JP2009253484A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】IGBTのゲートとコレクタ間に、複数の定電圧ダイオードと逆素子ダイオードの直列回路を接続し、さらに何れかの定電圧ダイオードと並列にコンデンサを接続し、ターンオフ時のクランプ電圧を電流が大きい時には低く、電流が小さくなるにつれて徐々に高くし、最終的には素子耐圧の許容値以下に電圧クランプする。
【選択図】図1
Description
次に、ゲート駆動回路3a、3bの構成を図6に示す。この回路は、特許文献1に記載されているゲート駆動回路である。図5のゲート駆動回路は、IGBT1aのコレクタ・ゲート間に定電圧ダイオード4aとダイオード5との直列回路からなる過電圧保護回路、トランジスタなどからなるドライブ回路9、ゲート駆動回路の正側電源10、負側電源11、制御信号入力端子12で構成される。図示しない半導体電力変換装置の制御装置からオン信号又はオフ信号が、制御信号入力端子12に入力され、ドライブ回路9によって、IGBT1aのゲート・エミッタ間に正側電源10の正電圧又は負側電源11の負電圧を印加する。正電圧を印加した場合にはIGBT1aをオン、負電圧を出力した場合には、IGBT1aをオフさせるように制御される。
この解決のため、このような過電圧が印加された場合には、定電圧ダイオード4a、ダイオード5を介してゲートに電流を流すことにより、ゲート電圧が閾値レベルとなるようなゲート電流Ig(通常のターンオフ動作時より少ないIg)で、ゆっくりとターンオフさせることで過大な電圧が印加されるのを防止する。この定電圧ダイオードとダイオード5で構成された過電圧抑制回路が動作した時の素子電圧電流波形を図7に示す。コレクタ電流Icの減少率を小さくすることにより、コレクタ電圧Vceの電圧上昇分が低く抑えられていることが判る。ここで、ダイオード5はドライブ回路9からIGBT1aにオン信号を与えた時、コレクタ側に不必要に電流が流れ出すことを防止するために設けている。
第2の発明においては、半導体素子の制御端子と主端子の一方に接続され、前記半導体素子をオン及びオフ制御する駆動回路と、前記半導体素子の制御端子と主端子の他方との間に接続され、前記半導体素子に過電圧が印加された時に、前記過電圧を所定値以下に抑制する能動型クランプ回路とを備えた電力変換装置において、前記能動型クランプ回路は、複数の定電圧クランプ用ダイオードと逆阻止ダイオードとの直列回路と、前記複数の定電圧クランプ用ダイオードの1個または複数個と並列接続したコンデンサとスイッチとの直列回路と、で構成する。
また、第2の発明においては、半導体素子の制御端子と主端子の一方に接続され、前記半導体素子をオン及びオフ制御する駆動回路と、前記半導体素子の制御端子と主端子の他方との間に接続され、前記半導体素子に過電圧が印加された時に、前記過電圧を所定値以下に抑制する能動型クランプ回路とを備えた電力変換装置において、前記能動型クランプ回路は、複数の定電圧クランプ用ダイオードと逆阻止ダイオードとの直列回路と、前記複数の定電圧クランプ用ダイオードの1個または複数個と並列接続したコンデンサとスイッチとの直列回路と、からなる構成とし、半導体素子に流れる電流値に応じて、スイッチをオンオフさせることにより、低損失で、半導体素子の安全動作領域を充分に活用した過電圧保護回路を構成することができる。
図1に示すゲート駆動回路の動作図を図2に示す。IGBT1aがオン状態で電流を流している時に、図示していない制御装置から制御信号入力端子12にオフ信号が入力されると、ゲート電流Igが負となりIGBT1aをオフ状態にしようとする。この時、IGBT1aを流れる電流が減少し、この電流減少率とコンデンサ6→IGBT1a→IGBT1b→コンデンサ6の経路の配線インダクタスによって決まる電圧がコンデンサ6の電圧に重畳されてIGBT1aに印加される。このIGBT1aに印加される電圧Vceが、定電圧ダイオード4a、4bによって決まる定電圧レベルV2に到達すると、IGBT素子の電圧Vceの上昇率とコンデンサ13によって決まる電流Ig1が、IGBT1aのゲートに流れ出し、IGBT素子の電圧Vceの電圧上昇率が抑制される。
この時、コンデンサ13の電圧は徐々に上昇する。さらに素子電圧が上昇し、定電圧ダイオード4a〜4cで決まる定電圧レベルV1に到達すると、Ig1よりも大きい電流Ig2がIGBT1aのゲートに流れる。この結果、ゲート電位を閾値レベルに保つようなゲート電流Igとなり、IGBT電圧の上昇を抑制することになる。
