KR101302886B1 - Substrate mounting stage, method for forming resin protrudent layer to surface of substrate mounting stage, and resin protrudent layer transfering member - Google Patents

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Abstract

기판 탑재대를 가열하는 일없이 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성할 수 있는 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법을 제공한다.
기재 시트(41)와, 기재 시트(41)의 한쪽 면에 제 1 점착제층(42)을 사이에 두고 접착된 수지 돌기물층(43)과, 수지 돌기물층(43)에 도포된 제 2 점착제층(44)을 갖는 수지 돌기물층 전사 부재(40)의 수지 돌기물층(43)에 도포된 제 2 점착제층(44)을 기판 탑재면(13a)에 눌러서 수지 돌기물층(43)을 기판 탑재면(13a)에 점착하는 접착 단계와, 접착시킨 수지 돌기물층(43)으로부터 기재 시트(41)를 박리하는 기재 시트 박리 단계를 갖는다.
A method of forming a resin projection layer on a substrate mounting surface on which a resin projection layer can be formed on the substrate mounting surface without heating the substrate mounting table is provided.
The base material sheet 41, the resin protrusion layer 43 adhere | attached on one side of the base material sheet 41 with the 1st adhesive layer 42 interposed, and the 2nd adhesive layer apply | coated to the resin protrusion layer 43 The resin projection layer 43 is pressed against the substrate mounting surface 13a by pressing the second pressure-sensitive adhesive layer 44 applied to the resin projection layer 43 of the resin projection layer transfer member 40 having the (44) onto the substrate mounting surface ( 13A), and a base sheet peeling step of peeling the base sheet 41 from the adhered resin protrusion layer 43.

Description

기판 탑재대, 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법 및 수지 돌기물층 전사 부재{SUBSTRATE MOUNTING STAGE, METHOD FOR FORMING RESIN PROTRUDENT LAYER TO SURFACE OF SUBSTRATE MOUNTING STAGE, AND RESIN PROTRUDENT LAYER TRANSFERING MEMBER}SUBSTRATE MOUNTING STAGE, METHOD FOR FORMING RESIN PROTRUDENT LAYER TO SURFACE OF SUBSTRATE MOUNTING STAGE, AND RESIN PROTRUDENT LAYER TRANSFERING MEMBER}

본 발명은 기판 처리 장치의 처리실 내에서 기판을 탑재하는 기판 탑재대, 해당 기판 탑재대의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법 및 이 방법에 적용하는 수지 돌기물층 전사 부재에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate mounting table for mounting a substrate in a processing chamber of a substrate processing apparatus, a method of forming a resin projection layer on a substrate mounting surface of the substrate mounting table, and a resin projection layer transfer member to be applied to the method.

액정 표시 장치(LCD)를 비롯한 FPD(Flat Panel Display)의 제조 공정에 있어서, 유리 기판을 비롯한 각종 기판에 대해 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치가 알려져 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION In a manufacturing process of a flat panel display (FPD) including a liquid crystal display (LCD), a substrate processing apparatus that performs a plasma treatment on various substrates including a glass substrate is known.

이러한 기판 처리 장치에 있어서는, 처리실(이하, 「챔버」라고 함) 내에서 유리 기판(이하, 간단히 「기판」이라 함)을 지지하는 기판 탑재대와, 해당 기판 탑재대와 처리 공간을 사이에 두고 대향하도록 배치된 상부 전극을 갖고, 하부 전극으로서 기능하는 기판 탑재대에 플라즈마 생성용의 고주파 전력(RF)을 인가함과 아울러, 처리 공간에 처리 가스를 도입하여 플라즈마를 생성시키고, 생성한 플라즈마를 이용하여 기판 탑재대의 기판 탑재면에 탑재된 기판에 대해 소정의 플라즈마 처리가 실시된다.In such a substrate processing apparatus, a substrate mounting table for supporting a glass substrate (hereinafter simply referred to as a "substrate") in a processing chamber (hereinafter referred to as "chamber"), and the substrate mounting table and the processing space therebetween. A high frequency power (RF) for plasma generation is applied to a substrate mounting table that has an upper electrode disposed so as to face the lower electrode, and a plasma is generated by introducing a processing gas into the processing space to generate a plasma. The predetermined plasma processing is performed with respect to the board | substrate mounted on the board | substrate mounting surface of the board | substrate mounting table | surface.

기판 탑재대의 기판 탑재면에는, 통상, 절연층으로서 알루미나(AL203) 용사막이 형성되어 있다. 알루미나 용사막을 구성하는 알루미나의 경도는 HV1000 정도이며, 일반적인 유리 기판의 경도인 HV640보다 딱딱하기 때문에, 기판을 기판 탑재대에 탑재하여 정전척에 의해서 정전 흡착했을 때, 알루미나 용사막에 의해서 기판의 이면(裏面)에 흠을 낸다고 하는 문제가 있다.On the substrate mounting surface of the substrate mounting stand, an alumina (AL 2 O 3 ) thermal sprayed coating is usually formed as an insulating layer. Since the hardness of the alumina constituting the alumina thermal sprayed coating is about HV1000 and is harder than that of HV640, which is the hardness of a general glass substrate, when the substrate is mounted on a substrate mount and electrostatically adsorbed by an electrostatic chuck, There is a problem of flaw in the surface.

한편, 평면 형상의 기판 탑재면에 기판을 탑재시킨 경우, 기판의 이면에 이물(異物)이 부착하기 쉽다고 하는 문제가 있으며, 이것을 회피하기 위해서, 기판 탑재면에 돌기물층을 형성하여 기판을 점 접촉으로 지지하고자 하는 시도가 있어, 기판 탑재면에 다수의 돌기를 갖는 돌기층을 형성하는 기술이 개발되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
On the other hand, when the substrate is mounted on a planar substrate mounting surface, there is a problem that foreign matter is easily attached to the back surface of the substrate. In order to avoid this, a projection layer is formed on the substrate mounting surface to make point contact with the substrate. Attempts have been made to support it, and a technique for forming a projection layer having a plurality of projections on a substrate mounting surface has been developed (see Patent Document 1, for example).

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2008-251574호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2008-251574

그러나, 먼지 등의 이물의 부착을 방지하고, 또한 기판의 이면에 흠을~ 않기 위해서는, 기판의 재질인 유리보다 경도가 작은 재료로 이루어지는 돌기를 기판 탑재면에 형성해야 한다. 또한, 한번에 다수의 돌기물을 기판 탑재면에 형성하는 것은 매우 곤란하다.However, in order to prevent adhesion of foreign matter such as dust and prevent scratches on the back surface of the substrate, a projection made of a material having a hardness smaller than that of glass, which is the material of the substrate, must be formed on the substrate mounting surface. In addition, it is very difficult to form a plurality of projections on the substrate mounting surface at one time.

그런데, 유리보다 경도가 작은 재료이면서 기판 처리 장치의 처리실 내에서 적용할 수 있는 것으로서, 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌(상품면: 테프론(등록 상표)) 등의 수지를 들 수 있다. 테프론(등록 상표)막 또는 테프론(등록 상표)으로 이루어지는 돌기물을 구성 부재 표면에 전사시키는 방법으로서는, 일반적으로, 테프론(등록 상표)으로 이루어지는 가루를 정전 분체(粉體) 도장에 의해 피전사면에 흡착시켜 400℃ 정도로 가열하는 베이킹(baking) 방법이 채용되고 있지만, 기판 탑재대의 내열 온도는, 예컨대 100℃ 이하이며, 이러한 베이킹 방법을 채용하는 것은 불가능하다.By the way, it is a material with hardness smaller than glass, and is applicable in the process chamber of a substrate processing apparatus, For example, resin, such as polytetrafluoroethylene (product surface: Teflon (registered trademark)), is mentioned. As a method of transferring a projection made of a Teflon (registered trademark) film or Teflon (registered trademark) to the surface of the structural member, generally, powder made of Teflon (registered trademark) is applied to the surface to be transferred by electrostatic powder coating. Although the baking method which adsorb | sucks and heats about 400 degreeC is employ | adopted, the heat-resistant temperature of a board | substrate mounting table is 100 degrees C or less, for example, and it is impossible to employ | adopt such a baking method.

