JP2009254965A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上の液膜を短時間で凍結させることができる基板処理方法および装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに液膜１１ｆ、１１ｂを形成するために基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに供給するＤＩＷを熱交換器６２３Ａにより常温より低い温度に冷却しているため、凍結膜１３ｆ、１３ｂを生成するのに要する時間を短縮することができる。また、液膜形成前において、スローリーク処理を実行することで液膜形成時の流量よりも小さな微小流量で冷却ＤＩＷを配管６２１Ａから流出させて配管６２１Ａ内に冷却ＤＩＷを流通させる。このため、配管６２１Ａ内の冷却ＤＩＷの温度上昇が防止され、液膜形成のためにノズル２７、９７からＤＩＷの吐出を開始すると、短時間で冷却ＤＩＷの液膜が形成される。
【選択図】図５

Description

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ：Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の各種基板（以下、単に「基板」という）の表面に液膜を形成した後に当該液膜を凍結させる基板処理方法および基板処理装置に関するものである。

従来より、基板に対する処理のひとつとして基板表面に液膜を付着させた状態で基板を冷却することにより液膜を凍結させる技術が用いられている。特に、このような凍結技術は基板に対する洗浄処理のひとつとして用いられている。すなわち、半導体装置に代表されるデバイスの微細化、高機能化、高精度化に伴って基板表面に形成されたパターンを倒壊させずに基板表面に付着しているパーティクル等の微小な汚染物質を除去することが益々困難になっている。そこで、上記した凍結技術を用いて基板表面に付着しているパーティクルを除去する凍結洗浄発明が提案されている。

この凍結洗浄では、基板表面に液体を供給して基板表面に液膜を形成する。続いて、基板を冷却することにより液膜を凍結させる。これにより、パーティクルが付着している基板表面に凍結膜が生成される。そして、最後に基板表面から凍結膜を除去することにより基板表面からパーティクルを凍結膜とともに除去している。例えば特許文献１に記載の装置では、純水を基板表面に供給して液膜を形成し、その液膜を凍結するようにしている。

特開平１１−３１６７３号公報（図１）

ところで、特許文献１に記載の装置では、液膜を凍結させるまでに比較的長時間を要していた。そのため、単位時間当たりに処理可能な基板の枚数が減少してしまい、スループットが低下するという問題が生じていた。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板上の液膜を短時間で凍結させることができる基板処理方法および装置を提供することを目的とする。

この発明にかかる基板処理方法は、上記目的を達成するため、冷却された液体を配管を介してノズルに供給することによってノズルから基板に所定の流量で冷却液体を吐出して基板上に液膜を形成する液膜形成工程と、基板上の液膜を凍結させる凍結工程とを備え、液膜形成時の流量よりも小さな微小流量で冷却液体を配管から流出させる、スローリーク処理を液膜形成工程前に行うことを特徴としている。

また、この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するため、基板に向けて液体を吐出可能なノズルと、配管を介して冷却された液体をノズルに供給することによってノズルから所定の流量で冷却液体を吐出させて基板上に液膜を形成する液膜形成手段と、基板上の液膜を凍結させる凍結手段とを備え、液膜形成時の流量よりも小さな微小流量で冷却液体を配管から流出させる、スローリーク処理を液膜形成手段は液膜形成前に実行することを特徴としている。

このように構成された発明（基板処理方法および基板処理装置）によれば、冷却された液体（冷却液体）が基板に供給されて該基板上に液膜が形成され、その基板上の液膜が凍結される。ところで、発明者らが種々の実験を行ったところ、液膜の凍結に要する時間の大部分は、液膜を構成する液体の温度を凝固点付近まで低下させるのに費やされていることが明らかとなった。そこで、この発明は、液膜形成時には基板に対して冷却液体を供給することで液膜の温度を凝固点付近まで低下させるのに要する時間を短縮している。したがって、液膜の凍結に要する時間を短縮することができ、基板処理のスループットを向上することができる。

また、このように液膜の凍結に要する時間を短縮する上で液膜形成時の冷却液体の温度が重要であるが、当該温度を十分に低下させておくためには液膜形成前における冷却液体の取扱いが重要である。なんとなれば、冷却液体を流通させる配管は室温環境に配設されているため、液膜形成前に配管内に冷却液体を滞留させると、配管周囲の室温雰囲気によって冷却液体が暖められて温度上昇を招いてしまうからである。その結果、液膜形成を開始したとしても、液膜形成前に室温雰囲気によって暖められた配管内の液体がノズルから吐出し終わった段階で初めて冷却液体がノズルから吐出されることとなり、冷却液体の使用によるスループットの向上を効果的に図ることが困難となってしまう。また、冷却液体がノズルから吐出されるまでに比較的多量の液体をノズルから吐出させることとなり、液体使用量が増大してしまい、ランニングコスト増大の要因のひとつとなっている。そこで、この発明では、液膜形成前にスローリーク処理が実行される。このスローリーク処理とは、液膜形成時の流量よりも小さな微小流量で冷却液体を配管から流出させる処理であり、スローリーク処理によって配管内に冷却液体が流通して冷却液体の温度上昇が防止される。そして、液膜形成を行う際には、十分な冷却状態に保たれた冷却液体がノズルから吐出されて基板処理のスループットを確実に向上させることができる。また、スローリーク処理により配管内の冷却液体の温度上昇を防止しているため、液膜形成時に使用される冷却液体の量を抑制することができる。

ここで、液膜形成工程の開始時にスローリーク処理を停止する一方、液膜形成工程の完了後にスローリーク処理を再開すると、無駄な冷却液体の使用を抑制してランニングコストの低減を図ることができる。また、配管内の冷却液体の温度上昇をより効果的に抑制するためには、液膜形成工程以外のときに、スローリーク処理を継続的に実行するようにすればよい。