本実施例では、2直列の定電圧ダイオードと、1個のコンデンサと定電圧ダイオードの並列回路の構成を示したが、これら定電圧ダイオードの直列数、コンデンサと定電圧ダイオードの並列回路数は、半導体素子の特性や装置使用条件に応じて決まることは言うまでもない。
図3に示すゲート駆動回路の動作波形を図4に示す。IGBT1aがオン状態でIc1以上の電流を流している時に、図示していない制御装置から制御信号入力端子12にオフ信号が入力されると、ゲート電流Igが負となりIGBT1aをオフ状態にしようとする。オフ信号が入力されると、電流検出器19の電流値をラッチ回路18で保持し、比較器17で設定器16と比較し、設定器16以上の場合はスイッチ15をオンとしてコンデンサ13を回路に接続する。ここで、ラッチ回路18はオン信号が入力されたときに解除するものとする。
この後、IGBT1aを流れる電流が減少し、この電流減少率とコンデンサ6→IGBT1a→IGBT1b→コンデンサ6の経路の配線インダクタスによって決まる電圧がコンデンサ6の電圧に重畳されてIGBT1aに印加される。このIGBT1aに印加される電圧Vceが、定電圧ダイオード4a、4bによって決まる定電圧レベルV2に到達すると、IGBTの電圧Vceの上昇率とコンデンサ13によって決まる電流Ig1が、IGBT1aのゲートに流れ出し、IGBT電圧Vceの電圧上昇率が抑制される。この時コンデンサ13の電圧は徐々に上昇する。IGBT電圧が上昇し、定電圧ダイオード4a〜4cで決まる定電圧レベルV1に到達すると、Ig1よりも大きい電流Ig2がIGBT1aのゲートに流れる。この結果、ゲート電位を閾値レベルに保つようなゲート電流Igとなり、IGBTの電圧上昇を抑制する。
以上の動作によって、IGBT1aの特性を充分活用したオフ状態への移行が可能となり、IGBT1aで発生する損失が低減可能となる。
本実施例では、2直列の定電圧ダイオードと、1個のコンデンサとスイッチとの直列回路と定電圧ダイオードとの並列回路との直列構成を示したが、これら定電圧ダイオードの直列数、コンデンサ、スイッチと定電圧ダイオードの並列回路数は、半導体素子の特性や装置使用条件に応じて決まることは言うまでもない。
3a、3b・・・ゲート駆動回路 4a、4b、4c・・・定電圧ダイオード
6、13・・・コンデンサ 7・・・端子 9・・・ドライブ回路
10・・・正側電源 11・・・負側電源
12・・・制御信号入力端子 14・・・抵抗
15・・・スイッチ 16・・・設定器 17・・・比較器
18・・・ラッチ回路 19・・・電流検出器
Claims (5)
- 半導体素子の制御端子と主端子の一方に接続され、前記半導体素子をオン及びオフ制御する駆動回路と、前記半導体素子の制御端子と主端子の他方との間に接続され、前記半導体素子に過電圧が印加された時に、前記過電圧を所定値以下に抑制する能動型クランプ回路とを備えた電力変換装置において、
前記能動型クランプ回路は、複数の定電圧クランプ用ダイオードと逆阻止ダイオードとの直列回路と、前記複数の定電圧クランプ用ダイオードの1個または複数個と並列接続したコンデンサと、からなることを特徴とした電力変換装置。 - 半導体素子の制御端子と主端子の一方に接続され、前記半導体素子をオン及びオフ制御する駆動回路と、前記半導体素子の制御端子と主端子の他方との間に接続され、前記半導体素子に過電圧が印加された時に、前記過電圧を所定値以下に抑制する能動型クランプ回路とを備えた電力変換装置において、
前記能動型クランプ回路は、複数の定電圧クランプ用ダイオードと逆阻止ダイオードとの直列回路と、前記複数の定電圧クランプ用ダイオードの1個または複数個と並列接続したコンデンサとスイッチとの直列回路と、からなることを特徴とした電力変換装置。 - 前記複数の定電圧クランプ用ダイオードとして、定電圧ダイオードを用いることを特徴とした請求項1又は2に記載の電力変換装置。
- 前記複数の定電圧クランプ用ダイオードとして、アバランシェダイオードを用いることを特徴とした請求項1又は2に記載の電力変換装置。
- 前記コンデンサと並列に抵抗を接続することを特徴とした請求項1〜4に記載の電力変換装置。
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