본 발명의 제 1 과제는, 기판 탑재면에 탑재된 기판의 이면에 기판 탑재면의 재질에 기인하는 흠을 내는 일이 없는 기판 탑재대를 제공하는 것에 있다. 또한, 본 발명의 제 2 과제는, 기판 탑재대의 기판 탑재면에 한번에 다수의 수지 돌기물로 이루어지는 수지 돌기물층을 형성할 수 있는 수지 돌기물층 전사 부재를 제공하는 것에 있다. 또한, 본 발명의 제 3 과제는, 기판 탑재대를 가열하는 일없이 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성할 수 있는 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법을 제공하는 것에 있다.
The 1st subject of this invention is providing the board | substrate mounting stand which does not produce the flaw resulting from the material of a board | substrate mounting surface on the back surface of the board | substrate mounted on the board | substrate mounting surface. Moreover, the 2nd subject of this invention is providing the resin protrusion layer transfer member which can form the resin protrusion layer which consists of many resin protrusions on the board | substrate mounting surface of a board | substrate mounting board at once. Moreover, the 3rd subject of this invention is providing the method of forming a resin protrusion layer in the board | substrate mounting surface which can form a resin protrusion layer in the board mounting surface, without heating a board | substrate mounting table.

상기 제 1 과제를 해결하기 위해서, 제 1 특징의 기판 탑재대는, 직사각형의 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리실 내에서 상기 기판을 탑재하는 기판 탑재대로서, 상기 기판이 탑재되는 기판 탑재면에, 점착제층을 통해 상기 기판 탑재면 상에 접착된 복수의 수지 돌기물이 배열된 수지 돌기물층이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In order to solve the said 1st subject, the board mounting table of a 1st characteristic is a board mounting board which mounts the said board | substrate in the processing chamber of the substrate processing apparatus which performs a plasma processing on a rectangular board | substrate, and the board mounting to which the said board | substrate is mounted It is characterized in that the resin protrusion layer in which the some resin protrusion adhered on the said board | substrate mounting surface through the adhesive layer is arranged is formed.

제 2 특징의 기판 탑재대는, 제 1 특징의 기판 탑재대에 있어서, 상기 수지 돌기물층은 단면이 0.5~2.0㎜φ, 높이 30~80㎛의 원기둥 형상의 수지 돌기물을 2~10mm 피치로 다수 배열시킨 것을 특징으로 한다.The board | substrate mounting stand of a 2nd characteristic is a board mounting stand of a 1st characteristic WHEREIN: The said resin projection layer has many cylindrical resin projections of 0.5-2.0 mm diameter and 30-80 micrometers in height in 2-10 mm pitch in cross section. It is characterized by the arrangement.

제 3 특징의 기판 탑재대는, 제 1 특징 또는 제 2 특징의 기판 탑재대에 있어서, 상기 수지 돌기물은 폴리테트라플루오로에틸렌, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지 및 내열성 고무 중 어느 하나로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.The board mount according to the third feature is the board mount according to the first or second feature, wherein the resin protrusion is made of polytetrafluoroethylene, an epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, a polyetherimide resin, and a heat resistant rubber. It is characterized by consisting of any one of.

상기 제 2 과제를 해결하기 위해서, 제 4 특징의 수지 돌기물층 전사 부재는, 직사각형의 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리실 내에서 상기 기판을 탑재하는 기판 탑재대의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 전사하는 수지 돌기물층 전사 부재로서, 기재(基材) 시트와, 해당 기재 시트의 한쪽 면에 도포된 제 1 점착제층과, 해당 제 1 점착제층에 접착된 수지 돌기물층과, 해당 수지 돌기물층에 도포된 제 2 점착제층을 갖는 것을 특징으로 한다.In order to solve the said 2nd subject, the resin protrusion layer transfer member of a 4th characteristic has a resin protrusion on the board | substrate mounting surface of the board mounting base which mounts the said board | substrate in the processing chamber of the substrate processing apparatus which performs a plasma process on a rectangular board | substrate. A resin protrusion layer transfer member for transferring a water layer, comprising: a base sheet, a first pressure sensitive adhesive layer applied to one side of the base material sheet, a resin protrusion layer bonded to the first pressure sensitive adhesive layer, and a resin protrusion It has a 2nd adhesive layer apply | coated to the water layer, It is characterized by the above-mentioned.

제 5 특징의 수지 돌기물층 전사 부재는, 제 4 특징의 수지 돌기물층 전사 부재에 있어서, 상기 수지 돌기물층은 단면이 0.5~2.0㎜φ이고, 높이 30~80㎛의 원통 형상의 수지 돌기물을 2~10㎜ 피치로 다수 배열시킨 것을 특징으로 한다.The resin projection layer transfer member of the fifth aspect is the resin projection layer transfer member of the fourth aspect, wherein the resin projection layer has a cylindrical resin projection having a cross section of 0.5 to 2.0 mm in diameter and having a height of 30 to 80 µm. It is characterized in that a large number arranged in a pitch of 2 ~ 10mm.

제 6 특징의 수지 돌기물층 전사 부재는, 제 4 특징 또는 제 5 특징의 수지 돌기물층 전사 부재에 있어서, 상기 수지 돌기물은 폴리테트라플루오로에틸렌, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지 및 내열성 고무 중 어느 하나로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.The resin projection layer transfer member of the sixth feature is the resin projection layer transfer member of the fourth or fifth feature, wherein the resin projection is formed of polytetrafluoroethylene, epoxy resin, silicone resin, polyimide resin, or polyether resin. It is characterized by consisting of any one of a mid resin and a heat resistant rubber | gum.

제 7 특징의 수지 돌기물층 전사 부재는, 제 4 특징 내지 제 6 특징 중 어느 한 특징의 수지 돌기물층 전사 부재에 있어서, 상기 제 2 점착제층과 상기 기판 탑재면의 점착력은 상기 제 1 점착제층과 상기 수지 돌기물층의 점착력보다 큰 것을 특징으로 한다.The resin protrusion layer transfer member of the seventh aspect is the resin protrusion layer transfer member of any one of the fourth to sixth aspects, wherein the adhesive force between the second pressure sensitive adhesive layer and the substrate mounting surface is equal to the first pressure sensitive adhesive layer; It is characterized by greater than the adhesive force of the resin projection layer.

제 8 특징의 수지 돌기물층 전사 부재는, 제 4 특징 내지 제 7 특징 중 어느 한 특징의 수지 돌기물층 전사 부재로서, 상기 제 2 점착체층 상에 보호 시트가 점착되어 있는 것을 특징으로 한다.The resin projection layer transfer member of the eighth feature is the resin projection layer transfer member of any one of the fourth to seventh aspects, and a protective sheet is adhered on the second adhesive layer.

상기 제 3 과제를 해결하기 위해서, 제 9 특징의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법은, 직사각형의 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리실 내에서 상기 기판을 탑재하는 기판 탑재대의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법으로서, 기재 시트와, 해당 기재 시트의 한쪽 면에 제 1 점착제층을 통해 점착된 수지 돌기물층과, 해당 수지 돌기물층에 도포된 제 2 점착제층을 갖는 수지 돌기물층 전사 부재의 상기 수지 돌기물층에 도포된 제 2 점착제층을 상기 기판 탑재면에 누르고 상기 수지 돌기물층을 상기 기판 탑재면에 접착하는 접착 단계와, 상기 접착시킨 수지 돌기물층으로부터 상기 기재 시트를 박리하는 기재 시트 박리 단계를 갖는 것을 특징으로 한다.In order to solve the said 3rd subject, the method of forming a resin projection layer in the board | substrate mounting surface of 9th characteristic is a board mounting table which mounts the said board | substrate in the processing chamber of the substrate processing apparatus which performs a plasma process on a rectangular board | substrate. A method of forming a resin projection layer on a substrate mounting surface, comprising: a substrate sheet, a resin projection layer adhered to one surface of the substrate sheet via a first adhesive layer, and a second adhesive layer applied to the resin projection layer. An adhesion step of pressing the second pressure-sensitive adhesive layer applied to the resin protrusion layer of the resin protrusion layer transfer member onto the substrate mounting surface and adhering the resin protrusion layer to the substrate mounting surface; and the substrate sheet from the bonded resin protrusion layer It characterized by having a substrate sheet peeling step of peeling off.

