JP2009231537A - 部品内蔵配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】部品内蔵配線基板の製造に必要な工数を減らすことにより、部品内蔵配線基板を容易にかつ低コストで製造することが可能な部品内蔵配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】配線基板は、配置工程や固定工程などを経て製造される。配置工程では、プリプレグ７１〜７４を重ねて配置し、貫通孔７７内にＩＣチップ２１を配置し、プリプレグ７１〜７４の表面に金属箔１５１，１５２を配置する。固定工程では、プリプレグ７１〜７４の積層方向に圧力を付与することにより、プリプレグ７１〜７４及び金属箔１５１，１５２を一体化するとともに、圧力が付与された際にプリプレグ７１〜７４から流れ出した樹脂６３でＩＣチップ２１と貫通孔７７の内壁面との隙間を埋めることにより、ＩＣチップ２１を固定する。
【選択図】図８

Description

本発明は、複数のプリプレグを積み重ねて一体化した構造の積層基板を備え、内部にコンデンサなどの部品が収容されている部品内蔵配線基板及びその製造方法に関するものである。

コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常は、ＩＣチップを配線基板に内蔵してなるパッケージ（例えば特許文献１，２参照）や、ＩＣチップを配線基板上に搭載してなるパッケージなどを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。

ここで、ＩＣチップを内蔵した配線基板の製造方法の一例を図１２に基づいて説明する。まず、第１主面２０１及び第２主面２０２の両方にて開口する収容穴部２０３を有する高分子材料製のコア基板２０４を準備する。併せて、チップ裏面２０６上の複数箇所に端子２０７が配置されたＩＣチップ２０８を準備する。次に、第２主面２０２側に粘着テープ２０９を貼り付けるテーピング工程を行い、収容穴部２０３の第２主面２０２側の開口をあらかじめシールする。そして、収容穴部２０３内にＩＣチップ２０８を収容する収容工程を行い、チップ裏面２０６を粘着テープ２０９の粘着面に貼り付けて仮固定する。次に、収容穴部２０３とＩＣチップ２０８との隙間に樹脂充填剤２１０を充填する充填工程と、樹脂充填剤２１０を硬化させてＩＣチップ２０８を固定する固定工程とを行う。この後、コア基板２０４の第１主面２０１及び第２主面２０２に対して、高分子材料を主体とする絶縁層の形成及び導体層の形成を交互に行うことで、ビルドアップ層を形成する。その結果、所望の配線基板が得られる。
特開２００３−３０９２４３号公報（図１など） 特開２００２−２４６７６１号公報（図１４など）

ところが、上記の配線基板を製造するためには、ルータを用いた孔あけ加工を行ってコア基板２０４の所定位置に収容穴部２０３を形成する工程や、上記の充填工程などが必要となる。即ち、配線基板の製造には多くの工数が必要であるため、配線基板の生産性が低下したり、配線基板の製造コストが上昇するなどの問題が生じてしまう。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、部品内蔵配線基板の製造に必要な工数を減らすことにより、部品内蔵配線基板を容易にかつ低コストで製造することが可能な部品内蔵配線基板の製造方法を提供することにある。また、第２の目的は、上記の製造方法によって製造される好適な部品内蔵配線基板を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、基材に樹脂を含浸させてなり、プリプレグ主面及びプリプレグ裏面を有し、前記プリプレグ主面及び前記プリプレグ裏面にて開口する貫通孔を有する複数のプリプレグを準備するプリプレグ準備工程と、部品主面及び部品裏面を有する部品を準備する部品準備工程と、前記複数のプリプレグを重ねて配置し、前記貫通孔内に前記部品を配置し、重ねられた前記複数のプリプレグの表面に金属箔を配置する配置工程と、前記配置工程後、前記複数のプリプレグの積層方向に圧力を付与することにより、前記複数のプリプレグ及び前記金属箔を一体化して積層基板を形成するとともに、圧力が付与された際に前記複数のプリプレグから流れ出した前記樹脂で前記部品と前記貫通孔の内壁面との隙間を埋めることにより、前記部品を固定する固定工程と、前記固定工程後、前記金属箔に対するエッチングを行うことにより配線パターンを形成するパターン形成工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法がある。

従って、上記手段１の部品内蔵配線基板の製造方法によると、固定工程において、積層基板を形成すると同時に部品を固定しているため、部品内蔵配線基板の製造に必要な工数を減らすことができる。これにより、部品内蔵配線基板を容易にかつ低コストで製造することができる。また、部品と貫通孔の内壁面との隙間を埋めることによって部品を固定する樹脂は、複数のプリプレグから流れ出した樹脂である。これにより、部品を固定する樹脂とプリプレグを構成する樹脂とが連続するため、部品は、隙間を埋める樹脂だけでなく、プリプレグ全体によって固定されるようになる。よって、部品の固定強度が向上するため、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。

