JP2009231248A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のフィードバック制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置10は、処理容器100と、処理容器の内部にて基板Gを載置するサセプタ105と、高周波電力Pwを出力する高周波電源130と、サセプタ105に位置する複数の給電ポイントAにてサセプタ105に接続され、高周波電源130から出力された高周波電力Pwを複数の給電ポイントAからサセプタ105に供給する複数の供給棒Bと、高周波電源130と複数の給電棒Bとの間に設けられ、複数の給電棒Bに一対一に接続された複数の可変コンデンサCmを含み、出力側とプラズマ側のインピーダンスをマッチングさせる整合器125と、各給電ポイント近傍のコンデンサCpの電圧を検出するセンサSrと、センサSrにより検出された電圧に基づき複数の可変コンデンサCmをフィードバック制御する制御装置700とを備える。
【選択図】図1
Description
まず、本発明の第1実施形態にかかるプラズマ処理装置について、図1を参照しながら説明する。マイクロ波プラズマ処理装置10は、処理容器100と蓋体200とを有している。処理容器100は、その上部が開口された有底立方体形状を有している。処理容器100と蓋体200との接触面にはOリング250が配設されている。これにより処理容器100は密閉され、プラズマ処理を施す処理室Uが画成される。処理容器100および蓋体200は、たとえば、アルミニウム等の金属からなり、電気的に接地されている。
まず、基板直下の高周波電力を予測するために測定用コンデンサCp1〜Cp4の両極の電圧を測定するセンサSr1〜Sr4について説明する。センサSr1〜Sr4は、図1に示した2本のプローブ600およびオシロスコープ605をそれぞれ有している。各センサSrの2本のプローブ600は、その一端にて測定用コンデンサCpの上部金属板および下部金属板に接続されている。各プローブ600の他端は、処理容器100の底壁を貫通して、処理容器100の外部に置かれたオシロスコープ605に接続されている。オシロスコープ605は接地されている。各プローブ600が貫通する処理容器100の底壁には、Oリング610が配設され、これにより、処理容器100の内部は密閉されている。
つぎに、制御装置700について説明する。図3にハードウエア構成を示したように、制御装置700は、センサSr1〜Sr4により検出された電圧V1〜V8を入力し、高周波電源130及び整合器125をフィードバック制御するための高周波電力Pw、可変コンデンサCfの容量、4つの可変コンデンサCm1〜Cm4の容量を示した制御信号を出力する。
つぎに、給電ポイントAの電力Pの算出方法について、給電ポイントA1の電力P1の算出方法を例に挙げて説明する。まず、測定用コンデンサの両極の電圧V1,V2を、周波数成分(すなわち、高周波電源から出力される高周波信号の周波数を基本波とする高調波成分)に分解することにより次式(1)を導く。ここで、kは高調波の次数、Iは計測ポイントの位置を示す。このとき、係数は、最小二乗法により決定される。
つぎに、制御装置700により実行されるフィードバック制御処理について、図4に示したフローチャートを参照しながら詳しく説明する。このフィードバック制御処理は、プロセス中、所定時間が経過するたびに繰り返し行われる。
ここで、ステップS435にて実行される整合器125の可変コンデンサCm1〜Cm4及び可変コンデンサCfのフィードバック制御について、図7A〜図7Eを参照しながら具体的に説明する。
つぎに、第2実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置10について、図8及び図9を参照しながら説明する。第2実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置10では、サセプタ105を中央にて2分割している点で第1実施形態と異なる。
つぎに、第3実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置10について、図10〜図12を参照しながら説明する。第3実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置10では、サセプタ105内の電極板115の同一円周上に3つの給電ポイントA1〜A3が位置づけられるように3本の給電棒B1〜B3が接続されている点で、給電ポイントAおよび給電棒Bの配置にそのような位置の制限がない第1実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置10と異なる。
つぎに、第4実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置10について、図14〜図16を参照しながら説明する。第4実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置10は、第2実施形態にて説明した複数の分割サセプタ、および、第3実施形態にて説明した3つ以上の給電ポイントの位置の特定による誘導磁場のキャンセル機能の両方の特徴を含んでいる。
サセプタ105を対称的に分割した他の例を図16A〜図16Eに示す。図16Aでは、サセプタ105は、中央に1つ及び周囲に対称的に4つのサセプタに分割されている。2つの円S、Tの各円周上に給電ポイントA1〜A4及び給電ポイントA5〜A7が設けられている。これによれば、各円S、Tの円周上に位置する各給電ポイントに接続された、図示しない給電棒から発生する誘電磁場を図11に示した原理によりキャンセルすることができる。なお、中央の分割サセプタに1つまたは2つの給電ポイントを設けることは好ましくない。図12又は図13に示した原理により誘導磁場が残るからである。
100 処理容器
105,105d1,105d2,105d3,105d4 サセプタ
110 絶縁体
115 電極板
125 整合器
130 高周波電源
135,250,610 Oリング
200 蓋体
205 方形導波管
210 スロットアンテナ
210a スロット
215 誘電体板
220 金属梁
225 ガス導入管
700 制御装置
A、A1、A2、A3、A4 給電ポイント
B、B1、B2、B3、B4 給電棒
BB 基幹電源線
Cp,Cp1,Cp2,Cp3,Cp4 測定用コンデンサ
Cm,Cm1,Cm2,Cm3,Cm4,Cf 可変コンデンサ
Pw 高周波電力
m,Ma,Mb 誘導磁場
Sr,Sr1,Sr2,Sr3,Sr4 センサ
Tb テーブル
Claims (17)
- ガスを励起することにより生成されたプラズマを用いて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられ、被処理体を載置するサセプタと、
高周波電力を出力する高周波電源と、
前記サセプタに位置する複数の給電ポイントにて前記サセプタに接続され、前記高周波電源から出力された高周波電力を前記複数の給電ポイントから前記サセプタに供給する複数の電源線と、
前記高周波電源と前記複数の電源線との間に設けられ、前記複数の電源線に一対一に接続された複数の第1の可変コンデンサを含み、前記高周波電源側のインピーダンスとプラズマ側のインピーダンスとをマッチングさせる整合器と、
各給電ポイント近傍のプラズマに関するパラメータをそれぞれ検出するセンサと、
前記センサにより検出された各給電ポイントのプラズマに関するパラメータに基づき、前記複数の第1の可変コンデンサをフィードバック制御する制御装置と、を備えたプラズマ処理装置。 - 前記センサは、前記複数の給電ポイントの近傍に配設された複数の測定用コンデンサの両極の電圧を検出し、