제 10 특징의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법은, 제 9 특징의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법에 있어서, 상기 수지 돌기물층은 단면이 0.5~2.0㎜φ이고, 높이 30~80㎛의 원기둥 형상의 수지 돌기물을 2~10㎜ 피치로 다수 배열시킨 것을 특징으로 한다.The method of forming the resin projection layer on the substrate mounting surface of the tenth aspect is a method of forming the resin projection layer on the substrate mounting surface of the ninth aspect, wherein the resin projection layer has a cross section of 0.5 to 2.0 mmφ and has a height. It is characterized in that a large number of 30 ~ 80㎛ cylindrical resin projections arranged in a pitch of 2 ~ 10mm.

제 11 특징의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법은, 제 9 특징 또는 제 10 특징의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법에 있어서, 상기 수지 돌기물은 폴리테트라플루오로에틸렌, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지 및 내열성 고무 중 어느 하나로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.The method for forming the resin projection layer on the substrate mounting surface of the eleventh aspect is a method of forming the resin projection layer on the substrate mounting surface of the ninth or tenth aspect, wherein the resin projection is polytetrafluoroethylene, An epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, a polyetherimide resin, and heat resistant rubber are comprised, It is characterized by the above-mentioned.

제 12 특징의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법은, 제 9 특징 내지 제 11 특징 중 어느 한 특징의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판 탑재면에는 알루미나 용사막이 형성되어 있고, 상기 제 2 점착제층과 상기 알루미나 용사막의 점착력은 상기 제 1 점착제층과 상기 수지 돌기물층의 점착력보다 큰 것을 특징으로 한다.A method of forming the resin projection layer on the substrate mounting surface of the twelfth feature is a method of forming the resin projection layer on the substrate mounting surface of any one of the ninth to eleventh features, wherein the substrate mounting surface is used for alumina. The desert is formed, and the adhesive force between the second pressure sensitive adhesive layer and the alumina thermal sprayed coating is larger than that of the first pressure sensitive adhesive layer and the resin protrusion layer.

제 13 특징의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법은, 제 9 특징 내지 제 12 특징 중 어느 한 특징의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법에 있어서, 상기 수지 돌기물층 전사 부재의 상기 제 2 점착제층에는 보호 시트가 접착되어 있고, 상기 접착 단계의 전단(前段)에, 상기 보호 시트를 박리하는 보호 시트 박리 단계를 갖는 것을 특징으로 한다.The method of forming the resin projection layer on the substrate mounting surface of the thirteenth feature is a method of forming the resin projection layer on the substrate mounting surface of any one of the ninth to twelfth features. A protective sheet is bonded to the second pressure sensitive adhesive layer, and a protective sheet peeling step of peeling the protective sheet is provided at the front end of the bonding step.

제 14 특징의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법은, 제 9 특징 내지 제 13 특징 중 어느 한 특징의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기재 시트 박리 단계의 후단(後段)에, 상기 기판 탑재면에 접착된 상기 수지 돌기물층을 덮도록 코팅제를 도포하는 도포 단계를 갖는 것을 특징으로 한다.
The method of forming the resin projection layer on the substrate mounting surface of the fourteenth aspect is a method of forming the resin projection layer on the substrate mounting surface of any one of the ninth to thirteenth aspects, wherein the rear end of the substrate sheet peeling step is performed. And (iii) an application step of applying a coating agent to cover the resin projection layer adhered to the substrate mounting surface.

본 발명의 기판 탑재대에 의하면, 기판 탑재면에 탑재된 기판의 이면에 기판 탑재면의 재질에 기인하는 홈를 내는 일이 없어진다. 또한, 본 발명의 수지 돌기물층 전사 부재에 의하면, 기판 탑재대의 기판 탑재면에 한번에 다수의 수지 돌기물로 이루어지는 수지 돌기물층을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법에 의하면, 기판 탑재대를 가열하는 일없이 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성할 수 있다.
According to the board | substrate mounting base of this invention, the groove | channel which originates in the material of a board | substrate mounting surface is not cut out to the back surface of the board | substrate mounted on the board | substrate mounting surface. Moreover, according to the resin protrusion layer transfer member of this invention, the resin protrusion layer which consists of many resin protrusions can be formed in the board | substrate mounting surface of the board | substrate mounting board at once. Moreover, according to the method of forming a resin protrusion layer on the board | substrate mounting surface of this invention, a resin protrusion layer can be formed on a board | substrate mounting surface, without heating a board | substrate mounting table.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 탑재대가 적용되는 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도,
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 수지 돌기물층 전사 부재의 개략 구성을 나타내는 단면도,
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법의 공정도,
도 4는 본 발명에 따른 기판 탑재대로서, 기판 탑재면에 수지 돌기물층이 형성된 기판 탑재대의 기판 탑재면을 나타내는 평면도.
1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus to which a substrate mounting table according to an embodiment of the present invention is applied;
2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a resin protrusion layer transfer member according to an embodiment of the present invention;
3 is a process chart of a method of forming a resin projection layer on a substrate mounting surface according to an embodiment of the present invention;
4 is a plan view showing the board mounting surface of the board mounting table according to the present invention, wherein the resin mounting layer is formed on the board mounting surface.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 구체적으로 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described concretely, referring drawings.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 탑재대가 적용되는 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 이 기판 처리 장치는, 예컨대, 액정 표시 장치(LCD) 제조용의 유리 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows schematic structure of the substrate processing apparatus to which the board mounting base which concerns on embodiment of this invention is applied. This substrate processing apparatus performs predetermined plasma processing on the glass substrate for liquid crystal display device (LCD) manufacture, for example.

도 1에 있어서, 기판 처리 장치(10)는, 예컨대 1변이 수 m인 직사각형의 유리 기판 G(이하, 간단히 「기판」이라 함)를 수용하는 처리실(챔버)(11)를 갖고, 해당 챔버(11) 내부의 도면 중 아래쪽에는 기판 G을 탑재하는 탑재대(서셉터)(12)가 배치되어 있다. 서셉터(12)는, 예컨대, 표면이 알루마이트 처리된 알루미늄으로 이루어지는 기재(基材)(13)로 구성되어 있고, 기재(13)는 절연 부재(14)를 사이에 두고 챔버(11)의 바닥부에 지지되어 있다. 기재(13)는 단면 볼록형을 나타내고 있고, 상부에는 정전 전극판(16)을 내장한 정전척(54)이 설치되고, 그 상부 평면은 기판 G를 탑재하는 기판 탑재면(13a)으로 되어 있다.In FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 has the processing chamber (chamber) 11 which accommodates the rectangular glass substrate G (henceforth simply a "substrate"), for example, one side several m. 11) The mounting table (susceptor) 12 which mounts the board | substrate G is arrange | positioned below in the figure inside. The susceptor 12 is composed of, for example, a base 13 made of aluminum whose surface is anodized, and the base 13 has a bottom of the chamber 11 with an insulating member 14 interposed therebetween. It is supported by wealth. The base material 13 exhibits a cross-sectional convex shape, and an electrostatic chuck 54 incorporating the electrostatic electrode plate 16 is provided on the upper side thereof, and the upper plane is a substrate mounting surface 13a on which the substrate G is mounted.

기판 탑재면(13a)의 주위를 둘러싸도록 실드 부재로서의 밀봉 링(15)이 마련되어 있고, 밀봉 링(15)은, 예컨대 알루미나 등의 절연성 세라믹으로 구성된 장척(長尺) 형상물인 링 구성 부품의 조합체로 이루어져 있다.The sealing ring 15 as a shield member is provided so that the circumference | surroundings of the board | substrate mounting surface 13a may be provided, and the sealing ring 15 is a combination of the ring component parts which are long shape objects comprised, for example from insulating ceramics, such as alumina. Consists of

정전 전극판(16)에는 직류 전원(17)이 접속되어 있고, 정전 전극판(16)에 정(正)의 직류 전압이 인가되면, 기판 탑재면(13a)에 탑재된 기판 G에서의 정전 전극판(16)측의 면(이하, 「이면(裏面)」이라 함)에는 부전위(負電位)가 발생하고, 이것에 의해서 정전 전극판(16) 및 기판 G의 이면의 사이에 전위차가 생겨, 해당 전위차에 기인하는 쿨롱력 또는 존슨 라벡력(Johnson-rahbek force)에 의해 기판 G가 기판 탑재면(13a)에 흡착 유지된다.When the direct current power source 17 is connected to the electrostatic electrode plate 16, and a positive DC voltage is applied to the electrostatic electrode plate 16, the electrostatic electrode on the substrate G mounted on the substrate mounting surface 13a is provided. A negative potential is generated on the surface on the plate 16 side (hereinafter referred to as the "rear surface"), which causes a potential difference between the electrostatic electrode plate 16 and the back surface of the substrate G. The substrate G is adsorbed and held on the substrate mounting surface 13a by the Coulomb force or the Johnson-rahbek force due to the potential difference.