以下、部品内蔵配線基板の製造方法について説明する。

プリプレグ準備工程では、プリプレグ主面及びプリプレグ裏面を有し、前記プリプレグ主面及び前記プリプレグ裏面にて開口する貫通孔を有する複数のプリプレグを、従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。ここで、「プリプレグ」とは、ガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）や紙などの基材に、調整された樹脂（樹脂ワニス）を含浸させて乾燥処理した半硬化状態（例えばＢステージ）のシートをいう。なお、プリプレグの基材に含浸される樹脂の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。

また、部品準備工程では、上記部品内蔵配線基板を構成する部品を、従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。部品は、部品主面及び部品裏面を有している。部品の形状は、任意に設定することが可能であるが、例えば、部品主面の面積が部品の側面の面積よりも大きい板状であることが好ましい。このようにすれば、プリプレグの貫通孔内に部品を配置した際に、部品と貫通孔の内壁面との距離が小さくなるため、複数のプリプレグから流れ出した樹脂の量が少なくても、部品と貫通孔の内壁面との隙間を確実に埋めることができる。また、部品の平面視での形状としては、複数の辺を有する平面視多角形状であることが好ましい。平面視多角形状としては、例えば、平面視矩形状、平面視三角形状、平面視六角形状などを挙げることができるが、特には、一般的な形状である平面視矩形状であることが好ましい。ここで、「平面視矩形状」とは、平面視で完全な矩形状のみをいうのではなく、角部が面取りされた形状や、辺の一部が曲線となっている形状も含むものとする。

また、好適な前記部品としては、コンデンサ、半導体集積回路素子（ＩＣチップ）、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などを挙げることができる。さらに、ＩＣチップとしては、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory ）などを挙げることができる。ここで、「半導体集積回路素子」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される素子をいう。

続く配置工程では、前記複数のプリプレグを重ねて配置し、前記貫通孔内に前記部品を配置し、重ねられた前記複数のプリプレグの表面に金属箔を配置する。ここで、金属箔としては、例えば、銀、金、白金、銅、チタン、アルミニウム、パラジウム、ニッケル、タングステンのいずれかからなるものを挙げることができる。特に金属箔は、銅からなることが好ましい。このようにすれば、金属箔が他の材料からなる場合よりも、金属箔の低抵抗化が図られるとともに、金属箔の導電性が向上する。

なお、前記配置工程は、例えば、前記部品を前記金属箔上に仮固定する仮固定工程と、前記仮固定工程後、前記貫通孔内に前記部品を配置するようにして、前記金属箔上に前記複数のプリプレグを積層する積層工程とからなっている。即ち、配置工程では、積層工程を行う前に仮固定工程を行っているが、積層工程を行った後で仮固定工程を行うようにしてもよい。しかし、前記積層工程において、前記金属箔上に前記複数のプリプレグを積層した後、最上層のプリプレグ上に、前記貫通孔を有しないプリプレグを積層する場合、積層工程を行う前に仮固定工程を行うことがよい。仮に、積層工程を行った後で仮固定工程を行う場合に貫通孔内に部品を配置しようとしても、貫通孔を有しないプリプレグで貫通孔が塞がれているために部品を配置できないからである。なお、前記積層工程において、前記金属箔上に前記複数のプリプレグを積層した後、最上層のプリプレグ上に、前記貫通孔を有しないプリプレグを積層すれば、上記のように、貫通孔を有しないプリプレグによって貫通孔が塞がれるため、貫通孔内に配置された部品を保護することができる。しかも、貫通孔を有しないプリプレグを部品に接触させるようにすれば、後述する固定工程を行う際に、部品と貫通孔の内壁面との隙間が、貫通孔を有するプリプレグから流れ出した樹脂だけでなく、貫通孔を有しないプリプレグから流れ出した樹脂によっても埋められるため、部品の固定強度がよりいっそう向上する。

また、前記金属箔は、前記プリプレグ及び前記部品が接触する面に接着層を有していることが好ましい。このようにすれば、上記の仮固定工程において部品を金属箔上に仮固定する場合に、部品の位置決めを容易に行うことができる。さらに、前記接着層は、導電性接着剤によって形成されていることが好ましい。このようにすれば、前記部品が、前記配線パターンに電気的に接続される接続端子が前記部品裏面上に配置された半導体集積回路素子であり、前記接続端子が前記金属箔に接触した状態で前記金属箔によって支持される場合に、後述するパターン形成工程を行って金属箔から配線パターンを形成することにより、接続端子と配線パターンとを確実に導通させることができる。なお、上記半導体集積回路素子を構成する接続端子は、例えば金属材料を主体として形成される。接続端子を構成する金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられるが、特に、前記接続端子は、銅を主体として形成されていることが好ましい。このようにすれば、接続端子を他の材料を主体として形成する場合よりも、接続端子の低抵抗化が図られるとともに、接続端子の導電性が向上する。

また、前記仮固定工程後、前記部品と前記金属箔との間にアンダーフィル材を充填して硬化させるアンダーフィル充填工程を行うことが好ましい。このようにすれば、部品と金属箔とが、界面が封止された状態で互いに固定されるため、部品と金属箔との接続信頼性が向上する。

