半導体部２００の連結領域Ｆ２ｋ表面が露出するように形成されたコンタクトホールに、金属材料を埋め込むことで、コンタクトＦ２ｃを形成する。

つぎに、図３に示すように、入力端子１３ｉｎを形成する。

ここでは、層間絶縁膜１０ｓ上に、たとえば、アルミニウムなどの金属膜を成膜後、パターン加工することで、入力端子１３ｉｎを形成する。

また、図３においては図示していないが、この工程においては、図１に示すように、出力端子１３ｏｕｔについても、上記と同様にして、形成する。

そして、この工程においては、図２に示すように、第１半導体部１００の連結領域Ｆ１ｋに設けられているコンタクトＦ１ｃに電気的に接続するように、配線１００ｈについても、上記と同様に形成する。ここでは、図１に示すように、第１半導体部１００において、ｙ方向に並ぶように形成された複数のコンタクトＦ１ｃのそれぞれに接続するように、この配線１００ｈ（図１では図示なし）を、ｙ方向に延在させて形成する。また、同様に、図１に示すように、第２半導体部２００において、ｙ方向に並ぶように形成された複数のコンタクトＦ２ｃのそれぞれに接続するように、この配線（図示なし）を、ｙ方向に延在させて形成する。

以上のように、本実施形態の半導体装置は、第１半導体部１００と信号配線１０との間と、第２半導体部２００と信号配線１０との間との少なくとも一方を静電容量素子として機能させることによって、信号配線１０の一端から入力された電気信号を遅延させる。このため、本実施形態は、第１半導体部１００の電位と第２半導体部２００の電位とを調整することで、電荷を蓄積させる量を容易に調整可能であり、複数通りの信号遅延を実現することができるので、信号遅延回路において信号遅延量を所望に調整できる。

また、本実施形態においては、第１半導体部１００は、基板１の面にて突出して形成されている第１半導体フィンＦ１を有し、第２半導体部２００は、基板１の面にて突出して形成されている第２半導体フィンＦ２を有する。ここでは、第１半導体フィンＦ１と第２半導体フィンＦ２とのそれぞれは、基板１の面にてｘ方向に延在するように形成されている。そして、信号配線１０は、基板１の面にて突出して形成されており、第１半導体フィンＦ１および第２半導体フィンＦ２にて基板１から突出した面を、誘電体膜Ｇｚを介して被覆している。ここでは、信号配線１０は、基板１の面にてｙ方向に延在している延在部１１を有し、その信号配線１０の延在部１１が、第１半導体フィンＦ１および第２半導体フィンＦ２にて基板１から突出した面を、誘電体膜Ｇｚを介して被覆している。このため、本実施形態においては、Ｆｉｎ ＦＥＴにおけるＭＯＳ容量によって信号遅延を実現させており、第１半導体部１００と第２半導体部２００とのそれぞれに対して、独立にバイアスを与えるので、静電容量を段階的に調整できる。よって、本実施形態においては、基板１の面において区画される小さな領域にて、大きな静電容量を得ることが可能であり、装置の小型化を容易に実現できる。

＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態について説明する。

図９は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す平面図である。

本実施形態の半導体装置は、図９に示すように、第２半導体部２００の形状が、第１実施形態と異なる。この点、および、これに関連する点を除き、第１実施形態と同様である。このため、重複する個所については、記載を省略する。

第１半導体部１００は、図９に示すように、第１実施形態と同様に、第１半導体フィンＦ１が、４本、設けられている。

第２半導体部２００は、図９に示すように、第１実施形態と同様に、第２半導体フィンＦ２を有する。しかし、本実施形態においては、第２半導体部２００は、図９に示すように、第２半導体フィンＦ２の本数が、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１の本数と異なっている。ここでは、第２半導体フィンＦ２が５本であり、基板１のｘｙ面において、ｙ方向に間隔を隔てて並ぶように設けられている。そして、この５本の第２半導体フィンＦ２は、ｘ方向における他端部に、連結領域Ｆ２ｋが設けられており、この連結領域Ｆ２ｋが、この５本の第２半導体フィンＦ２を電気的に接続している。

図１０は、本発明に係る第２実施形態において、信号遅延を実施する際に、各スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４について動作させる様子を示す図である。図１０において、「ＯＮ」は、各スイッチング素子をオン状態にすることを示し、「ＯＦＦ」は、各スイッチング素子をオフ状態にすることを示している。また、「○」は、スイッチング素子を動作させた際に、そのスイッチング素子に接続している半導体部と信号配線との間が、静電容量素子として機能することを示している。一方で、「×」は、静電容量素子として機能しないことを示している。

本実施形態において、上記の信号遅延量ＳＴを得る際には、たとえば、図１０（ａ２）に示すように、第１スイッチング素子ＳＷ１をオン状態にすると共に、第２スイッチング素子ＳＷ２をオフ状態にする。そして、これと同時に、第３スイッチング素子ＳＷ３をオン状態にすると共に、第４スイッチング素子ＳＷ４をオフ状態にする。このようにすることによって、第１半導体部１００に固定電位（たとえば、ＶｄｄまたはＧＮＤ）を与えて、第１半導体部１００と信号配線１０との間にて電位差を生じさせ、第１半導体部１００と信号配線１０とが交差する部分を、静電容量素子として機能させる（図９参照）。そして、これと共に、第２半導体部２００に固定電位（たとえば、ＶｄｄまたはＧＮＤ）を与えて、信号配線１０との間において電位差を生じさせることで、第２半導体部２００と信号配線１０とが交差する部分を、静電容量素子として機能させる（図９参照）。すなわち、図９に示すように、第１半導体部１００および第２半導体部２００のそれぞれと、信号配線１０とが交差する部分に電位差を生じさせる。そして、これにより、ｘ方向とｙ方向との各方向にてマトリクス状に並ぶ、第１半導体部１００および第２半導体部２００と、信号配線１０との交点に、ゲート遅延を得るためのＭＯＳ容量を多数形成する。このため、図１０（ａ２）に示すように、第１半導体部１００と信号配線１０との間と、第２半導体部２００と信号配線１０との間との両者が静電容量素子として機能するので、信号配線１０の一端から入力された電気信号を遅延させることができる。