기재(13)의 내부에는, 기재(13) 및 기판 탑재면(13a)에 탑재된 기판 G의 온도를 조절하기 위한 온도 조절 기구(도시 생략)가 마련되어 있다. 이 온도 조절 기구로, 예컨대, 냉각수나 가루덴(등록 상표) 등의 냉매가 순환 공급되고, 해당 냉매에 의해서 냉각된 기재(13)는 기판 G를 냉각한다.The inside of the base material 13 is provided with the temperature control mechanism (not shown) for adjusting the temperature of the board | substrate G mounted in the base material 13 and the board | substrate mounting surface 13a. With this temperature regulating mechanism, for example, a coolant such as cooling water or powdered dendritic powder is circulated and supplied, and the substrate 13 cooled by the coolant cools the substrate G.

기재(13)의 주위에는, 밀봉 링(15)과 기재(13)의 접합부를 포함하는 측면을 덮는 사이드 밀봉 부재로서의 절연 링(18)이 배치되어 있다. 절연 링(18)은 절연성의 세라믹, 예컨대 알루미나로 구성되어 있다.In the periphery of the base material 13, the insulating ring 18 as a side sealing member which covers the side surface containing the junction part of the sealing ring 15 and the base material 13 is arrange | positioned. The insulating ring 18 is made of an insulating ceramic such as alumina.

챔버(11)의 바닥벽, 절연 부재(14) 및 기재(13)를 관통하는 관통 구멍에, 승강 핀(21)이 승강 가능하게 삽입되어 있다. 승강 핀(21)은 기판 탑재면(13a)에 탑재되는 기판 G의 반입 및 반출시에 작동하는 것이며, 기판 G를 챔버(11) 내에 반입할 때 또는 챔버(11)로부터 반출할 때에는, 서셉터(12)의 상방(上方)의 반송 위치까지 상승하고, 그 이외일 때에는 기판 탑재면(13a) 내에 매설 상태로 수용되어 있다.The lifting pins 21 are inserted into the through-holes through the bottom wall of the chamber 11, the insulating member 14, and the base material 13 so as to be able to move up and down. The lifting pins 21 operate at the time of carrying in and out of the substrate G mounted on the substrate mounting surface 13a, and the susceptor is used to carry the substrate G into or out of the chamber 11. It rises to the upper conveyance position of (12), and when it is other, it is accommodated in the embedding state in the board | substrate mounting surface 13a.

기판 탑재면(13a)에는, 도시 생략한 복수의 전열(傳熱) 가스 공급 구멍이 개구되어 있다. 복수의 전열 가스 공급 구멍은 전열 가스 공급부에 접속되고, 전열 가스 공급부로부터 전열 가스로서, 예컨대 헬륨(He) 가스가 기판 탑재면(13a) 및 기판 G의 이면의 간극에 공급된다. 기판 탑재면(13a) 및 기판 G의 이면의 간극에 공급된 헬륨 가스는 기판 G의 열을 서셉터(12)에 효과적으로 전달한다.A plurality of heat transfer gas supply holes (not shown) are opened in the substrate mounting surface 13a. The plurality of heat transfer gas supply holes are connected to the heat transfer gas supply section, and, for example, helium (He) gas is supplied from the heat transfer gas supply section to the gap between the substrate mounting surface 13a and the back surface of the substrate G. The helium gas supplied to the gap between the substrate mounting surface 13a and the rear surface of the substrate G effectively transfers the heat of the substrate G to the susceptor 12.

서셉터(12)의 기재(13)에는, 고주파 전력을 공급하기 위한 고주파 전원(23)이 정합기(24)를 거쳐서 접속되어 있다. 고주파 전원(23)으로부터는, 예컨대 13.56㎒의 고주파 전력(RF)이 인가되고, 서셉터(12)는 하부 전극으로서 기능한다. 정합기(24)는 서셉터(12)로부터의 고주파 전력의 반사를 저감하여 고주파 전력의 서셉터(12)로의 인가 효율을 최대로 한다.A high frequency power supply 23 for supplying high frequency power is connected to the base material 13 of the susceptor 12 through a matching device 24. From the high frequency power supply 23, for example, a high frequency power RF of 13.56 MHz is applied, and the susceptor 12 functions as a lower electrode. The matcher 24 reduces the reflection of the high frequency power from the susceptor 12 to maximize the application efficiency of the high frequency power to the susceptor 12.

기판 처리 장치(10)에서는, 챔버(11)의 내측벽과 서셉터(12)의 측면에 의해서 측방(側方) 배기로(26)가 형성된다. 이 측방 배기로(26)는 배기관(27)을 거쳐서 배기 장치(28)에 접속되어 있다. 배기 장치(28)로서의 TMP(Turbo Molecular Pump) 및 DP(Dry Pump)(모두 도시 생략)는 챔버(11) 내를 진공 흡인하여 감압한다. 구체적으로는, DP는 챔버(11) 내를 대기압으로부터 중진공(中眞空) 상태(예컨대, 1.3×10㎩(0.1Torr) 이하)까지 감압하고, TMP는 DP와 협동하여 챔버(11) 내를 중진공 상태보다 낮은 압력인 고진공(高眞空) 상태(예컨대, 1.3×10-3㎩(1.0×10-5Torr) 이하)까지 감압한다. 또, 챔버(11) 내의 압력은 APC 밸브(도시 생략)에 의해서 제어된다.In the substrate processing apparatus 10, the side exhaust path 26 is formed by the inner wall of the chamber 11 and the side surface of the susceptor 12. The side air exhaust passage 26 is connected to the exhaust device 28 via an exhaust pipe 27. The turbo molecular pump (TMP) and the dry pump (DP) (both not shown) as the exhaust device 28 vacuum-reduce the inside of the chamber 11 by vacuum suction. Specifically, the DP depressurizes the inside of the chamber 11 from the atmospheric pressure to the medium vacuum state (for example, 1.3 x 10 Pa (0.1 Torr or less)), and the TMP cooperates with the DP to operate the medium vacuum in the chamber 11. The pressure is reduced to a high vacuum state (for example, 1.3 × 10 −3 Pa (1.0 × 10 −5 Torr or less)) which is a pressure lower than the state. In addition, the pressure in the chamber 11 is controlled by an APC valve (not shown).

챔버(11)의 천장 부분에는, 서셉터(12)와 대향하도록 샤워 헤드(30)가 배치되어 있다. 샤워 헤드(30)는 내부 공간(31)을 가짐과 아울러, 서셉터(12)와의 사이의 처리 공간 S에 처리 가스를 토출하는 복수의 가스 구멍(32)을 갖는다. 샤워 헤드(30)는 접지되어 있고, 하부 전극으로서 기능하는 서셉터(12)와 함께 1쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.In the ceiling part of the chamber 11, the shower head 30 is arrange | positioned so that the susceptor 12 may be opposed. The shower head 30 has an internal space 31 and has a plurality of gas holes 32 for discharging the processing gas into the processing space S between the susceptor 12. The shower head 30 is grounded and comprises a pair of parallel flat electrodes with the susceptor 12 which functions as a lower electrode.

샤워 헤드(30)는 가스 공급관(36)을 거쳐서 처리 가스 공급원(39)에 접속되어 있다. 가스 공급관(36)에는, 개폐 밸브(37) 및 매스플로우 콘트롤러(38)가 마련되어 있다. 또한, 처리 챔버(11)의 측벽에는 기판 반입출구(34)가 마련되어 있고, 이 기판 반입출구(34)는 게이트 밸브(35)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 그리고, 이 게이트 밸브(35)를 거쳐서 처리 대상인 기판 G이 반입출된다.The shower head 30 is connected to the processing gas supply source 39 via the gas supply pipe 36. The gas supply pipe 36 is provided with an on-off valve 37 and a mass flow controller 38. Moreover, the board | substrate carrying in / out port 34 is provided in the side wall of the process chamber 11, and this board | substrate carrying in / out 34 is openable by the gate valve 35 and can open and close. Then, the substrate G to be processed is carried in and out through the gate valve 35.