続く固定工程では、前記複数のプリプレグの積層方向に圧力を付与することにより、前記複数のプリプレグ及び前記金属箔を一体化して積層基板を形成する。なお、複数のプリプレグの積層方向に付与される圧力は、例えば０．５ＭＰａ以上１．０ＭＰａ以下に設定されることが好ましく、複数のプリプレグの積層方向に圧力を付与する際の温度としては、例えば１００℃以上２００℃以下に設定されることが好ましい。仮に、複数のプリプレグの積層方向に付与される圧力が１．０ＭＰａを超えたり、複数のプリプレグの積層方向に圧力を付与する際の温度が２００℃を超えたりした場合、プリプレグの貫通孔内に配置された部品が破損するおそれがある。また、固定工程では、圧力が付与された際に前記複数のプリプレグから流れ出した前記樹脂で前記部品と前記貫通孔の内壁面との隙間を埋めることにより、前記部品を固定する。

続くパターン形成工程では、前記金属箔に対するエッチングを行うことにより配線パターンを形成する。なお、配線パターンの形成後、積層基板が有する積層基板主面及び積層基板裏面や、既に形成された絶縁層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、所定パターンの導体層を形成する導体層形成工程とを実施するようにしてもよい。ここで、絶縁層形成工程と導体層形成工程とを交互に実施するようにすれば、導体層と絶縁層とを交互に積層してなる配線積層部を積層基板上に形成することができ、配線積層部を備える部品内蔵配線基板が完成する。即ち、前記積層基板は、絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる配線積層部を積層基板主面及び積層基板裏面の少なくとも一方に備える配線基板におけるコア基板として用いられていてもよい。このようにした場合、配線積層部にも電気回路を形成できるため、積層基板の高機能化を図ることができる。なお、配線積層部は、積層基板主面及び積層基板裏面のいずれか一方のみに形成されていてもよいが、積層基板主面及び積層基板裏面の両方に形成されることが好ましい。このように構成すれば、積層基板主面上に形成された配線積層部と積層基板裏面上に形成された配線積層部の両方に電気回路を形成できるため、部品内蔵配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。

前記絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。

上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、基材に樹脂を含浸させてなる複数のプリプレグを積層して一体化することによって形成され、積層基板主面及び積層基板裏面を有し、少なくとも前記積層基板裏面にて開口する収容穴部を有する積層基板と、部品主面及び部品裏面を有するとともに、前記部品主面を前記積層基板主面と同じ側に向け、かつ、前記部品裏面を前記積層基板裏面と同じ側に向けた状態で前記収容穴部内に収容された部品と、前記積層基板主面上及び前記積層基板裏面上の少なくとも一方に形成された配線パターンとを備え、前記部品と前記収容穴部の内壁面との隙間が、前記複数のプリプレグを構成する前記樹脂と同一組成の樹脂によって埋められており、前記隙間を埋めている樹脂と前記複数のプリプレグを構成する前記樹脂とが連続していることを特徴とする部品内蔵配線基板をその要旨とする。

従って、上記手段２の部品内蔵配線基板によると、部品と収容穴部の内壁面との隙間が、複数のプリプレグを構成する樹脂と同一組成の樹脂によって埋められているため、部品と収容穴部の内壁面との隙間を埋める際に、プリプレグを構成する樹脂とは別の樹脂を準備しなくても済む。よって、部品内蔵配線基板の製造に必要な工数を減らすことができるため、部品内蔵配線基板を容易にかつ低コストで製造することができる。また、上記の隙間を埋めている樹脂によって部品が固定され、隙間を埋めている樹脂とプリプレグを構成する樹脂とが連続しているため、部品は、隙間を埋めている樹脂だけでなく、プリプレグ全体によって固定されるようになる。よって、部品の固定強度が向上するため、部品内蔵配線基板の信頼性が向上する。

上記部品内蔵配線基板を構成する部品は、前記部品主面を前記積層基板主面と同じ側に向け、かつ、前記部品裏面を前記積層基板裏面と同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に収容される。なお、部品は、完全に埋設された状態で収容穴部内に収容されていてもよいし、一部分が収容穴部の開口部から突出した状態で収容穴部内に収容されていてもよいが、完全に埋設された状態で収容穴部内に収容されることが好ましい。このようにすれば、収容穴部の開口部からの部品の突出を防止できる。よって、前記積層基板の前記積層基板主面及び前記積層基板裏面の少なくとも一方に、絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる配線積層部を備えている場合、部品主面または部品裏面に接する絶縁層の表面を平坦にすることができ、配線積層部の寸法精度が向上する。

以下、本発明の部品内蔵配線基板を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施形態の部品内蔵配線基板（以下「配線基板」という）１０は、ＩＣチップ内蔵用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状のコア基板１１（積層基板）と、コア基板１１の積層基板裏面１３（図１では上面）上に形成される第１ビルドアップ層３１（配線積層部）と、コア基板１１の積層基板主面１２（図１では下面）上に形成される第２ビルドアップ層３２（配線積層部）とからなる。

