JP2009225093A - 圧電デバイスおよび電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】薄型化した圧電デバイスおよびこの圧電デバイスを搭載した電子機器を提供する。
【解決手段】圧電デバイス10は、ICチップ12と圧電振動片30とを積層方向に配置したものであって、ICチップ12の一方の面に内部パッド16および絶縁層を設け、前記絶縁層と前記一方の面との間に再配置配線18を設けて、再配置配線18の一端を内部パッド16に接続し、他端を前記一方の面の周縁部に配置し、前記他端には前記絶縁層を貫通する導通手段を設け、前記導通手段が前記絶縁層の外側表面に露出した部分に、ワイヤ28が接合する再配置内部パッド16を設け、ワイヤ28を配設した側とは反対の平面方向へ再配置内部パッド16からずれるとともに、内部パッド16に対向して圧電振動片30を配設した構成である。
【選択図】図1

Description

本発明は、圧電デバイスおよび電子機器に係り、特に、圧電振動片とこれを発振させる回路とを備えた圧電デバイスおよびこれを搭載した電子機器に関する。
圧電デバイスには、圧電振動片と、この圧電振動片に導通して発振させる回路(発振回路)とをパッケージに収容した構成のものがある。発振回路は、集積回路(IC)チップになっており、ワイヤが接合されるパッドを表面に設けて能動面を構成している。そしてパッケージは、上方に向けて開口した凹陥部を備えたパッケージベースと、このパッケージベースの上面に接合して凹陥部を封止する蓋体とを備えている。この凹陥部は、側面を階段状にすることにより、2つの階段部を形成してある。そして能動面を上方に向けたICチップを凹陥部の底面に固着して、この能動面に設けたパッドと、下方の階段部に設けたパッド電極とにワイヤを接合している。また圧電振動片は、上方の階段部に設けたパッケージ側マウント電極(搭載電極)に導電性接着剤を用いて固着している。これにより圧電デバイスは、圧電振動片の主面とICチップの能動面とが向かい合い、且つ、この主面と能動面との間にワイヤを配置するようにして、ICチップと圧電振動片を上下方向に配置している。(特許文献1を参照)
また特許文献2に記載された圧電発振器のように、圧電振動片とICチップとを上下方向に配置しても、ICチップの長辺と圧電振動片の長辺とを平面視して交差させることもできる。この場合、ICチップの短辺は、平面視して圧電振動片と重なっていないので、このICチップと圧電振動片とが重なっていない部分にパッドを設けることができる。これにより圧電振動片の主面とICチップの能動面との間にワイヤが配置されることがなくなる。
特開2004−15441号公報 特開2006−20140号公報
前述したように、圧電振動片の主面とICチップの能動面との間にワイヤを配置した圧電デバイスでは、圧電振動片とワイヤが接触してしまうと、発振の不良等の悪影響が発生するので、圧電振動片とワイヤが接触することのない間隔を設けておく必要がある。しかしながら、このように圧電振動片とワイヤの間隔を広くすると、圧電デバイスを薄型にできない。
また圧電振動片の長辺とICチップの長辺を平面視して交差させ、圧電振動片の側方にパッドを設けた圧電デバイスでは、平面サイズが大きくなるという問題がある。またICチップは、平面視して長方形に形成するとともに、この短辺に沿わしてパッドを設けなければならない。このようにパッドの配置位置が特殊なICチップは、同じ機能の圧電デバイスであっても、パッケージ内部の配置構成が異なると使用することが困難になる場合があり、汎用性がない。
本発明は、薄型化した圧電デバイスおよびこの圧電デバイスを搭載した電子機器を提供することを目的とする。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]平面視して圧電振動片の少なくとも一部がICチップの一部と重なるように配置された圧電デバイスであって、前記ICチップは、能動面の平面視して前記圧電振動片と重なる領域に形成された内部パッドと、前記能動面上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上の平面視して前記圧電振動片と重ならない領域に形成され、ワイヤの一端が接続される再配置パッドと、前記内部パッドと前記再配置パッドとを電気的に接続する配線であって、前記絶縁層と前記能動面との間に形成された再配置配線、および前記絶縁層の貫通導通手段を有する配線と、を備えたことを特徴とする圧電デバイス。
この再配置配線、導通手段、再配置パッドおよび絶縁層によって、パッドの位置を自由に変更できる。このため一方の面に設けたパッドの位置にかかわらず、圧電振動片とICチップとを平面視してずらして配置すれば、この圧電振動片とICチップが重なっていない位置に再配置パッドを配設できる。そしてワイヤを再配置パッドから圧電振動片の側方に引き出せるので、圧電振動片とICチップの間にワイヤが設けられることがない。よって圧電デバイスを薄型化できる。
