JP2009242901A - Sputtering apparatus and sputtering method - Google Patents
Sputtering apparatus and sputtering method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009242901A JP2009242901A JP2008092730A JP2008092730A JP2009242901A JP 2009242901 A JP2009242901 A JP 2009242901A JP 2008092730 A JP2008092730 A JP 2008092730A JP 2008092730 A JP2008092730 A JP 2008092730A JP 2009242901 A JP2009242901 A JP 2009242901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- gel
- workpiece
- chamber
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、例えば、被処理物の表面に、スパッタリングによって、ターゲット材料の薄膜を堆積させるスパッタリング装置及び方法に関する。 The present invention relates to a sputtering apparatus and method for depositing a thin film of a target material on a surface of an object to be processed by sputtering, for example.
近年、半導体装置や液晶ディスプレイあるいは光ディスクなど各種の製品の製造工程において、ウェーハ、ガラス基板、ポリカーボネート基板などの被処理物の上に、各種の薄膜を堆積させるスパッタリング型の成膜装置(以下、「スパッタリング装置」と称する)が広く用いられている。 In recent years, in a manufacturing process of various products such as a semiconductor device, a liquid crystal display, and an optical disk, a sputtering-type film forming apparatus (hereinafter, “ "Sputtering apparatus" is widely used.
このようなスパッタリング装置は、真空容器内に設けられた所定の堆積物のターゲットを陰極にバイアスしておき、これに対して、アルゴン(Ar)などの放電用ガスのイオンを衝突させることにより、ターゲットを構成する材料を、原子状、分子状あるいはクラスタ状で叩き出して、被処理物(以下、ワークと呼ぶ)に薄膜として堆積させるものである。 In such a sputtering apparatus, a target of a predetermined deposit provided in a vacuum vessel is biased to the cathode, and against this, ions of a discharge gas such as argon (Ar) are collided, A material constituting the target is knocked out in the form of atoms, molecules, or clusters, and deposited as a thin film on an object to be processed (hereinafter referred to as a workpiece).
このように、スパッタリングによって薄膜を形成する場合には、ターゲット材料の分子等がワークに激しく衝突することによって、ワークが加熱される。しかし、ワークの材質や種類によっては、スパッタリング中に許容される温度の上限に達してしまう可能性があるため、できるだけ温度上昇を避ける対策を採る必要がある。 Thus, when forming a thin film by sputtering, the workpiece | work is heated when the molecule | numerator etc. of a target material collide violently with a workpiece | work. However, depending on the material and type of the workpiece, there is a possibility that the upper limit of the temperature allowed during sputtering may be reached, so it is necessary to take measures to avoid the temperature rise as much as possible.
これに対処するため、スパッタリング装置内に、ワークを載置した台を冷却する冷却装置を設けたものが、特許文献1に開示されている。
ところで、上記のようなスパッタリング装置においては、一般的には、ワークはサセプタに載置されて搬送され、サセプタ上でスパッタリングされる。かかるサセプタは、固定された台と同様に、熱伝導率の高い金属等の平坦面によって構成されている。しかし、スパッタリングの対象となるワークは、必ずしも平坦とは限らない。例えば、車両のバックミラーを製造するために、スパッタリングにより基板に反射膜を形成する場合がある。かかる基板は、三次元の複雑な曲面形状を有する。このため、ワークを平坦面に載置しても、ワークと平坦面との間に隙間が生じて、ワークからの熱が金属に効率良く伝達されない。 By the way, in the above sputtering apparatus, generally, a workpiece is placed on a susceptor and conveyed, and is sputtered on the susceptor. Such a susceptor is constituted by a flat surface such as a metal having a high thermal conductivity, like the fixed base. However, the workpiece to be sputtered is not necessarily flat. For example, a reflective film may be formed on a substrate by sputtering in order to manufacture a vehicle rearview mirror. Such a substrate has a three-dimensional complicated curved surface shape. For this reason, even if the work is placed on a flat surface, a gap is generated between the work and the flat surface, and heat from the work is not efficiently transferred to the metal.
また、光ディスク用の基板のように、平板状のワークを考えた場合であっても、個々のワークが有している微妙な反り等により、平坦面との間に隙間が生じる。さらに、スパッタリング時の入熱によっても、ワークが変形して、平坦面との間に隙間が生じる。 Further, even when a flat plate-like workpiece is considered, such as a substrate for an optical disk, a gap is formed between the flat surface and a subtle warp of each workpiece. Furthermore, the workpiece is deformed by heat input during sputtering, and a gap is formed between the flat surface and the workpiece.
これに対処するため、サセプタにおけるワークとの接触面を、ワークの形状に合わせることが考えられるが、複雑な曲面形状に一致させることは難しい。また、反り等の場合には、個々のワークによって形状が相違するため、これに一致させる形状をあらじめ製作することは不可能である。 In order to cope with this, it is conceivable that the contact surface of the susceptor with the workpiece matches the shape of the workpiece, but it is difficult to match the complicated curved surface shape. Further, in the case of warpage or the like, the shape differs depending on the individual workpiece, and therefore it is impossible to preliminarily manufacture a shape that matches this.