コア基板１１の積層基板裏面１３上に形成された第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる３層の絶縁層３３，３５，３７と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。また、絶縁層３３，３５，３７内には、それぞれビア導体４３が設けられている。第３層の絶縁層３７の表面上における複数箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続される端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、絶縁層３７の表面は、ソルダーレジスト５０によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト５０の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部５２が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、セラミックコンデンサ１０１の電源用電極１１１及びグランド用電極１１２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、セラミックコンデンサ１０１を搭載可能な搭載領域２０である。搭載領域２０は、第１ビルドアップ層３１の表面３９に設定されている。さらに、配線基板１０とセラミックコンデンサ１０１との隙間には、エポキシ樹脂からなるアンダーフィル材１００が充填されている。これにより、配線基板１０とセラミックコンデンサ１０１とが、界面が封止された状態で互いに固定される。

なお、図１〜図４等に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４は、コンデンサ主面１０２（図１では上面）及びコンデンサ裏面１０３（図１では下面）を有する板状物である。

セラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。

図１〜図４に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４の厚さ方向に延びるとともに、セラミック焼結体１０４の全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。各ビアホール１３０内には、複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２を５列×５列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。

そして図２等に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の電源用電極１１１と複数のグランド用電極１１２とが突設されている。なお、各グランド用電極１１２は、コンデンサ裏面１０３上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。電源用電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、グランド用電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。また、電極１１１，１１２は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって全体的に被覆されている。なお本実施形態では、電極１１１，１１２の直径が約５００μｍに設定され、ピッチの最小長さが約５８０μｍに設定されている。

例えば、配線基板１０側から電極１１１，１１２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。

図１に示されるように、コア基板１１の積層基板主面１２上に形成された前記第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる３層の絶縁層３４，３６，３８と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。また、絶縁層３４，３６，３８内には、それぞれビア導体４７が設けられている。第３層の絶縁層３８の下面上における複数箇所には、ビア導体４７を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、絶縁層３８の下面は、ソルダーレジスト５１によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト５１の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部５３が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。

図１に示されるように、本実施形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ１．０ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板１１は、４枚のプリプレグ７１，７２，７３，７４を積層して一体化することによって形成されている。なお図５に示されるように、各プリプレグ７１〜７４は、基材であるガラスクロス６１にフィラーを含有しない樹脂６２（本実施形態では、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂）を含浸させることによって形成されている。各プリプレグ７１〜７４は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ２５０μｍの平面視略矩形板状である。各プリプレグ７１〜７４は、それぞれプリプレグ主面７５及びプリプレグ裏面７６を有している。また、各プリプレグ７１〜７４のうち３枚のプリプレグ７１〜７３は、プリプレグ主面７５及びプリプレグ裏面７６にて開口する貫通孔７７を有している。なお、各貫通孔７７は、縦１４ｍｍ×横１４ｍｍの平面視矩形状である。

また、コア基板１１には、複数のスルーホール導体１８が積層基板主面１２及び積層基板裏面１３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１８は、コア基板１１の積層基板主面１２側と積層基板裏面１３側とを接続導通している。なお、スルーホール導体１８の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１９で埋められている。スルーホール導体１８の上端は、絶縁層３３の表面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体１８の下端は、絶縁層３４の下面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されている。また、コア基板１１の積層基板主面１２上には、銅からなる主面側配線パターン４０が形成され、コア基板１１の積層基板裏面１３上には、同じく銅からなる裏面側配線パターン４１が形成されている。これら配線パターン４０，４１は、スルーホール導体１８に電気的に接続されている。さらに、コア基板１１は、各プリプレグ７１〜７３の貫通孔７７によって構成され、積層基板裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は非貫通穴である。

そして図１に示されるように、収容穴部９０内には、半導体集積回路素子であるＩＣチップ２１（部品）が埋め込まれた状態で収容されている。なお、ＩＣチップ２１は、チップ主面２２をコア基板１１の積層基板主面１２と同じ側に向け、かつ、チップ裏面２３をコア基板１１の積層基板裏面１３と同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のＩＣチップ２１は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの板状物である。ＩＣチップ２１は、コア基板１１において前記搭載領域２０の真下の領域に配置されている。

図１，図５に示されるように、本実施形態のＩＣチップ２１は、４つの辺を有する平面視矩形状をなし、部品主面である１つのチップ主面２２（図１では下面）、部品裏面である１つのチップ裏面２３（図１では上面）、及び、４つのチップ側面２４を有している。そして、チップ裏面２３上の複数箇所には、接続端子であるバンプ２８が突設されている。本実施形態のバンプ２８は、銅めっきによって形成された略円筒状の銅ポスト（銅スタッド）である。なお、バンプ２８は、例えばチップ裏面２３上に銅ペーストを印刷することによって形成された導体であってもよいし、チップ裏面２３上にはんだボールを載置してリフローさせることによって形成された導体であってもよい。また、各バンプ２８の頂部の表面は、チップ主面２２及びチップ裏面２３とほぼ平行になっている。そして、各バンプ２８は、コア基板１１の積層基板裏面１３に形成された前記配線パターン４０，４１に接続される。なお本実施形態では、説明の便宜上、バンプ２８を７列×７列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。