また、本実施形態において、上記よりも小さい信号遅延量ＳＴを得る際には、図１０（ｂ２）に示すように、第３スイッチング素子ＳＷ３をオフ状態にすると共に、第４スイッチング素子ＳＷ４をオン状態にする。すなわち、第１スイッチング素子ＳＷ１をオン状態にし、第２スイッチング素子ＳＷ２をオフ状態にすると同時に、第３スイッチング素子ＳＷ３をオフ状態にし、第４スイッチング素子ＳＷ４をオン状態にする。このようにすることで、上記と同様に、第１半導体部１００に固定電位（たとえば、ＶｄｄまたはＧＮＤ）を与えて、第１半導体部１００と信号配線１０とが交差する部分を、静電容量素子として機能させる（図９参照）。一方で、第２半導体部２００と信号配線１０とは互いに信号電圧が印加されて同電位であり、電位差が生じないため、第２半導体部２００と信号配線１０とが交差する部分については、静電容量素子として機能しない（図９参照）。このように、第１半導体部１００と信号配線１０との間のみを静電容量素子として機能させ、第２半導体部２００と信号配線１０との間においては、静電容量素子として機能させない状態にする。このため、信号配線１０の一端から入力された電気信号を、上記よりも小さい信号遅延量ＳＴになるように、遅延させることができる。

また、図１０（ｂ２）に示した場合よりも大きい信号遅延量ＳＴを得る際には、図１０（ｃ２）に示すように、第１スイッチング素子ＳＷ１をオフ状態にし、第２スイッチング素子ＳＷ２をオン状態にする。そして、これと同時に、第３スイッチング素子ＳＷ３をオン状態にし、第４スイッチング素子ＳＷ４をオフ状態にする。このようにすることで、第１半導体部１００と信号配線１０とは互いに信号電圧が印加されて同電位であり、電位差が生じないため、第１半導体部１００と信号配線１０とが交差する部分については、静電容量素子として機能しない（図９参照）。一方で、第２半導体部２００においては、固定電位（たとえば、ＶｄｄまたはＧＮＤ）が与えられるので、第２半導体部２００と信号配線１０とが交差する部分が、静電容量素子として機能する（図９参照）。このように、第２半導体部２００と信号配線１０との間のみを静電容量素子として機能させ、第１半導体部１００と信号配線１０との間においては、静電容量素子として機能させない状態にする。このため、信号配線１０の一端から入力された電気信号を遅延させることができる。

上記したように、第２半導体部２００においては、第２半導体フィンＦ２の本数が、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１の本数よりも多く、設けられている。このため、第２半導体部２００と信号配線１０との間においては、第１半導体部１００と信号配線１０との間よりも、多くが静電容量素子として機能する。したがって、図１０（ｃ２）に示すように、各スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４を動作させた場合には、図１０（ｂ２）に示した場合よりも大きな静電容量が生ずるので、より大きな信号遅延量ＳＴを得ることができる。

一方で、本実施形態において、信号遅延量ＳＴを得ない場合においては、図１０（ｄ２）に示すように、第１スイッチング素子ＳＷ１をオフ状態にすると共に、第２スイッチング素子ＳＷ２をオン状態にする。そして、これと共に、第３スイッチング素子ＳＷ３をオフ状態にすると共に、第４スイッチング素子ＳＷ４をオン状態にする。これによって、図１０（ｄ２）に示すように、第１半導体部１００と信号配線１０との間において電位差を生じさせず、第１半導体部１００と信号配線１０とが交差する部分が、静電容量素子として機能しない（図９参照）。同様に、第２半導体部２００と信号配線１０とが交差する部分が、静電容量素子として機能しない（図９参照）。つまり、第１半導体部１００と信号配線１０との間と、第２半導体部２００と信号配線１０との間との両者を静電容量素子として機能させない。このため、信号配線１０の一端から入力された電気信号を遅延させずに出力させることができる。

このように、本実施形態においては、各スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４のオン／オフ動作を制御し、各オン／オフ動作を組み合わせた動作を実施することによって、合計で４通りの信号遅延を実現可能となっている。

以上のように、本実施形態の半導体装置は、第１実施形態と同様に、第１半導体部１００と信号配線１０との間と、第２半導体部２００と信号配線１０との間との少なくとも一方を静電容量素子として機能させて、複数通りの信号遅延が実施できる。ここでは、第１半導体フィンＦ１と第２半導体フィンＦ２との本数が互いに異なるように、第１半導体部１００と第２半導体部２００とを設けている。このため、本実施形態においては、第１実施形態よりも、より多くの種類の信号遅延を実施することができる。

＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態について説明する。

図１１は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す平面図である。

本実施形態の半導体装置は、図１１に示すように、第１半導体部１００と、第２半導体部２００とのそれぞれの形状が、第１実施形態と異なる。また、第３半導体部３０１と、第４半導体部４０１とがさらに形成されている。この点、および、これに関連する点を除き、第１実施形態と同様である。このため、重複する個所については、記載を省略する。

第１半導体部１００は、図１１に示すように、第１実施形態と同様に、第１半導体フィンＦ１を有する。本実施形態においては、この第１半導体フィンＦ１は、２本であり、基板１のｘｙ面において、ｙ方向に間隔を隔てて並ぶように設けられている。そして、この２本の第１半導体フィンＦ１は、ｘ方向における一端部に、連結領域Ｆ１ｋが設けられており、この連結領域Ｆ１ｋが、この２本の第１半導体フィンＦ１を電気的に接続している。

そして、この複数の第１半導体フィンＦ１のそれぞれは、第１実施形態と同様に、図１１に示すように、信号配線１０の延在部１１に交差している。

ここでは、第１半導体フィンＦ１は、第１実施形態の場合と同様に、図２と図３とにおいて示したように、信号配線１０の延在部１１と交差する部分において、その延在部１１の表面に対面している。つまり、図３に示したように、第１半導体フィンＦ１は、基板１のｘｙ面において、凸状に突出するように形成されており、その基板１から突出した部分の面が、誘電体膜Ｇｚを介して、信号配線１０の延在部１１によって被覆されている。

そして、第１半導体部１００においては、図１１に示すように、第１実施形態と同様に、連結領域Ｆ１ｋにコンタクトＦ１ｃが設けられている。

第２半導体部２００は、図１１に示すように、第１実施形態と同様に、第２半導体フィンＦ２を有する。本実施形態においては、この第２半導体フィンＦ２は、２本であり、基板１のｘｙ面において、ｙ方向に間隔を隔てて並ぶように設けられている。そして、この２本の第２半導体フィンＦ２は、ｘ方向における他端部に、連結領域Ｆ２ｋが設けられており、この連結領域Ｆ２ｋが、この２本の第２半導体フィンＦ２を電気的に接続している。

そして、この複数の第２半導体フィンＦ２のそれぞれは、第１実施形態と同様に、図１１に示すように、信号配線１０の延在部１１に交差している。つまり、図示を省略しているが、第２半導体フィンＦ２は、第１半導体フィンＦ１の場合と同様に、信号配線１０の延在部１１と交差する部分において、その延在部１１の表面に対面するように形成されている。具体的には、図３において第１半導体フィンＦ１について示した場合と同様に、第２半導体フィンＦ２は、基板１のｘｙ面において、凸状に突出するように形成されており、その基板１から突出した部分の面が、誘電体膜Ｇｚを介して、信号配線１０の延在部１１によって被覆されている。

そして、第２半導体部２００においては、図１１に示すように、第１実施形態と同様に、連結領域Ｆ２ｋにコンタクトＦ２ｃが設けられている。

上記の第１半導体部１００と第２半導体部２００においては、２本の第１半導体フィンＦ１と、２本の第２半導体フィンＦ２とが、ｙ方向において、交互になるように配置されている。

第３半導体部３０１は、図１１に示すように、ｙ方向において間隔を隔てて第１半導体部１００に並んでおり、第１半導体部１００と同様に、形成されている。

具体的には、第３半導体部３０１は、第３半導体フィンＦ３を有し、第１半導体フィンＦ１と同様に、２本の第３半導体フィンＦ３が、基板１のｘｙ面において、ｙ方向に間隔を隔てて並ぶように設けられている。そして、この２本の第３半導体フィンＦ３は、ｘ方向における一端部に、連結領域Ｆ３ｋが設けられており、この連結領域Ｆ３ｋが、この２本の第３半導体フィンＦ３を電気的に接続している。

この複数の第３半導体フィンＦ３のそれぞれは、第１半導体フィンＦ１と同様に、図１１に示すように、信号配線１０の延在部１１に交差している。

ここでは、第３半導体フィンＦ３は、第１半導体フィンＦ１の場合について図２と図３とにおいて示したように、第１半導体フィンＦ１と同様に、信号配線１０の延在部１１と交差する部分において、その延在部１１の表面に対面している。つまり、第１半導体フィンＦ１の場合について図３にて示したように、第３半導体フィンＦ３は、基板１のｘｙ面において、凸状に突出するように形成されており、その基板１から突出した部分の面が、誘電体膜Ｇｚを介して、信号配線１０の延在部１１によって被覆されている。

そして、第３半導体部３０１においては、図１１に示すように、第１半導体部１００と同様に、連結領域Ｆ３ｋにコンタクトＦ３ｃが設けられている。

第４半導体部４０１は、図１１に示すように、ｙ方向において間隔を隔てて第２半導体部２００に並んでおり、第２半導体部２００と同様に、形成されている。

具体的には、第４半導体部４０１は、第４半導体フィンＦ４を有し、第２半導体フィンＦ２と同様に、２本の第４半導体フィンＦ４が、基板１のｘｙ面において、ｙ方向に間隔を隔てて並ぶように設けられている。そして、この２本の第４半導体フィンＦ４は、ｘ方向における一端部に、連結領域Ｆ４ｋが設けられており、この連結領域Ｆ４ｋが、この２本の第４半導体フィンＦ４を電気的に接続している。