また、スパッタリング時には、ワークのズレを防止するために、ワークをサセプタに固定する必要がある。このため、サセプタに、静電チャック、バキュームチャック、メカニカル押え等の特別な吸着機構が必要となる。したがって、装置の複雑化、大型化、高コスト化につながる。 Further, at the time of sputtering, it is necessary to fix the work to the susceptor in order to prevent the work from shifting. For this reason, a special suction mechanism such as an electrostatic chuck, a vacuum chuck, or a mechanical presser is required for the susceptor. Therefore, it leads to complication, enlargement, and cost increase of the apparatus.
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、簡易な構成で、被処理物を効率良く冷却できるスパッタリング装置及び方法を提供することにある。 The present invention has been proposed to solve the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a sputtering apparatus and method capable of efficiently cooling an object to be processed with a simple configuration. It is in.
上記のような目的を達成するため、請求項1の発明は、スパッタ室内に被処理物に対向して配置されたターゲット材料を、スパッタリングによって被処理物に膜状に堆積させるスパッタリング装置において、被処理物にゲルを介して貼付された冷却部材を有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is a sputtering apparatus for depositing a target material disposed in a sputtering chamber so as to face a workpiece on the workpiece by sputtering. It has the cooling member stuck to the processed material through the gel, It is characterized by the above-mentioned.
請求項5の発明は、スパッタ室内に被処理物に対向して配置されたターゲット材料を、スパッタリングにより被処理物に膜状に堆積させるスパッタリング方法において、被処理物を、ゲルを介して冷却部材に貼付した状態で、スパッタリングを行うことを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a sputtering method in which a target material disposed facing a workpiece in the sputtering chamber is deposited on the workpiece by sputtering, and the workpiece is cooled via a gel. Sputtering is performed in a state of being attached to the substrate.
以上のような請求項1及び5の発明では、被処理物がどのような形状かにかかわらず、ゲルによって被処理物と冷却部材とを密着させることができるので、スパッタリング時の被処理物の熱を、冷却部材へ効率良く逃がすことができる。また、ゲルには粘着性があるため、冷却部材へ固定するための吸着機構等が不要となる。 In the inventions of claims 1 and 5 as described above, the object to be processed and the cooling member can be brought into close contact with each other regardless of the shape of the object to be processed. Heat can be efficiently released to the cooling member. In addition, since the gel is sticky, an adsorption mechanism or the like for fixing to the cooling member becomes unnecessary.
請求項2の発明は、請求項1のスパッタリング装置において、前記冷却部材を冷却する冷却室が、前記スパッタ室とは別に設けられ、前記スパッタ室と前記冷却室との間で、ゲルを介して被処理物が貼付された冷却部材を移送させる移送装置が設けられていることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the sputtering apparatus of the first aspect, a cooling chamber for cooling the cooling member is provided separately from the sputtering chamber, and the gel is interposed between the sputtering chamber and the cooling chamber. The present invention is characterized in that a transfer device is provided for transferring a cooling member to which an object to be processed is attached.
請求項6の発明は、請求項5のスパッタリング方法において、ゲルを介して冷却部材に貼付された被処理物に対して、前記スパッタ室におけるスパッタリングと、前記冷却部材を冷却する冷却室における冷却とを繰り返すことにより、多層膜を形成することを特徴とする。
The invention according to
以上のような請求項2及び6の発明では、冷却室がスパッタ室とは別に設けられているので、冷却室に要求される冷却能力が低くて済み、装置の簡素化、低コスト化が可能となる。また、スパッタ室と冷却室との間で、被処理物を移動させながら、多層膜を形成できるので、多層化のために同一スパッタ室内において連続してスパッタリングを行う場合に比べて、被処理物が高温となることを防止できる。
In the inventions of
請求項3の発明は、請求項1又は請求項2のスパッタリング装置において、ゲルにおける被処理物との貼付面の一部に、粘着性を低下させる材料を付着させる付着装置を有することを特徴とする。
The invention of claim 3 is characterized in that, in the sputtering apparatus of claim 1 or
請求項7の発明は、請求項5又は請求項6のスパッタリング方法において、ゲルにおける被処理物との貼付面の一部に、粘着性を低下させる材料を付着させることを特徴とする。 A seventh aspect of the invention is characterized in that, in the sputtering method of the fifth or sixth aspect, a material for reducing the adhesiveness is attached to a part of the surface of the gel to be treated with the object to be processed.
以上のような請求項3及び7の発明では、ゲルの一部の粘着性が低いため、成膜後、被処理物からゲルを容易に剥離することができる。 In the inventions of claims 3 and 7 as described above, since the adhesiveness of a part of the gel is low, the gel can be easily peeled off from the object to be processed after film formation.