図１，図５等に示されるように、ＩＣチップ２１のチップ側面２４と前記収容穴部９０の内壁面との隙間は、前記各プリプレグ７１〜７４を構成する前記樹脂６２と同一組成の樹脂６３によって埋められている。そして、上記の隙間を埋めている樹脂６３と各プリプレグ７１〜７４を構成する樹脂６２とが連続している。なお、樹脂６３は、ＩＣチップ２１をコア基板１１に固定する機能を有している。

次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について述べる。

プリプレグ準備工程では、貫通孔７７を有するプリプレグ７１〜７３と、貫通孔７７を有しないプリプレグ７４とを従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。なお貫通孔７７は、プリプレグ７１〜７３に対して座繰りカッター、メカニカルドリル、パンチング装置、ＹＡＧレーザー、ＣＯ_２レーザー等を用いて孔あけ加工を行うことにより、所定位置にあらかじめ形成される。

また、ＩＣチップ準備工程（部品準備工程）では、チップ裏面２３上の複数箇所にバンプ２８が配置されたＩＣチップ２１を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。

ＩＣチップ２１のバンプ２８は以下のように形成される。まず、ＩＣチップ２１のチップ裏面２３上にフォトレジスト材（厚さ５０μｍ）をラミネートする。次に、フォトレジスト材に対して露光及び現像を行い、チップ裏面２３上の導体部分を露出させる貫通孔（内径８０μｍ）を複数箇所に形成する。そして、フォトレジスト材を介してチップ裏面２３上の導体部分に対する電解銅めっきを行った後、フォトレジスト材を除去する。その結果、ＩＣチップ２１のチップ裏面２３上に高さ５０μｍのバンプ２８が形成される。

さらに、コンデンサ準備工程では、セラミックコンデンサ１０１を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。

セラミックコンデンサ１０１は以下のように作製される。即ち、セラミックのグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。

さらに、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、グリーンシート積層体の下面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように電源用電極１１１及びグランド用電極１１２を形成する。

この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各電極１１１，１１２をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。

次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各電極１１１，１１２に対して無電解銅めっき（厚さ１０μｍ程度）を行う。その結果、各電極１１１，１１２の上に銅めっき層が形成され、セラミックコンデンサ１０１が完成する。

続く配置工程では、プリプレグ準備工程において準備したプリプレグ７１〜７４を重ねて配置し、各プリプレグ７１〜７３の貫通孔７７内にＩＣチップ準備工程において準備したＩＣチップ２１を配置する。次に、重ねられたプリプレグ７１〜７４の表面に銅箔１５１，１５２（金属箔）を配置する。具体的に言うと、プリプレグ７１のプリプレグ裏面７６に主面側銅箔１５１を配置するとともに、プリプレグ７４のプリプレグ主面７５に裏面側銅箔１５２を配置する。

詳述すると、配置工程は、仮固定工程と積層工程とからなる。即ち、仮固定工程では、まず、ヒータ（図示略）を有する支持テーブル１５０上に主面側銅箔１５１を配置する（図６参照）。次に、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、チップ裏面２３を主面側銅箔１５１側に向けた状態でＩＣチップ２１を主面側銅箔１５１上に仮固定する（図６参照）。その結果、ＩＣチップ２１は、各バンプ２８の頂部の表面が主面側銅箔１５１の接着層に接合した状態で、主面側銅箔１５１によって支持される。なお、接着層は、導電性材料（銀粉、銅粉、カーボンファイバー等）を含有する導電性接着剤によって形成されている。その後、ＩＣチップ２１と主面側銅箔１５１との隙間にアンダーフィル材２９を充填して硬化処理を行い、前記隙間を樹脂封止する（アンダーフィル充填工程）。その結果、主面側銅箔１５１上にＩＣチップ２１が固定される（図７参照）。

続く積層工程では、主面側銅箔１５１上に、プリプレグ７１、プリプレグ７２、プリプレグ７３を順番に積層する（図７参照）。このとき、各プリプレグ７１〜７３の貫通孔７７内にＩＣチップ２１を配置するようにする。さらに、最上層のプリプレグ７３上に、貫通孔７７を有しないプリプレグ７４と、裏面側銅箔１５２とを順番に積層する（図７参照）。

続く固定工程では、まず、支持テーブル１５０のヒータを作動させ、支持テーブル１５０を１８０℃程度に加熱する。この状態において、各プリプレグ７１〜７４の積層方向（接合方向）に押圧力（本実施形態では０．７ＭＰａ程度）を付与する（熱プレス）。その結果、各プリプレグ７１〜７４及び各銅箔１５１，１５２が積層方向に沿って押圧されるのに伴い、各プリプレグ７１〜７４を構成する樹脂６２の一部（樹脂６３）が外部（図８に示す矢印Ｆ１方向参照）に流れ出す。そして、押圧力が付与された際に各プリプレグ７１〜７４から流れ出した樹脂６３によって、ＩＣチップ２１と貫通孔７７の内壁面との隙間が埋められ、ＩＣチップ２１が固定される（図９参照）。また、各プリプレグ７１〜７４及び各銅箔１５１，１５２が積層方向に沿って押圧されるのに伴い、熱により各プリプレグ７１〜７４を構成する樹脂６２が硬化する。その結果、各プリプレグ７１〜７４及び各銅箔１５１，１５２が接着（一体化）され、コア基板１１が形成される。

