JP2009266499A - 電子部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】端子のはんだ付け性及び導電性を低下させずに、ウィスカーによる配線端子間及び接触端子間の短絡を防止することができる電子部品を提供する。
【解決手段】表層部分にSn又はSn合金からなるSnめっき層1が形成された複数の端子を有する電子部品において、Snめっき層の厚さtを0.2μm以上とし、少なくとも他の端子と接触する領域に、深さdが0.4t〜tである凹部2,3を形成する。その際、凹部2,3はSnめっき層1のみに形成することが望ましく、更に、凹部2,3が溝状である場合は、その溝幅hを0.2〜20μmにすることが望ましい。
【選択図】図5
【解決手段】表層部分にSn又はSn合金からなるSnめっき層1が形成された複数の端子を有する電子部品において、Snめっき層の厚さtを0.2μm以上とし、少なくとも他の端子と接触する領域に、深さdが0.4t〜tである凹部2,3を形成する。その際、凹部2,3はSnめっき層1のみに形成することが望ましく、更に、凹部2,3が溝状である場合は、その溝幅hを0.2〜20μmにすることが望ましい。
【選択図】図5
Description
本発明は、端子により電気的接続を行う電子部品に関する。より詳しくは、錫(Sn)めっき層を有する複数の端子を備えた電子部品に関する。
EUにおいて、鉛(Pb)の使用を原則禁止とするRoHS(Restriction of Hazardous Substances)指令が発動されたことにより、近年、電子部品においては、Pbを含有する従来のはんだ材料に代えて、Snなどを主成分とする鉛フリー材料が使用されている。しかしながら、電子部品の端子を構成するめっき層にSn又はSn合金を使用した場合、ウィスカーと呼ばれる針状結晶が発生し、配線端子間又は接触端子間で短絡(ショート)が発生するという問題がある。
図7はSnめっき層に発生したウィスカーの形状を示すSEM(Scanning Electron Microscope:走査型電子顕微鏡)写真である(倍率:500倍)。図7に示すように、通常、ウィスカーの長さは、数μm〜数十μm程度であり、長いものでは100μm以上となる場合もある。このため、ウィスカーによる短絡の問題は、ファインピッチコネクタなどのように、複数の端子が狭ピッチで形成されている電子部品において発生しやすく、特に大きな問題となっている。
この問題は、金(Au)又はSn合金に銀(Ag)を添加したSnAgCu系合金でめっき層を形成することにより、解消することが知られている。しかしながら、AuやAgは高価な材料であるため、これらの材料を使用すると、製造コストが増加してしまう。
また、めっき層の膜厚を制御することにより、ウィスカー発生を抑制する試みもなされており、めっき層の厚さを極力薄くすることにより、ウィスカーの発生を低減できることが知られている。しかしながら、めっき層の厚さを薄くしすぎると、所望の導電性が得られなくなる。一方、めっき層を厚くしても、ウィスカーの発生は低減されるが、そうするとめっき厚がばらつきやすくなり、更に製造コストも増加するため、好ましくない。
そこで、一般に、電子部品の製造工程においては、端子を構成するめっき層を形成した後、高温でリフローを行うことにより、ウィスカーの発生を抑制している(例えば、特許文献1参照)。また、端子以外の部分への熱影響を低減するため、電磁波加熱により端子部分のみをリフローすることで、ウィスカーの発生抑制を図った電気接続用端子も提案されている(特許文献2参照)。
一方、従来、Snめっき層を二重に形成することで、短絡を防止する方法も提案されている(特許文献3参照)。この特許文献3に記載の回路基板では、配線部分から銅を拡散させた第1のSnめっき層上に、実質的に銅(Cu)を含有しない第2のSnめっき層を形成することで、ウィスカーの成長抑制を図っている。
また、めっき層の表面を粗化することで、ウィスカーの発生を抑制する技術も提案されている(特許文献4,5参照)。例えば、特許文献4に記載のプリント配線板の製造方法では、エッチング処理などにより粗化面を形成し、その上にめっき層を形成している。また、特許文献5に記載の電子部品では、めっき層が形成される素地の表面に砥粒を吹き付けるなどして、素地及びめっき層それぞれの表面に無方向性の凹凸形状を形成し、Rz値が0.5〜5μmになるようにしている。