この複数の第４半導体フィンＦ４のそれぞれは、第２半導体フィンＦ２と同様に、図１１に示すように、信号配線１０の延在部１１に交差している。

ここでは、第４半導体フィンＦ４は、第１半導体フィンＦ１の場合について図２と図３とにおいて示したように、信号配線１０の延在部１１と交差する部分において、その延在部１１の表面に対面している。つまり、第１半導体フィンＦ１の場合について図３にて示したように、第４半導体フィンＦ４は、基板１のｘｙ面において、凸状に突出するように形成されており、その基板１から突出した部分の面が、誘電体膜Ｇｚを介して、信号配線１０の延在部１１によって被覆されている。

そして、第４半導体部４０１においては、図１１に示すように、第１半導体部１００と同様に、連結領域Ｆ３ｋにコンタクトＦ３ｃが設けられている。

上記の第３半導体部３０１と第４半導体部４０１においては、２本の第３半導体フィンＦ３と、２本の第４半導体フィンＦ４とが、ｙ方向において、交互になるように配置されている。

そして、本実施形態において、セレクタ回路３００は、第１半導体部１００の電位，第２半導体部２００の電位の他、第３半導体部３０１の電位，第４半導体部４０１の電位についても、調整するように構成されている。つまり、信号配線１０の一端に電気信号が入力された際に、第３半導体部３０１と信号配線１０との間と、第４半導体部４０１と信号配線１０との間とにおいて電位差を生じさせるように、第３半導体部３０１の電位と第４半導体部４０１の電位とを、さらに調整する。

これにより、セレクタ回路３００は、第３半導体部３０１と信号配線１０との間と、第４半導体部４０１と信号配線１０との間とにおいても、静電容量素子に形成する。すなわち、第３半導体部３０１と第４半導体部４０１とを下部電極として用いると共に、信号配線１０を上部電極として用いることで、静電容量素子に形成する。そして、この静電容量素子によって、信号配線１０の一端から入力された電気信号による電荷を蓄積させて、その信号配線１０の他端から出力させる。このため、本実施形態は、第１実施形態の場合よりも多い種類の信号遅延を実現可能としている。

具体的には、第１実施形態にて図１に示したように、信号配線１０，第１半導体部１００，第２半導体部２００のそれぞれへの電圧印加をスイッチング制御するスイッチング素子を設ける。そして、この他に、本実施形態では、第３半導体部３０１，第４半導体部４０１のそれぞれへの電圧印加をスイッチング制御するスイッチング素子（図示無し）を設けている。ここでは、第１半導体部１００，第２半導体部２００の場合と同様に、第３半導体部３０１，第４半導体部４０１のそれぞれに対して、２つのスイッチング素子を設けている。つまり、固定電位の電圧の印加をスイッチングするスイッチング素子と、信号電位の電圧を印加するスイッチング素子とを、第３半導体部３０１，第４半導体部４０１のそれぞれに設ける。

そして、第１実施形態と同様に、セレクタ回路３００は、複数のコントロール端子に入力される選択信号によって、各スイッチング素子のオン／オフ動作を制御し、複数通りの信号遅延を実施する。

以上のように、本実施形態においては、第３半導体部３０１と第４半導体部４０１とを、さらに設けている。このため、第３半導体部３０１と信号配線１０との間と、第４半導体部４０１と信号配線１０との間とを、静電容量素子として機能させることができる。したがって、本実施形態は、第１実施形態よりも多いステップで、信号遅延を実現することができる。

＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態について説明する。

図１２は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の要部について模式的に示す平面図である。

本実施形態の半導体装置は、図１２に示すように、信号配線１０の形状が、第１実施形態と異なる。また、第１配線部６０１と、第２配線部７０２とがさらに形成されている。この点、および、これに関連する点を除き、第１実施形態と同様である。このため、重複する個所については、記載を省略する。

信号配線１０は、図１２に示すように、第１実施形態と同様に、延在部１１を有しており、この延在部１１が、複数、形成されている。本実施形態においては、図１２に示すように、たとえば、６本の延在部１１が設けられており、基板１のｘｙ面において、ｘ方向に間隔を隔てて並ぶように設けられている。

この複数の延在部１１は、第１実施形態と同様に、互いに電気的に接続されている。ここでは、図１２に示すように、連結部１２が、その互いに隣り合う延在部１１を電気的に接続している。具体的には、連結部１２は、この６本の延在部１１のそれぞれにおいて、ｘ方向にて互いに隣り合う延在部１１の間であって、ｙ方向における両端部にて、交互に設けられており、その互いに隣り合う延在部１１を電気的に接続している。

そして、この複数の延在部１１のそれぞれは、図１２に示すように、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１と、第２半導体部２００の第２半導体フィンＦ２とのそれぞれに交差するように設けられている。

ここでは、信号配線１０の延在部１１は、第１実施形態について図２および図３にて示したように、第１半導体フィンＦ１と交差する部分において、第１半導体フィンＦ１の表面に対面するように形成されている。具体的には、第１実施形態について図３に示したように、延在部１１は、基板１のｘｙ面において、凸状に突出しており、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１において基板１から突出した部分の面を、誘電体膜Ｇｚを介して被覆するように形成されている。

また、第１実施形態の場合と同様に、信号配線１０の延在部１１は、第２半導体フィンＦ２についても、第２半導体フィンＦ２の表面に対面するように形成されている。

そして、信号配線１０においては、図１２に示すように、両端にコンタクトＧＣｉｎ，ＧＣｏｕｔが設けられており、一端から電気信号が入力され、他端から、その電気信号が出力されるように構成されている。

