JP2009229976A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】ベンド配向への初期配向転移を容易に行うことが可能な液晶装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置は、対向して配置された一対の基板と、一対の基板の間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層４０と、一対の基板のうち一方の基板の液晶層４０側の面に配置された、テーパー部を有する突起としてのスペーサ３７と、を有している。一対の基板の液晶層４０側の面のうち、平面視でスペーサ３７のテーパー部と重なる領域には垂直配向膜３９ｓが配置されており、一対の基板の液晶層４０側の面のうち、平面視でスペーサ３７のテーパー部と重なる領域を除いた領域には水平配向膜１９ｐ，３９ｐが配置されている。
【選択図】図７

Description

本発明に係る一態様は、液晶装置及び電子機器に関する。

液晶装置の一例として、ＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）モードの液晶装置が知られている。ＯＣＢモードの液晶装置は、一対の基板と、この一対の基板の間に封入された液晶層とを有して構成されており、液晶層は、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうるように構成される。そして、この液晶層は、初期状態ではスプレイ配向となっており、表示を行う際には、転移電圧を印加することによってベンド配向に転移させて使用する。

ベンド配向への転移を容易に行うための構成として、特許文献１には、基板の液晶層側の面に突起や溝等の立体障害を形成することにより、液晶の配向状態が他と異なる異配向領域を設ける構成が開示されている。このようにすれば、配向状態が他と異なる部分の近傍において、ベンド配向への転移が起こりやすくなる。

特開２００３−５１８９号公報

しかしながら、このような立体障害により生じる配向状態の差異は、円滑なベンド配向への転移のためには十分でなく、転移には依然として高電圧が必要になるという課題がある。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］対向して配置された一対の基板と、前記一対の基板の間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層と、前記一対の基板のうち一方の前記基板の前記液晶層側の面に配置された、テーパー部を有する突起と、前記一対の基板の前記液晶層側の面のうち、平面視で前記テーパー部と重なる領域に配置された垂直配向膜と、前記一対の基板の前記液晶層側の面のうち、平面視で前記テーパー部と重なる領域を除いた領域に配置された水平配向膜と、を備える液晶装置。

このような構成によれば、平面視でテーパー部と重なる領域の液晶層は垂直配向となる。このため、転移電圧を印加すると、この垂直配向領域の近傍の液晶層は、容易にスプレイ配向からベンド配向へ転移する。よって、垂直配向膜の形成領域を起点として、液晶層を容易にベンド配向へ転移させることができる。すなわち、短時間に、低い転移電圧でベンド配向への転移を行うことができる。

［適用例２］上記液晶装置であって、前記突起は、前記一対の基板の間隔を保持するスペーサである液晶装置。

このような構成によれば、平面視でスペーサのテーパー部と重なる垂直配向領域を起点として、液晶層を容易にベンド配向へ転移させることができる。

［適用例３］上記液晶装置であって、前記突起は、前記一方の基板上において、前記テーパー部が逆テーパー形状となるように形成されている液晶装置。

このような構成によれば、突起の形成された基板の全面に垂直配向膜を形成した後に、逆テーパー形状を有する突起をマスクとして反応性イオンエッチング等によりパターニングを行うことで、平面視で突起のテーパー部に重なる領域のみに容易に垂直配向膜を形成することができる。

［適用例４］上記液晶装置であって、前記一対の基板の前記液晶層側の面のうち、平面視で前記テーパー部と重なる領域には凹部が形成されており、前記垂直配向膜は、前記凹部を含む領域に配置されている液晶装置。

このような構成によれば、垂直配向膜は、凹部に埋められる形で配置される。このようにすれば、垂直配向膜の形成時に、突起のテーパー部と基板表面との間に垂直配向膜が嵌り込んで、垂直配向膜の表面が傾斜してしまう不具合を防止することができる。よって、垂直配向膜の表面を、基板の面と略平行とすることができ、この領域において液晶分子を垂直に配向させることができる。

［適用例５］上記液晶装置であって、前記垂直配向膜の近傍に形成された初期配向転移構造を備える液晶装置。

このような構成によれば、初期配向転移構造により、垂直配向膜形成領域の近傍にベンド配向の転移核を生じさせることができる。このため、転移核と、垂直配向膜による垂直配向領域との双方を起点として、より容易に初期配向転移を行うことができる。

［適用例６］上記液晶装置を表示部に備える電子機器。

このような構成によれば、表示部における液晶装置を容易に初期配向転移可能な電子機器が得られる。このような電子機器によれば、表示可能な状態に短時間で移行することができる。

以下、図面を参照し、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。

（第１の実施形態）
＜Ａ．液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置１の構成を示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図である。液晶装置１は、スイッチング素子としてＴＦＴ素子２０（図４）を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置であるとともに、ＯＣＢモードの液晶装置である。液晶装置１は、枠状のシール材４１を介して対向して貼り合わされた、一対の基板としての素子基板１０及び対向基板３０を有している。素子基板１０、対向基板３０、シール材４１によって囲まれた空間には、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層４０が封入されている。素子基板１０の液晶層４０とは反対側の面には、偏光板５１が配置されており、対向基板３０の液晶層４０とは反対側の面には、偏光板５３が配置されている。素子基板１０は、対向基板３０より大きく、一部が対向基板３０に対して張り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部位には、液晶層４０を駆動するためのドライバＩＣ４２が実装されている。

液晶装置１は、液晶層４０が封入された表示領域４３において表示を行う。液晶層４０は、初期的には図２（ａ）に示すようなスプレイ配向となっており、表示を行う際には、図２（ｂ）に示すようなベンド配向に転移させて使用する。スプレイ配向からベンド配向への転移は、液晶層４０に転移電圧を印加することによって行う。ベンド配向においては、液晶層４０に含まれる液晶分子４０ａが弓なりに並んでおり、その弓なり形状の曲がりの度合いを変えることで透過率を変調して表示を行う。

図３は、表示領域４３の拡大平面図である。この図に示すように、液晶装置１は、赤、緑、青に対応した画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ（以下では、対応する色を区別しない場合には単に画素４とも呼ぶ）を多数有している。画素４は、マトリクス状に配置されており、ある列に配置される画素４の色は全て同一である。すなわち、画素４は、対応する色がストライプ状に並ぶように配置されている。隣り合う画素４の間の領域には、遮光層３４が形成されている。換言すれば、遮光層３４に囲まれた領域が１つの画素４の占める領域となる。また、行方向に並んだ隣り合う３つの画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂからなる画素群が、表示の最小単位（ピクセル）となる。液晶装置１は、各画素群において、画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの輝度バランスを調節することによって、種々の色の表示を行うことができる。