しかしながら、前述した従来の技術には以下に示す問題点がある。即ち、特許文献1に記載の技術は、電子部品全体を加熱するため、端子以外の部品に影響が出るという問題点があり、更に、リフロー温度が高いと、端子部分のはんだ付け性が低下するという問題点もある。端子以外の部品への熱影響は、特許文献2に記載の技術のように、端子のみをリフローするようにすれば解消するが、その場合でも、端子部分のはんだ付け性低下の問題点が残る。図8は横軸に加熱温度をとり、縦軸に品質をとって、リフロー時の加熱温度とはんだ付け性及びウィスカー発生状況との関係を示すグラフ図である。図8に示すように、リフロー時の加熱温度が高くなるに従い、ウィスカー発生を抑制する効果は向上するが、はんだ付け性は逆に低下する。このため、ウィスカー発生を抑制しつつはんだ付け性を確保できる温度は、特定範囲に限定されてしまう。
また、特許文献3に記載の技術のように、Snめっき層を二重に形成する方法は、製造工程が増えるため、実用的でない。更に、特許文献4,5に記載の技術のように、素地及びめっき層の表面を粗化する方法では、ウィスカー発生を完全に抑制することができないという問題点がある。
そこで、本発明は、端子のはんだ付け性及び導電性を低下させずに、ウィスカーによる配線端子間及び接触端子間の短絡を防止することができる電子部品を提供することを主目的とする。
本発明に係る電子部品は、表層部分にSn又はSn合金からなるSnめっき層が形成された複数の端子を有し、前記Snめっき層は、厚さtが0.2μm以上であり、少なくとも他の端子と接触する領域に深さが0.4t以上かつt以下の凹部が形成されている。
本発明では、Snめっき層に形成した凹部により、Snめっき層の内部応力及び外部から加わる応力が緩和される。その結果、Snめっき層におけるウィスカーの発生及び成長が抑制される。
この電子部品では、前記凹部が前記Snめっき層にのみ形成されていてもよい。
また、前記凹部が溝状に形成されている場合、その溝幅は0.2乃至20μmとすることができる。
本発明では、Snめっき層に形成した凹部により、Snめっき層の内部応力及び外部から加わる応力が緩和される。その結果、Snめっき層におけるウィスカーの発生及び成長が抑制される。
この電子部品では、前記凹部が前記Snめっき層にのみ形成されていてもよい。
また、前記凹部が溝状に形成されている場合、その溝幅は0.2乃至20μmとすることができる。
本発明によれば、Snめっき層における他の端子と接触する領域に形成凹部を形成しているため、端子のはんだ付け性及び導電性を低下させずに、ウィスカーの発生及び成長を抑制して、配線端子間及び接触端子間の短絡を防止することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について、添付の図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態に限定されるものではない。
本発明の電子部品は、端子同士を圧接又ははんだ付けすることにより、他の部品と電気的に接続される電子部品であり、例えばコネクタ、配線基板及び回路基板などが挙げられる。また、本発明の電子部品における各端子の表層部分には、Sn又はSn合金からなり、厚さtが0.2μm以上のSnめっき層が形成されている。そして、このSnめっき層の少なくとも他の端子と接触する領域又ははんだ付けされる領域には、深さが0.4t〜tである凹部が形成されている。更に、本発明の電子部品では、このような端子が所定の間隔をあけて複数個設けられている。
本発明者は、Snめっき層におけるウィスカーの発生及び成長を抑制するための方法について、鋭意実験検討を行った結果、ウィスカーの発生には、Snめっき層の内部応力及びSnめっき層に外部から付与される応力が関係していることを見出した。そこで、本発明の電子部品においては、端子の表層に設けられたSnめっき層に凹部を形成し、この凹部によりSnめっき層の内部応力及び外部応力を、緩和することとした。これにより、ウィスカーの発生及び成長を抑制できる。なお、Snめっき層内の残留応力の測定は、例えば、X線解析法により行うことができる。