なお再配置配線の他端は、一方の面の周縁部に配置できる。これにより再配置パッドは、ICチップを平面視したときの周縁部に配置できるので、圧電振動片を平面方向にずらす量を少なくできる。よって圧電デバイスの平面サイズを小さくできる。
[適用例2]前記再配置パッドは、前記ICチップの周縁部のうちいずれか1つの辺に隣接して設けたことを特徴とする適用例1に記載の圧電デバイス。これにより一方の面の周縁部を構成するいずれか1辺が圧電振動片と平面視して重ならず、他の3辺を平面視して圧電振動片と重ねることができる。このため圧電振動片の幅を広くできるので、これに形成されている励振電極の面積も大きくできる。よって圧電デバイスを薄型できると共に、特性を向上できる。
[適用例3]前記絶縁層上に搭載電極を設け、前記搭載電極上に前記圧電振動片を実装したことを特徴とする適用例1または2に記載の圧電デバイス。これによりICチップに圧電振動片を固着できる。また、このときでもICチップと圧電振動片との間にワイヤが配置されないので、圧電デバイスを薄型にできる。
[適用例4]前記再配置配線に発振周波数を調整する周波数調整素子が接続されていることを特徴とする適用例1ないし3のいずれかに記載の圧電デバイス。これによりICチップに設けた周波数調整素子で発振周波数を調整できるので、発振周波数を調整する他の回路部品を多く搭載する必要がなくなり、また回路部品の調整作業を軽減できる。
[適用例5]適用例1ないし4のいずれかに記載の圧電デバイスを搭載したことを特徴とする電子機器。これにより電子機器は小型化できる。
以下に、本発明に係る圧電デバイスおよび電子機器の最良の実施形態について説明する。図1は圧電デバイスの平面図である。なお図1では、蓋体を取り除いた状態を示している。図2は圧電デバイスの断面図である。図3はICチップの概略断面図である。図4はICチップにおける半導体素子の能動面と絶縁層の表面との平面図である。
図1および図2に示すように、圧電デバイス10は、ICチップ12と圧電振動片30を積層方向に配置してパッケージ32に収容した構成になっている。このICチップ12は、図3に示すように、回路が形成されている半導体素子14と、この半導体素子14の能動面14a(一方の面)の上に設けた絶縁層22とを備えている。
半導体素子14は、圧電振動片30との間で電気信号を入出力して、この電気信号を増幅し、発振させる回路(発振回路)を備えており、外面に内部パッド16を設けている。この内部パッド16には、図4(A)に示すように、能動面14aに設けた再配置配線18が接続している。なお図4(A)に示す一点鎖線は、圧電振動片30を示している。こ
の再配置配線18の一端は、平面視して圧電振動片30と重なる内部パッド16に接続しており、他端は平面視して圧電振動片30と重ならない位置に設けた内部パッド16に接続している。したがって図4(A)に例示する場合では、能動面14aの周縁部を構成する2つの辺(半導体素子14の上辺と下辺)に沿って内部パッド16が設けてあるが、平面視して圧電振動片30と重なる3つの内部パッド16(半導体素子14の下辺に沿ったもの)は、再配置配線18によって能動面14aの周縁部を構成する右辺に沿った位置に引き出されて、圧電振動片30と重ならないようになっている。
また絶縁層22は、能動面14aや内部パッド16、再配置配線18を覆うことのできる絶縁材料で形成されていればよく、例えばポリイミド等の樹脂等で形成できる。この絶縁層22には、図3に示すように、能動面14aに接合する面と外側表面(本実施形態では上面)とを貫通した導通手段20が設けてある。この導通手段20は、平面視して圧電振動片30と重なっていない内部パッド16(再配置配線18の他端)に接合している。したがって図4(A)に示す場合では、能動面14aの上辺に沿った内部パッド16と、右辺に沿った内部パッド16に導通手段20が接合し、導通している。
そして導通手段20が絶縁層22の外側表面に露出した部分には、図3および図4(B)に示すように、ワイヤ28等が接合される再配置パッド24が設けてある。これにより再配置パッド24は、導通手段20および再配置配線18を介して内部パッド16に導通し、または導通手段20を介して内部パッド16に導通する。そして再配置パッド24は、平面視して圧電振動片30に重なっていない。すなわちICチップ12は、再配置配線18や導通手段20、再配置パッド24、絶縁層22を備えることにより、内部パッド16の位置を移し変えている。
また図1および図2に示す圧電振動片30は、電気信号が供給されると振動して発振するものであればよく、例えば、励振電極やマウント電極等の電極パターン(不図示)を圧電素板30aの表面に形成したものであればよい。