＜Ｂ．等価回路＞
図４は、液晶装置１の表示領域４３における各種素子、配線等の等価回路図である。表示領域４３においては、複数のゲート線１２と複数のソース線１４とが交差するように形成されている。画素４は、ゲート線１２とソース線１４との交差に対応して設けられており、画素４ごとに画素電極１６が形成されている。また、ゲート線１２に沿って、容量線１５が形成されており、画素電極１６と容量線１５との間に補助容量１５ａが形成されている。

ゲート線１２とソース線１４との交差に対応する位置には、画素電極１６への通電制御を行うための、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子２０が画素４ごとに形成されている。ＴＦＴ素子２０のソース端子には、ソース線１４が電気的に接続されている。ＴＦＴ素子２０のゲート端子には、ゲート線１２が電気的に接続されている。ＴＦＴ素子２０のドレイン端子には、画素電極１６が電気的に接続されている。

＜Ｃ．画素構造＞
図５（ａ）は、画素４の構成を示す平面図である。この図は、画素４を対向基板３０側から、より詳しくは対向基板３０の法線方向から見た図である。本明細書では、対向基板３０の法線方向から見ることを「平面視」とも呼ぶ。また、図５（ａ）では、説明の便宜上、ソース線１４が左右方向に延在するように描かれている。本明細書では、ソース線１４の延在方向をＹ軸、ゲート線１２の延在方向をＸ軸、Ｘ−Ｙ平面に直交する方向をＺ軸と定義する。また、図５（ｂ）は、図５（ａ）中のＢ−Ｂ線における断面図である。以下では、図５（ａ），（ｂ）を用いて、画素４及びその周辺部の構成について説明する。

図５（ｂ）に示すように、素子基板１０は、基板１１を基体として構成される。基板１１としては、ガラス基板や石英基板等を用いることができる。基板１１の液晶層４０側には、ゲート線１２と容量線１５が形成されている。基板１１と、ゲート線１２及び容量線１５との間には、さらに酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等からなる絶縁層が設けられていてもよい。ゲート線１２の上層には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等からなる層間絶縁層２３を挟んで半導体層２０ａが形成されている。半導体層２０ａは、例えばアモルファスシリコンやポリシリコン等から構成することができる。また、半導体層２０ａに一部が重なる状態で、ソース電極２０ｓとドレイン電極２０ｄが形成されている。ソース電極２０ｓは、ソース線１４（図５（ａ））と一体で形成することができる。半導体層２０ａ、ソース電極２０ｓ、ドレイン電極２０ｄ、ゲート線１２等からＴＦＴ素子２０が構成される。ゲート線１２は、ＴＦＴ素子２０のゲート電極の役割を兼ねる。ゲート線１２（ゲート電極）、ソース電極２０ｓ、ドレイン電極２０ｄ、ソース線１４、容量線１５は、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも１つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、あるいは導電性ポリシリコン等から構成することができる。

ＴＦＴ素子２０の上層には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等からなる層間絶縁層２４を挟んで画素電極１６が形成されている。画素電極１６は、例えば透光性を有するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いて構成することができる。画素電極１６は、層間絶縁層２４に設けられたコンタクトホール２１を介してドレイン電極２０ｄに電気的に接続されている。画素電極１６は、一部が容量線１５と対向しており、容量線１５との間で補助容量１５ａ（図４）を構成する。画素電極１６上には、ポリイミドからなる配向膜１９が形成されている。素子基板１０は、基板１１から配向膜１９までの要素により構成される。

対向基板３０は、基板３１を基体として構成される。基板３１としては、ガラス基板や石英基板等を用いることができる。基板３１の液晶層４０側には、遮光性を有する樹脂からなる遮光層３４が形成されている。遮光層３４は、平面視で隣り合う画素電極１６の間の領域を覆う位置に形成されており、当該領域からの光漏れを防止して表示のコントラストを向上させる役割を果たす。遮光層３４は、図５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ素子２０やスペーサ３７と平面的に重なる領域にも形成されている。これにより、ＴＦＴ素子２０による反射光を遮光したり、ＴＦＴ素子２０、スペーサ３７近傍の液晶層４０の配向乱れに起因する光漏れを防止することができる。また、基板３１の液晶層４０側には、カラーフィルタ３２が形成されている。カラーフィルタ３２は、赤、緑、青の各色に対応する３種の色要素を含んで構成され、これらの色要素はそれぞれ画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂに配置されている。各画素４からは、カラーフィルタ３２の色に応じた色の光が射出され、カラー表示が可能となる。カラーフィルタ３２は、遮光層３４上にも形成されている。

カラーフィルタ３２上には、ＩＴＯからなる共通電極３６が形成されている。共通電極３６は、表示領域４３（図１）の略全体にわたって形成されている。共通電極３６上には、ポリイミドからなる配向膜３９が形成されている。対向基板３０は、基板３１から配向膜３９までの要素により構成される。

素子基板１０の外側には偏光板５１が、また対向基板３０の外側には偏光板５３が、それぞれ配置されている。偏光板５１，５３の透過軸は、相互に略直交するように、かつ配向膜１９，３９の配向規制力の向きと略４５度の角度をなすように配置されている。偏光板５１と素子基板１０との間、及び偏光板５３と対向基板３０との間の少なくとも一方に、必要に応じて光学補償フィルムを配置してもよい。光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させてなるフィルム（例えば、富士写真フィルム製のＷＶフィルム）、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させてなるフィルム（例えば、新日本石油製のＮＨフィルム）、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体等を使用することができる。

さらに、偏光板５１の外側には、光源、リフレクタ、導光板等を有するバックライト（不図示）が設置されている。

素子基板１０と対向基板３０とは、互いに対向してシール材４１（図１（ｂ））を介して貼り合わされている。素子基板１０と対向基板３０との間には、上述のように液晶層４０が配置されている。液晶層４０には、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶を用いることができる。一例として、液晶層４０の厚さは４．５μｍ、液晶層４０に含まれる液晶分子４０ａのΔｎ（複屈折率）は０．１５とすることができる。