具体的には、図１２に示すように、ｘ方向に並ぶ延在部１１にて一方の端部に位置する延在部１１（左側から１本目）の下端部に、引出し配線部１４ｉｎが電気的に接続しており、信号配線１０は、この引出し配線部１４ｉｎにコンタクトＧＣｉｎが設けられている。そして、図１２に示すように、信号配線１０は、ｘ方向に並ぶ延在部１１にて他方の端部に位置する延在部１１（左側から６本目）の下端部に、引出し配線部１４ｏｕｔが電気的に接続しており、この引出し配線部１４ｏｕｔにコンタクトＧＣｏｕｔが設けられている。

本実施形態においても、第１実施形態にて図２および図３に示したように、層間絶縁膜１０ｓが信号配線１０を被覆して形成されており、コンタクトＧＣｉｎは、この層間絶縁膜１０ｓを貫通して設けられている。そして、これと同様に、コンタクトＧＣｏｕｔが設けられている。

第１配線部６０１は、図１２に示すように、延在部６１１を有しており、この延在部６１１が、複数、形成されている。本実施形態においては、図１２に示すように、たとえば、３本の延在部６１１が設けられており、基板１のｘｙ面において、ｘ方向に間隔を隔てて並ぶように設けられている。

そして、この第１配線部６０１の延在部６１１は、図１２に示すように、信号配線１０にて複数の延在部１１がｘ方向において並んで形成された間の間隔に設けられている。

具体的には、図１２に示すように、第１配線部６０１においてｘ方向にて左側から２本目に並ぶ延在部６１１が、信号配線１０においてｘ方向にて左側から２本目と３本目とに並ぶ延在部１１の間に設けられている。そして、第１配線部６０１においてｘ方向にて左側から３本目に並ぶ延在部６１１が、信号配線１０においてｘ方向にて左側から４本目と５本目とに並ぶ延在部１１の間に設けられている。

この第１配線部６０１の複数の延在部６１１は、互いに電気的に接続されている。ここでは、図１２に示すように、連結部６１２が、その互いに隣り合う延在部６１１を電気的に接続している。具体的には、連結部６１２は、３本の延在部６１１のそれぞれのｙ方向における上端部において、ｘ方向に延在しており、その延在部６１１のそれぞれを電気的に接続している。

そして、この複数の延在部６１１のそれぞれは、図１２に示すように、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１と、第２半導体部２００の第２半導体フィンＦ２とのそれぞれに交差するように設けられている。

図１３と図１４は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す断面図である。ここで、図１３は、図１２のＦ−Ｇ部分において紙面に垂直な面について示す断面図である。また、図１４は、図１２のＨ−Ｉ部分において紙面に垂直な面について示す断面図である。

図１３および図１４に示すように、第１配線部６０１の延在部６１１は、第１半導体フィンＦ１と交差する部分において、第１半導体フィンＦ１の表面に対面するように形成されている。具体的には、図１４に示すように、第１配線部６０１の延在部６１１は、基板１のｘｙ面において、凸状に突出しており、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１において基板１から突出した部分の面を、誘電体膜Ｇｚを介して被覆するように形成されている。つまり、延在部６１１は、第１半導体フィンＦ１においてｘ方向に沿って延在する面であって、基板１のｘｙ面に垂直な両側面と、基板１のｘｙ面に平行な上面とを、誘電体膜Ｇｚを介して被覆するように形成されている。

また、この第１配線部６０１の延在部６１１は、上記の第１半導体フィンＦ１と同様に、第２半導体フィンＦ２の表面に対しても、誘電体膜Ｇｚを介して対面するように形成されている。

そして、第１配線部６０１においては、図１２に示すように、連結部６１２にコンタクトＨ１ｃが設けられている。ここでは、図１２に示すように、複数のコンタクトＨ１ｃが、ｘ方向に並ぶように、連結部６１２に設けられている。

本実施形態においては、図１３と図１４とに示したように、層間絶縁膜１０ｓが形成されており、図示を省略しているが、第１配線部６０１の連結部６１２に対しても、層間絶縁膜１０ｓが被覆している。このため、この層間絶縁膜１０ｓを貫通するように、上記のコンタクトＨ１ｃが設けられている。そして、このコンタクトＨ１ｃは、層間絶縁膜１０ｓ上に設けられた配線（図示なし）と、第１配線部６０１の連結部６１２とを電気的に接続している。この層間絶縁膜１０ｓ上に設けられた配線については、図示をしていないが、図１２に示すように、ｘ方向に並ぶ複数のコンタクトＨ１ｃのそれぞれに接続するように、ｘ方向に延在して形成されている。

上述した第１配線部６０１は、信号配線１０と同様な工程を経て、形成される。すなわち、ポリシリコン膜（図示なし）を成膜後、そのポリシリコン膜をパターン加工することによって、第１配線部６０１が形成される。

第２配線部７０２は、図１２に示すように、延在部７１１を有しており、この延在部７１１が、複数、形成されている。本実施形態においては、第１配線部６０１と同様に、図１２に示すように、たとえば、３本の延在部７１１が設けられており、基板１のｘｙ面において、ｘ方向に間隔を隔てて並ぶように設けられている。