またパッケージ32は、パッケージベース34と蓋体48を備えている。パッケージベース34は凹陥部36を備えており、この凹陥部36の側面に階段部38を形成している。パッケージベース34は、例えば、平板の絶縁シートに枠型の絶縁シートを接合して形成すればよい。そしてこの後、枠型の絶縁シートの上面にシームリングを接合して、圧電振動片30を収容するキャビティが形成される。なおキャビティは、シームリングを用いる形態の他に、枠型の絶縁シート(第2枠型絶縁シート)をさらに接合しても形成できるが、蓋体48を接合するにはこの第2枠型絶縁シートの上に接合材を設ける必要がある。この点、キャビティをシームリングで形成すれば、この上に直接に蓋体48を接合できるので、圧電デバイス10を低背化できる。
そして階段部38の上面には、ワイヤ28が接合されるパッド電極40と、圧電振動片30が固着する搭載電極42とが設けてある。この搭載電極42は、図1に示す場合、パッケージベース34に圧電振動片30とICチップ12とを配設しても、圧電振動片30がICチップ12の上面をその上方において完全に覆うことがなく、圧電振動片30と再配置パッド24が平面視して重ならない位置に設けてある。パッド電極40のうちの一部は搭載電極42と導通しており、他のパッド電極40は、パッケージベース34の外面に設けた外部端子44と導通している。
またICチップ12は、再配置パッド24を上方に向けて凹陥部36の底面に固着してある。このICチップ12の再配置パッド24にワイヤ28の一端が接合し、他端がパッド電極40に接合している。また搭載電極42には、導電性接着剤46を用いて圧電振動片30を接合している。このとき圧電振動片30の前記マウント電極が導電性接着剤46に接合している。これにより圧電振動片30は、ICチップ12等を介して、外部端子44と導通する。
なお圧電振動片30は、図1に示すように、搭載電極42の配置位置を前述したように適切に設定し、且つ、ICチップ12に再配置パッド24を設けることにより内部パッド16の位置を変えているので、ワイヤ28と重なることがない。
そしてパッケージベース34の上面に蓋体48が接合して、凹陥部36を気密封止している。
このような圧電デバイス10では、ICチップ12が再配置配線18と再配置パッド24等を備えているので、内部パッド16の位置を自由に変更できる。また搭載電極42を設ける位置についても、圧電振動片30の平面形状や再配置パッド24の位置に合わせて変更できる。このため圧電振動片30の側方にワイヤ28が配置され、圧電振動片30とICチップ12の間にワイヤ28が配置されないので、圧電振動片30とICチップ12との間隔を少なくともワイヤ28のループ高さの分だけ狭くできる。したがって圧電デバイス10を薄型化できる。
また、特に近年では、ICチップ12の小型化が急速に進み、圧電振動片30の平面サイズよりもICチップ12の平面サイズが小さくなっている。ところがICチップ12の平面サイズが小さくなっても、従来の平面サイズの大きなICチップと同じ機能を備えたものであれば、パッドの数が同数必要になる。このときには、従来技術のようにICチップの2つの短辺に沿ってパッドを設けていれば、少なくとも一方の短辺に沿ったパッドの上方に圧電振動片が配置されるので、ワイヤと圧電振動片の接触を防止するために、圧電デバイスが高くなってしまう。この点、本実施形態に係る圧電デバイス10は、ICチップ12に再配置配線18等を設けることで内部パッド16の位置を変更できるので、低背化できる。
またICチップ12は、再配置配線18等を備えることにより、内部パッド16の位置を自由に変更できる。このため半導体素子14の能動面14aのうちのいずれか一辺のみに沿って内部パッド16が設けられない場合でも、再配置パッド24をL字型等に配置すれば、圧電振動片30とICチップ12とが重なる面積をできると共に、圧電振動片30とワイヤ28が重なるのを防止できる。よって圧電デバイス10の平面サイズを小型化できる。
またICチップ12の形状や半導体素子14の能動面14aに設けた内部パッド16の位置には、特に限定がない。このため、ある特定の機能を備えた半導体素子14を1つ製造しておけば、ICチップ12と圧電振動片30の様々な配置に合わせて、再配置配線18等を用いて内部パッド16の位置を変更できるので、半導体素子14(ICチップ12)の汎用性を向上でき、圧電デバイス10の製造コストも低減できる。
なお半導体素子14は発振回路を構成することにより、圧電デバイス10を圧電発振器にすることができる。これにより圧電発振器である圧電デバイス10は、設定された周波数の信号を出力できる。また半導体素子14は、発振回路の他に電圧制御回路や温度補償回路を備えることができる。電圧制御回路は、外部から入力される制御電圧によって発振回路から出力する信号の周波数を可変または変調できるようにしている。この電圧制御回