기판 처리 장치(10)에서는, 처리 가스 공급원(39)으로부터 처리 가스 도입관(36)을 거쳐서 처리 가스가 공급된다. 공급된 처리 가스는 샤워 헤드(30)의 내부 공간(31) 및 가스 구멍(32)을 거쳐서 챔버(11)의 처리 공간 S로 도입된다. 도입되는 처리 가스는 고주파 전원(23)으로부터 서셉터(12)를 거쳐서 처리 공간 S로 인가되는 플라즈마 생성용의 고주파 전력(RF)에 의해 여기되어 플라즈마로 된다. 플라즈마 중의 이온은 기판 G로 향하여 끌어당겨지고, 기판 G에 대해 소정의 플라즈마 에칭 처리를 실시한다.In the substrate processing apparatus 10, a process gas is supplied from the process gas supply source 39 via the process gas introduction pipe 36. The supplied processing gas is introduced into the processing space S of the chamber 11 via the internal space 31 and the gas hole 32 of the shower head 30. The introduced process gas is excited by the high frequency power RF for plasma generation applied from the high frequency power supply 23 via the susceptor 12 to the processing space S to be plasma. Ions in the plasma are attracted toward the substrate G, and a predetermined plasma etching process is performed on the substrate G.

기판 처리 장치(10)의 각 구성 부품의 동작은 기판 처리 장치(10)가 구비하는 제어부(도시 생략)의 CPU가 플라즈마 에칭 처리에 대응하는 프로그램에 따라 제어된다.The operation of each component of the substrate processing apparatus 10 is controlled by a CPU of a controller (not shown) included in the substrate processing apparatus 10 according to a program corresponding to the plasma etching process.

다음으로, 도 1의 기판 처리 장치(10)에 있어서의 기판 탑재대(12)의 기판 탑재면(13a)에 수지 돌기물층을 형성할 때에 적용되는 수지 돌기물층 전사 부재에 대하여 설명한다.Next, the resin protrusion layer transfer member applied when forming a resin protrusion layer on the board | substrate mounting surface 13a of the board mounting table 12 in the substrate processing apparatus 10 of FIG. 1 is demonstrated.

도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 수지 돌기물층 전사 부재의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a resin protrusion layer transfer member according to an embodiment of the present invention.

도 2에 있어서, 이 수지 돌기물층 전사 부재(40)는, 기재 시트(41)와, 해당 기재 시트(41)의 한쪽 면에 도포된 제 1 점착제층(42)과, 해당 제 1 점착제층(42) 상에 접착된 복수의 수지 돌기물(43a)을 다수 배열시킨 수지 돌기물층(43)과, 해당 수지 돌기물층(43)의 각 돌기물(43a)의 표면에 도포된 제 2 점착제층(44)으로 주로 구성되어 있다. 제 2 점착제층(44)의 표면에는, 필요에 따라 보호 시트(45)가 점착된다. 이것에 의해서, 수지 돌기물층(43)의 표면으로의 이물의 부착을 방지하여 청정 상태를 확보할 수 있다.In FIG. 2, the resin protrusion layer transfer member 40 includes a base sheet 41, a first pressure sensitive adhesive layer 42 applied to one surface of the base sheet 41, and a first pressure sensitive adhesive layer ( 42 is a resin protrusion layer 43 in which a plurality of resin protrusions 43a adhered to each other are arranged, and a second pressure-sensitive adhesive layer coated on the surface of each protrusion 43a of the resin protrusion layer 43 ( 44). The protective sheet 45 is stuck to the surface of the 2nd adhesive layer 44 as needed. Thereby, foreign matter adheres to the surface of the resin protrusion layer 43, and a clean state can be ensured.

수지 돌기물층 전사 부재(40)는, 예컨대 이하와 같이 해서 제조된다.The resin protrusion layer transfer member 40 is manufactured as follows, for example.

예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)로 이루어지는 두께가 50~100㎛인 기재 시트(41)를 준비하고, 해당 기재 시트(41)의 한쪽 면에, 제 1 점착제로서 아크릴계 점착제를 코터에 의해서 균등하게 도포하여 제 1 점착제층(42)을 형성한다. 제 1 점착제층(42)의 두께는, 예컨대 30~100㎛이다.For example, a base sheet 41 having a thickness of 50 to 100 μm made of polyethylene terephthalate (PET) is prepared, and one side of the base sheet 41 is uniformly coated with an acrylic adhesive as a first adhesive by a coater. The first adhesive layer 42 is formed. The thickness of the 1st adhesive layer 42 is 30-100 micrometers, for example.

다음으로, 제 1 점착제층(42)에 수지 돌기물(43a)가, 예컨대 엠보싱 형상으로 다수 배열된 수지 돌기물층(43)을 접착시킨다. 구체적으로는, 수지 돌기물층(43)은, 예컨대, 테프론(등록 상표)으로 이루어지는 시트 형상물에 대해, 다수의 구멍이 뚫린 펀칭 메탈 형상의 형판(型板)을 이용하여 뚫어 형성된다. 형성된 엠보싱 형상의 수지 돌기물층(43)에, 제 1 점착제층(42)을 도포한 기재 시트(41)에서의 제 1 점착제층(42)이 도포된 면을 눌러 수지 돌기물층(43)을 감는다.Next, the resin protrusion 43a adheres to the 1st adhesive layer 42 the resin protrusion layer 43 arrange | positioned many in the embossing shape, for example. Specifically, the resin projection layer 43 is formed by punching out a sheet-like object made of Teflon (registered trademark), for example, using a punched metal template in which a plurality of holes are formed. On the formed embossed resin projection layer 43, the surface on which the first pressure sensitive adhesive layer 42 is applied on the base sheet 41 to which the first pressure sensitive adhesive layer 42 is applied is pressed to wind up the resin projection layer 43. .

이렇게 해서 형성된 수지 돌기물층(43)의 표면, 즉 수지 돌기물층(43)의 수지 돌기물(43a)에서의 제 1 점착제층(42)에 접하는 면과는 반대의 면에, 제 2 점착제로서 실리콘계 점착제를, 예컨대 코터에 의해서 도포하여 제 2 점착제층(44)을 형성하여 수지 돌기물층 전사 부재(40)로 한다. 제 2 점착제층의 두께는, 예컨대 10~30㎛이다.The silicone-based adhesive is formed on the surface of the resin protrusion layer 43 thus formed, that is, on the surface opposite to the surface contacting the first pressure-sensitive adhesive layer 42 in the resin protrusion 43a of the resin protrusion layer 43. The pressure-sensitive adhesive is applied by, for example, a coater to form the second pressure-sensitive adhesive layer 44 to form the resin protrusion layer transfer member 40. The thickness of a 2nd adhesive layer is 10-30 micrometers, for example.

본 실시 형태에 의하면, 기재 시트(41)의 한쪽 면에 제 1 점착제층(42)을 사이에 두고 다수의 수지 돌기물(43a)로 이루어지는 수지 돌기물층(43)을 접착하고, 그 표면에 제 2 점착제층(44)을 도포했기 때문에, 수지 돌기물층(43)을 전사하는 전사재로서의 기판 탑재면에 제 2 점착제층(44)을 가압하고, 그 후, 기재 시트(41)를 박리하는 것에 의해서, 기판 탑재면에, 한번에 다수의 수지 돌기물(43a)로 이루어지는 수지 돌기물층(43)을 형성할 수 있다.According to this embodiment, the resin protrusion layer 43 which consists of many resin protrusions 43a is adhere | attached on one surface of the base material sheet 41 with the 1st adhesive layer 42 interposed, Since the 2nd adhesive layer 44 was apply | coated, it presses the 2nd adhesive layer 44 to the board | substrate mounting surface as a transfer material which transfers the resin protrusion layer 43, and after that, peeling off the base material sheet 41 Thereby, the resin protrusion layer 43 which consists of many resin protrusions 43a can be formed in the board | substrate mounting surface at once.