また、液膜を形成するための液膜形成手段が、配管を介して液体供給源から供給される液体と熱交換することによって当該液体を冷却して冷却液体を生成する熱交換器と、熱交換器とノズルとの間で配管に接続されて配管内の冷却液体を微小流量で排出してスローリーク処理を実行可能なスローリーク部とを有するように構成してもよい。この装置では、スローリーク部が液膜形成前にスローリーク処理を実行することで上記作用効果が得られる。また、配管のうち熱交換器による熱交換が実行される配管部位は耐薬品性を有する材料、例えばパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体製のチューブで構成してもよく、これによって液膜を構成する液体として純水やＤＩＷ（deionized water：脱イオン水）のみならず基板洗浄で用いられる薬液、例えばＳＣ１溶液（アンモニア水と過酸化水素水との混合水溶液）等の薬液を用いることが可能となり、優れた汎用性が得られる。また、配管のうち熱交換器による熱交換が実行される配管部位はステンレス鋼（ＳＵＳ）製のチューブで構成してもよい。こうすることで、液膜を構成する液体として純水やＤＩＷの時は熱交換率を上げることが出来る。

また、液膜に冷却ガスを供給して凍結させてもよく、冷却ガスを液膜に向けて吐出するガス吐出手段を液膜に沿って基板に対して相対移動させて液膜を凍結させるようにしてもよい。この場合、相対移動に伴って基板上に形成された液膜のうち該液膜が凍結した領域が広がって、基板の全面に凍結膜が生成されることとなる。このように、冷却ガスの供給部位が基板の表面の一部領域に限定されているため、例えば基板を保持するための部材など、基板の周辺に設けられている部材の温度低下を必要最小限に止めることができる。したがって、それらの部材が劣化するのを抑制することができる。

さらに、凍結された液膜を基板から除去すると、例えば基板上にパーティクルが付着している場合であっても、該パーティクルを基板から効果的に除去することができる。すなわち、基板上に形成された液膜を凍結させることで液膜が体積膨張し、その体積膨張によって生じる圧力がパーティクルに作用して、パーティクルと基板との間の付着力が弱められ、あるいはパーティクルが基板から脱離する。そのため、凍結した液膜を基板から除去することで、基板上からパーティクルを容易に除去することができる。

この発明によれば、液膜形成前にスローリーク処理を行うことで配管内の冷却液体の温度上昇を抑制しつつ液膜形成時には当該冷却液体を基板に供給し該基板上に液膜を形成することができる。また、冷却液体により形成された液膜を凍結しているため、液膜を構成する液体の温度を凝固点付近まで低下させるのに要する時間を短縮することができる。したがって、液膜の凍結に要する時間を短縮することができ、基板処理のスループットを向上することができる。

図１はこの発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図であり、図２は図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに付着しているパーティクル等の汚染物質を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、この基板処理装置は、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに液膜を形成し、各液膜を凍結させて凍結膜を生成し、それらの凍結膜を基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂから除去することにより、基板Ｗに対して洗浄処理を施す装置である。

この基板処理装置は、基板Ｗに対して洗浄処理を施す処理空間をその内部に有する処理チャンバー１と、装置全体を制御する制御ユニット４とを備えている。この処理チャンバー１内には、スピンチャック２と冷却ガス吐出ノズル３と遮断部材９とが設けられている。スピンチャック２は、基板Ｗの表面Ｗｆを上方に向けて略水平姿勢に保持した状態で、基板Ｗを回転させるものである。冷却ガス吐出ノズル３は、スピンチャック２に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに向けて液膜を凍結させるための冷却ガスを吐出するものである。遮断部材９は、スピンチャック２の上方に、スピンチャック２に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向して配置されている。

上記スピンチャック２の中心軸２１の上端部には、円板状のスピンベース２３がネジなどの締結部品によって固定されている。この中心軸２１はモータを含むチャック回転機構２２の回転軸に連結されている。そして、制御ユニット４からの動作指令に応じてチャック回転機構２２が駆動されると、中心軸２１に固定されたスピンベース２３が回転中心Ａ０を中心に回転する。

スピンベース２３の周縁部付近には、基板Ｗの周縁部を把持するための複数個のチャックピン２４が立設されている。チャックピン２４は、円形の基板Ｗを確実に保持するために３個以上設けてあればよく、スピンベース２３の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。各チャックピン２４のそれぞれは、基板Ｗの周縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Ｗの外周端面を押圧して基板Ｗを保持する基板保持部とを備えている。各チャックピン２４は、基板保持部が基板Ｗの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Ｗの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。

そして、スピンベース２３に対して基板Ｗが受渡しされる際には、各チャックピン２４を解放状態とし、基板Ｗに対して洗浄処理を行う際には、各チャックピン２４を押圧状態とする。各チャックピン２４を押圧状態とすると、各チャックピン２４は基板Ｗの周縁部を把持して、基板Ｗがスピンベース２３から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持されることとなる。これにより、基板Ｗは、その表面Ｗｆを上方に向け、裏面Ｗｂを下方に向けた状態で保持される。なお、この実施形態では、基板Ｗの表面Ｗｆに微細パターンが形成されており、表面Ｗｆがパターン形成面となっている。

上記遮断部材９は、中心部に開口を有する円板状に形成されている。遮断部材９の下面は、基板Ｗの表面Ｗｆと略平行に対向する基板対向面となっており、基板Ｗの直径と同等以上の大きさに形成されている。遮断部材９は略円筒形状を有する支持軸９１の下端部に略水平に取り付けられている。この支持軸９１は、水平方向に延びるアーム９２により、基板Ｗの中心を通る鉛直軸回りに回転可能に保持されている。また、アーム９２には、遮断部材回転機構９３と遮断部材昇降機構９４とが接続されている。

遮断部材回転機構９３は、制御ユニット４からの動作指令に応じて、支持軸９１を基板Ｗの中心を通る鉛直軸回りに回転させる。また、制御ユニット４は、遮断部材回転機構９３の動作を制御して、スピンチャック２に保持された基板Ｗの回転に応じて基板Ｗと同じ回転方向でかつ略同じ回転速度で遮断部材９を回転させる。

遮断部材昇降機構９４は、制御ユニット４からの動作指令に応じて、遮断部材９をスピンベース２３に近接させたり、逆に離間させる。具体的には、制御ユニット４は、遮断部材昇降機構９４の動作を制御して、基板処理装置に対して基板Ｗを搬入出させる際には、遮断部材９をスピンチャック２の上方の離間位置（図１に示す位置）に上昇させる一方、基板Ｗに対して所定の処理を施す際には、遮断部材９をスピンチャック２に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定された対向位置まで下降させる。