路を備えた圧電デバイス10は電圧制御型圧電発振器になる。また温度補償回路は、圧電振動片30の周囲温度が変化しても、発振回路から出力される信号の周波数変化を少なくするようにしている。この温度補償回路を備えた圧電デバイス10は温度補償型圧電発振器になる。
また前述した実施形態で説明したICチップ12は、再配置パッド24をL字状に配置した構成である。しかしながら本発明に用いられるICチップ12は、この形態に限定されることはない。すなわち図5に示すように、ICチップ12の上面の周縁部を構成するいずれか1辺に沿って再配置パッド24を設けることもできる。そして図5に示す場合は、ICチップ12をパッケージベース34に配設したときに、搭載電極42から最も離れる位置に再配置パッド24を配置するようにしている。またパッド電極40は、再配置パッド24に対向するように設けている。これにより圧電振動片30とワイヤ28が平面視して重なるのを防止できるので、圧電デバイス10aを低背化できる。
また圧電振動片30の長手方向の側方には、ワイヤ28を配設していない。このため圧電振動片30には、圧電素板30aの幅を広くしたものを用いることができる。圧電素板30aの幅を広くすれば、前記励振電極の面積を大きくできるので、Q値が高くなり、圧電デバイス10aの特性を安定させることができる。
また図6に示すように、ICチップ12の上面の周縁部を構成するいずれか3辺に沿って再配置パッド24を設けることもできる。そして図6に示す場合は、ICチップ12をパッケージベース34に配設したときに、搭載電極42に対向する位置に再配置パッド24を設けず、他に再配置パッド24を設けるようにしている。またパッド電極40は、再配置パッド24に対向するように設けている。そして搭載電極42の上に圧電振動片30を配設した場合は、平面視してコ字型に配置されている再配置パッド24の内側に圧電振動片30が配設される。これにより圧電振動片30とワイヤ28が平面視して重なるのを防止できるので、圧電デバイス10bを低背化できる。
また図7は圧電デバイスの変形例を示しており、図7(A)は概略平面図、図7(B)は概略断面図である。ICチップ12の上面には、再配置パッド24の他に、圧電振動片30が接合する搭載電極(再配置搭載電極50)を設けることができる。この再配置搭載電極50は、絶縁層22を貫通して設けた前記導通手段20によって半導体素子14の能動面14aに設けた内部パッド16と導通している。これにより圧電振動片30は、前述した実施形態のように、パッド電極40およびワイヤ28等を介して内部パッド16に導通することがなくなり、導通の経路が短くなるので、浮遊容量等が発生するのを防止できる。
そしてICチップ12は、これの上面の周縁部を構成する1辺に沿った再配置パッド24を備えており、これらの再配置パッド24がパッケージベース34の短辺に沿うようにパッケージ32に搭載されている。パッド電極40は、再配置パッド24に対向して設けてあり、これらにワイヤ28を接合して導通させている。また圧電振動片30は、再配置搭載電極50の上に塗布した導電性接着剤46によって固着されるが、このとき先端部をワイヤ28とは反対側に向けて配置される。このため圧電振動片30とワイヤ28が平面視して重なることがなく、圧電デバイス10cを低背化できる。
またICチップ12には、発振周波数を調整する素子(周波数調整素子)を設けることもできる。図8は周波数調整素子の説明図である。ここで図8(A)は周波数調整素子であるコンデンサの説明図、図8(B)は周波数調整素子であるコイルの説明図、図8(C)は再配置配線に周波数調整素子を接続した一形態を示す図である。
図8(A)に例示する周波数調整素子60は、櫛歯状に形成した2つの電極64を対向させて、互いの櫛歯を噛み合わせて形成したコンデンサ62である。このような形態にすると、前記能動面14aにコンデンサ62を形成することができる。
また図8(B)に例示する周波数調整素子60は、電極68を渦巻き型に形成したコイル66である。このコイル66の一端は、前記再配置配線18を介して前記内部パッド16に導通し、他方の電極68は、内部パッド16を介して前記導通手段20に導通する。このような形態にすると、前記能動面14aにコイル66を形成することができる。
そして図8(C)は、図8(A)に示すコンデンサ62を能動面14aに設けて内部パッド16に導通させた形態を示している。これによりコンデンサ62の一方の電極64は、再配置配線18を介して内部パッド16に導通し、他方の電極64は、再配置配線18および内部パッド16を介して前記導通手段20に導通する。
なお実施形態よっては、周波数調整素子60であるコンデンサは、能動面14aのみに設けた電極を用いるばかりでなく、積層方向に対向させて設けた電極を用いてもよい。このようなコンデンサは、絶縁層22を2層構造としておき、各絶縁層22の間にコンデンサの一方の電極を配置すると共に、能動面14aにコンデンサの他方の電極を配置して、各電極を対向させることにより形成すればよい。この場合、絶縁層22の間に設けた電極は、導通手段20を介して内部パッド16と再配置パッド24に接続していればよい。また能動面14aに設けた電極は、各絶縁層22を貫通した導通手段20を介して再配置パッド24に接続していればよい。