본 실시 형태에 있어서, 기재 시트(41)로서는 PET 외에, PP, 폴리에스테르 등을 이용할 수 있다. 또한, 제 1 점착제층(42)을 형성하는 제 1 점착제로서는, 아크릴계 외에, 실리콘계, 고무계 점착제 등을 이용할 수 있고, 제 2 점착제층(44)을 형성하는 제 2 점착제로서는, 실리콘계 외에, 예컨대, 아크릴계 점착제 등을 이용할 수 있다. 또한, 보호 시트(45)로서는, 예컨대 PET, PP 등이 적합하게 적용된다.In the present embodiment, in addition to PET, PP, polyester, or the like can be used as the base sheet 41. As the first pressure-sensitive adhesive for forming the first pressure-sensitive adhesive layer 42, silicone, rubber-based pressure-sensitive adhesive, etc. can be used in addition to acrylics, and as the second pressure-sensitive adhesive for forming the second pressure-sensitive adhesive layer 44, for example, An acrylic adhesive etc. can be used. As the protective sheet 45, for example, PET, PP or the like is suitably applied.

다음으로, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법에 대해 설명한다.Next, the method of forming a resin protrusion layer on the board | substrate mounting surface which concerns on embodiment of this invention is demonstrated.

도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법의 공정도이다.3 is a flowchart of a method of forming a resin projection layer on a substrate mounting surface according to an embodiment of the present invention.

기판 탑재대의 기판 탑재면에 수지 돌기층을 형성할 때, 기판 탑재면의 주위에, 기판 탑재면에 형성되는 수지 돌기물층의 두께와 동일한 높이만큼 돌출한 단차부를 마련해 두는 것이 바람직하다. 이것에 의해서, 기판 탑재면에 형성된 수지 돌기물층에서의 박리, 손상 등을 회피할 수 있음과 아울러, 탑재면 상에 공급되는 열 전달 가스를 밀폐시켜, 열 전달 효율을 향상시킬 수 있다.When forming the resin projection layer on the substrate mounting surface of the substrate mounting table, it is preferable to provide a stepped portion protruding around the substrate mounting surface by the same height as the thickness of the resin projection layer formed on the substrate mounting surface. Thereby, peeling, damage, etc. in the resin protrusion layer formed in the board | substrate mounting surface can be avoided, and the heat transfer gas supplied on a mounting surface can be sealed and heat transfer efficiency can be improved.

이하, 도 2의 수지 돌기물층 전사 부재(40)를 이용하여, 기판 탑재면의 주위에 단차부를 갖는 기판 탑재대의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, using the resin protrusion layer transfer member 40 of FIG. 2, the method of forming a resin protrusion layer in the board | substrate mounting surface of the board mounting base which has a level | step difference part around the board mounting surface is demonstrated.

우선, 기판 탑재면의 주위에 단차부를 갖는 기판 탑재대를 준비한다(도 3(a)). 이 기판 탑재대(12)는, 표면이 알루마이트 처리된 알루미늄으로 이루어지는 기재(13)와, 해당 기재(13)의 볼록 형상부의 상부 평면에 마련된 정전척(54)으로 주와 구성되어 있다. 정전척(54)은, 절연성의 알루미나(Al2O3)층(52)과, 해당 알루미나층(52)에 내장된 정전 전극판(16)으로 이루어지고, 알루미나층(52)의 상부 평면의 주위에, 기판 탑재면에 형성되는 수지 돌기물층과 동일한 높이의 단차부(56)를 갖는다.First, a board mounting table having a stepped portion around the board mounting surface is prepared (FIG. 3A). The substrate mounting table 12 is mainly composed of a base material 13 made of anodized aluminum and an electrostatic chuck 54 provided in the upper plane of the convex portion of the base material 13. The electrostatic chuck 54 is composed of an insulating alumina (Al 2 O 3 ) layer 52 and an electrostatic electrode plate 16 embedded in the alumina layer 52, and of the upper plane of the alumina layer 52. It has the step part 56 of the same height as the resin protrusion layer formed in the board | substrate mounting surface around.

다음으로, 이러한 기판 탑재대(12)에서의 정전척(54)의 기판 탑재면(13a)에, 도 2의 수지 돌기물층 전사 부재(40)의 수지 돌기물층(43)에 도포된 제 2 점착제층(44)을 접합시킨다. 구체적으로는, 수지 돌기물층 전사 부재(40)의 보호 시트(45)를 박리하고(보호 시트 박리 단계), 이것에 의해서, 수지 돌기물(43a)이 엠보싱 형상으로 다수 배열된 수지 돌기물층(43)을 노출시키고, 이 상태에서 수지 돌기물층(43) 상의 제 2 점착제층(44)을 기판 탑재면(13a)에 접합하고, 수지 돌기물층(43)을 접착시킨다(도 3(b)).Next, the 2nd adhesive agent apply | coated to the resin protrusion layer 43 of the resin protrusion layer transfer member 40 of FIG. 2 to the board | substrate mounting surface 13a of the electrostatic chuck 54 in such a board | substrate mounting table 12. Next, as shown in FIG. Layer 44 is bonded. Specifically, the protective sheet 45 of the resin protrusion layer transfer member 40 is peeled off (protective sheet peeling step), whereby the resin protrusion layer 43 in which a plurality of resin protrusions 43a are arranged in an embossed shape. ), The second pressure-sensitive adhesive layer 44 on the resin protrusion layer 43 is bonded to the substrate mounting surface 13a in this state, and the resin protrusion layer 43 is bonded (Fig. 3 (b)).

다음으로, 기판 탑재면(13a)에 수지 돌기물층(43)을 접착한 상태의 수지 돌기물층 전사 부재(40)의 기재 시트(41)의 한쪽의 면을 기판 탑재면(13a)으로 향해 균등하게 눌러서 수지 돌기물층(43)을 확실히 기판 탑재면(13a)에 접착시킨다. 이렇게 해서, 수지 돌기물층(43)을 접착시킨 후, 기재 시트(41)를 천천히 박리한다. 이것에 의해서, 기판 탑재면(13a)에 수지 돌기물층(43)이 전사 형성된 기판 탑재대가 얻어진다(도 3(c)).Next, one surface of the base sheet 41 of the resin protrusion layer transfer member 40 in the state where the resin protrusion layer 43 is adhered to the substrate mounting surface 13a is evenly directed toward the substrate mounting surface 13a. By pressing, the resin protrusion layer 43 is firmly bonded to the substrate mounting surface 13a. In this way, after sticking the resin protrusion layer 43, the base material sheet 41 is peeled off slowly. Thereby, the board | substrate mounting table in which the resin protrusion layer 43 was transferred to the board | substrate mounting surface 13a is obtained (FIG. 3 (c)).

다음으로, 필요에 따라, 엠보싱 형상의 수지 돌기물층(43)이 형성된 기판 탑재면의 수지 돌기물층(43)을 덮도록 코팅층을 형성한다. 코팅제로서는, 예컨대 실리콘 수지가 적합하게 사용된다. 이것에 의해서, 기판 탑재면(13a)에 형성된 엠보싱 형상의 수지 돌기물층(43)의 밀착력을 높이고, 또한 강도를 확보할 수 있다.Next, if necessary, a coating layer is formed so as to cover the resin protrusion layer 43 on the substrate mounting surface on which the embossed resin protrusion layer 43 is formed. As the coating agent, for example, a silicone resin is suitably used. Thereby, the adhesive force of the resin protrusion layer 43 of the embossing shape formed in the board | substrate mounting surface 13a can be improved, and strength can be ensured.

도 4는 기판 탑재면(13a)에 수지 돌기물층(43)이 형성된 기판 탑재대의 기판 탑재면(13a)을 나타내는 평면도이다.4 is a plan view showing the substrate mounting surface 13a of the substrate mounting table on which the resin protrusion layer 43 is formed on the substrate mounting surface 13a.

도 4에 있어서, 기판 탑재대(12)의 기판 탑재면(13a)에는, 수지 돌기물(43a)이 엠보싱 형상으로 다수 배열된 수지 돌기물층(43)이 형성되어 있다.In FIG. 4, the resin protrusion layer 43 in which the resin protrusion 43a is arranged in the embossing shape is formed in the board | substrate mounting surface 13a of the board | substrate mounting table 12. As shown in FIG.