支持軸９１は中空になっており、その内部に、遮断部材９の開口に延設されるガス供給管９５が挿通されている。このガス供給管９５は乾燥ガス供給部６５に接続されている。この乾燥ガス供給部６５は、窒素ガスを供給するもので、基板Ｗに対する洗浄処理後の乾燥処理時に、遮断部材９と基板Ｗの表面Ｗｆとの間に形成される空間に向けてガス供給管９５から窒素ガスを供給する。なお、この実施形態では、乾燥ガス供給部６５から乾燥ガスとして窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを供給するようにしてもよい。

ガス供給管９５の内部には、液体供給管９６が挿通されている。この液体供給管９６の下方端部は遮断部材９の開口に延設されるとともに、その先端に液体吐出ノズル９７が設けられている。一方、液体供給管９６の上方端部は液体供給ユニット６２に接続されている。この液体供給ユニット６２は、次に説明するように、液膜を構成する液体およびリンス液を供給するものであり、本実施形態では液膜を構成する液体とリンス液としてＤＩＷを用いている。

図３は液体供給ユニットの構成を示す模式図である。この液体供給ユニット６２は、液膜形成のために常温よりも低い温度に冷却したＤＩＷをノズル９７および後で説明するノズル２７に供給する冷却ＤＩＷ供給系６２Ａと、凍結膜を除去するために常温のＤＩＷをリンス液としてノズル２７、９７供給する常温ＤＩＷ供給系６２Ｂとを有している。なお、ここでは常温のＤＩＷと冷却されたＤＩＷとを特に区別して説明する際には、前者を「常温ＤＩＷ」と称する一方、後者を「冷却ＤＩＷ」と称する。

液体供給ユニット６２の冷却ＤＩＷ供給系６２Ａは、工場内に既設のＤＩＷ供給源（図示省略）から供給される常温のＤＩＷを冷却するとともに当該ＤＩＷをノズル２７、９７に供給することによってノズル２７、９７から基板Ｗに所定の流量で冷却されたＤＩＷを吐出するものであり、次のように構成されている。この冷却ＤＩＷ供給系６２Ａでは、配管６２１Ａの一方端がＤＩＷ供給源と接続されるとともに、他方端が分岐してノズル２７、９７に接続されている。また、配管６２１Ａの中間部位はＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂：polymer of tetrafluoroethylene and perfluoroalkylvinylether）製のチューブ６２２Ａで構成されている。このＰＦＡチューブ６２２Ａは螺旋形状を有しており、熱交換器６２３Ａ内に配置されている。このため、常温ＤＩＷがＰＦＡチューブ６２２Ａ内を流通している間にチューブ（配管）６２２Ａを介して熱交換が行われてＤＩＷの冷却が実行されて冷却ＤＩＷが得られる。なお、この実施形態では、後述するように１０゜Ｃよりも低くなるように冷却するが、冷却ＤＩＷの温度は好ましくは５゜Ｃ以下、さらに好ましくは２゜Ｃ以下である。この点についても後で詳述する。

また、配管６２１Ａのうち熱交換器６２３ＡのＤＩＷ供給源側（図３の左手側）では、ニードルバルブＮ１Ａおよび流量計Ｆ１Ａが配管６２１Ａに介挿されている。このニードルバルブＮ１Ａは常温ＤＩＷの流量を調整可能となっており、流量計Ｆ１Ａで確認しながら当該ニードルバルブＮ１Ａによる流量調整しながら常温ＤＩＷを流量計Ｆ１Ａを介して熱交換器６２３Ａに供給可能となっている。また、ニードルバルブＮ１Ａによる流量調整によりノズル２７、９７から吐出されるＤＩＷの流量が制御される。

一方、配管６２１Ａのうち熱交換器６２３Ａのノズル側（図３の右手側）では、エアバルブＶ１Ａが配管６２１Ａに介挿されており、熱交換器６２３Ａによって冷却された冷却ＤＩＷのノズル２７、９７への供給を制御可能となっている。このため、制御ユニット４からの動作指令に応じてエアバルブＶ１Ａが開くと、ニードルバルブＮ１Ａにより流量調整された状態で冷却ＤＩＷが所定流量でノズル２７、９７に供給され、各ノズル２７、９７から基板Ｗに向けて吐出される。これによって基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに液膜が形成される。

また、冷却ＤＩＷ供給系６２Ａには、このエアバルブＶ１Ａと熱交換器６２３Ａの間で配管６２１Ａからスローリーク用の配管６２４Ａが分岐してスローリーク部６２５Ａが形成されている。このスローリーク部６２５Ａでは、分岐配管６２４Ａに対して分岐位置６２６Ａから順にエアバルブＶ２Ａ、ニードルバルブＮ２Ａおよび流量計Ｆ２Ａが取り付けられている。このため、制御ユニット４からの動作指令に応じてエアバルブＶ２Ａが開くと、配管６２１Ａから分岐配管６２４ＡにＤＩＷが流れ込み、そのＤＩＷの流量をニードルバルブＮ２Ａで調整可能となっている。この実施形態では、ニードルバルブＮ２Ａによってスローリーク処理時のスローリーク流量を液膜形成時の流量（つまりニードルバルブＮ１Ａにより調整された流量）よりも小さな微小流量、例えば１００（ｍｌ／ｍｉｎ）に設定する。こうして配管６２１Ａからスローリークされた冷却ＤＩＷ（スローリークＤＩＷ）は流量計Ｆ２Ａを通過した後でスローリーク部６２５Ａから排出される。もちろん、スローリーク部６２５Ａから排出されたスローリークＤＩＷをニードルバルブＮ１Ａのインレット側（図３の左手側）に戻してスローリークＤＩＷを再利用してもよいことが言うまでもなく、このようにスローリークＤＩＷの再利用によってライニングコストを抑制することができる。エアバルブＶ２Ａは常時開に設定されておりスローリークを行なわない時に閉じられるように制御ユニット４から動作指令される。また、ニードルバルブＮ２Ａは流量計Ｆ２Ａの計測値を確認しながらスローリーク流量を設定する。ここで、流量計Ｆ１ＡとＦ２Ａの上流側直近の配管にフィルタを介在するようにしても良い。