また、凹部により応力を緩和すると、金属間化合物の生成が進行し、生成した金属間化合物が偏在するため、Snめっき層には、ウィスカーの代わりに、粒状のノジュールが発生する。また、図1はSnめっき層に発生したノジュールの形状を示すSEM写真である(倍率:5000倍)であり、図2はノジュールの内部を示す断面SEM写真である(倍率:7万倍)。図1及び図2に示すように、ノジュールは、ウィスカーに比べて大幅に短く、通常、その長さは2μm程度であり、10μmを超えるものは極まれである。このため、ノジュールに起因して短絡が発生する可能性は極めて低い。従って、本発明の電子部品のように、Snめっき層に凹部を形成することにより、端子間での短絡を防止することができる。
なお、Snめっき層に形成される凹部は、少なくとも他の端子と接触する部分に形成されていれば、前述したウィスカー発生及び成長を抑制効果が得られる。
ただし、Snめっき層の厚さtが0.2μm未満の場合、端子として必要な電気的特性を確保することができなくなるため、Snめっき層の厚さtは0.2μm以上とする必要がある。
また、Snめっき層に形成された凹部の深さが、めっき層の厚さtの0.4倍(0.4t)未満の場合、十分なウィスカー抑制効果が得られない。一方、凹部の深さがSnめっき層の厚さtを超えると、即ち、基材及び/又は下地膜にまで凹部を形成した場合、端子の電気的特性や強度が低下する。なお、凹部の深さがSnめっき層の厚さtと同じ場合、即ち、凹部の底部にはSnめっき層がない場合でも、端子の電気的特性にはほとんど影響がない。よって、凹部の深さは、0.4t〜tとする。
また、本発明の電子部品の各端子におけるSnめっき層は、Cu若しくはCu合金などの金属材料又はプラスチック材料などからなる基材上に直接形成されていてもよいが、基材上にNiなどからなる下地膜を設け、その上に形成されていてもよい。いずれの場合においても、基材及び下地膜には凹部が形成されておらず、Sn層のみに凹部が形成されていることが望ましい。これにより、端子の電気的特性及び膜強度を確保しつつ、ウィスカー発生を抑制することができる。
更に、Snめっき層に形成される凹部の形状は特に限定されるものではなく、端子の形状、大きさ、製造方法などに応じて適宜選択することができる。図3(a)〜(d)は凹部の断面形状の一例を示す図であり、図4(a)〜(e)は凹部のパターン形状の一例を示す平面図である。例えば、凹部の断面形状としては、図3(a)に示すような矩形状、図3(b)に示すようなV字状、図3(c)に示すような半円形状、図3(d)に示すような波型状などが挙げられる。また、凹部の形成パターンとしては、平面視で、図4(a)に示すようなドット状、図4(b)に示すような海島状、図4(c)に示すような幾何学パターンなどが挙げられるが、凹部を溝状とし、図4(d)に示すようなストライプ状、図4(e)に示すような格子状に形成してもよい。更に、凹部は規則的に配列されている必要はなく、ランダムに配置されていても同様の効果が得られる。
図5(a)及び(b)は溝状の凹部の例を模式的に示す斜視図である。更に、図5(a),(b)に示すように、Snめっき層1に溝状の凹部2又は凹部3が形成されている場合は、その溝深さdをSnめっき層1の厚さtの0.4〜1倍にすると共に、溝幅wを0.2乃至20μmとすることが望ましい。これは、図5(a)に示すように溝幅wが均一な凹部2に限らず、図5(b)に示すように場所によって溝幅wが異なる凹部3の場合でも同様である。更にまた、隣り合う凹部の間隔は0.1〜300μmとすることが好ましい。
上述した凹部の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば、表面が平坦なSnめっき層を形成した後、その表面を、Gaイオンビーム、Arイオンビーム、刃物又は針などによって物理的に加工したり、薬品によるエッチングなどのように化学的に加工したりする方法、基材又は下地膜にマスクを形成し、その状態で電解めっき又は無電解めっきなどによりSnめっき層を形成する方法、及びスクリーン印刷又はインクジェット法により凹部のパターンを形成する方法などを適用することができる。