対向基板３０の液晶層４０側の面には、突起としてのスペーサ３７が配置されている。素子基板１０と対向基板３０とが貼り合わされた状態において、スペーサ３７は、素子基板１０、対向基板３０のいずれにも接して両基板を支持する。すなわち、スペーサ３７は、素子基板１０と対向基板３０との間隔を保持している。スペーサ３７は、例えば対向基板３０上にアクリル樹脂の層を形成した後に、この層をフォトリソグラフィーによりパターニングすることによって形成される。スペーサ３７は、容量線１５と平面的に重なる位置に配置されている。これにより、スペーサ３７による透過率の低下を防ぎ、スペーサ３７の近傍の配向乱れによる光漏れを防止してコントラストを向上させることができる。また、スペーサ３７は、各画素４に１つずつ配置されている。

図６は、スペーサ３７の拡大平面図であり、図７（ａ）は、図６中のＣ−Ｃ線における断面図である。スペーサ３７は、平面視で、角が丸くなった四角形、もしくは略円形をなしている。スペーサ３７は、図７（ａ）に示すように、素子基板１０側で幅が広く、対向基板３０側ではこれより幅が狭くなっている。すなわち、スペーサ３７は、対向基板３０上において、テーパー部が逆テーパー形状となるように形成されている。スペーサ３７は、テーパー部を有する突起に対応する構成要素である。図６に示す、スペーサ３７のＸ方向及びＹ方向の幅Ｄは、いずれも約１５μｍであり、またテーパー部の平面視での幅ｄは、約２μｍである。なお、図７（ａ）では、説明の便宜上、幅Ｄと幅ｄとの比率を誇張して描いている。また、図７（ａ），（ｂ）においては、基板１１上に形成された、ゲート線１２、ソース線１４、容量線１５、ＴＦＴ素子２０、層間絶縁層２３，２４等をまとめて回路素子層６として描いている。

液晶分子４０ａは、配向膜１９，３９が有する配向規制力の向きに沿って配向する。ここで、素子基板１０側の配向膜１９は、図７（ａ）に示すように、水平配向膜１９ｐから構成されている。また、対向基板３０側の配向膜３９は、水平配向膜３９ｐ及び垂直配向膜３９ｓから構成されている。このうち垂直配向膜３９ｓは、対向基板３０の液晶層４０側の面のうち、平面視でスペーサ３７のテーパー部と重なる領域に配置されている。換言すれば、垂直配向膜３９ｓは、スペーサ３７のテーパー部と対向する領域に配置されている。また、水平配向膜３９ｐは、対向基板３０の液晶層４０側の面のうち、平面視でスペーサ３７のテーパー部と重なる領域を除いた領域に配置されている。すなわち、水平配向膜３９ｐは、垂直配向膜３９ｓが配置されていない領域に排他的に配置されている。一方、水平配向膜１９ｐは、素子基板１０の液晶層４０側の面の全体に配置されている。

水平配向膜１９ｐ，３９ｐは、近傍の液晶分子４０ａを、その長軸が水平配向膜１９ｐ，３９ｐに略平行となるような状態に配向させる配向膜である。一方垂直配向膜３９ｓは、近傍の液晶分子４０ａを、その長軸が垂直配向膜３９ｓに略垂直な状態となるように配向させる配向膜である。水平配向膜１９ｐ，３９ｐ及び垂直配向膜３９ｓは、いずれもポリイミドを主成分として構成されている。垂直配向膜３９ｓは、表面に長鎖のアルキル鎖（非極性分子）を有しており、このアルキル鎖の作用により液晶分子４０ａを垂直方向に配向させることができる。水平配向膜１９ｐ，３９ｐは、表面のアルキル鎖が短いか、又はアルキル鎖をもたないため、液晶分子４０ａを平行方向に配向させる。

水平配向膜１９ｐ，３９ｐに対しては、表面を布等で擦るラビング処理により、ラビング処理の向きに沿った配向規制力を付与することができる。液晶分子４０ａは、水平配向膜１９ｐ，３９ｐの表面付近においては、この配向規制力の向きに沿って、所定のプレチルト角を有して配向する。本実施形態では、水平配向膜１９ｐ，３９ｐに対しては、＋Ｙ方向のラビング処理がなされている。これにより、水平配向膜１９ｐ，３９ｐ近傍の液晶分子４０ａは、＋Ｙ方向に沿って所定のプレチルト角で立ち上がるような状態で配向する（図７（ａ））。

このような構成により、初期状態の液晶分子４０ａは、平面視でスペーサ３７のテーパー部に重なる領域においては垂直配向膜３９ｓの作用により垂直配向となり、その他の領域では水平配向膜１９ｐ，３９ｐの作用によりスプレイ配向となる。以下では、平面視で垂直配向膜３９ｓの配置領域と重なる領域を「領域Ｓ」とも呼び、領域Ｓを除いた領域（すなわち初期状態で液晶分子４０ａがスプレイ配向となっている領域）を「領域Ｐ」とも呼ぶ。

＜Ｄ．転移動作＞
以上の構成を有する液晶装置１は、次のように動作させることによって、液晶層４０をスプレイ配向からベンド配向へ転移させることができる。この転移を、以下では初期配向転移とも呼ぶ。

初期配向転移に際しては、画素電極１６と共通電極３６との間に転移電圧を印加する。この転移電圧は、例えば５Ｖの交流の矩形波とすることができる。このとき、画素電極１６上の液晶層４０には、基板１１の法線方向の成分を有する電界（縦電界）が生じる。この電界により、画素電極１６上の広い範囲で液晶分子４０ａが駆動される。より詳しくは、スプレイ配向となっている液晶分子４０ａ（すなわち領域Ｐの液晶分子４０ａ）が、縦電界により、基板１１に垂直な方向に配向させる力を受ける。ここで、領域Ｓの液晶分子４０ａは、初期状態から既に垂直配向となっているため、領域Ｐのうち、領域Ｓの近傍に位置する液晶分子４０ａは、容易に垂直方向に配向方向を変える。これは、液晶分子４０ａが、隣り合う液晶分子４０ａの配向状態と揃う状態においてエネルギー的に安定するためである。ところで、領域Ｐの液晶層４０は、中間層の液晶分子４０ａが垂直配向となることで、ベンド配向に移行する。したがって、領域Ｐのうち、領域Ｓの近傍に位置する液晶分子４０ａは、転移電圧の印加により容易にベンド配向に転移する（図７（ｂ））。こうして領域Ｐの一部がベンド配向に転移すると、領域Ｐの他の領域にもベンド配向が広がっていき、最終的に領域Ｐの全体がベンド配向となる。