一方、液体供給ユニット６２の常温ＤＩＷ供給系６２Ｂは、ＤＩＷ供給源から供給される常温のＤＩＷをそのまま配管６２１Ｂを介してノズル２７、９７に供給可能となっている。つまり、配管６２１Ｂの一方端がＤＩＷ供給源と接続されるとともに、他方端が分岐してノズル２７、９７に接続されている。また、配管６２１Ｂには、ニードルバルブＮ１Ｂ、流量計Ｆ１ＢおよびエアバルブＶ１ＢがＤＩＷ供給源側からこの順序で介挿されている。このニードルバルブＮ１Ｂは常温ＤＩＷの流量を調整可能となっており、流量計Ｆ１Ｂで確認しながら当該ニードルバルブＮ１Ｂによる流量調整を行うとともに常温ＤＩＷを流量計Ｆ１ＢおよびエアバルブＶ１Ｂを介してノズル２７、９７に供給可能となっている。そして、制御ユニット４からの動作指令に応じてエアバルブＶ１Ｂが開くと、ニードルバルブＮ１Ｂにより流量調整された状態で常温ＤＩＷが所定流量でノズル２７、９７に供給され、各ノズル２７、９７から基板Ｗに向けてリンス液として吐出される。これによって後述するようにして基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに形成された凍結膜が除去される。なお、流量計Ｆ１Ｂの上流側直近の配管にフィルタを配置しても良い。

図１に戻って、説明を続ける。スピンチャック２の中心軸２１は円筒状の空洞を有する中空になっており、中心軸２１の内部には、基板Ｗの裏面Ｗｂに液体を供給するための円筒状の液供給管２５が挿通されている。液供給管２５は、スピンチャック２に保持された基板Ｗの下面側である裏面Ｗｂに近接する位置まで延びており、その先端に基板Ｗの下面の中央部に向けて液体を吐出する液吐出ノズル２７が設けられている。液供給管２５は、上記したように液体供給ユニット６２に接続されており、冷却ＤＩＷ供給系６２Ａからの冷却ＤＩＷの供給によって裏面Ｗｂに液膜１１ｂ（図５）が形成される。また、常温ＤＩＷ供給系６２Ｂからの常温ＤＩＷの供給によって基板Ｗの裏面Ｗｂに形成された凍結膜が除去される（図６）。このように、この実施形態では、液体供給ユニット６２、液体供給管９６、液体吐出ノズル９７、液供給管２５および液吐出ノズル２７が、本発明の「液膜形成手段」に相当する。

中心軸２１の内壁面と液供給管２５の外壁面との隙間は、横断面リング状のガス供給路２９になっている。このガス供給路２９は上記乾燥ガス供給部６５に接続されており、乾燥ガス供給部６５からガス供給路２９を介してスピンベース２３と基板Ｗの裏面Ｗｂとの間に形成される空間に窒素ガスが供給される。

スピンチャック２の周方向外側には、回転モータ３１が設けられている。この回転モータ３１には回転軸３３が接続され、この回転軸３３にはアーム３５が水平方向に延びるように接続されており、このアーム３５の先端に上記冷却ガス吐出ノズル３が取り付けられている。そして、制御ユニット４からの動作指令に応じて回転モータ３１が駆動されると、アーム３５が回転軸３３回りに揺動することとなる。

図４は冷却ガス吐出ノズルの動きを示す図で、同図（ａ）は側面図、同図（ｂ）は平面図である。制御ユニット４からの動作指令に基づき回転モータ３１が駆動されてアーム３５が揺動すると、冷却ガス吐出ノズル３は、基板Ｗの表面Ｗｆに対向した状態で、図４（ｂ）に示すように、移動軌跡Ｔに沿って移動する。この移動軌跡Ｔは、回転中心位置Ｐｃから端縁位置Ｐｅに向かう軌跡である。ここで、回転中心位置Ｐｃは基板Ｗの上方で、かつ基板Ｗの回転中心Ａ０の上に位置し、端縁位置Ｐｅは基板Ｗの外周端の上方に位置する。すなわち、回転モータ３１は、冷却ガス吐出ノズル３を基板Ｗの表面Ｗｆに沿って基板Ｗに対して相対移動させる。また、冷却ガス吐出ノズル３は、移動軌跡Ｔの延長線上であって基板Ｗの対向位置から側方に退避した待機位置Ｐｓに移動可能となっている。

冷却ガス吐出ノズル３は冷却ガス供給部６４に接続されている。この冷却ガス供給部６４は、制御ユニット４からの動作指令に応じて冷却ガスを冷却ガス吐出ノズル３に供給するものである。冷却ガス吐出ノズル３が基板Ｗの表面Ｗｆの対向位置に配置され、冷却ガス供給部６４から冷却ガスが冷却ガス吐出ノズル３に供給されると、冷却ガス吐出ノズル３から基板Ｗの表面Ｗｆに向けて局部的に冷却ガスが吐出される。そして、制御ユニット４からの動作指令に応じて、冷却ガス吐出ノズル３から冷却ガスが吐出している状態で、スピンチャック２が基板Ｗを回転させながら、回転モータ３１が冷却ガス吐出ノズル３を移動軌跡Ｔに沿って移動させると、冷却ガスが基板Ｗの表面Ｗｆの全体にわたって供給されることとなる。

したがって、液体吐出ノズル９７からのＤＩＷ吐出により基板Ｗの表面Ｗｆに形成されている液膜１１ｆの全体が凍結し、基板Ｗの表面Ｗｆの全面に凍結膜１３ｆが生成される。このとき、基板Ｗの表面Ｗｆ側に供給された冷却ガスが有する冷熱が基板Ｗを介して裏面Ｗｂの液膜１１ｂに伝導する。特に基板Ｗがシリコンで形成されている場合には、比較的熱伝導率が大きいため、基板Ｗを介して冷熱が裏面Ｗｂの液膜１１ｂに効率良く伝導する。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂのうち液膜１１ｂが凍結した領域が、基板Ｗの表面Ｗｆの凍結領域と同時に広げられることとなる。