続くパターン形成工程では、コア基板１１の表面の銅箔１５１，１５２に対するエッチングを行うことにより、配線パターン４０，４１を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする（図１０参照）。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔１５１，１５２をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離すれば、配線パターン４０，４１が形成される。その後、コア基板１１の積層基板主面１２及び積層基板裏面１３や、配線パターン４０，４１の表面などの粗化を行う。

次に、従来周知の手法に基づいて積層基板裏面１３の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、積層基板主面１２の上に第２ビルドアップ層３２を形成する。具体的に言うと、まず、積層基板裏面１３及び各裏面側配線パターン４１上に感光性エポキシ樹脂を被着して露光及び現像を行うことにより、絶縁層３３を形成する（図１１参照）。また、積層基板主面１２及び各主面側配線パターン４０上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、絶縁層３４を形成する（図１１参照）。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。

さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔（図示略）を形成する。具体的には、絶縁層３３を貫通するビア孔を形成し、積層基板裏面１３に形成された裏面側配線パターン４１を露出させる。

さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、コア基板１１及び絶縁層３３，３４を貫通する貫通孔（図示略）を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、絶縁層３３，３４の表面上、ビア孔の内面、及び、貫通孔の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、絶縁層３３，３４上に導体層４２がパターン形成される。これと同時に、貫通孔内にスルーホール導体１８が形成されるとともに、各ビア孔の内部にビア導体４３が形成される。その後、スルーホール導体１８の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、閉塞体１９を形成する。

次に、絶縁層３３，３４上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３，４７が形成されるべき位置にビア孔（図示略）を有する絶縁層３５，３６を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体４３，４７が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔の内部にビア導体４３，４７を形成するとともに、絶縁層３５，３６上に導体層４２をパターン形成する。

次に、絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３，４７が形成されるべき位置にビア孔（図示略）を有する絶縁層３７，３８を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体４３，４７が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔の内部にビア導体４３，４７を形成するとともに、絶縁層３７上に端子パッド４４を形成し、絶縁層３８上にＢＧＡ用パッド４８を形成する。

次に、絶縁層３７，３８上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト５０，５１を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト５０，５１に開口部５２，５３をパターニングする。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する。なお、この状態のものは、配線基板１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板１０が多数個同時に得られる。

次に、配線基板１０を構成する第１ビルドアップ層３１の搭載領域２０にセラミックコンデンサ１０１を載置する。このとき、セラミックコンデンサ１０１側の電極１１１，１１２と、はんだバンプ４５とを位置合わせするようにする。そして、２２０℃〜２４０℃程度の温度に加熱してはんだバンプ４５をリフローすることにより、はんだバンプ４５と電極１１１，１１２とを接合し、配線基板１０側とセラミックコンデンサ１０１側とを電気的に接続する。さらに、配線基板１０とセラミックコンデンサ１０１との隙間にアンダーフィル材１００を充填して硬化処理を行い、前記隙間を樹脂封止する。その結果、搭載領域２０にセラミックコンデンサ１０１が搭載される（図１参照）。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態の配線基板１０の製造方法によれば、固定工程においてコア基板１１を形成すると同時にＩＣチップ２１を固定している。また、ＩＣチップ２１と収容穴部９０の内壁面との隙間が、各プリプレグ７１〜７４を構成する樹脂６２と同一組成の樹脂６３によって埋められているため、上記の隙間を埋める際に、各プリプレグ７１〜７４を構成する樹脂６２とは別の樹脂（例えば、図１２に示す樹脂充填剤２１０など）を準備しなくても済む。よって、配線基板１０の製造に必要な工数を減らすことができるため、配線基板１０を容易にかつ低コストで製造することができる。

また本実施形態では、銅箔１５１，１５２をそのまま配線パターン４０，４１として利用しているため、例えば銅箔１５１，１５２を一端除去した後で別工程において配線パターン４０，４１を形成したりしなくても済む。よって、配線基板１０の製造に必要な工数をより確実に減らすことができる。

（２）本実施形態では、ＩＣチップ２１を固定する樹脂６３とプリプレグ７１〜７４を構成する樹脂６２とが連続しているため、ＩＣチップ２１は、樹脂６３だけでなく、プリプレグ７１〜７４全体によって固定されるようになる。よって、ＩＣチップ２１の固定強度が向上する。しかも、ＩＣチップ２１を固定する樹脂６３とプリプレグ７１〜７４を構成する樹脂６２との間に境界面が存在しないため、ＩＣチップ２１の固定強度はよりいっそう向上する。ゆえに、信頼性に優れた配線基板１０を得ることができる。