このように、平面視でスペーサ３７のテーパー部と重なる領域に垂直配向膜３９ｓを有する液晶装置１においては、垂直配向膜３９ｓの作用による垂直配向領域を起点として、液晶層４０を容易にベンド配向へ転移させることができる。すなわち、短時間にベンド配向への転移を行うことができる。また、より低い転移電圧によってベンド配向への転移を行うことができ、例えば５Ｖより小さな転移電圧でも初期配向転移を行うことができる。スペーサ３７及び垂直配向膜３９ｓは、各画素４に配置されているため、すべての画素４において初期配向転移を容易にする効果が得られる。

なお、画素電極１６と共通電極３６との間に転移電圧を印加する前に、ゲート線１２と画素電極１６との間に転移電圧を印加してもよい。この転移電圧は、例えば５Ｖ程度の交流の矩形波とし、印加時間は例えば０．５秒とする。このようにすれば、ゲート線１２と画素電極１６との間に電界が生じ、液晶層４０の液晶分子４０ａは、この電界の方向に沿って配向方向を変えて、一部がベンド配向に転移する。このようにしてゲート線１２と画素電極１６との間、又はその近傍の領域にベンド配向の転移核を発生させておけば、上述した縦電界による転移動作の際に、この転移核からもベンド配向領域を広げることができるため、より短時間でベンド配向への転移を行うことができる。

＜Ｅ．表示動作＞
続いて、液晶層４０をベンド配向へ転移させた後の表示動作について説明する。

図４に示すように、各ゲート線１２には、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎが供給される。また、各ソース線１４には、画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが供給される。ゲート線１２が選択電位となると、当該ゲート線１２に接続されたＴＦＴ素子２０がオン状態となる。ＴＦＴ素子２０がオン状態となっている期間においては、ソース線１４に供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが、ＴＦＴ素子２０を介して画素電極１６に印加される。画素電極１６に印加された所定のレベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍと、共通電極３６（図５（ｂ））の共通電位とで定まる電圧が駆動電圧となり、液晶層４０に印加される。上記駆動電圧は、液晶層４０の容量及び補助容量１５ａにより一定時間保持される。液晶層４０に駆動電圧が印加されると、印加された電圧レベルに応じて液晶分子４０ａの配向状態が変化する。これによって、液晶層４０に入射された光が変調されて階調表示が可能となる。

ここで、上記駆動電圧の実効値は、液晶層４０がベンド配向を維持するための臨界電圧より大きくなるように設定される。駆動電圧の実効値が臨界電圧より小さくなると、液晶層４０の一部がスプレイ配向へ逆転移してしまい、その部位の表示が乱れて輝点不具合が生じてしまうためである。

本実施形態では、領域Ｓの液晶層４０は常に垂直配向となっており、ベンド配向となった領域Ｐのうち領域Ｓの近傍に位置する液晶分子４０ａは、領域Ｓの垂直配向状態に影響を受けてベンド配向を維持しようとする。よって、スプレイ配向への逆転移が起きにくい。このため、臨界電圧が小さくなり、より低い電圧を表示に用いることができる。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合には、白表示の電圧を下げることによって、より高輝度の表示を行うことができる。また、ベンド配向の維持のために黒表示を挿入する「擬似インパルス表示方式」が採用されている場合には、黒表示の挿入頻度を低減させることができ、これにより表示品位を向上させることができる。

＜Ｆ．液晶装置の製造方法＞
続いて、液晶装置１の製造方法について、図８を参照しながら説明する。図８は、本実施形態に係る液晶装置１の製造方法を示すフローチャートである。図８において、工程Ｓ１１からＳ１３が素子基板１０を製造するための工程であり、工程Ｓ２１から工程Ｓ２６が対向基板３０を製造するための工程である。工程Ｓ３１から工程Ｓ３３は、素子基板１０及び対向基板３０を組み合わせて液晶装置１を完成させるための工程である。工程Ｓ１１からＳ１３と、工程Ｓ２１から工程Ｓ２６とは、それぞれ独立に行われる。

工程Ｓ１１では、素子基板１０を構成する基板１１上に、ゲート線１２、ソース線１４、容量線１５、ＴＦＴ素子２０、層間絶縁層２３，２４等を含む回路素子層６、及び画素電極１６を形成する。この工程は、例えば常圧又は減圧ＣＶＤ法、スパッタ法、フォトリソグラフィー法等の各種の成膜手法を用いて行われる。

工程Ｓ１２では、工程Ｓ１１において形成された回路素子層６、画素電極１６に重ねて、フレキソ印刷法によってポリイミドからなる配向膜１９を形成する。この配向膜１９は、水平配向膜１９ｐである。

工程Ｓ１３では、工程Ｓ１２で形成された水平配向膜１９ｐに対してラビング処理を行う。より詳しくは、水平配向膜１９ｐの表面に対して、布を巻きつけたローラーを回転させた状態で当接させ、このローラーを水平配向膜１９ｐに対して＋Ｙ方向に相対移動させる。このラビング処理により、水平配向膜１９ｐの表面に＋Ｙ方向の配向規制力が付与される。以上の工程Ｓ１１から工程Ｓ１３を経て、素子基板１０が完成する。

次に、対向基板３０の製造工程（工程Ｓ２１から工程Ｓ２６）について図９を参照しながら説明する。図９（ａ）から（ｅ）は、対向基板３０の製造工程における断面図である。

工程Ｓ２１では、対向基板３０を構成する基板３１上に、遮光層３４、カラーフィルタ３２、共通電極３６を形成する。この工程は、例えばスピンコート法、スパッタ法、フォトリソグラフィー法等の各種の成膜手法を用いて行われる。