基板Ｗの表面Ｗｆからの冷却ガス吐出ノズル３の高さは、冷却ガスの供給量によっても異なるが、例えば５０ｍｍ以下、好ましくは数ｍｍ程度に設定される。このような基板Ｗの表面Ｗｆからの冷却ガス吐出ノズル３の高さおよび冷却ガスの供給量は、(1)冷却ガスが有する冷熱を液膜１１ｆに効率的に付与する観点、(2)冷却ガスにより液膜１１ｆの液面が乱れることがないように液膜１１ｆを安定して凍結する観点などから実験的に定められる。

冷却ガスは、基板Ｗの表面Ｗｆに形成された液膜１１ｆを構成する液体の凝固点、すなわちこの実施形態ではＤＩＷの凝固点より低い温度を有する。この冷却ガスは、例えば、タンクに貯留されている液体窒素内を通るパイプに窒素ガスを流すことにより生成され、この実施形態では例えば−１００゜Ｃに冷却されている。なお、窒素ガスに代えて、酸素ガスや清浄なエア等を用いてもよい。このように冷却ガスを用いているため、基板Ｗの表面Ｗｆへのガス供給前にフィルタ等を通すことによって、冷却ガスに含まれる汚染物質を容易に除去することができ、液膜１１ｆを凍結させる際に基板Ｗの表面Ｗｆが汚染されるのを防止できる。このように、この実施形態では、冷却ガス吐出ノズル３が本発明の「冷却ガス吐出手段」に相当し、回転モータ３１が本発明の「相対移動機構」に相当する。

次に、上記のように構成された基板処理装置における洗浄処理動作について図５および図６を参照しつつ説明する。図５および図６は基板の表面および裏面に対する処理を示す図であり、図５（ａ）は未処理基板の搬入処理を示し、図５（ｂ）は液膜形成処理を示し、図６（ａ）は液膜凍結処理を示し、図６（ｂ）は凍結膜除去（リンス）処理を示している。この装置では、５図（ａ）に示すように、基板搬入時には、遮断部材９はスピンチャック２の上方の離間位置に退避して基板Ｗとの干渉を防止しており、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗが装置内に搬入され、スピンチャック２に保持される。また、この実施形態では、基板搬入時、つまり次に説明する液膜形成前において、制御ユニット４はエアバルブＶ１Ａを閉じる一方、エアバルブＶ２Ａを開いて熱交換器６２３Ａによって冷却された冷却ＤＩＷをスローリークしている（スローリーク処理）。このスローリーク処理によって配管６２１内に冷却ＤＩＷが流通して配管６２１内の冷却ＤＩＷの温度上昇が防止される。また、制御ユニット４はエアバルブＶ１Ｂを閉じてノズル２７、９７への常温ＤＩＷの供給を停止している。

基板搬入が完了すると、遮断部材９が対向位置まで下降し、基板Ｗの表面Ｗｆに近接した位置に位置決めされる。これにより、基板Ｗの表面Ｗｆが遮断部材９の基板対向面に近接した状態で覆われ、基板Ｗの周辺雰囲気から遮断される。そして、制御ユニット４は、チャック回転機構２２を作動してスピンチャック２を回転させる。また、制御ユニット４はエアバルブＶ２Ａを閉じてスローリーク処理を停止するとともに、エアバルブＶ１Ａを開いて熱交換器６２３Ａによって冷却された冷却ＤＩＷをノズル９７、２７に送り込んで各ノズル９７、２７から冷却ＤＩＷをそれぞれ吐出させて基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂにそれぞれ供給する。こうして供給された冷却ＤＩＷは基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの径方向外向きに均一に広げられる。これによって、図５（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂの全面にわたって液膜の厚みがそれぞれ均一にされ、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂの全体に、それぞれ所定の厚みを有する液膜１１ｆ、１１ｂが形成される。ここで、制御ユニット４は、スピンチャック２の回転数を調整することにより、所望の厚さの液膜１１ｆ、１１ｂを形成することができる。

液膜形成処理が終了すると、制御ユニット４はエアバルブＶ１Ａを閉じてノズル９７，２７への冷却ＤＩＷの供給を停止する一方、エアバルブＶ２Ａを開いてスローリーク処理を再開する。また、制御ユニット４は遮断部材９を離間位置に配置するとともに、冷却ガス吐出ノズル３を待機位置Ｐｓから回転中心位置Ｐｃに移動させる。そして、回転する基板Ｗの表面Ｗｆに向けて冷却ガス吐出ノズル３から冷却ガスを吐出させながら、冷却ガス吐出ノズル３を徐々に基板Ｗの端縁位置Ｐｅに向けて移動させていく。これによって、図６（ａ）に示すように、基板Ｗの表面Ｗｆのうち液膜１１ｆが凍結した領域が基板Ｗの表面Ｗｆの中央部から周縁部へと広げられるとともに、裏面Ｗｂのうち液膜１１ｂが凍結した領域が基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部から周縁部へと広げられ、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂの全体に凍結膜１３ｆ、１３ｂが生成される。ここで、液膜１１ｂ，１１ｆを構成するＤＩＷが、熱交換器６２３Ａによって常温より低い温度に冷却されているため、凍結膜１３ｆ、１３ｂを短時間で生成することができる。

なお、冷却ガス吐出ノズル３を移動させながら基板Ｗを回転させることによって、液膜の厚み分布に偏りが生じるのを抑制しつつ、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂの全面に凍結膜１３ｆ、１３ｂを生成させることができる。しかし、基板Ｗをあまりに高速で回転させると、基板Ｗの回転によって生じる気流により、冷却ガス吐出ノズル３から吐出される冷却ガスが拡散し、液膜の凍結の効率が低下する可能性がある。このため、液膜凍結処理を実行するときの基板Ｗの回転速度は、この実施形態では例えば１〜３００ｒｐｍに設定されている。さらに、冷却ガス吐出ノズル３の移動速度、吐出ガスの温度および流量、液膜の厚みも考慮して、基板Ｗの回転速度を設定するようにすると、より好ましい。