上述の如く、本発明の電子部品においては、端子の表層に設けられたSnめっき層の厚さtを0.2μm以上とし、その少なくとも他の端子と接触する領域に深さが0.4t〜tの凹部を形成しているため、Snめっき層の内部応力及び外部応力を緩和することができる。これにより、リフローなどの処理を行わなくても、ウィスカーの発生及び成長を抑制することができる。その結果、端子のはんだ付け性及び導電性を低下させずに、ウィスカーによる配線端子間及び接触端子間の短絡を防止することができる。
なお、本発明の電子部品では、表層のSnめっき層において金属間化合物の生成が進行し、生成した金属間化合物が偏在するため、端子表面にノジュールが発生するが、ノジュールはウィスカーに比べて長さが大幅に短いため、端子間での短絡を招くことはほとんどない。
以下、本発明の実施例及び比較例を挙げて、本発明の効果について具体的に説明する。図6は本実施例で使用したコネクタの形状を模式的に示す図である。先ず、本発明の実施例として、図6に示すコネクタの端子部分に、Snめっき層の厚さの0.4〜1倍の深さの凹部を、ストライプ状又は格子状に形成した。その際、凹部の形成は、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製のFIB(Focused Ion Beam:収束イオンビーム)装置SMI9200を使用してGaイオンによるエッチング加工、又は、市販の剃刀を使用した加工により行った。
また、本発明の比較例として、図6に示すコネクタの端子部分のSnめっき層に、Gaイオンによるエッチング加工、又は、市販の剃刀を使用した加工により、深さが本発明の範囲から外れる凹部を形成した。更に、比較例として、Snめっき層に凹部を形成していないコネクタを用意した。なお、上述した実施例及び比較例の各コネクタにおける端子部分は、リン青銅からなる基材上に、Niからなる下地膜を形成し、その上にSn−2%CuからなるSnめっき層を設けた構成とした。
そして、実施例及び比較例の各コネクタを、アクリル板で挟み、その端子部分に外部応力を印加した。その状態で10日間保持した後、日立ハイテクノロジーズ社製FE−SEM S−4800型により、各コネクタの端子部分を観察し、ウィスカーの発生状況を確認した。その結果を下記表1に示す。なお、下記表1においては、長さ20μm以上のウィスカーが、4本以上発生していたものを×、2本又は3本発生していたものを△、1本発生していたものを○、全く発生していなかったものを◎とした。また、下記表1には、各コネクタにおけるSnめっき層の膜厚、凹部の深さ及び溝幅も併せて示す。
上記表1に示すように、端子部分にSnめっき層の厚さtに対して、0.4〜1倍の深さの凹部を形成した実施例の各コネクタは、ウィスカーは発生せず、加工した部分の溝から長さが8μm未満のノジュールが大量に発生していた。また、試験前にウィスカーが存在していたコネクタでは、新たなウィスカーの発生がないだけでなく、既にあるウィスカーの成長も抑制することができた。その場合も、ノジュールが大量に発生していた。本実施例においては、凹部の深さdがSnめっき層の膜厚tに近づく程、特に良好な結果が得られた。
一方、Snめっき層に凹部を形成しなかった比較例のコネクタ、及び凹部を形成したが、その深さがSnめっき層の厚さtの0.4倍に満たないコネクタは、長さが20μm以上のウィスカーが25本以上発生していた。
1 Snめっき層
2、3 凹部
2、3 凹部
Claims (3)
- 表層部分にSn又はSn合金からなるSnめっき層が形成された複数の端子を有し、
前記Snめっき層は、厚さtが0.2μm以上であり、少なくとも他の端子と接触する領域に深さが0.4t以上かつt以下の凹部が形成されている電子部品。 - 前記凹部が前記Snめっき層にのみ形成されている請求項1に記載の電子部品。
- 前記凹部が溝状に形成されており、その溝幅が0.2乃至20μmである請求項1又は2に記載の電子部品。
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