工程Ｓ２２では、共通電極３６に重ねて、スペーサ３７を形成する。この工程では、まず共通電極３６上に、スピンコート法等によってスペーサ形成材料３７ａを全面に塗布する（図９（ａ））。スペーサ形成材料３７ａとしては、例えばネガ型の感光性アクリル材料を使用する。その後、フォトリソグラフィー法によりスペーサ形成材料３７ａをパターニングして、逆テーパー形状を有するスペーサ３７を形成する（図９（ｂ））。より詳しくは、まずスペーサ形成材料３７ａに対し、後にスペーサ３７を形成する領域に、ステッパー露光を行う。この露光の際には、ＭＰＡ（ミラープロジェクションアライナー）を用いてマスクのアライメントを行い、照射する光としてはＧＨ線（435.8nm，404.7nm）を用いる。これに対応するように、スペーサ形成材料３７ａとしては、ＧＨ線に対して感度のある材料を用いる。このような波長領域に感度を有するネガ型のスペーサ形成材料３７ａは、ｉ線にのみ感度を有するものと比較して非常に感度が高く、露光過多となる。特に、光は図９（ａ）中の上方（基板３１とは反対側）から照射されるため、スペーサ形成材料３７ａのうち上方ほど露光過多となり、下方（基板３１側）は相対的に露光量が少なくなる。この状態で現像を行うことにより、露光された部分は残り、その他の部分を除去されて、スペーサ３７が得られる。このとき、上述のように上方ほど露光過多となっているため、上方の幅が広く、下方ほど幅が狭い、逆テーパー形状を有したスペーサ３７が得られる。

工程Ｓ２３では、基板３１上の略全面に、スピンコート法によってポリイミドからなる垂直配向膜３９ｓを形成する（図９（ｃ））。垂直配向膜３９ｓは、平面視でスペーサ３７のテーパー部と重なる領域まで回りこんで形成される。

工程Ｓ２４では、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）により、垂直配向膜３９ｓの一部を除去する（図９（ｄ））。より詳しくは、図９（ｄ）の上方から、プラズマ化した酸素ガスを垂直配向膜３９ｓに衝突させる。このとき、酸素イオンによるスパッタリングと同時に垂直配向膜３９ｓと酸素イオンとの化学反応が起こり、垂直配向膜３９ｓは、揮発性の酸化物ガスとして排気、除去される。ここで、反応性イオンエッチングにおいては、プラズマ化した酸素ガスを指向性よく垂直配向膜３９ｓへ衝突させることができるため、スペーサ３７がマスクとして機能し、平面視でスペーサ３７のテーパー部と重なる領域に配置された垂直配向膜３９ｓは除去されずに残る。このように、逆テーパー形状を有するスペーサ３７を用いることで、反応性イオンエッチングにより基板３１上の一部にのみ垂直配向膜３９ｓを形成することができる。

工程Ｓ２５では、垂直配向膜３９ｓが形成された基板３１上に、スピンコート法によってポリイミドからなる水平配向膜３９ｐを形成する（図９（ｅ））。ここで、垂直配向膜３９ｓの表面は非極性分子のアルキル鎖で覆われており、極性分子を有する水平配向膜３９ｐとの間では密着性が悪い。このため、水平配向膜３９ｐは、垂直配向膜３９ｓの形成領域においては垂直配向膜３９ｓにはじかれて形成されず、垂直配向膜３９ｓの配置されていない領域に選択的に形成される。すなわち、水平配向膜３９ｐは、平面視でスペーサ３７のテーパー部と重なる領域を除いた領域に配置される。

工程Ｓ２６では、工程Ｓ２５で形成された水平配向膜３９ｐに対してラビング処理を行う。より詳しくは、水平配向膜３９ｐの表面に対して、布を巻きつけたローラーを回転させた状態で当接させ、このローラーを水平配向膜３９ｐに対して＋Ｙ方向に相対移動させる。このラビング処理により、水平配向膜３９ｐの表面に＋Ｙ方向の配向規制力が付与される。なお、この工程において垂直配向膜３９ｓにラビング処理がされたとしても、垂直配向膜３９ｓの機能は損なわれないため、問題はない。以上の工程Ｓ２１から工程Ｓ２６を経て、対向基板３０が完成する。

工程Ｓ３１では、素子基板１０と対向基板３０とを、シール材４１（図１（ｂ））を介して、配向膜１９，３９が形成された面が対向するように貼り合わせる。より詳しくは、素子基板１０又は対向基板３０の表面にディスペンサ塗布法又はスクリーン印刷法等によってシール材４１を枠状に塗布し、素子基板１０と対向基板３０との間でアライメント（位置合わせ）をした状態で接触、圧着させ、その後シール材４１を乾燥させて両基板を貼り合わせる。

工程Ｓ３２では、素子基板１０、対向基板３０、及びシール材４１によって囲まれた領域に液晶を注入し、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層４０を形成する。この工程は、真空下においてシール材４１に設けられた注入口から毛細管現象によって上記領域に液晶を導入し、注入口を紫外線硬化性樹脂等により封止することによって行う。なお、液晶層４０を素子基板１０、対向基板３０の間に封入する方法としては、素子基板１０又は対向基板３０の表面に液晶を滴下した状態で貼り合わせ（工程Ｓ３１）を行う方法を採用することもできる。

工程Ｓ３３では、素子基板１０、対向基板３０の外側に、それぞれ偏光板５１，５３を貼り付ける。素子基板１０、対向基板３０が、これらを複数含むマザー基板に形成される場合には、工程Ｓ３３又は工程Ｓ３２の前に、マザー基板を適宜ブレイク（切断）する。以上の工程を経て、液晶装置１が製造される。

以上に説明したような液晶装置１の製造方法によれば、逆テーパー形状を有するスペーサ３７を用いることで、反応性イオンエッチングにより基板３１上の一部にのみ垂直配向膜３９ｓを形成することができる。この際、スペーサ３７がマスクとして機能するため、別途垂直配向膜３９ｓの形成のためのマスクを準備する必要がなく、工程を簡略化することができる。

（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、垂直配向膜３９ｓの配置領域の形状が第１の実施形態と異なり、その他の点は第１の実施形態と同様である。

図１０は、本実施形態に係る液晶装置１の、スペーサ３７の配置領域における断面図である。断面の位置は、第１の実施形態の図６におけるＣ−Ｃ線の位置に対応する。この図に示すように、対向基板３０の液晶層４０側の面のうち、平面視でスペーサ３７のテーパー部と重なる領域には凹部５が形成されており、垂直配向膜３９ｓは、凹部５を含む領域に配置されている。

凹部５を形成するためには、例えばカラーフィルタ３２を形成した後に、フォトリソグラフィー法によりカラーフィルタ３２を一部除去するか、あるいは、カラーフィルタ３２の形成の際に、凹部５に相当する領域にはカラーフィルタ３２を配置しないようにする。その後、ＩＴＯのスパッタにより共通電極３６を形成すれば、共通電極３６の表面に凹部５を形成することができる。