このようにして液膜凍結処理を実行すると、基板Ｗの表面Ｗｆとパーティクルの間に入り込んだ液体の凝固により体積膨張が生じる。例えば、０゜Ｃの純水が０゜Ｃの氷になると、その体積はおよそ１．１倍に増加する。そして、この体積増加によって生じる圧力がパーティクルに作用し、パーティクルが微小距離だけ基板Ｗの表面Ｗｆから離れる。その結果、基板Ｗの表面Ｗｆとパーティクルとの間の付着力が低減し、さらにはパーティクルが基板Ｗの表面Ｗｆから脱離することとなる。このとき、基板Ｗの表面Ｗｆに微細パターンが形成されている場合であっても、体積膨張によってパターンに加わる圧力はあらゆる方向に等しいため、互いに相殺されることになる。その結果、パターンが剥離したり倒壊するなどのダメージを基板Ｗに与えることなく、パーティクルを好適に基板Ｗの表面Ｗｆから除去することができる。

また、この実施形態では、基板Ｗの裏面Ｗｂにも液膜１１ｂを形成し、その液膜１１ｂを凍結して凍結膜１３ｂを生成しているため、基板Ｗの裏面Ｗｂについても、基板Ｗの表面Ｗｆと同様に、基板Ｗとパーティクルとの間の付着力を弱めることができ、パーティクルを好適に基板Ｗの裏面Ｗｂから除去することができる。

液膜の凍結が完了すると、制御ユニット４は冷却ガス吐出ノズル３を待機位置Ｐｓに移動させるとともに遮断部材９を対向位置に配置させる。そして、凍結膜１３ｆ，１３ｂが融解しないうちに、制御ユニット４はエアバルブＶ１Ｂを開いて常温ＤＩＷ供給系６２Ｂから常温ＤＩＷを液体吐出ノズル９７および液吐出ノズル２７に供給し、各ノズル９７、２７から常温ＤＩＷを基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂにそれぞれ供給する（図６（ｂ）参照）。これにより基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂの凍結膜がそれぞれ融解する。また、凍結膜１３ｆ，１３ｂと、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに供給されたＤＩＷとに、基板Ｗの回転による遠心力が作用する。その結果、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂからパーティクルを含む凍結膜１３ｆ，１３ｂが除去され、基板外に排出される。なお、この凍結膜除去処理では、基板Ｗの回転とともに遮断部材９を回転させるのが好ましい。これにより、遮断部材９に付着する液体成分が振り切られるとともに、遮断部材９と基板Ｗの表面Ｗｆとの間に形成される空間に基板周辺からミスト状の液体が侵入するのを防止することができる。

こうして、凍結膜除去処理が終了すると、制御ユニット４は、エアバルブＶ１Ｂを閉じて常温ＤＩＷの供給を停止した後、チャック回転機構２２および遮断部材回転機構９３のモータの回転速度を高めて基板Ｗおよび遮断部材９を高速回転させて、基板Ｗの乾燥処理を実行する。さらに、この乾燥処理においては、乾燥ガス供給部６５からガス供給管９５，２９を介して窒素ガスが供給されて、遮断部材９と基板Ｗの表面Ｗｆとの間に挟まれた空間およびスピンベース２３と基板Ｗの裏面Ｗｂとの間に挟まれた空間が窒素ガス雰囲気とされる。これによって、基板Ｗの乾燥が促進され、乾燥時間を短縮することができる。乾燥処理後は基板Ｗの回転が停止され、処理チャンバー１から処理済の基板Ｗが搬出される。

以上のように、この実施形態によれば、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに液膜１１ｆ、１１ｂを形成するために基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに供給するＤＩＷを熱交換器６２３Ａにより常温より低い温度に冷却しているため、凍結膜１３ｆ、１３ｂを生成するのに要する時間を短縮することができる。すなわち、液膜の凍結に要する時間の大部分は、液膜を構成する液体（本実施形態ではＤＩＷ）の温度を凝固点付近まで低下させるのに費やされている。そこで、この実施形態では、基板Ｗに供給されるＤＩＷを予め冷却している。したがって、液膜１１ｆ、１１ｂの温度を凝固点付近まで低下させるのに要する時間が短縮されるため、液膜の凍結に要する時間を短縮することができる。その結果、洗浄処理に要する時間を短縮でき、基板処理のスループットを向上することができる。なお、この作用効果を得るためには、冷却ＤＩＷの温度を１０゜Ｃよりも低く、好ましくは５゜Ｃ以下、さらに好ましくは２゜Ｃに設定するのが好適である。その理由について、図７および図８を参照しつつ以下に説明する。

図７はＤＩＷの温度を低下させることの効果を示すグラフである。このグラフは、液膜形成に用いるＤＩＷの温度を相違させながら各ＤＩＷ温度での凍結処理時間と除去率との関係をプロットしたものである。つまり、同図は、上記基板処理を行う諸条件のうちＤＩＷ温度および凍結処理時間のみを相違させ、各条件で上記基板処理を実行することで得られるパーティクル除去率（洗浄効果）を測定した結果を示している。同図からわかるように、常温（２４゜Ｃ）のＤＩＷで基板処理を行う場合、パーティクル除去率を最大化するためには凍結処理時間を８０秒に設定する必要がある。また、パーティクル除去率が最大となる凍結処理時間、つまり基板処理に最適な処理時間（以下「最適凍結処理時間」という）は、同図からあきらかなように、ＤＩＷの温度が低くなるにしたがって短くなっている。そこで、ＤＩＷの温度と最適凍結処理時間の関係をまとめると、図８に示すグラフが得られる。

図８はＤＩＷの温度と最適凍結処理時間の関係を示すグラフであり、各ＤＩＷ温度で基板処理を行った際の最適凍結処理時間をプロットしたものである。同図から明らかなように、ＤＩＷの温度が１０゜Ｃを下回ると最適凍結処理時間は短くなり、さらに冷却ＤＩＷの温度が５゜Ｃ以下で大幅に短縮される。なお、最適凍結処理時間を短くするためにはＤＩＷ温度を０゜Ｃに近づけるのが望ましいが、配管６２１Ａの断熱構造や熱交換器６２３Ａの熱交換能力などを考慮すると、実用上、冷却ＤＩＷの温度を２゜Ｃ程度に設定するのが最適凍結処理時間を最小化する限界設定であるといえる。