請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれか1項のスパッタリング装置において、被処理物から、ゲルとともに冷却部材を剥離する剥離装置を有することを特徴とする。
以上のような請求項4の発明では、剥離装置によって被処理物からゲルを剥離して、次工程への移行をスムーズに行うことができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the sputtering apparatus according to any one of the first to third aspects, the apparatus includes a peeling device that peels the cooling member together with the gel from the object to be processed.
In the invention of
本発明によれば、簡易な構成で、被処理物を効率良く冷却できるスパッタリング装置及び方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a sputtering apparatus and method capable of efficiently cooling an object to be processed with a simple configuration.
次に、本発明の実施の形態(以下、実施形態と呼ぶ)について、図面を参照して具体的に説明する。
[構成]
まず、本実施形態のスパッタリング装置(以下、本装置と呼ぶ)の構成を、図1〜18を参照して説明する。すなわち、本装置は、図1に示すように、サセプタ処理部1、搬送部2、基板処理部3、剥離部4を有している。また、本装置は、図2に示すように、サセプタSを用いる。このサセプタSには、ワークWがゲルGを介して貼り付けられる。
Next, embodiments of the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be described in detail with reference to the drawings.
[Constitution]
First, the configuration of the sputtering apparatus of the present embodiment (hereinafter referred to as the present apparatus) will be described with reference to FIGS. That is, the apparatus includes a susceptor processing unit 1, a
ワークWは、被処理物である円板状の基板である。サセプタSは、ワークWと同様の形状を有する冷却部材である。このサセプタSとしては、熱伝導率の高い材料で形成されている。例えば、銅や銀のような金属とすることが考えられるが、これには限定されない。ゲルGは、ワークW及びサセプタSと同様の形状を有する。このゲルGとしては、例えば、シリコーンゲル、アクリルゲル、ウレタンゲル等を用いることができるが、これには限定されない。耐熱性からは、シリコーンゲルが望ましい。 The workpiece W is a disk-shaped substrate that is an object to be processed. The susceptor S is a cooling member having the same shape as the workpiece W. The susceptor S is made of a material having high thermal conductivity. For example, it may be a metal such as copper or silver, but is not limited thereto. The gel G has the same shape as the workpiece W and the susceptor S. As this gel G, for example, silicone gel, acrylic gel, urethane gel or the like can be used, but is not limited thereto. From the viewpoint of heat resistance, silicone gel is desirable.
サセプタ処理部1は、ターンテーブル11、投入部12、貼着装置13、付着装置14、貼付部15を有している。ターンテーブル11は、サセプタSを搬送する手段である。このターンテーブル11は、図示しない駆動源によって、投入部12、貼着装置13、付着装置14、貼付部15に対応する位置に、間欠回転するように構成されている。
The susceptor processing unit 1 includes a
投入部12は、図示しない投入手段によって、サセプタSをターンテーブル11上に投入するポジションである。貼着装置13は、図3に示すように、ゲルGをサセプタSに貼着する手段である。この貼着装置13は、ゲルGを保持する押圧部13aが、図示しない駆動機構によって、水平及び垂直方向に移動可能に設けられている。
The
付着装置14は、サセプタSに貼着されたゲルGに、粘着性を低下させる材料を付着させる手段である。この付着装置14は、図示しない駆動機構によって、水平及び垂直方向に移動可能な塗布部14bを有している。塗布部14bは、ブラシによって、粉末材料Lを塗布する手段である。この粉末材料Lは、例えば、ベビーパウダー等に用いられるタルクの粉末とすることが考えられる。貼付部15は、後述する搬送部2に保持されたワークWを、ゲルGに貼り付けるポジションである。
The
搬送部2は、サセプタ処理部1、基板処理部2及び剥離部4の間で、サセプタSを搬送する装置である。この搬送部2は、図5に示すように、アーム21、保持部22及び閉塞部23を有している。アーム21は、図示しない駆動機構によって、水平方向に回動可能に且つ垂直方向に移動可能に設けられている。保持部22は、アーム21の両端に設けられ、静電チャック等により、ワークWを吸着保持可能に設けられている。閉塞部23は、後述するロードロック室32の上部を閉塞する手段である。
The
基板処理部3は、ワークWにスパッタリングにより成膜する装置である。この基板処理部3は、図1に示すように、真空室31、ロードロック室32、スパッタ室33、冷却室34、スパッタ室35等を備えている。なお、各部の気密を維持するためのシール構造については、Oリングやパッキン等、周知のあらゆる技術を適用可能であるため、説明を省略する。