凹部５が形成された面に、スピンコート法により垂直配向膜３９ｓを形成することにより、垂直配向膜３９ｓを凹部５に埋める形で配置することができる。このようにすれば、スペーサ３７のテーパー部と共通電極３６との間に垂直配向膜３９ｓが嵌り込んで、垂直配向膜３９ｓの表面が基板３１の面に対して傾斜してしまう不具合を防止することができる。よって、垂直配向膜３９ｓの表面を、基板３１の面と略平行とすることができ、液晶分子４０ａを垂直に配向させることができる。

（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態について説明する。本実施形態は、スペーサ３７、配向膜１９，３９の構成及び形成方法が第１の実施形態と異なり、その他の点は第１の実施形態と同様である。

＜Ａ．液晶装置の構成＞
図１１（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係る液晶装置１の、スペーサ３７の配置領域における断面図である。断面の位置は、第１の実施形態の図６におけるＣ−Ｃ線の位置に対応する。本実施形態では、対向基板３０に形成されたスペーサ３７の形状は、基板３１側で幅が広く、基板３１から離れるほど幅が狭くなっており、いわゆる順テーパー形状を有した構造となっている。対向基板３０の液晶層４０側表面には、スペーサ３７のテーパー部を含めた略全面に、水平配向膜３９ｐからなる配向膜３９が形成されている。水平配向膜３９ｐは、＋Ｙ方向にラビング処理がなされており、スペーサ３７のテーパー部では、図１１（ａ）中の矢印で示す向きの配向規制力が付与されている。したがって、このテーパー部においても、水平配向膜３９ｐ近傍の液晶分子４０ａは、ラビング方向に沿って所定のプレチルト角で立ち上がるような状態で配向する。

一方、素子基板１０側の配向膜１９は、水平配向膜１９ｐ及び垂直配向膜１９ｓから構成されている。このうち垂直配向膜１９ｓは、素子基板１０の液晶層４０側の面のうち、平面視でスペーサ３７のテーパー部と重なる領域に配置されている。また、水平配向膜１９ｐは、素子基板１０の液晶層４０側の面のうち、平面視でスペーサ３７のテーパー部と重なる領域を除いた領域に配置されている。換言すれば、水平配向膜１９ｐは、垂直配向膜１９ｓが配置されていない領域に排他的に配置されている。水平配向膜１９ｐは、水平配向膜３９ｐと同様に、＋Ｙ方向にラビング処理がなされている。

このような構成により、初期状態の液晶分子４０ａは、平面視で垂直配向膜１９ｓの配置領域に重なる領域Ｓにおいては垂直配向膜１９ｓの作用により垂直配向となり、その他の領域Ｐでは水平配向膜１９ｐ，３９ｐの作用によりスプレイ配向となる（図１１（ａ））。このうち領域Ｓにおいては、より詳しくは、素子基板１０側（垂直配向膜１９ｓの近傍）では、液晶分子４０ａは垂直配向となり、対向基板３０側（スペーサ３７のテーパー部上の水平配向膜３９ｐの近傍）では、液晶分子４０ａは水平配向膜３９ｐの機能に応じてテーパー部に対して一定のプレチルト角を有して配向する。このとき、テーパー部は基板３１の面に対して大きく傾斜しているため、この傾斜の角度にプレチルト角を付加した角度で配向する液晶分子４０ａも、基板３１の面に対して大きな角度で配向する。したがって、テーパー部近傍の液晶分子４０ａも、垂直に近い配向状態となり、領域Ｓにおいて液晶層を垂直配向に近い状態とすることに寄与する。

このような構成により、本実施形態においても第１の実施形態と同様に、初期配向転移の際に、垂直配向膜１９ｓの作用による垂直配向領域を起点として、液晶層４０を容易にベンド配向へ転移させることができる（図１１（ｂ））。すなわち、短時間にベンド配向への転移を行うことができる。また、より低い転移電圧によってベンド配向への転移を行うことができる。

＜Ｂ．液晶装置の製造方法＞
続いて、第３の実施形態に係る液晶装置１の製造方法について、図１２を参照しながら説明する。図１２は、本実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。また、図１３（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態の液晶装置１の製造工程における断面図である。図１２において、工程Ｐ１１からＰ１５が素子基板１０を形成するための工程であり、工程Ｐ２１から工程Ｐ２４が対向基板３０を形成するための工程である。工程Ｐ３１から工程Ｐ３３は、素子基板１０及び対向基板３０を組み合わせて液晶装置１を完成させるための工程である。工程Ｐ１１からＰ１５と、工程Ｐ２１から工程Ｐ２４とは、それぞれ独立に行われる。

工程Ｐ１１では、素子基板１０に回路素子層６及び画素電極１６を形成する。この工程は、第１の実施形態の工程Ｓ１１と同一の工程である。

工程Ｐ１２では、基板１１上の略全面に、フレキソ印刷法によってポリイミドからなる垂直配向膜１９ｓを形成する。

工程Ｐ１３では、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）により、垂直配向膜１９ｓの一部を除去する。より詳しくは、垂直配向膜１９ｓの一部に、マスクを介してプラズマ化した酸素ガスを垂直配向膜１９ｓに衝突させ、垂直配向膜１９ｓの一部を揮発性の酸化物ガスとして排気、除去する。この際、後の工程Ｐ３１において対向基板３０と貼り合わされる際に、平面視でスペーサ３７と重なることになる領域の垂直配向膜１９ｓは、マスクで保護して除去せずに残しておく。この結果、基板１１上の一部にのみ垂直配向膜１９ｓがパターニングされて残る。

工程Ｐ１４では、垂直配向膜１９ｓが形成された基板１１上に、スピンコート法によってポリイミドからなる水平配向膜１９ｐを形成する（図１３（ｂ））。ここで、水平配向膜１９ｐは、垂直配向膜１９ｓの形成領域においては垂直配向膜１９ｓにはじかれて形成されず、垂直配向膜１９ｓの配置されていない領域に選択的に形成される。すなわち、水平配向膜１９ｐは、後の貼り合わせの際に平面視でスペーサ３７と重なる領域を除いた領域に配置される。