また、この実施形態では、液膜形成前において、スローリーク処理を実行することで液膜形成時の流量よりも小さな微小流量で冷却ＤＩＷを配管６２１Ａから流出させて配管６２１Ａ内に冷却ＤＩＷを流通させている。このため、配管６２１Ａ内の冷却ＤＩＷの温度上昇が防止される。このため、液膜形成のためにノズル２７、９７からＤＩＷの吐出を開始すると、図９の実線に示すように、ノズルからのＤＩＷ吐出開始時点ではＤＩＷ温度は比較的高いものの、短時間で冷却ＤＩＷの温度（同図では２゜Ｃ）に低下して液膜が形成される。これに対し、スローリーク処理を行わない場合には、液膜形成前に配管６２１Ａ内のＤＩＷが配管６２１Ａの周囲、つまり常温雰囲気によって暖められてＤＩＷ温度が上昇しているため、吐出開始から比較的長い時間が経過した後で所望温度の冷却ＤＩＷが基板Ｗに供給されることとなる。したがって、本実施形態によれば、スローリーク処理によって十分な冷却状態（１０゜Ｃよりも低い温度）に保たれた冷却ＤＩＷをノズル２７、９７から吐出するように構成しているため、基板処理のスループットを確実に向上させることができる。また、液膜形成処理の開始から冷却ＤＩＷがノズル２７、９７から吐出されるまでの所要時間が短縮されることは、その間に吐出されるＤＩＷ量を低減させることができ、その結果、液膜形成時のＤＩＷの使用量も大幅に抑制することができる。なお、上記作用効果を得るためには液膜形成前にスローリーク処理を行うのが最も効果的であるが、この実施形態では液膜形成前のみならず液膜形成工程以外のときにスローリーク処理を継続的に実行しているので、配管６２１Ａ内の冷却ＤＩＷの温度上昇をより効果的に抑制することができる。

また、この実施形態によれば、基板Ｗの表面Ｗｆから凍結膜１３ｆを除去するとともに基板Ｗの裏面Ｗｂから凍結膜１３ｂを除去している。このため、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに付着しているパーティクルを効果的に除去できる。これにより、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂの全体を良好に洗浄できる。しかも、表面Ｗｆ側の液膜１１ｆの凍結と同時に裏面Ｗｂ側の液膜１１ｂを凍結しているので、スループットを低下させることなく、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂを洗浄できる。すなわち、基板Ｗの反転等を行うことなく、基板Ｗの表面Ｗｆのみならず、基板Ｗの裏面Ｗｂに対しても洗浄処理を施すことができるため、基板Ｗの表面Ｗｆ側の洗浄処理に要する処理時間とほぼ同等の処理時間で基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂを洗浄できる。

また、この実施形態によれば、基板Ｗの表面Ｗｆに形成された液膜１１ｆを構成する液体の凝固点よりも低い温度を有する冷却ガスを冷却ガス吐出ノズル３から基板Ｗの表面Ｗｆに向けて局部的に吐出している。そして、基板Ｗを回転させながら冷却ガス吐出ノズル３を基板Ｗの回転中心位置Ｐｃと基板Ｗの端縁位置Ｐｅとの間で移動させて、基板Ｗの表面Ｗｆの全面に凍結膜１３ｆを生成している。このため、冷却ガスの供給部位が基板Ｗの表面Ｗｆ上の微小領域に限定されることとなり、スピンチャック２などの基板周辺部材の温度低下を最小限に止めることができる。したがって、基板周辺部材が劣化するのを抑制しながら基板Ｗの表面Ｗｆの全面に凍結膜１３ｆを生成することができる。その結果、基板周辺部材を耐冷熱性の確保が困難な、耐薬品性を備えた樹脂材料で形成しても、冷熱による基板周辺部材の材質劣化を抑制できる。

さらに、この実施形態によれば、凍結膜が融解しないうちに凍結膜除去処理を実行開始している。このため、液膜凍結処理において基板Ｗの表面Ｗｆから脱離したパーティクルが、凍結膜の融解とともに基板Ｗの表面Ｗｆに再付着するのを回避できる。その結果、凍結膜除去処理の実行により凍結膜とともにパーティクルを基板Ｗの表面Ｗｆから効率良く除去することができ、パーティクル除去率を向上させる点で有利となっている。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、本発明の液膜を形成する液体としてＤＩＷを用いているが、これに限られず、例えば純水、炭酸水、水素水などを液膜を形成する液体として用いてもよい。また、冷却ＤＩＷ供給系６２Ａから供給される冷却液体はＤＩＷ等に限定されるものではなく、基板Ｗの表面Ｗｆに対して主に化学的な洗浄作用を有する薬液、例えばＳＣ１溶液を本発明の「冷却液体」として用いてもよい。このようにＳＣ１溶液を基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに供給した場合、ＳＣ１溶液中の固体表面のゼータ電位（界面動電位）は比較的大きな値を有することから、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂと該基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂ上のパーティクルとの間がそれぞれＳＣ１溶液で満たされることにより、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂと各パーティクルとの間にそれぞれ大きな反発力が作用する。したがって、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂからのパーティクルの脱離をさらに容易にして、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂからパーティクルを効果的に除去することができる。また、ＳＣ１溶液による洗浄後、基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに常温ＤＩＷ供給系６２ＢからＤＩＷを供給して常温ＤＩＷによるリンス処理を行うことができる。なお、基板Ｗの表面Ｗｆや裏面Ｗｂに対して主に化学的な洗浄作用を有する化学洗浄としてＳＣ１溶液による洗浄を実行しているが、化学洗浄としては、ＳＣ１溶液による洗浄に限定されない。例えば、化学洗浄としてＳＣ１溶液以外のアルカリ性溶液、酸性溶液、有機溶剤、界面活性剤などを処理液として使用したり、それらを適宜に組み合わせたものを処理液として使用する湿式洗浄が挙げられる。

また、上記実施形態では、配管６２１Ａの中間部位はＰＦＡ製のチューブ６２２Ａで構成されているが、ＰＦＡに代えてステンレス鋼（ＳＵＳ）やアルミニウム、チタン製のチューブで構成してもよい。ステンレス鋼（ＳＵＳ）は具体的にはＳＵＳ−３０４、ＳＵＳ−３１６、ＳＵＳ−３１６Ｌが好ましい。そしてステンレス鋼（ＳＵＳ）とすることで、ＤＩＷや純水を流通する時の熱交換率を上げることができ、ＤＩＷや純水をより早く低くなるよう冷却することが出来る。