前記制御装置は、前記複数の測定用コンデンサにかかる電圧に基づき、前記複数の第1の可変コンデンサをフィードバック制御する請求項1に記載されたプラズマ処理装置。 - 前記制御装置は、前記複数の測定用コンデンサにかかる電圧に基づき、前記複数の給電ポイントの各々に供給された高周波電力を算出し、前記複数の給電ポイントの少なくともいずれかに供給される高周波電力に所望の損失量が生じるように前記複数の第1の可変コンデンサをフィードバック制御する請求項2に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記制御装置は、前記算出された高周波電力に基づき、前記サセプタに供給された高周波電力の最小電力値を求め、前記最小電力値に応じて前記高周波電源から出力する高周波電力を増減させる請求項3に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記制御装置は、各給電ポイントに供給される高周波電力が前記最小電力値に応じた値になるように前記各給電ポイントに高周波電力を伝搬させる際の損失量を算出し、前記算出された損失量が発生するように各第1の可変コンデンサをフィードバック制御する請求項4に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記制御装置は、前記各給電ポイントに供給される高周波電力が前記最小電力値に等しい値となるように前記各給電ポイントに高周波電力を伝搬させる際の損失量を算出し、前記算出された損失量が発生するように前記各第1の可変コンデンサをフィードバック制御する請求項5に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記整合器は、前記複数の第1の可変コンデンサに加え、前記高周波電源と前記複数の電源線とを繋ぐ基幹電源線に接続された第2の可変コンデンサを有し、
前記制御装置は、前記センサにより検出された前記各給電ポイント近傍の測定用コンデンサにかかる電圧に基づき、前記高周波電源から出力する高周波電力、前記複数の第1の可変コンデンサおよび前記第2の可変コンデンサをフィードバック制御する請求項3〜6のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 - 前記サセプタは、複数に分割され、
前記分割された複数のサセプタのそれぞれには、前記複数の給電ポイントの少なくともいずれかが位置づけられるように、前記分割された複数のサセプタのいずれにも前記複数の電源線の少なくともいずれかが接続され、
前記制御装置は、前記分割されたサセプタのそれぞれに位置する給電ポイント毎のプラズマに関するパラメータに基づき、前記複数の電源線に直列に接続された複数の第1の可変コンデンサをフィードバック制御する請求項1〜7のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 - 前記複数の電源線は、前記サセプタの同一円周上に位置した3以上の給電ポイントにて前記サセプタに接続される3本以上の給電棒から構成され、
前記制御装置は、前記センサにより検出された給電ポイント毎のプラズマに関するパラメータに基づき、前記3本以上の給電棒に一対一に接続された3以上の第1の可変コンデンサをフィードバック制御する請求項1〜8のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 - 前記サセプタに埋設された電極板をさらに備え、
前記3本以上の給電棒は、前記サセプタ内の電極板の同一円周上に位置する3以上の給電ポイントにて前記電極板に接続される請求項9に記載されたプラズマ処理装置。 - 前記サセプタは、対称的に複数に分割され、
前記分割された複数のサセプタのうち同一サセプタ内の同一円周上又は複数のサセプタに跨った同一円周上であって、かつ、前記分割された複数のサセプタのいずれにも1以上の給電ポイントが位置づけられるように、前記分割された複数のサセプタのいずれにも前記3本以上の給電棒の少なくとも1本が接続され、
前記制御装置は、前記センサにより検出された給電ポイント毎のパラメータに基づき、前記3本以上の給電棒に直列に接続された3以上の第1の可変コンデンサをフィードバック制御する請求項9または請求項10のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 - 前記3本以上の給電棒は、互いに平行に配置される請求項9〜11のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記3本以上の給電棒は、前記サセプタに垂直に挿入される請求項9〜12のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記測定用コンデンサの容量Cは、シース容量Cシースの4.2倍以下である請求項2〜13のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記測定用コンデンサの容量Cは、シース容量Cシースの2.1倍以下である請求項2〜13のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- ガスを励起することにより生成されたプラズマを用いて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置のフィードバック制御方法であって、
高周波電源から高周波電力を出力し、
被処理体を載置するサセプタに位置する複数の給電ポイントを介して前記複数の給電ポイントに一対一に接続された複数の電源線から前記サセプタに前記出力された高周波電力を供給し、
各給電ポイントに応じたプラズマに関するパラメータをセンサにより検出し、
前記検出された給電ポイント毎のプラズマに関するパラメータに基づき、前記複数の電源線に一対一に接続された複数の第1の可変コンデンサをフィードバック制御するプラズマ処理装置のフィードバック制御方法。 - 前記プラズマ処理装置は、前記複数の第1の可変コンデンサと、前記高周波電源と前記複数の電源線とを繋ぐ基幹電源線に接続された第2の可変コンデンサとを有する整合器を備え、
前記プラズマに関するパラメータとして前記各給電ポイント近傍の測定用コンデンサにかかる電圧を前記センサにより検出し、
前記検出された前記各給電ポイント近傍の測定用コンデンサにかかる電圧に基づき、前記高周波電源から出力する高周波電力、前記複数の第1の可変コンデンサおよび前記第2の可変コンデンサをフィードバック制御する請求項16に記載されたプラズマ処理装置のフィードバック制御方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008078793A JP5133750B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のフィードバック制御方法 |
TW098108075A TW200948217A (en) | 2008-03-25 | 2009-03-12 | Plasma processing system, method for supplying high frequency power and method for feedback-controlling plasma processing system |
KR1020090025098A KR101104514B1 (ko) | 2008-03-25 | 2009-03-24 | 플라즈마 처리 장치 |
CN2009101291164A CN101661871B (zh) | 2008-03-25 | 2009-03-25 | 等离子体处理装置及其反馈控制方法、高频电力供给方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008078793A JP5133750B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のフィードバック制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009231248A true JP2009231248A (ja) | 2009-10-08 |