工程Ｐ１５では、工程Ｐ１４で形成された水平配向膜１９ｐに対してラビング処理を行う。この工程は、第１の実施形態の工程Ｓ１３と同様に行われる。なお、この工程において垂直配向膜１９ｓにラビング処理がされたとしても、垂直配向膜１９ｓの機能は損なわれないため、問題はない。以上の工程Ｐ１１から工程Ｐ１５を経て、素子基板１０が完成する。

次に、対向基板３０の製造工程について説明する。工程Ｐ２１では、対向基板３０を構成する基板３１上に、遮光層３４、カラーフィルタ３２、共通電極３６を形成する。この工程は、第１の実施形態の工程Ｓ２１と同一の工程である。

工程Ｐ２２では、共通電極３６に重ねて、スペーサ３７を形成する。詳しくは、まず共通電極３６上に、スピンコート法等によってスペーサ形成材料を全面に塗布し、その後、フォトリソグラフィー法によりスペーサ形成材料をパターニングする。このようにして、基板３１上にスペーサ３７が形成される。このとき、スペーサ３７は、順テーパー形状を有して形成される（図１３（ａ））。スペーサ３７の順テーパー形状は、例えば感光性スペーサ形成材料に対してマスクを介して一括露光し、現像することによって得られる。

工程Ｐ２３では、スペーサ３７が形成された基板３１上に、スピンコート法によってポリイミドからなる水平配向膜３９ｐを略全面に形成する（図１３（ａ））。

工程Ｓ２４では、工程Ｐ２３で形成された水平配向膜３９ｐに対してラビング処理を行う。この工程は、第１の実施形態の工程Ｓ２６と同様に行われる。以上の工程Ｐ２１から工程Ｐ２４を経て、対向基板３０が完成する。

工程Ｐ３１から工程Ｐ３３は、第１の実施形態の工程Ｓ３１から工程Ｓ３３と同一の工程であるので説明は省略する。以上の工程を経て、液晶装置１が製造される。

このような液晶装置１の製造方法によれば、スペーサ３７は逆テーパー形状を有している必要がないため、容易にスペーサ３７を形成することができる。これにより、液晶装置１の製造工程を簡略化することができる。

（第４の実施形態）
続いて、第４の実施形態について説明する。本実施形態は、領域Ｓに、高さが基板間隔に満たない突起が形成されている点で第３の実施形態と異なり、その他の点は第３の実施形態と同様である。

図１４は、本実施形態に係る液晶装置１の、垂直配向膜１９ｓの配置領域における断面図である。この図に示すように、対向基板３０の液晶層４０側の面には、突起３８が形成されている。突起３８は、透光性を有する樹脂からなり、カラーフィルタ３２と共通電極３６との間に配置されている。突起３８の形状は、基板３１側で幅が広く、基板３１から離れるほど幅が狭くなっており、いわゆる順テーパー形状を有した構造となっている。突起３８のテーパー部の形状は、共通電極３６にも反映されている。共通電極３６上の略全面には、水平配向膜３９ｐからなる配向膜３９が形成されている。水平配向膜３９ｐは、＋Ｙ方向にラビング処理がなされており、テーパー部においては、図１４中の矢印で示す向きの配向規制力が付与されている。したがって、このテーパー部においても、水平配向膜３９ｐ近傍の液晶分子４０ａは、ラビング方向に沿って所定のプレチルト角で立ち上がるような状態で配向する。

一方、素子基板１０側の配向膜１９は、水平配向膜１９ｐ及び垂直配向膜１９ｓから構成されている。このうち垂直配向膜１９ｓは、素子基板１０の液晶層４０側の面のうち、平面視で突起３８のテーパー部と重なる領域に配置されている。また、水平配向膜１９ｐは、素子基板１０の液晶層４０側の面のうち、平面視で突起３８のテーパー部と重なる領域を除いた領域に配置されている。換言すれば、水平配向膜１９ｐは、垂直配向膜１９ｓが配置されていない領域に排他的に配置されている。水平配向膜１９ｐは、水平配向膜３９ｐと同様に、＋Ｙ方向にラビング処理がなされている。

このような構成により、初期状態の液晶分子４０ａは、平面視で垂直配向膜１９ｓの配置領域に重なる領域Ｓにおいては垂直配向膜１９ｓの作用により垂直配向となり、その他の領域Ｐでは水平配向膜１９ｐ，３９ｐの作用によりスプレイ配向となる。このうち領域Ｓにおいては、より詳しくは、素子基板１０側（垂直配向膜１９ｓの近傍）では、液晶分子４０ａは垂直配向となり、対向基板３０側（突起３８のテーパー部上の水平配向膜３９ｐの近傍）では、液晶分子４０ａは水平配向膜３９ｐの機能に応じてテーパー部に対して一定のプレチルト角を有して配向する。このとき、テーパー部は基板３１の面に対して大きく傾斜しているため、この傾斜の角度にプレチルト角を付加した角度で配向する液晶分子４０ａも、基板３１の面に対して大きな角度で配向する。したがって、テーパー部近傍の液晶分子４０ａも、垂直に近い配向状態となり、領域Ｓにおいて液晶層を垂直配向に近い状態とすることに寄与する。

このような構成により、本実施形態においても第３の実施形態と同様に、初期配向転移の際に、垂直配向膜１９ｓの作用による垂直配向領域を起点として、液晶層４０を容易にベンド配向へ転移させることができる。すなわち、短時間にベンド配向への転移を行うことができる。また、より低い転移電圧によってベンド配向への転移を行うことができる。

（電子機器）
上述した液晶装置１は、例えば、携帯電話機等の電子機器に搭載して用いることができる。図１６は、電子機器としての携帯電話機１００の斜視図である。携帯電話機１００は、表示部１１０及び操作ボタン１２０を有している。表示部１１０は、内部に組み込まれた液晶装置１によって、操作ボタン１２０で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。携帯電話機１００は、表示部１１０に搭載された液晶装置１を容易に初期配向転移させて表示可能な状態に移行することができる。また、液晶装置１においてスプレイ配向への逆転移が生じにくいことに起因して、高品位な表示を行うことができる。

なお、液晶装置１は、上記携帯電話機１００の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。また、液晶装置１は、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして組み込んで用いることができる。

以上、種々の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、例えば以下のような変形を加えることが可能である。