そして、この第２配線部７０２の延在部７１１は、図１２に示すように、信号配線１０にて複数の延在部１１がｘ方向において並んで形成された間の間隔に設けられている。

具体的には、図１２に示すように、第２配線部７０２においてｘ方向にて左側から１本目に並ぶ延在部７１１が、信号配線１０においてｘ方向にて左側から１本目と２本目とに並ぶ延在部１１の間に設けられている。そして、第２配線部７０２においてｘ方向にて左側から２本目に並ぶ延在部７１１が、信号配線１０においてｘ方向にて左側から３本目と４本目とに並ぶ延在部１１の間に設けられている。そして、第２配線部７０２においてｘ方向にて左側から３本目に並ぶ延在部７１１が、信号配線１０においてｘ方向にて左側から５本目と６本目とに並ぶ延在部１１の間に設けられている。

この第２配線部７０２の複数の延在部７１１は、互いに電気的に接続されている。ここでは、図１２に示すように、第２配線部７０２においては、連結部７１２が、その互いに隣り合う延在部７１１を電気的に接続している。具体的には、連結部７１２は、３本の延在部７１１のそれぞれのｙ方向における下端部において、ｘ方向に延在しており、その延在部７１１のそれぞれを電気的に接続している。

そして、この複数の延在部７１１のそれぞれは、図１２に示すように、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１と、第２半導体部２００の第２半導体フィンＦ２とのそれぞれに交差するように設けられている。

この第２配線部７０２の延在部７１１は、図１３および図１４において第１配線部６０１の延在部６１１について示した場合と同様に、第１半導体フィンＦ１と交差する部分において、第１半導体フィンＦ１の表面に対面するように形成されている。具体的には、図１４において第１配線部６０１の延在部６１１について示した場合と同様に、第２配線部７０２の延在部７１１は、基板１のｘｙ面において、凸状に突出している。そして、第２配線部７０２の延在部７１１は、第１半導体部１００の第１半導体フィンＦ１において基板１から突出した部分の面を、誘電体膜Ｇｚを介して被覆するように形成されている。

また、この第２配線部７０２の延在部７１１は、上記の第１半導体フィンＦ１と同様に、第２半導体フィンＦ２の表面に対しても、誘電体膜Ｇｚを介して対面するように形成されている。

そして、第２配線部７０２においては、図１２に示すように、連結部７１２にコンタクトＨ２ｃが設けられている。ここでは、図１２に示すように、複数のコンタクトＨ２ｃが、ｘ方向に並ぶように、連結部７１２に設けられている。

本実施形態においては、図１３と図１４とに示したように、層間絶縁膜１０ｓが形成されており、図示を省略しているが、第２配線部７０２の連結部７１２に対しても、層間絶縁膜１０ｓが被覆している。このため、この層間絶縁膜１０ｓを貫通するように、上記のコンタクトＨ２ｃが設けられている。そして、このコンタクトＨ２ｃは、層間絶縁膜１０ｓ上に設けられた配線（図示なし）と、第２配線部７０２の連結部７１２とを電気的に接続している。この層間絶縁膜１０ｓ上に設けられた配線については、図示をしていないが、図１２に示すように、ｘ方向に並ぶ複数のコンタクトＨ２ｃのそれぞれに接続するように、ｘ方向に延在して形成されている。

そして、本実施形態においては、セレクタ回路３００は、第１半導体部１００の電位，第２半導体部２００の電位の他、第１配線部６０１の電位，第２配線部７０２の電位についても、調整するように構成されている。つまり、セレクタ回路３００は、信号配線１０の一端に電気信号が入力された際に、第１配線部６０１と第１半導体部１００との間と、第１配線部６０１と第２半導体部２００との間とにおいて電位差を生じさせるように、第１配線部６０１の電位を調整する。そして、さらに、セレクタ回路３００は、第２配線部７０２と第１半導体部１００との間と、第２配線部７０２と第２半導体部２００との間とにおいて電位差を生じさせるように、第２配線部７０２の電位を調整する。

これにより、セレクタ回路３００は、第１配線部６０１と第１半導体部１００との間と、第１配線部６０１と第２半導体部２００との間において、静電容量素子に形成する。さらに、第２配線部７０２と第１半導体部１００との間と、第２配線部７０２と第２半導体部２００との間において、静電容量素子に形成する。すなわち、第１配線部６０１と第２配線部７０２とを上部電極として用いると共に、第１半導体部１００と第２半導体部２００とを下部電極として用いることで、静電容量素子に形成する。そして、この静電容量素子によって、信号配線１０の一端から入力された電気信号による電荷を蓄積させて、その信号配線１０の他端から出力させる。このため、本実施形態は、第１実施形態の場合よりも多い種類の信号遅延を実現可能としている。

具体的には、第１実施形態について図１に示したようにスイッチング素子を設ける他に、本実施形態では、第１配線部６０１，第２配線部７０２のそれぞれへの電圧印加をスイッチング制御するスイッチング素子（図示無し）を設ける。ここでは、第１半導体部１００，第２半導体部２００の場合と同様に、第１配線部６０１，第２配線部７０２のそれぞれに対して、２つのスイッチング素子を設ける。つまり、固定電位の電圧の印加をスイッチングするスイッチング素子と、信号電位の電圧を印加するスイッチング素子とを、第１配線部６０１，第２配線部７０２のそれぞれに設ける。

そして、第１実施形態と同様に、セレクタ回路３００は、複数のコントロール端子に入力される選択信号によって、各スイッチング素子のオン／オフ動作を制御し、複数通りの信号遅延を実現させる。

以上のように、本実施形態の半導体装置は、第１配線部６０１と第２配線部７０２とをさらに設けている。このため、第１配線部６０１と第１半導体部１００との間と、第１配線部６０１と第２半導体部２００との間とを、静電容量素子として機能させることができる。また、さらに、第２配線部７０２と第１半導体部１００との間と、第２配線部７０２と第２半導体部２００との間とを、静電容量素子として機能させることができる。したがって、本実施形態は、第１実施形態よりも多いステップで、信号遅延を実現することができる。