본 실시 형태에 의하면, 수지 돌기물층(43)을, 점착제를 이용하여 기판 탑재면(13a)에 전사하여 접착시키도록 했기 때문에, 기판 탑재대(12)를 가열하는 일없이 기판 탑재면(13a)에 수지 돌기물층(43)을 형성할 수 있다. 따라서, 내열 온도가, 예컨대 100℃ 이하라고 낮은 기판 탑재대에도 충분히 적용할 수 있다.According to the present embodiment, the resin protrusion layer 43 is transferred to the substrate mounting surface 13a by means of an adhesive to be bonded to the substrate mounting surface 13a without heating the substrate mounting table 12. The resin protrusion layer 43 can be formed in the. Therefore, it can fully apply also to the board | substrate mounting table where heat resistance temperature is low, for example 100 degrees C or less.

또한, 간편한 방법으로, 특수한 가공 장치 또는 지그를 필요로 하지 않기 때문에, 현장에서도 용이하게 수지 돌기물층(43)의 설치 및 재설치 등을 행할 수 있다.In addition, since a special processing apparatus or jig is not required by a simple method, the resin projection layer 43 can be easily installed and reinstalled on the site.

본 실시 형태에 있어서, 수지 돌기물층(43)에서의 수지 돌기물(43a)의 크기는, 예컨대 단면이 0.5~2.0㎜φ, 높이가, 예컨대 30~80㎛의 원기둥 형상이다. 수지 돌기물(43a)의 피치는, 예컨대 5㎜이다. 따라서, 기판 탑재면(13a)에는, 수만개의 수지 돌기물(43a)이 형성되어 있게 된다. 수지 돌기물(43a)의 피치는 2~10㎜인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 4~7㎜이다. 피치가 너무 작으면, 돌기물층을 형성하기 어렵고, 너무 크면, 돌기물로서의 강도가 부족될 우려가 있다.In the present embodiment, the size of the resin protrusion 43a in the resin protrusion layer 43 is, for example, a cylinder having a cross section of 0.5 to 2.0 mmφ and a height of, for example, 30 to 80 μm. The pitch of the resin protrusion 43a is 5 mm, for example. Therefore, tens of thousands of resin protrusions 43a are formed on the substrate mounting surface 13a. It is preferable that the pitch of the resin protrusion 43a is 2-10 mm, More preferably, it is 4-7 mm. If the pitch is too small, it is difficult to form the projection layer, and if it is too large, the strength as the projection may be insufficient.

본 실시 형태에 있어서, 수지 돌기물(43a)의 구성 재료로서는, 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌(테프론(등록 상표)), 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 바이톤을 비롯하는 내열 고무 등을 적용할 수 있으며, 특히, 테프론(등록 상표)이 적합하게 사용된다.In the present embodiment, examples of the constituent material of the resin protrusion 43a include polytetrafluoroethylene (Teflon (registered trademark)), epoxy resin, silicone resin, polyimide resin, polyetherimide resin, and viton. Heat resistant rubber and the like can be applied, and in particular, Teflon (registered trademark) is suitably used.

수지 돌기물(43a)의 구성 재료로서 테프론(등록 상표)를 이용하는 것에 의해, 이하의 효과가 얻어진다.By using Teflon (registered trademark) as a constituent material of the resin protrusion 43a, the following effects are obtained.

테프론(등록 상표)는 내부식성을 갖추고 있어, 플라즈마 처리에 적용되는 각종의 처리 가스에 대한 내성이 있다. 또한, 테프론(등록 상표)은 알루미나에 비하여 열 전도율이 작기 때문에, 돌기물의 재료로서 테프론(등록 상표)을 이용한 경우와 알루미나를 이용한 경우에서는, 기판 탑재면(13a)과 상기 기판 탑재면(13a)에 탑재된 기판 G의 이면의 간극에 공급되는 전열용의 헬륨 가스를 거친 열의 전달 방식과 돌기물을 거친 열의 전달 방식의 차이가, 돌기물에 테프론(등록 상표)을 이용한 경우의 쪽이 작고, 기판 G의 이면에서의 열 분포에 기인하는 에칭 얼룩의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 테프론(등록 상표)은 유전율이 작고, 헬륨 가스와 함께 형성하는 전계 강도 분포에서 극도의 피크 등의 특이점을 발생하는 일이 없기 때문에, 기판 G에서의 전계 분포에 기인하는 에칭 얼룩의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 테프론(등록 상표)은 미끄러짐성이 양호하고, 마모가 적기 때문에, 예컨대 닦아내기에 의한 클리닝 등을 용이하게 행할 수 있다.Teflon (registered trademark) has corrosion resistance and is resistant to various processing gases applied to plasma treatment. In addition, since Teflon (registered trademark) has a lower thermal conductivity than alumina, when Teflon (registered trademark) is used as the material of the projection and when alumina is used, the substrate mounting surface 13a and the substrate mounting surface 13a are used. The difference between the heat transfer method via the helium gas for heat transfer supplied to the gap between the back surface of the substrate G mounted on the substrate and the heat transfer method via the protrusion is smaller when using Teflon (registered trademark) for the protrusion, The occurrence of etching spots due to the heat distribution on the back surface of the substrate G can be suppressed. In addition, since Teflon (registered trademark) has a low dielectric constant and does not generate singular points such as extreme peaks in the electric field intensity distribution formed with helium gas, occurrence of etching spots due to the electric field distribution in the substrate G is prevented. It can be suppressed. In addition, since Teflon (registered trademark) has good slipperiness and less wear, it can be easily cleaned by wiping, for example.

본 실시 형태에 있어서, 수지 돌기물층 전사 부재(40)에 적용되는 제 2 점착제층의 점착력은 제 1 점착제층의 점착력보다 큰 것이 바람직하고, 보다 구체적으로는, 예컨대, 알루미나 용사피막(溶射皮膜)(52)에 의해 형성된 기판 탑재면(13a)을 구성하는 알루미나와, 수지 돌기물층(43)의 표면에 도포된 제 2 점착제층의 점착력 A가, 기재 시트(41)에 도포된 제 1 점착제층과 수지 돌기물층(43)의 점착력 B보다 커지도록 각 점착제층을 선택하는 것이 바람직하다. 이것에 의해서, 수지 돌기물층 전사 부재(40)에서의 수지 돌기물층(43)을 기판 탑재면(13a)에 접착시킨 후, 기재 시트(41)를 박리할 때, 수지 돌기물층(43)이 기재 시트(41)에 붙어 기판 탑재면(13a)으로부터 박리되는 일이 없어져, 수지 돌기물층 전사 부재(40)의 수지 돌기물층(43)을 확실히 기판 탑재면(13a)에 전사할 수 있다. 한편, 보호 시트(45)를 박리할 때에 수지 돌기물층(43)이 기재 시트(41)로부터 박리되는 것을 방지하기 위해서, 보호 시트(45)와 제 2 점착제층의 점착력 C가 상기 점착력 B보다 약해지는 보호 시트의 재료를 선택하거나 보호 시트에 비점착 처리를 하거나 해야 한다.In this embodiment, it is preferable that the adhesive force of the 2nd adhesive layer applied to the resin protrusion layer transfer member 40 is larger than the adhesive force of a 1st adhesive layer, More specifically, for example, an alumina thermal sprayed coating The first adhesive layer to which the adhesive force A of the alumina which comprises the board | substrate mounting surface 13a formed by 52, and the 2nd adhesive layer apply | coated on the surface of the resin protrusion layer 43 were apply | coated to the base material sheet 41 It is preferable to select each adhesive layer so that it may become larger than the adhesive force B of the resin protrusion layer 43 and it. Thereby, after sticking the resin protrusion layer 43 in the resin protrusion layer transfer member 40 to the board | substrate mounting surface 13a, when peeling the base material sheet 41, the resin protrusion layer 43 is a base material. It does not adhere to the sheet | seat 41, and peels from the board | substrate mounting surface 13a, and the resin protrusion layer 43 of the resin protrusion layer transfer member 40 can be reliably transferred to the board | substrate mounting surface 13a. On the other hand, in order to prevent the resin protrusion layer 43 from peeling from the base sheet 41 when peeling off the protective sheet 45, the adhesive force C of the protective sheet 45 and the 2nd adhesive layer is weaker than the said adhesive force B. The material must be selected from the protective sheet or non-tacked on the protective sheet.