このような圧電デバイス10は、特に、薄型化が要求されている電子機器に搭載するのに好適となる。したがって圧電デバイス10は、例えば、携帯電話やパーソナルコンピュータ、携帯情報端末等の、制御用のクロック信号を必要とする電子機器等に搭載することができる。ここで圧電デバイス10がディジタル式携帯電話に搭載された場合、圧電デバイス10が前述したような圧電発振器を構成していれば、例えば送受信信号の送信部および受信部を制御する中央演算装置(CPU)に接続される。そして圧電デバイス10の出力周波数を前記CPUに内蔵された所定の分周回路等により、制御内容に適合したクロック信号として利用するようになっている。また圧電デバイス10に前記温度補償回路を搭載して温度補償型圧電発振器とした場合、温度補償型圧電発振器は、例えば前記CPUの出力側に接続されるとともに、前記送信部および前記受信部に接続される。そして環境温度が変化して前記CPUからの基本クロックが変動しても、温度補償型圧電発振器により修正されて、前記送信部および前記受信部に与えられるようになっている。
圧電デバイスの平面図である。 圧電デバイスの断面図である。 ICチップの概略断面図である。 ICチップにおける半導体素子の能動面と絶縁層の表面との平面図である。 第1変形例に係る圧電デバイスの説明図である。 第2変形例に係る圧電デバイスの説明図である。 第3変形例に係る圧電デバイスの説明図である。 周波数調整素子の説明図である。
符号の説明
10………圧電デバイス、12………ICチップ、14………半導体素子、14a………能動面、16…パッド、18………再配置配線、20………導通手段、22………絶縁層、24………再配置パッド、28………ワイヤ、30………圧電振動片、32………パッ
ケージ、34………パッケージベース、40………パッド電極、42………搭載電極、50………再配置搭載電極、60………周波数調整素子。

Claims (5)

  1. 平面視して圧電振動片の少なくとも一部がICチップの一部と重なるように配置された圧電デバイスであって、
    前記ICチップは、
    能動面の平面視して前記圧電振動片と重なる領域に形成された内部パッドと、
    前記能動面上に形成された絶縁層と、
    前記絶縁層上の平面視して前記圧電振動片と重ならない領域に形成され、ワイヤの一端が接続される再配置パッドと、
    前記内部パッドと前記再配置パッドとを電気的に接続する配線であって、前記絶縁層と前記能動面との間に形成された再配置配線、および前記絶縁層の貫通導通手段を有する配線と、
    を備えたことを特徴とする圧電デバイス。
  2. 前記再配置パッドは、前記ICチップの周縁部のうちいずれか1つの辺に隣接して設けたことを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。
  3. 前記絶縁層上に搭載電極を設け、前記搭載電極上に前記圧電振動片を実装したことを特徴とする請求項1または2に記載の圧電デバイス。
  4. 前記再配置配線に発振周波数を調整する周波数調整素子が接続されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の圧電デバイス。
  5. 請求項1ないし4のいずれかに記載の圧電デバイスを搭載したことを特徴とする電子機器。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012129679A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Seiko Epson Corp 圧電発振器
US9444466B2 (en) 2014-03-27 2016-09-13 Seiko Epson Corporation Method of adjusting frequency of resonation device and method of manufacturing resonation device
US9484928B2 (en) 2013-12-24 2016-11-01 Seiko Epson Corporation Oscillator, electronic apparatus, and moving object
JP2017046159A (ja) * 2015-08-26 2017-03-02 日本電波工業株式会社 表面実装型水晶発振デバイス
US9590584B2 (en) 2013-03-27 2017-03-07 Seiko Epson Corporation Resonation device, electronic device, and moving object