また、本実施形態においては、第１配線部６０１の延在部６１１と、第２配線部７０２の延在部７１１とを、信号配線１０の複数の延在部１１の間に挟まれるように設けている。このため、本実施形態においては、基板１の面において区画される小さな領域にて、大きな静電容量を得ることが可能であり、装置の小型化を容易に実現できる。

本発明の実施に際しては、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。

たとえば、上記の実施形態においては、２つの半導体部１００，２００を設ける場合と、４つの半導体部１００，２００，３０１，４０１を設ける場合とについて示したが、これに限定されない。５以上の半導体部を設ける場合においても、適用可能である。

また、上記の実施形態においては、各半導体部１００，２００，３０１，４０１のそれぞれにて、複数の半導体フィンＦ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４を設ける場合について説明したが、これに限定されない。各半導体部１００，２００，３０１，４０１のそれぞれにて、１枚の半導体フィンＦ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４を設けるように構成しても良い。

また、上記の実施形態においては、第１半導体部１００を構成する第１半導体フィンＦ１と、第２半導体部２００を構成する第２半導体フィンＦ２とを、ｙ方向において交互に配置する場合について示した。同様に、第３半導体部３０１を構成する第３半導体フィンＦ３と、第４半導体部４０１を構成する第４半導体フィンＦ４とを、ｙ方向において交互に配置する場合について示した。しかしながら、これに限定されない。たとえば、第１半導体部１００を構成する複数の第１半導体フィンＦ１を、ｙ方向の下段に一群で並べるように形成し、第２半導体部２００を構成する複数の第２半導体フィンＦ２を、そのｙ方向の上段に一群で並べるように形成してもよい。

また、上記の実施形態においては、２つの配線部６０１，７０２を設ける場合について示したが、これに限定されない。１つの配線部を設ける場合であっても適用可能であり、また、３以上の配線部を設ける場合においても、適用可能である。

また、各半導体部１００，２００，３０１，４０１の半導体フィンＦ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４の線幅等の製造条件については、適宜、変更可能である。そして、信号配線１０および配線部６０１，７０２の延在部１１，６１１，７１１の線幅等の製造条件については、適宜、変更可能である。

また、上記の実施形態において信号遅延部５００の各部を形成する工程を実施する際には、他の半導体素子の各部についても、同時に形成しても良い。

また、上記の実施形態においては、半導体フィンＦ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４を、下部電極とし、信号配線１０および各配線部６０１，７０２の各延在部１１，６１１，７１１を、上部電極として用いることで、適宜、静電容量素子として機能させる場合について示したが、これに限定されない。たとえば、プレーナ構造になるように形成しても良い。つまり、基板の面にて区画される半導体領域を下部電極として用いて、上記のように、静電容量素子として機能させるように構成しても良い。

なお、上記の実施形態において、信号配線１０は、本発明における信号配線，配線に相当する。また、上記の実施形態において、延在部１１は、本発明における信号配線，配線の延在部に相当する。また、上記の実施形態において、第１半導体部１００は、本発明の第１半導体部に相当する。また、上記の実施形態において、第２半導体部２００は、本発明の第１半導体部に相当する。また、上記の実施形態において、セレクタ回路３００は、本発明の電位調整部に相当する。また、上記の実施形態において、第３半導体部３０１は、本発明の第１半導体部または第２半導体部に相当する。また、上記の実施形態において、第４半導体部４０１は、本発明の第１半導体部または第２半導体部に相当する。また、上記の実施形態において、信号遅延部５００は、本発明の信号遅延部に相当する。また、上記の実施形態において、第１配線部６０１は、本発明の配線部に相当する。また、上記の実施形態において、延在部６１１は、本発明における配線部の延在部に相当する。また、上記の実施形態において、第２配線部７０２は、本発明における配線部に相当する。また、上記の実施形態において、延在部７１１は、本発明における配線部の延在部に相当する。また、上記の実施形態において、第１半導体フィンＦ１は、本発明の第１半導体フィンに相当する。また、上記の実施形態において、第２半導体フィンＦ２は、本発明の第２半導体フィンに相当する。また、上記の実施形態において、第３半導体フィンＦ３は、本発明の第１半導体フィンまたは第２半導体フィンに相当する。また、上記の実施形態において、第４半導体フィンＦ４は、本発明の第１半導体フィンまたは第２半導体フィンに相当する。また、上記の実施形態において、誘電体膜Ｇｚは、本発明の誘電体膜に相当する。

図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す図である。 図２は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す断面図である。 図３は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す断面図である。 図４は、本発明に係る第１実施形態において、信号遅延を実施する際のタイミングチャートを示す図である。 図５は、本発明に係る第１実施形態において、信号遅延を実施する際に、各スイッチング素子について動作させる様子を示す図である。 図６は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法において、各工程にて製造される要部の断面を示す断面図である。 図７は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法において、各工程にて製造される要部の断面を示す断面図である。 図８は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法において、各工程にて製造される要部の断面を示す断面図である。 図９は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す平面図である。 図１０は、本発明に係る第２実施形態において、信号遅延を実施する際に、各スイッチング素子について動作させる様子を示す図である。 図１１は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す平面図である。 図１２は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す平面図である。 図１３は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す断面図である。 図１４は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の要部について、模式的に示す断面図である。

