JP2009252951A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持電極体30上の台座31の外周側壁34の形状を、溝32の底部に向かって中央方向に連続的に傾斜させる。この傾斜部の高さは、台座31の高さの60%以上、90%以下とすることで、封止樹脂70との間で、鉤止め作用による十分な把持力を発揮するとともに、支持電極体30の加工性を向上させ、製品としての強靭性を高める。
【選択図】図1
Description
Claims (10)
- 中央に台座を設けた支持電極体、前記台座の表面に接合して搭載された半導体チップ、この半導体チップから引き出したリード電極体、これら台座と半導体チップおよびリード電極体の基部を包む封止樹脂、前記支持電極体の中央の前記台座とその周囲の前記支持電極体の周縁部との間の表面側に円を描くように設けた溝とを備え、前記支持電極体が放熱板の丸孔に圧入される半導体装置において、前記溝の内壁をなす前記台座の外周側壁に、前記溝の深部に向かって中央方向に連続的に傾斜した傾斜部を設けたことを特徴とする半導体装置。
- 中央に台座を設けた支持電極体、前記台座の表面に接合して搭載された半導体チップ、この半導体チップから引き出したリード電極体、これら台座と半導体チップおよびリード電極体の基部を包む封止樹脂、前記支持電極体の中央の前記台座とその周囲の前記支持電極体の周縁部との間の表面側に円を描くように設けた溝とを備え、前記支持電極体が放熱板の丸孔に圧入される半導体装置において、前記溝の内壁をなす前記台座の外周側壁に、この外周側壁の高さの60%以上に亘り、前記溝の深部に向かって中央方向に連続的に傾斜した傾斜部を設けたことを特徴とする半導体装置。
- 中央に台座を設けた支持電極体、前記台座の表面に接合して搭載された半導体チップ、この半導体チップから引き出したリード電極体、これら台座と半導体チップおよびリード電極体の基部を包む封止樹脂、前記支持電極体の中央の前記台座とその周囲の前記支持電極体の周縁部との間の表面側に円を描くように設けた溝とを備え、前記支持電極体が放熱板の丸孔に圧入される半導体装置において、前記溝の内壁をなす前記台座の外周側壁に、前記半導体チップ搭載面から前記溝の深部に向かって90%以下に亘り、中央方向に連続的に傾斜した傾斜部を設けたことを特徴とする半導体装置。
- 中央に円形の台座を設けた円形の支持電極体、前記台座の表面に接合して搭載された半導体チップ、この半導体チップから引き出したリード電極体、これら台座と半導体チップおよびリード電極体の基部を包む封止樹脂、前記台座とその周囲の前記支持電極体の周縁部との間の表面側に円を描くように設けた溝とを備え、前記支持電極体が放熱板の丸孔に圧入される半導体装置において、前記台座の外径を前記溝の深部に向かって連続的に絞り込むように、前記溝の内壁をなす前記台座の外周側壁に傾斜部を設けたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜4のいずれかにおいて、連続的な前記傾斜部は、湾曲していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜5のいずれかにおいて、前記台座の前記半導体チップ搭載面は、前記放熱板の厚さの範囲内よりも外側へ突出して形成されたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜6のいずれかにおいて、前記台座の前記半導体チップ搭載面は、前記支持電極体周縁部よりも高く突出して形成されたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜7のいずれかにおいて、前記台座の前記外周側壁は、前記台座の表面をたたく冷間鍛造加工に伴ってはみ出した湾曲面を備えたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜4,6〜7のいずれかにおいて、前記台座の前記外周側壁は、その傾斜部が実質的に直線状に傾斜していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜9のいずれかにおいて、前記半導体装置は、単方向に電流を流す整流作用を有することを特徴とする半導体装置。
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JP2000502838A (ja) * | 1995-12-30 | 2000-03-07 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 整流ダイオード |
JP2001068592A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体素子用支持板、半導体装置及び半導体装置実装体 |
JP2007042900A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2007511080A (ja) * | 2003-11-10 | 2007-04-26 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | ダイオード |
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2008
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000502838A (ja) * | 1995-12-30 | 2000-03-07 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 整流ダイオード |
JPH09307042A (ja) * | 1996-05-17 | 1997-11-28 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2001068592A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体素子用支持板、半導体装置及び半導体装置実装体 |
JP2007511080A (ja) * | 2003-11-10 | 2007-04-26 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | ダイオード |
JP2007042900A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Denso Corp | 半導体装置 |
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