The substrate processing unit 3 is an apparatus for forming a film on the workpiece W by sputtering. As shown in FIG. 1, the substrate processing unit 3 includes a
真空室31は、図5〜図10に示すように、内部を真空とすることが可能な容器によって構成されている。ロードロック室32は、図5〜8に示すように、真空室31内の真空を維持した状態で、ワークWの搬入及び搬出を可能にする手段である。このロードロック室32は、その上部開口が、閉塞部23によって密閉及び開放可能に設けられている。ロードロック室32の下部開口は、後述する載置台37によって、密閉及び開放可能に設けられている。このような真空室31及びロードロック室32は、それぞれに真空源が接続され、この真空源の作動若しくは弁の開閉に従って、真空引きが行われる。
As shown in FIGS. 5 to 10, the
スパッタ室33,35は、ワークWに成膜を行う手段である。このスパッタ室33,35は、図11に示すように、スパッタリングチャンバ33a,35a、ターゲット33c,35c、電源33d,35d等を備えている。スパッタリングチャンバ33a,35aの下部開口は、載置台37によって、密閉及び開放可能に設けられている。さらに、スパッタリングチャンバ33a,35aは、プロセスガスの供給源に接続された導入路33e,35e、プロセスガスの排気路33f,35fに接続されている。
The sputtering
ターゲット33c,35cは、スパッタリングによってワークWに堆積される膜材料である。なお、ターゲット33c,35cを支持するバッキングプレート、磁界を生じさせる磁石ユニット等は説明を省略する。さらに、電源33d,35dは、ターゲット33c,35c側の電極及びワークW側の電極に接続され、スパッタリング用の電圧を印加する手段である。
The
冷却室34は、ワークWを冷却する手段である。この冷却室34は、図12に示すように、冷却チャンバ34a等を備えている。冷却チャンバ34aの下部開口は、載置台37によって、密閉及び開放可能に設けられている。
The cooling
なお、ロードロック室32、スパッタ室33、冷却室34及びスパッタ室35の間で、ワークWを移送する移送装置は、次のように構成されている。すなわち、移送装置は、インデックステーブル36、載置台37及びプッシャ38等を有している。インデックステーブル36は、図示しない駆動機構によって、回転可能に設けられている。
In addition, the transfer apparatus which transfers the workpiece | work W among the
載置台37は、インデックステーブル36におけるロードロック室32、スパッタ室33,35、冷却室34の各ポジションに対応する位置に載置されている。この載置台37は、サセプタSが載置され、インデックステーブル36から分離して上昇することにより、ロードロック室32、スパッタ室33,35、冷却室34の下部開口に接して密室を構成する。
The mounting table 37 is mounted at a position corresponding to each position of the
なお、載置台37には、サセプタSを支持するための支持手段が設けられている。この支持手段としては、機械式若しくは静電式のチャックを用いることが考えられるが、周知技術であるため、説明を省略する。また、載置台37も、サセプタSと同様に、熱伝導率の高い材料で形成され、冷却部材としても機能する。 The mounting table 37 is provided with support means for supporting the susceptor S. As this support means, it is conceivable to use a mechanical or electrostatic chuck, but since it is a well-known technique, its description is omitted. Similarly to the susceptor S, the mounting table 37 is also made of a material having high thermal conductivity, and also functions as a cooling member.
剥離部4は、成膜済のワークWから、ゲルGとともにサセプタSを剥離させる装置である。この剥離部4は、図13〜18に示すように、押え部41、ロッド42及び引掛具43等を有している。押え部41は、ワークWの下部のゲルGの側面に挿入される略コの字状の挿入部を有し、図示しない駆動機構によって、水平方向に移動可能に設けられている。ロッド42は、図15〜17に示すように、図示しない駆動機構によって、昇降可能に且つ回動可能に設けられている。引掛具43は、ロッド42の先端に設けられ、ロッド42の回転に従って、図17に示すように、サセプタSの下部に形成された引掛穴Shに入るように構成されている。
The
上記の各部の作動は、制御装置によって制御される。この制御装置は、例えば、専用の電子回路若しくは所定のプログラムで動作するコンピュータ等によって実現できる。従って、以下に説明する手順で本装置の動作を制御するためのコンピュータプログラム及びこれを記録した記録媒体も、本発明の一態様である。 The operation of each part is controlled by a control device. This control device can be realized by, for example, a dedicated electronic circuit or a computer operating with a predetermined program. Therefore, a computer program for controlling the operation of the apparatus according to the procedure described below and a recording medium recording the computer program are also one aspect of the present invention.