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5556342B2 (ja) * 2010-05-07 2014-07-23 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器、gps受信装置及び電子機器
US8717108B2 (en) * 2011-04-12 2014-05-06 The Boeing Company Resonator device
DE102012202727B4 (de) * 2012-02-22 2015-07-02 Vectron International Gmbh Verfahren zur Verbindung eines ersten elektronischen Bauelements mit einem zweiten Bauelement
JP2013243340A (ja) * 2012-04-27 2013-12-05 Canon Inc 電子部品、実装部材、電子機器およびこれらの製造方法
JP6296687B2 (ja) 2012-04-27 2018-03-20 キヤノン株式会社 電子部品、電子モジュールおよびこれらの製造方法。
JP5885690B2 (ja) 2012-04-27 2016-03-15 キヤノン株式会社 電子部品および電子機器
DE102014109264B4 (de) * 2014-07-02 2017-11-16 Snaptrack, Inc. Resonatorschaltung mit erweiterten Freiheitsgraden, Filter mit verbesserter Abstimmbarkeit und Duplexer mit verbesserter Abstimmbarkeit
JP6481276B2 (ja) * 2014-07-18 2019-03-13 セイコーエプソン株式会社 無線通信装置、電子機器及び移動体
US20160307873A1 (en) * 2015-04-16 2016-10-20 Mediatek Inc. Bonding pad arrangment design for semiconductor package
JP6651786B2 (ja) * 2015-10-26 2020-02-19 セイコーエプソン株式会社 発振モジュール、電子機器及び移動体
JP2019102848A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体
JP7027841B2 (ja) * 2017-11-29 2022-03-02 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、電子機器および移動体
JP2019102857A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、電子機器および移動体
JP7013855B2 (ja) 2017-12-26 2022-02-01 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、電子機器および移動体
JP2022181330A (ja) * 2021-05-26 2022-12-08 セイコーエプソン株式会社 電子部品用パッケージ、電子部品、及び発振器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217476A (ja) * 1999-11-25 2001-08-10 Seiko Epson Corp 圧電デバイス
JP2003037441A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Seiko Epson Corp 圧電デバイス及び電子機器
JP2004015441A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器
JP2006020140A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Seiko Epson Corp 圧電発振器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6204074B1 (en) * 1995-01-09 2001-03-20 International Business Machines Corporation Chip design process for wire bond and flip-chip package
US7319277B2 (en) * 2003-05-08 2008-01-15 Megica Corporation Chip structure with redistribution traces