（変形例１）
垂直配向膜１９ｓ，３９ｓの近傍に、初期配向転移構造を形成してもよい。図１５（ａ）から（ｃ）は、本変形例に係る、初期配向転移構造を有する画素４の平面図である。このうち図１５（ａ）は、初期配向転移構造としての屈曲部を有する液晶装置１の画素４の平面図である。この図においては、ゲート線１２、及び画素電極１６のうちゲート線１２に沿った辺は、いずれも初期配向転移構造としてのくの字状の屈曲部を有している。そして、スペーサ３７及びこれに平面視で重なる垂直配向膜１９ｓ，３９ｓは、屈曲部の近傍に配置されている。このような構成によれば、ゲート線１２と画素電極１６との間に転移電圧を印加することにより、屈曲部の屈曲点の近傍にベンド配向の転移核が発生する。この転移核と、垂直配向膜１９ｓ，３９ｓとの複合効果によって、より容易に初期配向転移を行うことができる。

図１５（ｂ）は、画素電極１６のうちスペーサ３７（及び垂直配向膜１９ｓ，３９ｓ）の近傍に初期配向転移構造としてのスリット１６ａを有する液晶装置１の画素４の平面図である。スリット１６ａは、画素電極１６に設けられた矩形波状の開口である。このような構成によれば、転移動作の際に、スリット１６ａの屈曲点の近傍で転移核が発生しやすくなる。この転移核と、垂直配向膜１９ｓ，３９ｓとの複合効果によって、より容易に初期配向転移を行うことができる。

図１５（ｃ）は、スペーサ３７（及び垂直配向膜１９ｓ，３９ｓ）の近傍に初期配向転移構造としてのダブルソース構造のＴＦＴ素子２０を有する液晶装置１の画素４の平面図である。このＴＦＴ素子２０は、ソース線１４から延設されたソース電極２０ｓの先端部が２つに分かれてコの字状となっており、ドレイン電極２０ｄの一部が、２つのソース電極２０ｓ先端部の間に挟まれるような位置に配置されている。このような構成によれば、ソース電極２０ｓとドレイン電極２０ｄとの間には、互いに逆方向の２種類の電界が発生する。これらの電界により、液晶層４０は、部分的に異なる方向にツイストされて、この結果ベンド配向の転移核が発生する。この転移核と、垂直配向膜１９ｓ，３９ｓとの複合効果によって、より容易に初期配向転移を行うことができる。

上記の他にも、例えば突起状構造物、窪み状構造物、転移用電極等の構造物や、ツイスト配向の領域等を初期配向転移構造としてスペーサ３７及びこれと平面視で重なる垂直配向膜１９ｓ，３９ｓの近傍に配置してもよい。

（変形例２）
上記実施形態では、スペーサ３７、突起３８は、対向基板３０側に形成されているが、素子基板１０側に形成されていてもよい。この構成においても、スペーサ３７又は突起３８のテーパー部と平面視で重なる領域に垂直配向膜１９ｓ，３９ｓを配置することにより、初期配向転移を容易に行うことができる。

（変形例３）
液晶装置１は、半透過反射型としてもよい。この場合には、画素４は、反射表示領域と透過表示領域とを有するように構成し、反射表示領域には、画素電極１６の基板１１側にアルミニウム等からなる反射膜を形成する。また、対向基板３０のカラーフィルタ３２と共通電極３６との間に、液晶層厚調整層を形成して、反射表示領域の液晶層の厚さが透過表示領域の液晶層の厚さより小さくなるように調整する。また、素子基板１０と偏光板５１との間、及び対向基板３０と偏光板５３との間に、それぞれ１／４波長板を配置する。

なお、上記各変形例は、任意の他の変形例と組み合わせて実施することができる。

液晶装置の構成を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図。 スプレイ配向及びベンド配向における液晶分子の配向状態を示す模式図。 表示領域の拡大平面図。 液晶装置の表示領域における各種素子、配線等の等価回路図。 画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ線における断面図。 スペーサの拡大平面図。 （ａ）及び（ｂ）は、図６中のＣ−Ｃ線における断面図。 第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）から（ｅ）は、対向基板の製造工程における断面図。 第２の実施形態に係る液晶装置の、スペーサの配置領域における断面図。 （ａ）及び（ｂ）第３の実施形態に係る液晶装置の、スペーサの配置領域における断面図。 第３の実施形態に係る液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）及び（ｂ）は、第３の実施形態に係る液晶装置の製造工程における断面図。 第４の実施形態に係る液晶装置の、垂直配向膜の配置領域における断面図。 （ａ）から（ｃ）は、変形例１に係る、初期配向転移構造を有する画素の平面図。 電子機器としての携帯電話機の斜視図。

符号の説明

１…液晶装置、４…画素、５…凹部、６…回路素子層、１０…素子基板、１１，３１…基板、１２…ゲート線、１４…ソース線、１５…容量線、１５ａ…補助容量、１６…画素電極、１６ａ…スリット、１９，３９…配向膜、１９ｐ，３９ｐ…水平配向膜、１９ｓ，３９ｓ…垂直配向膜、２０…ＴＦＴ素子、２０ａ…半導体層、２０ｄ…ドレイン電極、２０ｓ…ソース電極、２１…コンタクトホール、２３，２４…層間絶縁層、３０…対向基板、３２…カラーフィルタ、３４…遮光層、３６…共通電極、３７…突起としてのスペーサ、３７ａ…スペーサ形成材料、３８…突起、４０…液晶層、４０ａ…液晶分子、４１…シール材、４２…ドライバＩＣ、４３…表示領域、５１，５３…偏光板、１００…電子機器としての携帯電話機、１１０…表示部。

Claims (6)

1. 対向して配置された一対の基板と、
   前記一対の基板の間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層と、
   前記一対の基板のうち一方の前記基板の前記液晶層側の面に配置された、テーパー部を有する突起と、
   前記一対の基板の前記液晶層側の面のうち、平面視で前記テーパー部と重なる領域に配置された垂直配向膜と、
   前記一対の基板の前記液晶層側の面のうち、平面視で前記テーパー部と重なる領域を除いた領域に配置された水平配向膜と、を備えることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置であって、
   前記突起は、前記一対の基板の間隔を保持するスペーサであることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項２に記載の液晶装置であって、
   前記突起は、前記一方の基板上において、前記テーパー部が逆テーパー形状となるように形成されていることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記一対の基板の前記液晶層側の面のうち、平面視で前記テーパー部と重なる領域には凹部が形成されており、
   前記垂直配向膜は、前記凹部を含む領域に配置されていることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記垂直配向膜の近傍に形成された初期配向転移構造を備えることを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。

Images