[作用]
以上のような本装置の動作について説明する。まず、図1に示すように、サセプタSは、ターンテーブル11の投入部12に投入され、ターンテーブル11の回転によって、貼着装置13に移動する。貼着装置13の押圧部13aは、図3に示すように、ゲルGをサセプタSに押し付けて貼着させる。サセプタSは、ターンテーブル11の回転によって、付着装置14に移動する。付着装置14の塗布部14bは、図4に示すように、回転することによって、ゲルGの上面における全周縁に粉末材料Lを付着させる。
[Action]
The operation of the apparatus as described above will be described. First, as shown in FIG. 1, the susceptor S is loaded into the
サセプタSは、ターンテーブル11の回転によって、貼付部15に移動する。貼付部15においては、図5及び図6に示すように、アーム21が下降することにより、保持部22に保持されたワークWが、ゲルGに貼り付けられる(図6左参照)。これに先立って、保持部22に保持されてゲルGに貼り付けられ、アーム21の回転によってロードロック室32の上部に来たワークWは、アーム21の下降によりゲルG及びサセプタSとともに下降して、載置台37に載る(図6右参照)。このとき、閉塞部23によってロードロック室32の上部が閉じられる。また、載置台37によってロードロック室32の下部が閉じられている。
The susceptor S moves to the sticking
この状態で、ロードロック室32の真空引きが行われた後、図7に示すように、プッシャ38が載置台37とともに下降することにより、真空室31内にサセプタSが搬入される。そして、プッシャ38がさらに下降して、インデックステーブル36が回転することにより、図9に示すように、サセプタS上のワークWがスパッタ室33に対応する位置に来る。
In this state, after the
その後、図8に示すように、次の載置台37がロードロック室32の位置に来て、プッシャ38によって上昇することにより、ロードロック室32の下部を閉じる。これにより、次にアーム21が上昇して閉塞部23がロードロック室32の上部を開放しても、真空室31内の真空が維持される。
Thereafter, as shown in FIG. 8, the next mounting table 37 comes to the position of the
スパッタ室33においては、図10及び図11に示すように、プッシャ38が上昇して載置台37がスパッタリングチャンバ33aを密閉後、プロセスガスが導入され、電極への電圧の印加等により、載置台37上のワークWへのスパッタリングが行われる。これにより、ターゲット33cからの膜材料が、ワークWに堆積して成膜される。このとき、スパッタリングによって加熱されたワークWの熱は、ゲルGを介して、サセプタSに移動するので、ワークWの過熱が抑制される。
In the sputtering
その後、プロセスガスの排気、載置台37の下降によるスパッタリングチャンバ33aの開放が行われ、インデックステーブル36が回転することにより、サセプタSが冷却室34に対応する位置に来る。そして、図12に示すように、プッシャ38が上昇して載置台37が冷却チャンバ34aを密閉後、所定時間放置されることにより、ワークWに残留した熱が、ゲルGを介して、サセプタS及び載置台37に移動するので、ワークWはスパッタリング前の温度にまで冷却される。
Thereafter, the sputtering
次に、インデックステーブル36の回転によって、サセプタSがスパッタ室35に移動する。そして、上記のスパッタ室33におけるスパッタリングと同様の手順により、スパッタリングが行われる。これにより、ターゲット35cからの膜材料が、ワークWの成膜済の面に、さらに堆積して成膜される。このとき、スパッタリングによって加熱されたワークWの熱は、ゲルGを介して、サセプタS及び載置台37に移動するので、ワークWの過熱が抑制される。
Next, the susceptor S moves to the sputtering
次に、プロセスガスの排気、載置台37の下降によるスパッタリングチャンバ35aの開放が行われ、インデックステーブル36が回転することにより、サセプタSがロードロック室32に対応する位置に移動する。ロードロック室32においては、閉塞部23の下降により上部を閉じ、載置台37の上昇により下部を閉じた後、真空引きを行う。このとき、保持部22によって、載置台37上のワークWが保持される。そして、閉塞部23の上昇によるロードロック室32の大気開放とともに、保持部22に保持されたワークW、ゲルG及びサセプタSが上昇する。
Next, the sputtering
さらに、アーム21の回動により、保持部22が剥離部4に対応する位置に来る。剥離部4においては、図1、図13及び図14に示すように、押え部41が移動して、その挿入部が、ゲルGの側面を押してワークWの下部に入る。そして、図15及び図16に示すように、ロッド42が上昇して引掛穴Shに引掛具43が入る。ロッド42が回転すると、図16及び図17に示すように、引掛具43が引掛穴Shの端部に掛かる。
Furthermore, the holding
この状態で、図18に示すように、ロッド42が下降すると、サセプタSとともに、ゲルGがワークWから剥がれる。ゲルGのワークWとの貼付面における周縁には、粉末材料Lが塗布されているので、粘着力が低下している。このため、ゲルGは、サセプタS側に付着した状態で、ワークWから剥がれる。このように、成膜済みで、ゲルGが剥がされたワークWは、次工程に搬出される。
In this state, as shown in FIG. 18, when the
[効果]
以上のような本実施形態によれば、ワークWが、ゲルGを介して熱伝導率の高いサセプタSに貼付されているので、ワークWがどのような形状であっても、ゲルGが隙間なく密着して、ワークWの熱をサセプタSへ効率良く逃がすことができる。
[effect]
According to the present embodiment as described above, since the workpiece W is attached to the susceptor S having a high thermal conductivity via the gel G, the gel G remains in the gap regardless of the shape of the workpiece W. The heat of the workpiece W can be efficiently released to the susceptor S.