JP3880572B2 (ja) * 2003-10-31 2007-02-14 沖電気工業株式会社 半導体チップ及び半導体装置
US7394161B2 (en) * 2003-12-08 2008-07-01 Megica Corporation Chip structure with pads having bumps or wirebonded wires formed thereover or used to be tested thereto
JP2006013681A (ja) * 2004-06-23 2006-01-12 Seiko Epson Corp 圧電発振器および圧電発振器用パッケージ
US7339309B2 (en) * 2004-09-14 2008-03-04 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface mount crystal oscillator
US7397121B2 (en) * 2005-10-28 2008-07-08 Megica Corporation Semiconductor chip with post-passivation scheme formed over passivation layer
US8420520B2 (en) * 2006-05-18 2013-04-16 Megica Corporation Non-cyanide gold electroplating for fine-line gold traces and gold pads
US8035454B2 (en) * 2009-03-09 2011-10-11 Micro Crystal Ag Oscillator device comprising a thermally-controlled piezoelectric resonator

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217476A (ja) * 1999-11-25 2001-08-10 Seiko Epson Corp 圧電デバイス
JP2003037441A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Seiko Epson Corp 圧電デバイス及び電子機器
JP2004015441A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器
JP2006020140A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Seiko Epson Corp 圧電発振器

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012129679A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Seiko Epson Corp 圧電発振器
US9590584B2 (en) 2013-03-27 2017-03-07 Seiko Epson Corporation Resonation device, electronic device, and moving object
US9484928B2 (en) 2013-12-24 2016-11-01 Seiko Epson Corporation Oscillator, electronic apparatus, and moving object
US9893733B2 (en) 2013-12-24 2018-02-13 Seiko Epson Corporation Oscillator, electronic apparatus, and moving object
US9444466B2 (en) 2014-03-27 2016-09-13 Seiko Epson Corporation Method of adjusting frequency of resonation device and method of manufacturing resonation device
JP2017046159A (ja) * 2015-08-26 2017-03-02 日本電波工業株式会社 表面実装型水晶発振デバイス

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Publication number Publication date
JP5115258B2 (ja) 2013-01-09
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