（３）本実施形態のプリプレグ７１〜７４は、ガラスクロス６１に樹脂６２を含浸することで熱膨張係数が低く設定されているため、プリプレグ７１〜７４を構成する樹脂６２は、従来の樹脂（例えば、図１２に示す樹脂充填剤２１０）とは異なり、フィラーを含有していない。これにより、樹脂６２の流動性が従来よりも高くなっているため、樹脂６２の一部（樹脂６３）によってＩＣチップ２１と収容穴部９０の内壁面との隙間を確実に埋めることができる。よって、ＩＣチップ２１の固定強度がより確実に向上し、ひいては配線基板１０の信頼性がよりいっそう向上する。

（４）本実施形態では、固定工程において各プリプレグ７１〜７４の積層方向に押圧力を付与しているため、本実施形態のようにＩＣチップ２１と収容穴部９０の内壁面との隙間が狭い場合であっても、収容穴部９０内に存在する空気を確実に外部に押し出すことができる。ゆえに、空気が収容穴部９０内に残ることに起因したボイドの発生を防止することができ、ＩＣチップ２１と収容穴部９０の内壁面との隙間を確実に埋めることができるため、配線基板１０の信頼性がよりいっそう向上する。

（５）図１２に示す従来技術では、ディスペンサ装置を用いて樹脂（樹脂充填剤２１０）を注入することにより、ＩＣチップ２１と収容穴部９０の内壁面との隙間を埋めていたが、本実施形態では、プリプレグ７１〜７４から流れ出した樹脂６３によって上記の隙間を埋めている。即ち、隙間を埋める際の樹脂６３の移動距離は、従来の樹脂の移動距離よりも短くなっているため、ＩＣチップ２１と収容穴部９０の内壁面との隙間が埋まりやすくなる。従って、ＩＣチップ２１の固定強度がより確実に向上し、ひいては配線基板１０の信頼性がよりいっそう向上する。

（６）本実施形態では、ＩＣチップ２１が搭載領域２０に搭載されたセラミックコンデンサ１０１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。

（７）本実施形態のバンプ２８は、銅めっきによって形成された銅ポスト（銅スタッド）であるため、バンプ２８を例えば導電性ペーストなどによって形成する場合に比べて、バンプ２８の導電性が向上する。

なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施形態では、ＩＣチップ２１と主面側銅箔１５１との間にアンダーフィル材２９を充填していたが、ＩＣチップ２１と主面側銅箔１５１との間にプリプレグ７１〜７４から流れ出した樹脂６３を充填するようにしてもよい。

・上記実施形態のコア基板１１は、４枚のプリプレグ７１〜７４によって形成されていたが、３枚以下のプリプレグによってコア基板１１を形成してもよいし、５枚以上のプリプレグによってコア基板１１を形成してもよい。また上記実施形態では、各プリプレグ７１〜７４のうち３枚のプリプレグ７１〜７３が貫通孔７７を有していたが、例えば、全てのプリプレグ７１〜７４が貫通孔７７を有していてもよい。即ち、貫通孔７７からなる収容穴部を、積層基板主面１２及び積層基板裏面１３の両方において開口する貫通穴としてもよい。

・上記実施形態の配線基板１０では、搭載領域２０にセラミックコンデンサ１０１が搭載されていたが、搭載領域２０に、チップコンデンサ、レジスター、ＩＣチップ、ＤＲＡＭ素子などの他の表面実装部品を搭載してもよい。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）基材に樹脂を含浸させてなり、プリプレグ主面及びプリプレグ裏面を有し、前記プリプレグ主面及び前記プリプレグ裏面にて開口する貫通孔を有する複数のプリプレグを準備するプリプレグ準備工程と、部品主面及び部品裏面を有する部品を準備する部品準備工程と、前記複数のプリプレグを重ねて配置し、前記貫通孔内に前記部品を配置し、重ねられた前記複数のプリプレグの表面に金属箔を配置する配置工程と、前記配置工程後、前記複数のプリプレグの積層方向に付与される圧力を１ＭＰａ以下に設定した状態で、前記複数のプリプレグの積層方向に圧力を付与することにより、前記複数のプリプレグ及び前記金属箔を一体化して積層基板を形成するとともに、圧力が付与された際に前記複数のプリプレグから流れ出した前記樹脂で前記部品と前記貫通孔の内壁面との隙間を埋めることにより、前記部品を固定する固定工程と、前記固定工程後、前記金属箔に対するエッチングを行うことにより配線パターンを形成するパターン形成工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。

（２）基材に樹脂を含浸させてなる複数のプリプレグを積層して一体化することによって形成され、積層基板主面及び積層基板裏面を有し、少なくとも前記積層基板裏面にて開口する収容穴部を有する積層基板と、部品主面及び部品裏面を有するとともに、前記部品主面を前記積層基板主面と同じ側に向け、かつ、前記部品裏面を前記積層基板裏面と同じ側に向けた状態で前記収容穴部内に収容された部品と、前記積層基板主面上及び前記積層基板裏面上の少なくとも一方に形成された配線パターンとを備え、前記部品と前記収容穴部の内壁面との隙間が、前記複数のプリプレグを構成する前記樹脂と同一組成の樹脂によって埋められており、前記隙間を埋めている樹脂と前記複数のプリプレグを構成する前記樹脂とが連続しており、前記複数のプリプレグを構成する前記樹脂、及び、前記隙間を埋めている樹脂は、いずれもフィラーを有していないことを特徴とする部品内蔵配線基板。