また、ワークWはゲルGによってサセプタSに固定されるために、特別な吸着機構を設けなくても、ワークWのズレを防止できる。したがって、装置全体の簡素化、小型化、低コスト化が可能となる。特に、メカニカルチャックを用いる場合には、ワークWの処理面に、掴みしろのようなチャックのための余分なスペースを必要とするが、本実施形態では、かかるスペースが不要となる。 Moreover, since the workpiece | work W is fixed to the susceptor S by the gel G, the shift | offset | difference of the workpiece | work W can be prevented even if it does not provide a special adsorption | suction mechanism. Therefore, the entire apparatus can be simplified, reduced in size, and reduced in cost. In particular, when a mechanical chuck is used, an extra space for the chuck, such as a margin, is required on the processing surface of the workpiece W. However, in this embodiment, such a space is unnecessary.
また、冷却室34が、高温となるスパッタ室33,35とは別に設けられているので、冷却室34に要求される冷却能力が低くても、ワークWを短時間に冷却させることができ、装置全体の簡素化、低コスト化が可能となる。
In addition, since the cooling
また、スパッタ室33,35と冷却室34との間で、ワークWを移動させながら、多層膜を形成できるので、多層化のために同一のスパッタ室内において連続してスパッタリングを行う場合に比べて、ワークWの過熱を防止できる。
Further, since the multilayer film can be formed while moving the workpiece W between the sputtering
さらに、剥離部4によって、ワークWからゲルGとともに自動的にサセプタSを剥離でき、その際、剥離開始箇所等、粘着力が低下した箇所が存在することにより、容易且つ確実に剥離を行うことが可能となる。したがって、次工程への移行をスムーズに行うことができる。
Furthermore, the susceptor S can be automatically peeled off from the workpiece W together with the gel G by the peeling
[他の実施形態]
本発明は、上記のような実施形態に限定されるものではない。例えば、冷却部材は、熱伝導率が高い材質で、被処理物を載置できるものであれば、どのような大きさ、形状であってもよい。冷却部材を固定された台として、ゲルを介して被処理物を貼付してもよい。さらに、冷却部材を屈曲可能に設ける、複数に分割可能に設ける等により、ゲルの剥離の容易化を図ってもよい。例えば、図19及び図20に示すように、サセプタSに屈曲可能な屈曲部Fを設けることにより、ワークWの屈曲とともにゲルGが容易に剥離できるようにしてもよい。
[Other Embodiments]
The present invention is not limited to the embodiment as described above. For example, the cooling member may be of any size and shape as long as it is a material having high thermal conductivity and can place an object to be processed. As a stand to which the cooling member is fixed, an object to be processed may be pasted through a gel. Furthermore, the gel may be easily peeled off by providing the cooling member so as to be bendable or being provided so as to be divided into a plurality of parts. For example, as shown in FIGS. 19 and 20, the bend F that can be bent is provided on the susceptor S, so that the gel G can be easily peeled off along with the bending of the workpiece W.
ゲルの大きさ、形状、厚さ等も、特定のものには限定されない。例えば、図21に示すように、ゲルGを剥離する際に、押え部41がワークWの下部に入り易いように、ゲルGの径がワークWよりも小さく設定されていてもよい。これに限らず、図22に示すように、ゲルGの一部が、ワークWの側面よりも内側に窪んでいれば、押え部41に形成された突起等を嵌合させて、ワークWを支持することができる。なお、ゲルに窪みを設けなくても、押え部の圧力で窪ませることも可能である。
The size, shape, thickness, etc. of the gel are not limited to specific ones. For example, as illustrated in FIG. 21, the diameter of the gel G may be set smaller than the workpiece W so that the
ゲルの粘着性を低下させるために付着させる材料としては、タルクには限定されない。例えば、粉状の鉱物、金属、樹脂等が使用しやすいが、植物や動物等の生物由来の粉を用いてもよい。さらに、例えば、樹脂製の薄いシートや膜を付着させてもよい。また、付着位置についても、ゲルの全周縁には限定されない。例えば、図23に示すように、内周に環状に付着させてもよい。図24に示すように、複数箇所に散点的に付着させてもよい。さらに、全周とせずに、周縁の一部に付着させてもよい。 The material to be attached in order to reduce the tackiness of the gel is not limited to talc. For example, powdery minerals, metals, resins, and the like are easy to use, but powders derived from organisms such as plants and animals may be used. Furthermore, for example, a resin thin sheet or film may be attached. Also, the attachment position is not limited to the entire periphery of the gel. For example, as shown in FIG. 23, it may be annularly attached to the inner periphery. As shown in FIG. 24, it may be attached to a plurality of points in a scattered manner. Furthermore, you may make it adhere to a part of periphery, without making it a perimeter.