JP5133750B2 JP5133750B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=41246392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008078793A Expired - Fee Related JP5133750B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のフィードバック制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5133750B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011119654A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-06-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック用基板及び静電チャック |
WO2015141521A1 (ja) * | 2014-03-21 | 2015-09-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
JP2020009772A (ja) * | 2015-07-13 | 2020-01-16 | エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド | 連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御 |
JP7433169B2 (ja) | 2020-09-01 | 2024-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法、及び、誘導結合プラズマ処理装置 |
WO2024043070A1 (ja) * | 2022-08-22 | 2024-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11509358A (ja) * | 1995-06-30 | 1999-08-17 | ラム リサーチ コーポレイション | 電力分割された電極 |
JP2000208295A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | プラズマ計測電極およびそれを用いた計測方法 |
JP2001077035A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
JP2003017298A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Alps Electric Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理システム |
JP2003524895A (ja) * | 2000-02-25 | 2003-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 容量性プラズマ源に係るマルチゾーンrf電極 |
JP2004363316A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
JP2007067037A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
JP2007266231A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
-
2008
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11509358A (ja) * | 1995-06-30 | 1999-08-17 | ラム リサーチ コーポレイション | 電力分割された電極 |
JP2000208295A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | プラズマ計測電極およびそれを用いた計測方法 |
JP2001077035A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
JP2003524895A (ja) * | 2000-02-25 | 2003-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 容量性プラズマ源に係るマルチゾーンrf電極 |
JP2003017298A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Alps Electric Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理システム |
JP2004363316A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
JP2007067037A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
JP2007266231A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011119654A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-06-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック用基板及び静電チャック |
WO2015141521A1 (ja) * | 2014-03-21 | 2015-09-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
JPWO2015141521A1 (ja) * | 2014-03-21 | 2017-04-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
US9818600B2 (en) | 2014-03-21 | 2017-11-14 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
JP2020009772A (ja) * | 2015-07-13 | 2020-01-16 | エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド | 連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御 |
JP7433169B2 (ja) | 2020-09-01 | 2024-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法、及び、誘導結合プラズマ処理装置 |
WO2024043070A1 (ja) * | 2022-08-22 | 2024-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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JP5133750B2 (ja) | 2013-01-30 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120903 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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