本発明を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。 セラミックコンデンサを示す概略断面図。 セラミックコンデンサの内層における接続を説明するための概略説明図。 セラミックコンデンサの内層における接続を説明するための概略説明図。 配線基板を示す要部断面図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 従来技術における配線基板の製造方法の説明図。

符号の説明

１０…部品内蔵配線基板（配線基板）
１１…積層基板としてのコア基板
１２…積層基板主面
１３…積層基板裏面
２１…部品及び半導体集積回路素子としてのＩＣチップ
２２…部品主面としてのチップ主面
２３…部品裏面としてのチップ裏面
２８…接続端子としてのバンプ
２９…アンダーフィル材
３１…配線積層部としての第１ビルドアップ層
３２…配線積層部としての第２ビルドアップ層
３３，３４，３５，３６，３７，３８…絶縁層
４０…配線パターンとしての主面側配線パターン
４１…配線パターンとしての裏面側配線パターン
４２…導体層
６１…基材としてのガラスクロス
６２，６３…樹脂
７１，７２，７３，７４…プリプレグ
７５…プリプレグ主面
７６…プリプレグ裏面
７７…貫通孔
９０…収容穴部
１５１…金属箔としての主面側銅箔
１５２…金属箔としての裏面側銅箔

Claims (11)

1. 基材に樹脂を含浸させてなり、プリプレグ主面及びプリプレグ裏面を有し、前記プリプレグ主面及び前記プリプレグ裏面にて開口する貫通孔を有する複数のプリプレグを準備するプリプレグ準備工程と、
   部品主面及び部品裏面を有する部品を準備する部品準備工程と、
   前記複数のプリプレグを重ねて配置し、前記貫通孔内に前記部品を配置し、重ねられた前記複数のプリプレグの表面に金属箔を配置する配置工程と、
   前記配置工程後、前記複数のプリプレグの積層方向に圧力を付与することにより、前記複数のプリプレグ及び前記金属箔を一体化して積層基板を形成するとともに、圧力が付与された際に前記複数のプリプレグから流れ出した前記樹脂で前記部品と前記貫通孔の内壁面との隙間を埋めることにより、前記部品を固定する固定工程と、
   前記固定工程後、前記金属箔に対するエッチングを行うことにより配線パターンを形成するパターン形成工程と
   を含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
2. 前記配置工程は、
   前記部品を前記金属箔上に仮固定する仮固定工程と、
   前記仮固定工程後、前記貫通孔内に前記部品を配置するようにして、前記金属箔上に前記複数のプリプレグを積層する積層工程と
   からなることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
3. 前記仮固定工程後、前記部品と前記金属箔との間にアンダーフィル材を充填して硬化させるアンダーフィル充填工程を行うことを特徴とする請求項２に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
4. 前記積層工程では、前記金属箔上に前記複数のプリプレグを積層した後、最上層のプリプレグ上に、前記貫通孔を有しないプリプレグを積層することを特徴とする請求項２または３に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
5. 前記金属箔は、前記プリプレグ及び前記部品が接触する面に接着層を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
6. 前記接着層は、導電性接着剤によって形成されていることを特徴とする請求項５に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
7. 前記部品は、前記配線パターンに電気的に接続される接続端子が前記部品裏面上に配置された半導体集積回路素子であり、前記接続端子が前記金属箔に接触した状態で前記金属箔によって支持されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
8. 前記積層基板は、絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる配線積層部を積層基板主面及び積層基板裏面の少なくとも一方に備える配線基板におけるコア基板として用いられることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
9. 基材に樹脂を含浸させてなる複数のプリプレグを積層して一体化することによって形成され、積層基板主面及び積層基板裏面を有し、少なくとも前記積層基板裏面にて開口する収容穴部を有する積層基板と、
   部品主面及び部品裏面を有するとともに、前記部品主面を前記積層基板主面と同じ側に向け、かつ、前記部品裏面を前記積層基板裏面と同じ側に向けた状態で前記収容穴部内に収容された部品と、
   前記積層基板主面上及び前記積層基板裏面上の少なくとも一方に形成された配線パターンと
   を備え、
   前記部品と前記収容穴部の内壁面との隙間が、前記複数のプリプレグを構成する前記樹脂と同一組成の樹脂によって埋められており、前記隙間を埋めている樹脂と前記複数のプリプレグを構成する前記樹脂とが連続している
   ことを特徴とする部品内蔵配線基板。
10. 前記部品は、前記配線パターンに電気的に接続される接続端子が前記部品裏面上に配置された半導体集積回路素子であることを特徴とする請求項９に記載の部品内蔵配線基板。
11. 前記積層基板は、絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる配線積層部を前記積層基板主面及び前記積層基板裏面の少なくとも一方に備える配線基板におけるコア基板として用いられることを特徴とする請求項９または１０に記載の部品内蔵配線基板。

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