また、上記実施形態では、常温ＤＩＷ供給系６２Ｂは常温ＤＩＷをそのままリンス液として用いられているが、常温ＤＩＷ供給系６２Ｂの配管６２１Ｂに加熱部を介挿し、当該加熱部によって常温以上に昇温されたＤＩＷをノズル２７、９７から吐出するように構成してもよい。このように高温ＤＩＷを用いることで凍結膜除去を短時間で行うことができる。

また、上記実施形態では、液体供給ユニット６２に冷却ＤＩＷ供給系６２Ａと常温ＤＩＷ供給系６２Ｂの２つの供給系が設けられているが、冷却ＤＩＷ供給系６２Ａのみを設けて図１０に示すように熱交換器６２３ＡのＯＮ／ＯＦＦ制御とエアバルブＶ１Ａ、Ｖ２Ａの開閉制御を組み合わせてもよい。図１０の実施形態によれば、熱交換器６２３ＡのＯＮ／ＯＦＦ制御によりノズル２７、９７から吐出されるＤＩＷの温度を切替可能となっている。また、エアバルブＶ１Ａ、Ｖ２Ａの開閉制御により液膜形成処理前にスローリーク処理が実行されて上記実施形態と同様の作用効果が得られる。また、図１１に示すように熱交換器６２３Ａを常時ＯＮ状態に設定した上でエアバルブＶ１Ａ、Ｖ２Ａの開閉制御により液膜形成処理前にスローリーク処理を実行するように構成してもよい。

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを含む基板全般の表面に形成された液膜を凍結させる基板処理装置および基板処理方法に適用することができる。

この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。 図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。 液体供給ユニットの構成を示す模式図である。 冷却ガス吐出ノズルの動きを示す図である。 基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに対する処理を示す図である。 基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに対する処理を示す図である。 ＤＩＷの温度を低下させることの効果を示すグラフである。 ＤＩＷの温度と最適凍結処理時間の関係を示すグラフである。 ノズルからの冷却ＤＩＷの吐出開始後における温度変化を示すグラフである。 この発明にかかる基板処理装置の他の実施形態を示す図である。 この発明にかかる基板処理装置の別の実施形態を示す図である。

符号の説明

３…冷却ガス吐出ノズル（冷却ガス吐出手段）
１１ｂ，１１ｆ…液膜
１３ｆ，１３ｂ…凍結膜
２２…チャック回転機構
２７、９７…液吐出ノズル
３１…回転モータ（相対移動機構）
６２…液体供給ユニット（液膜形成手段）
６２Ａ…冷却ＤＩＷ供給系（液膜形成手段）
６２１Ａ…配管
６２２Ａ…ＰＦＡチューブ
６２３Ａ…熱交換器
６２５Ａ…スローリーク部
Ｗ…基板
Ｗｆ…基板表面

Claims (11)

1. 冷却された液体を配管を介してノズルに供給することによって前記ノズルから基板に所定の流量で前記冷却液体を吐出して前記基板上に液膜を形成する液膜形成工程と、
   前記基板上の前記液膜を凍結させる凍結工程とを備え、
   前記液膜形成時の流量よりも小さな微小流量で前記冷却液体を前記配管から流出させる、スローリーク処理を前記液膜形成工程前に行うことを特徴とする基板処理方法。
2. 前記液膜形成工程の開始時に前記スローリーク処理を停止する一方、前記液膜形成工程の完了後に前記スローリーク処理を再開する請求項１記載の基板処理方法。
3. 前記液膜形成工程以外のときに、前記スローリーク処理を継続的に実行する請求項１記載の基板処理方法。
4. 前記凍結工程は、前記液膜に冷却ガスを供給して凍結させる工程である請求項１、２または３記載の基板処理方法。
5. 前記凍結工程は、前記冷却ガスを前記液膜に向けて吐出する、ガス吐出手段を前記液膜に沿って前記基板に対して相対移動させる工程である請求項４記載の基板処理方法。
6. 前記凍結工程後に、凍結された前記液膜を前記基板から除去する除去工程をさらに備えた請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
7. 基板に向けて液体を吐出可能なノズルと、
   配管を介して冷却された液体を前記ノズルに供給することによって前記ノズルから所定の流量で前記冷却液体を吐出させて前記基板上に液膜を形成する液膜形成手段と、
   前記基板上の前記液膜を凍結させる凍結手段とを備え、
   前記液膜形成時の流量よりも小さな微小流量で前記冷却液体を前記配管から流出させる、スローリーク処理を前記液膜形成手段は前記液膜形成前に実行することを特徴とする基板処理装置。
8. 前記配管の一方端は液体を供給する液体供給源に接続される一方、前記配管の他方端は前記ノズルに接続され、
   前記液膜形成手段は、
   前記配管を介して前記液体供給源から供給される液体と熱交換することによって当該液体を冷却して前記冷却液体を生成する熱交換器と、
   前記熱交換器と前記ノズルとの間で前記配管に接続されて前記配管内の前記冷却液体を前記微小流量で排出して前記スローリーク処理を実行可能なスローリーク部とを有し、
   前記スローリーク部は前記液膜形成前に前記スローリーク処理を実行する請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記液体は純水または脱イオン水である請求項７または８記載の基板処理装置。
10. 前記配管のうち前記熱交換器による熱交換が実行される配管部位はパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体製またはステンレス鋼（ＳＵＳ）製のチューブで構成されている請求項７、８または９記載の基板処理装置。
11. 前記凍結手段は、
    前記液体の凝固点より低い温度を有する冷却ガスを前記基板の表面に向けて局部的に吐出する冷却ガス吐出手段と、
    前記冷却ガス吐出手段を前記基板の表面に沿って前記基板に対して相対移動させる相対移動機構とを備え、
    前記冷却ガス吐出手段から冷却ガスを吐出させながら前記相対移動機構により前記冷却ガス吐出手段を前記基板に対して相対移動させて前記液膜を凍結させる請求項７ないし１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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