符号の説明

１０：信号配線，１１：延在部，１００：第１半導体部，２００：第２半導体部，３００：セレクタ回路，３０１：第３半導体部，４０１：第４半導体部，５００：信号遅延部，６０１：第１配線部，６１１：延在部，７０２：第２配線部，７１１：延在部，Ｆ１：第１半導体フィン，Ｆ２：第２半導体フィン，Ｆ３：第３半導体フィン，Ｆ４：第４半導体フィン，Ｇｚ：誘電体膜

Claims (11)

1. 入力された電気信号を遅延させて出力する信号遅延部
   を有し、
   前記信号遅延部は、
   前記電気信号が一端から入力され、他端にて出力される信号配線と、
   前記信号配線の一端から他端の間に設けられており、誘電体膜を介して前記信号配線に対面している第１半導体部と、
   前記信号配線の一端から他端の間にて前記第１半導体部から間隔を隔てて設けられており、誘電体膜を介して前記信号配線に対面している第２半導体部と、
   前記第１半導体部の電位および前記第２半導体部の電位を調整する電位調整部と
   を含み、
   前記電位調整部が、前記第１半導体部の電位および前記第２半導体部の電位を調整し、前記第１半導体部と前記信号配線との間と、前記第２半導体部と前記信号配線との間との少なくとも一方に電位差を生じさせて、前記第１半導体部と前記信号配線との間と、前記第２半導体部と前記信号配線との間との少なくとも一方を静電容量素子として機能させることによって、前記信号配線の一端から入力された電気信号を遅延させる
   半導体装置。
2. 前記第１半導体部は、
   基板の面にて当該基板の面から突出して形成されている第１半導体フィン
   を有し、
   前記第２半導体部は、
   前記基板の面にて当該基板の面から突出して形成されている第２半導体フィン
   を有し、
   前記信号配線は、前記基板の面にて当該基板の面から突出しており、前記第１半導体フィンおよび前記第２半導体フィンにて前記基板から突出した面を、前記誘電体膜を介して被覆している、
   請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１半導体フィンと前記第２半導体フィンとのそれぞれは、前記基板の面にて第１方向に延在しており、
   前記信号配線は、
   前記基板の面にて前記第１方向に直交する第２方向に延在している延在部
   を有し、当該信号配線の延在部が、前記第１半導体フィンおよび前記第２半導体フィンにて前記基板から突出した面を、前記誘電体膜を介して被覆している、
   請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第１半導体部は、前記第１半導体フィンが複数形成されており、当該複数の第１半導体フィンが、前記第２方向にて間隔を隔てて並んでおり、互いに電気的に接続しており、
   前記第２半導体部は、前記第２半導体フィンが複数形成されており、当該複数の第２半導体フィンが、前記第２方向にて間隔を隔てて並んでおり、互いに電気的に接続しており、
   前記信号配線は、前記延在部が複数形成されており、当該複数の延在部が、前記第１方向にて間隔を隔てて並び、互いに電気的に接続している、
   請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記第１半導体部は、前記複数の第２半導体フィンが前記第２方向に並んで形成された間の間隔に、前記第１半導体フィンが設けられており、
   前記第２半導体部は、前記複数の第１半導体フィンが前記第２方向に並んで形成された間の間隔に、前記第２半導体フィンが設けられている、
   請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記信号遅延部は、
   誘電体膜を介して前記第１半導体部および前記第２半導体部に対面している配線部
   を有し、
   前記電位調整部は、前記配線部の電位を調整するように構成されており、
   前記第１半導体部と前記配線部との間と、前記第２半導体部と前記配線部との間とのそれぞれにて電位差を生じさせるように、当該電位調整部が、前記配線部の電位と前記第１半導体部の電位と前記第２半導体部の電位とのそれぞれを調整し、前記第１半導体部と前記配線部との間と、前記第２半導体部と前記配線部との間とのそれぞれを静電容量素子として機能させることによって、前記信号配線の一端から入力された電気信号を遅延させる、
   請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記配線部は、
   前記基板の面にて前記第２方向に延在しており、前記基板の面から突出している延在部
   を有し、当該配線部の延在部が、前記第１半導体フィンおよび前記第２半導体フィンにて前記基板から突出した面を、前記誘電体膜を介して被覆している、
   請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記配線部は、前記延在部が複数形成されており、当該複数の延在部が、前記第１方向にて間隔を隔てて並んでおり、互いに電気的に接続している、
   請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記配線部の延在部は、前記信号配線の複数の延在部が前記第１方向において並んで形成された間の間隔に設けられている、
   請求項８に記載の半導体装置。
10. 前記第１半導体部において前記第１半導体フィンが形成されている本数と、前記第２半導体部において前記第２半導体フィンが形成されている本数とが、互いに異なっている、
    請求項２から請求項９に記載の半導体装置。
11. 配線と、
    誘電体膜を介して前記配線に対面している第１半導体部と、
    前記第１半導体部から間隔を隔てて設けられており、誘電体膜を介して前記配線に対面している第２半導体部と、
    前記第１半導体部の電位および前記第２半導体部の電位を調整する電位調整部と
    を含み、
    前記電位調整部が、前記第１半導体部の電位および前記第２半導体部の電位を調整し、前記第１半導体部と前記配線との間と、前記第２半導体部と前記配線との間との少なくとも一方に電位差を生じさせて、前記第１半導体部と前記配線との間と、前記第２半導体部と前記配線との間との少なくとも一方を静電容量素子として機能させる、
    半導体装置。

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