JP2009217133A - 高調波発生素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高調波発生素子11は、支持基板2、強誘電性単結晶のX板またはオフセットX板からなり、周期分極反転構造が設けられたチャンネル型光導波路24を備えている波長変換層3、波長変換層3の底面3bと支持基板2とを接着する下地接着層21、波長変換層3の上面3a側に設けられている上側基板5、波長変換層3と上側基板5とを接着する上側接着層21、および光導波路24の近傍に設けられている導電膜10を備えている。
【選択図】 図2
Description
支持基板、
強誘電性単結晶のX板またはオフセットX板からなり、周期分極反転構造が設けられたチャンネル型光導波路を備えている波長変換層、
この波長変換層と前記支持基板とを接着する下地接着層、
波長変換層の上面側に設けられている上側基板、
波長変換層と前記上側基板とを接着する上側接着層、および
チャンネル型光導波路の近傍に設けられている導電膜
を備えていることを特徴とする。
(1) スパッタ法によって、上側基板の底面や支持基板の上面に金属薄膜を形成する。
(2) 導電性ペーストを上側基板の底面や支持基板の上面に印刷等で塗布し、焼き付ける。
(3) 上側基板の底面や支持基板の上面に導電性テープを貼る。
また、波長変換層3と支持基体1、上側基板5との間に接着剤のシートを介在させ、接合することができる。好ましくは、熱硬化性、光硬化性あるいは光増粘性の樹脂接着剤からなるシートを、波長変換層3と支持基体1、上側基板5との間に介在させ、シートを硬化させる。このようなシートとしては、10μm以下のフィルム樹脂が適当である。
図2に示すような素子11を作製した。具体的には、厚さ0.5mmのMgO5%ドープニオブ酸リチウム5度オフカットY基板上に、周期6.6μmの周期分極反転構造を形成した。厚さ0.5mmのノンドープニオブ酸リチウム基板に接着剤(アクリル系接着剤)を塗布した後、前記のMgOドープニオブ酸リチウム基板2と貼り合せ、MgOドープニオブ酸リチウム基板の表面を厚さ3.7μmとなるまで研削、研磨し、薄板を得た。次いで、レーザーアブレーション加工法により、この薄板にリッジ構造4(光導波路24)を形成した。光導波路の形成後、厚さ0.5umのSiO2オーバークラッドをスパッタ法によって成膜した。
実施例1と同様にして、図2の素子11を作製した。ただし、実施例1とは異なり、アルミニウム膜10によって上側基板の底面5aのうち90%を被覆した。
実施例1と同様にして、図2の素子11を作製した。ただし、実施例1とは異なり、アルミニウム膜10によって上側基板の底面5aのうち80%を被覆した。
実施例1と同様にして、図1の素子1を作製した。実施例1とは異なり、アルミニウム膜10を設けなかった。
20 上側接着層 21 下地接着層
Claims (3)
- 支持基板、
強誘電性単結晶のX板またはオフセットX板からなり、周期分極反転構造が設けられたチャンネル型光導波路を備えている波長変換層、
この波長変換層と前記支持基板とを接着する下地接着層、
前記波長変換層の上面側に設けられている上側基板、
前記波長変換層と前記上側基板とを接着する上側接着層、および
前記チャンネル型光導波路の近傍に設けられている導電膜
を備えていることを特徴とする、高調波発生素子。 - 前記導電膜が前記上側基板の底面に形成されていることを特徴とする、請求項1記載の高調波発生素子。
- 前記導電膜が前記支持基板の上面に形成されていることを特徴とする、請求項1または2記載の高調波発生素子。
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