サセプタをスパッタ室と冷却室との間で移送する移送装置は、特定の構造には限定されず、周知のあらゆる技術を適用可能である。例えば、サセプタSが載置されたターンテーブルが、各部に対応するポジションに合わせて間欠回転する構造であってもよい。アームの先端にサセプタを保持する保持部が、各部に対応するポジションに合わせて間欠回転する構造であってもよい。これらの場合に、各ポジションに用意された真空チャンバが、ターンテーブルや保持部上に昇降することにより、スパッタリングや冷却を行う構成としてもよい。 The transfer device that transfers the susceptor between the sputtering chamber and the cooling chamber is not limited to a specific structure, and any known technique can be applied. For example, a structure in which the turntable on which the susceptor S is placed rotates intermittently according to the position corresponding to each part may be used. A structure in which the holding portion that holds the susceptor at the tip of the arm rotates intermittently in accordance with the position corresponding to each portion may be used. In these cases, the vacuum chamber prepared in each position may be configured to perform sputtering and cooling by moving up and down on the turntable and the holding unit.
サセプタにゲルを貼り付ける装置、ゲルにワークを貼り付ける装置は、特定の構造には限定されず、周知のあらゆる技術を適用可能である。ローラ等によって均しながら貼り付ける構成の装置であってもよい。また、ワーク側にゲルを貼り付けた後、ゲルをサセプタに貼り付けてもよい。サセプタ等に対して、必ずしも毎回ゲルを貼り直す必要はない。押圧部、ローラ等、貼り付けのためにゲルに接する部材の表面が、粘着性の低い材料であれば、貼り付けし易い。 The device for attaching the gel to the susceptor and the device for attaching the work to the gel are not limited to a specific structure, and any known technique can be applied. It may be an apparatus having a configuration in which it is applied while being leveled by a roller or the like. Moreover, after affixing a gel on the workpiece side, the gel may be affixed to a susceptor. It is not always necessary to reattach the gel to the susceptor or the like. If the surface of a member that comes into contact with the gel for pasting, such as a pressing part or a roller, is a material with low adhesiveness, it is easy to paste.
スパッタ室及び冷却室等の数、スパッタリング及び冷却の回数等は、自由である。スパッタ室と冷却室を一つずつ設けてもよい。この場合、多層膜を形成するには、スパッタ室と冷却室を往復させて、スパッタリングと冷却を繰り返すことが考えられる。スパッタ室と冷却室を交互に多数配置して、スパッタリングと冷却を繰り返す構成とすることも可能である。 The number of sputtering chambers and cooling chambers, the number of times of sputtering and cooling, and the like are arbitrary. One sputtering chamber and one cooling chamber may be provided. In this case, in order to form a multilayer film, it is considered that the sputtering chamber and the cooling chamber are reciprocated to repeat the sputtering and cooling. It is also possible to repeat the sputtering and cooling by arranging a number of sputtering chambers and cooling chambers alternately.
スパッタ室と冷却室の配置も、円環状には限定されず、直線状、無端状であってもよい。スパッタ室と冷却室を、共通の真空室内に構成するのではなく、それぞれ独立したチャンバ内に構成してもよい。また、冷却室に、被処理物や冷却部材を強制的に冷却する手段を付加してもよい。例えば、図25に示すように、サセプタSを載置する冷却プレート34b内に、冷却媒体を循環させる循環路34cを設けた構成としてもよい。また、冷却チャンバ内に、冷却ガスを導入する構成としてもよい。
The arrangement of the sputtering chamber and the cooling chamber is not limited to an annular shape, and may be linear or endless. The sputtering chamber and the cooling chamber may not be configured in a common vacuum chamber, but may be configured in independent chambers. A means for forcibly cooling the object to be processed and the cooling member may be added to the cooling chamber. For example, as shown in FIG. 25, a
また、剥離部の構成も、上記の実施形態で例示したものには限定されない。例えば、図26に示すように、一対の押え部41によって対向する位置からゲルGを押すことにより、ワークWを支持し、サセプタSを引き下げることにより、ゲルGを剥離させることができる。また、図27に示すように、押え部41側を引き上げることによって、ワークWからゲルGを剥がす構成でもよい。
Further, the configuration of the peeling portion is not limited to that exemplified in the above embodiment. For example, as shown in FIG. 26, the gel G can be peeled off by supporting the work W by pushing the gel G from a position opposed by the pair of
さらに、被処理物は、スパッタリングにより成膜可能な物であれば、どのような大きさ、形状、材質の物であっても適用可能である。スパッタリング装置としても、成膜材料及び被処理物に応じて、現在又は将来において利用可能なあらゆるタイプのものが採用可能である。 Further, the object to be processed is applicable to any size, shape and material as long as it can be formed by sputtering. As the sputtering apparatus, any type that can be used now or in the future can be adopted depending on the film forming material and the object to be processed.
1…サセプタ処理部
2…搬送部
3…基板処理部
4…剥離部
11…ターンテーブル
12…投入部
13…貼着装置
13a…押圧部
14…付着装置
14b…塗布部
15…貼付部
21…アーム
22…保持部
23…閉塞部
31…真空室
32…ロードロック室
33,35…スパッタ室
33a,35a…スパッタリングチャンバ
33c,35c…ターゲット
33d,35d…電源
33e,35e…導入路
33f,35f…排気路
34…冷却室
34a…冷却チャンバ
34b…冷却プレート
34c…循環路
36…インデックステーブル
37…載置台
38…プッシャ
41…押え部
42…ロッド
43…引掛具
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
Claims (7)
被処理物にゲルを介して貼付された冷却部材を有することを特徴とするスパッタリング装置。 In a sputtering apparatus for depositing a target material disposed in a sputtering chamber so as to face a workpiece on the workpiece by sputtering,
A sputtering apparatus comprising a cooling member attached to an object to be processed via a gel.