본 실시 형태에 따른 기판 탑재대, 즉 기판이 탑재되는 기판 탑재면에, 복수의 수지 돌기물(43a)이 배열된 수지 돌기물층(43)이 형성된 기판 탑재대에 의하면, 기판 탑재면(13a)에 탑재된 기판 G의 이면에 홈을 내는 일이 없다. 또한, 기판을 점 접촉으로 지지할 수 있기 때문에, 기판의 이면에 대하여 반응 부생성물 등의 퇴적물이 부착되는 기회를 저감할 수 있다.According to the board | substrate mounting board which formed the resin protrusion layer 43 in which the some resin protrusion 43a was arrange | positioned at the board | substrate mounting board which concerns on this embodiment, ie, the board mounting surface on which the board | substrate is mounted, the board | substrate mounting board 13a There is no groove on the back surface of the substrate G mounted on the substrate. In addition, since the substrate can be supported by point contact, the opportunity to deposit deposits such as reaction by-products on the back surface of the substrate can be reduced.

상술한 각 실시 형태에 있어서, 기판은 액정 디스플레이(LCD)용의 유리 기판뿐만 아니라, 일렉트로 루미넌스(Electro Luminescence; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등을 비롯한 FPD(Flat Panel Display)에 이용하는 각종 기판이더라도 좋다.
In each of the above-described embodiments, the substrate is not only a glass substrate for liquid crystal display (LCD) but also various kinds of substrates used for flat panel display (FPD), including an electroluminescence (EL) display, a plasma display panel (PDP), and the like. It may be a substrate.

10: 기판 처리 장치
12: 기판 탑재대(서셉터)
13: 기재
13a: 기판 탑재면
40: 수지 돌기물층 전사 부재
41: 기재 시트
42: 제 1 점착제층
43 : 수지 돌기물층
43a: 수지 돌기물
44: 제 2 점착제층
10: substrate processing apparatus
12: Board Mount (Susceptor)
13: substrate
13a: substrate mounting surface
40: resin protrusion layer transfer member
41: base material sheet
42: first pressure sensitive adhesive layer
43: resin projection layer
43a: resin projection
44: second pressure sensitive adhesive layer

Claims (14)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 직사각형의 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리실 내에서 상기 기판을 탑재하는 기판 탑재대의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 전사하는 수지 돌기물층 전사 부재로서,
기재 시트와,
상기 기재 시트의 한쪽 면에 도포된 제 1 점착제층과,
상기 제 1 점착제층에 접착된 수지 돌기물층과,
상기 수지 돌기물층에 도포된 제 2 점착제층
을 갖는 것을 특징으로 하는 수지 돌기물층 전사 부재.
As a resin protrusion layer transfer member which transfers a resin protrusion layer to the board | substrate mounting surface of the board mounting base which mounts the said board | substrate in the processing chamber of the substrate processing apparatus which performs a plasma process on a rectangular board | substrate,
A base sheet,
A first pressure-sensitive adhesive layer applied to one side of the base sheet,
A resin protrusion layer adhered to the first pressure sensitive adhesive layer,
2nd adhesive layer apply | coated to the said resin protrusion layer
Resin protrusion layer transfer member having a.
제 4 항에 있어서,
상기 수지 돌기물층은, 단면이 0.5~2.0㎜φ이고, 높이 30~80㎛의 원기둥 형상의 수지 돌기물을 2~10㎜ 피치로 다수 배열시킨 것을 특징으로 하는 수지 돌기물층 전사 부재.
5. The method of claim 4,
The resin protrusion layer has a cross section of 0.5 to 2.0 mmφ, and a plurality of cylindrical resin protrusions having a height of 30 to 80 μm are arranged at a pitch of 2 to 10 mm.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 수지 돌기물은 폴리테트라플루오로에틸렌, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지 및 내열성 고무 중 어느 하나로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 돌기물층 전사 부재.
The method according to claim 4 or 5,
The resin protrusion layer transfer member is composed of any one of polytetrafluoroethylene, epoxy resin, silicone resin, polyimide resin, polyetherimide resin, and heat resistant rubber.
제 4 항 또한 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 점착제층과 상기 기판 탑재면의 점착력은 상기 제 1 점착제층과 상기 수지 돌기물층의 점착력보다 큰 것을 특징으로 하는 수지 돌기물층 전사 부재.
The method according to claim 4 or 5,
The adhesive force of the said 2nd adhesive layer and the said board | substrate mounting surface is larger than the adhesive force of the said 1st adhesive layer and said resin protrusion layer, The resin protrusion layer transfer member characterized by the above-mentioned.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 점착제층 상에 보호 시트가 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 돌기물층 전사 부재.
The method according to claim 4 or 5,
A protective sheet is adhered on the second pressure sensitive adhesive layer, characterized in that the resin projection layer transfer member.
직사각형의 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리실 내에서 상기 기판을 탑재하는 기판 탑재대의 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법으로서,
기재 시트와, 상기 기재 시트의 한쪽 면에 제 1 점착제층을 사이에 두고 접착된 수지 돌기물층과, 상기 수지 돌기물층에 도포된 제 2 점착제층을 갖는 수지 돌기물층 전사 부재의 상기 수지 돌기물층에 도포된 제 2 점착제층을 상기 기판 탑재면에 눌러서 상기 수지 돌기물층을 상기 기판 탑재면에 접착하는 접착 단계와,
상기 접착시킨 수지 돌기물층으로부터 상기 기재 시트를 박리하는 기재 시트 박리 단계
를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법.
A method of forming a resin projection layer on a substrate mounting surface of a substrate mounting table on which a substrate is mounted in a processing chamber of a substrate processing apparatus that performs a plasma treatment on a rectangular substrate,
On the resin protrusion layer of the resin protrusion layer transfer member which has a base material sheet, the resin protrusion layer adhere | attached on one side of the said base material sheet with the 1st adhesive layer interposed, and the 2nd adhesive layer apply | coated to the said resin protrusion layer. An adhesive step of adhering the resin projection layer to the substrate mounting surface by pressing the applied second adhesive layer onto the substrate mounting surface;
Base sheet peeling step of peeling the base sheet from the bonded resin protrusion layer
A method of forming a resin projection layer on a substrate mounting surface comprising a.
제 9 항에 있어서,
상기 수지 돌기물층은, 단면이 0,5~2,0㎜φ, 높이 30~80㎛의 원기둥 형상의 수지 돌기물을 2~10㎜ 피치로 다수 배열시킨 것을 특징으로 하는 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법.
The method of claim 9,
The resin protrusion layer is formed by arranging a plurality of cylindrical resin protrusions having a cross section of 0,5 to 2,0 mm, and a columnar resin protrusion having a height of 30 to 80 μm at a pitch of 2 to 10 mm. How to form a water layer.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 수지 돌기물은 폴리테트라플루오로에틸렌, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지 및 내열성 고무 중 어느 하나로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법.
11. The method according to claim 9 or 10,
The resin projections are formed of any one of polytetrafluoroethylene, epoxy resin, silicone resin, polyimide resin, polyetherimide resin, and heat resistant rubber.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 기판 탑재면에는, 알루미나 용사막이 형성되어 있고,
상기 제 2 점착제층과 상기 알루미나 용사막의 점착력은 상기 제 1 점착제층과 상기 수지 돌기물층의 점착력보다 큰 것
을 특징으로 하는 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법.
11. The method according to claim 9 or 10,
The alumina thermal sprayed coating is formed in the said board | substrate mounting surface,
The adhesive force between the second pressure sensitive adhesive layer and the alumina thermal sprayed coating is greater than that between the first pressure sensitive adhesive layer and the resin protrusion layer.
A method of forming a resin projection layer on a substrate mounting surface, characterized in that.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 수지 돌기물층 전사 부재의 상기 제 2 점착제층에는 보호 시트가 접착되어 있고, 상기 접착 단계의 전단(前段)에, 상기 보호 시트를 박리하는 보호 시트 박리 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법.
11. The method according to claim 9 or 10,
A protective sheet is bonded to the second pressure sensitive adhesive layer of the resin protrusion layer transfer member, and a protective sheet peeling step of peeling the protective sheet is carried out at the front end of the bonding step. The method of forming a resin protrusion layer.
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 기재 시트 박리 단계의 후단(後段)에, 상기 기판 탑재면에 접착된 상기 수지 돌기물층을 덮도록 코팅제를 도포하는 도포 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 탑재면에 수지 돌기물층을 형성하는 방법.
11. The method according to claim 9 or 10,
And a coating step of applying a coating agent to a rear end of the substrate sheet peeling step so as to cover the resin protrusion layer adhered to the substrate mounting surface.
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