前記スパッタ室と前記冷却室との間で、ゲルを介して被処理物が貼付された冷却部材を移動させる移送装置が設けられていることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング装置。 A cooling chamber for cooling the cooling member is provided separately from the sputtering chamber;
The sputtering apparatus according to claim 1, further comprising a transfer device that moves a cooling member to which an object to be processed is attached via a gel between the sputtering chamber and the cooling chamber.
被処理物を、ゲルを介して冷却部材に貼付した状態で、スパッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング方法。 In a sputtering method for depositing a target material disposed in a sputtering chamber so as to face the object to be processed on the object to be processed by sputtering,
Sputtering characterized by performing sputtering in a state where an object to be processed is attached to a cooling member via a gel.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008092730A JP5185678B2 (en) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | Sputtering apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008092730A JP5185678B2 (en) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | Sputtering apparatus and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009242901A true JP2009242901A (en) | 2009-10-22 |
JP5185678B2 JP5185678B2 (en) | 2013-04-17 |
Family
ID=41305131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008092730A Expired - Fee Related JP5185678B2 (en) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | Sputtering apparatus and method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5185678B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014098205A (en) * | 2012-10-18 | 2014-05-29 | Ulvac Japan Ltd | Film forming device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0790582A (en) * | 1993-06-22 | 1995-04-04 | Nissin Electric Co Ltd | Substrate holder |
JP2002302766A (en) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Anelva Corp | High frequency magnetron sputtering apparatus |
JP2003160310A (en) * | 2001-11-22 | 2003-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | Ozonizer |
JP2005285576A (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsubishi-Hitachi Metals Machinery Inc | Manufacturing device of in-line type organic electroluminescent element |
JP2005325433A (en) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Shibaura Mechatronics Corp | Vacuum processing apparatus |
-
2008
- 2008-03-31 JP JP2008092730A patent/JP5185678B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0790582A (en) * | 1993-06-22 | 1995-04-04 | Nissin Electric Co Ltd | Substrate holder |
JP2002302766A (en) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Anelva Corp | High frequency magnetron sputtering apparatus |
JP2003160310A (en) * | 2001-11-22 | 2003-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | Ozonizer |
JP2005285576A (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsubishi-Hitachi Metals Machinery Inc | Manufacturing device of in-line type organic electroluminescent element |
JP2005325433A (en) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Shibaura Mechatronics Corp | Vacuum processing apparatus |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014098205A (en) * | 2012-10-18 | 2014-05-29 | Ulvac Japan Ltd | Film forming device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5185678B2 (en) | 2013-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20140151360A1 (en) | Heater assembly for disk processing system | |
JP5001432B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US7550055B2 (en) | Elastomer bonding of large area sputtering target | |
JP4397655B2 (en) | Sputtering apparatus, electronic component manufacturing apparatus, and electronic component manufacturing method | |
JP5185678B2 (en) | Sputtering apparatus and method | |
WO2019131010A1 (en) | Sputtering method and sputtering device | |
WO2009157228A1 (en) | Sputtering apparatus, sputtering method and light emitting element manufacturing method | |
TWI262500B (en) | Substrate replacing unit for thin film forming device, and method of replacing substrate | |
KR101302886B1 (en) | Substrate mounting stage, method for forming resin protrudent layer to surface of substrate mounting stage, and resin protrudent layer transfering member | |
JPH11111829A (en) | Electrostatic sucking hot plate vacuum-treatment apparatus and method for vacuum treatment | |
JP2022058195A (en) | Film deposition apparatus | |
JP7362327B2 (en) | Target structure and film deposition equipment | |
TWI791295B (en) | Film forming device | |
JP3427304B2 (en) | Sputtering equipment | |
US20180195163A1 (en) | Cooling and utilization optimization of heat sensitive bonded metal targets | |
JPH04116160A (en) | Film forming device | |
WO2016206728A1 (en) | Processing chamber having a cooling device and a method for cooling a substrate in a processing chamber | |
JPH11117064A (en) | Sputtering apparatus | |
US20060096532A1 (en) | Thin film forming apparatus | |
JP2001040472A (en) | Sputtering device and method | |
JP2002356769A (en) | Method and apparatus for plasma treatment | |
JP2005213574A (en) | Apparatus and method for forming plastic film | |
JP2003166045A (en) | Film-forming apparatus and film-forming method | |
JPH06108240A (en) | Sputtering source | |
JP2010001550A (en) | Thin film deposition method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110316 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120828 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |