JP2009216657A - ジャイロセンサの製造方法 - Google Patents
ジャイロセンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009216657A JP2009216657A JP2008063028A JP2008063028A JP2009216657A JP 2009216657 A JP2009216657 A JP 2009216657A JP 2008063028 A JP2008063028 A JP 2008063028A JP 2008063028 A JP2008063028 A JP 2008063028A JP 2009216657 A JP2009216657 A JP 2009216657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vibrator
- gyro sensor
- insulating layer
- layer
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Gyroscopes (AREA)
Abstract
【解決手段】 支持基板11上に絶縁層35と、金属からなる台座部13を形成する。次に、平坦化された台座部13の上面13a及び絶縁層35の上面35bにSi基板38を接合する。次に、Si基板38を振動子形状に加工する。次に絶縁層35を除去する。これにより従来に比べて振動子12と台座部13間の位置ずれ等を抑制でき、出力感度のばらつきを抑制できるジャイロセンサを簡単且つ適切に形成できる。
【選択図】図8
Description
従来では、図11に示すように、支持基板1上に形成された凸形状の台座部2上に樹脂や特許文献1及び特許文献2のように金バンプ等の接合部材3を設けた状態で、振動子4の基部4aを台座部2上に位置決めして固定していた(ダイボンディング)。
(B) 平坦化面である前記台座部の上面及び前記絶縁層の上面に振動子材を接合する工程、
(C) 前記振動子材を振動子形状に加工する工程、
(D) 前記絶縁層を除去する工程。
(A−1) 前記支持基板上に前記絶縁層を成膜し、あるいは前記支持基板表面を酸化して前記絶縁層を形成する工程、
(A−2) 前記絶縁層の一部を除去し、除去された凹部内に金属からなる前記台座部を埋める工程。
本発明では、前記台座部を、Ni,Au,Pt,Mo,W,Co,Ru,Ir,Pd,Agのうちいずれか1種又は2種以上で形成することが好ましい。これにより、特にフッ酸を用いた等方性エッチングに対して優れた耐エッチング性を発揮する。
11 支持基板
12 振動子
13 台座部
14 圧電機能素子
15、16 アーム部
17 基部
18、19 駆動部
18a、19a、20a 下部電極
18b、19b、20b、26 圧電膜
18c、19c、20c 上部電極
20 検出部
21、22、23、24 電極パッド
25 共通グランド
30 枠体
35 絶縁層(犠牲層)
36 Ni層
37、39 Au層
38 Si基板
40 酸化絶縁層
Claims (11)
- 支持基板上に台座部を介して振動子の基部が接合されてなるジャイロセンサの製造方法において、以下の工程を有することを特徴とするジャイロセンサの製造方法。
(A) 支持基板上に絶縁層と、(C)工程で形成される振動子の基部下の位置に金属からなる台座部を形成する工程、
(B) 平坦化面である前記台座部の上面及び前記絶縁層の上面に振動子材を接合する工程、
(C) 前記振動子材を振動子形状に加工する工程、
(D) 前記絶縁層を除去する工程。 - 前記(A)工程を以下の工程により行う請求項1記載のジャイロセンサの製造方法。
(A−1) 前記支持基板上に前記絶縁層を成膜し、あるいは前記支持基板表面を酸化して前記絶縁層を形成する工程、
(A−2) 前記絶縁層の一部を除去し、除去された凹部内に金属からなる前記台座部を埋める工程。 - 前記台座部の上面及び前記絶縁層の上面をCMP技術を用いて平坦化処理する請求項1又は2に記載のジャイロセンサの製造方法。
- 前記絶縁層をSiO2で形成する請求項1ないし3のいずれかに記載のジャイロセンサの製造方法。
- 前記台座部を、Ni,Au,Pt,Mo,W,Co,Ru,Ir,Pd,Agのうちいずれか1種又は2種以上で形成する請求項1ないし4のいずれかに記載のジャイロセンサの製造方法。
- 前記(B)工程で、前記振動子材であるSi基板を、前記台座部の上面及び前記絶縁層の上面に接合する請求項1ないし5のいずれかに記載のジャイロセンサの製造方法。
- 前記(B)工程と前記(C)工程の間に以下の工程を有する請求項6記載のジャイロセンサの製造方法。
(E) 平坦な前記Si基板上に下から下部電極、圧電膜、及び上部電極の順に積層して成り、駆動部及び検出部を備える圧電機能素子を形成する工程。 - 前記振動子材の裏面に金属層を形成し、前記(B)工程で、前記金属層と前記台座部とを金属接合する請求項1ないし7のいずれかに記載のジャイロセンサの製造方法。
- 少なくとも前記台座部の表面層にAu層を形成し、前記金属層をAuで形成し、前記台座部のAu層と、Auからなる前記金属層とを金属接合する請求項8記載のジャイロセンサの製造方法。
- 前記(C)工程で、前記振動子材を振動子形状と前記振動子形状の周囲を囲む枠形状に加工して、前記振動子の周囲に枠体を設ける請求項1ないし9のいずれかに記載のジャイロセンサの製造方法。
- 前記(C)工程で、少なくとも2つのアーム部と、これらアーム部を連結する基部とを備える音叉型振動子を形成する請求項1ないし10のいずれかに記載のジャイロセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008063028A JP5306674B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | ジャイロセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008063028A JP5306674B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | ジャイロセンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009216657A true JP2009216657A (ja) | 2009-09-24 |
JP5306674B2 JP5306674B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=41188657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008063028A Expired - Fee Related JP5306674B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | ジャイロセンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5306674B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1062177A (ja) * | 1996-08-15 | 1998-03-06 | Murata Mfg Co Ltd | 角速度検出装置 |
JP2000321073A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Alps Electric Co Ltd | ジャイロスコープとその製造方法 |
JP2005308608A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法、及び圧電発振器 |
JP2007285879A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | 角速度センサおよびその製造方法 |
-
2008
- 2008-03-12 JP JP2008063028A patent/JP5306674B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1062177A (ja) * | 1996-08-15 | 1998-03-06 | Murata Mfg Co Ltd | 角速度検出装置 |
JP2000321073A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Alps Electric Co Ltd | ジャイロスコープとその製造方法 |
JP2005308608A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法、及び圧電発振器 |
JP2007285879A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | 角速度センサおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5306674B2 (ja) | 2013-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9511996B2 (en) | Methods of forming semiconductor structures including MEMS devices and integrated circuits on common sides of substrates, and related structures and devices | |
JP3875240B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
US8754490B2 (en) | Element array with a plurality of electromechanical conversion devices | |
JP2013014001A (ja) | Memsデバイス、及び介在物、並びにmemsデバイス、及び介在物を統合するための方法 | |
JP5177015B2 (ja) | パッケージドデバイスおよびパッケージドデバイス製造方法 | |
US9481566B2 (en) | Methods of forming semiconductor structures including MEMS devices and integrated circuits on opposing sides of substrates, and related structures and devices | |
JP2010171422A (ja) | Memsセンサおよびmemsセンサの製造方法 | |
US20040065638A1 (en) | Method of forming a sensor for detecting motion | |
JP4640459B2 (ja) | 角速度センサ | |
JP2011038779A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5023734B2 (ja) | 圧電振動片の製造方法及び圧電振動素子 | |
JP5451396B2 (ja) | 角速度検出装置 | |
JP2010117265A (ja) | Memsセンサの製造方法 | |
JP2007078439A (ja) | 容量検出型センサ素子 | |
JP5306674B2 (ja) | ジャイロセンサの製造方法 | |
JP2008224628A (ja) | 角速度センサ及び電子機器 | |
JP2009216658A (ja) | ジャイロセンサの製造方法 | |
JP2009264886A (ja) | ジャイロセンサ素子及びその製造方法 | |
JP2010091351A (ja) | Memsセンサの製造方法 | |
JP2005227110A (ja) | 振動型ジャイロセンサ素子の製造方法及び振動型ジャイロセンサ素子 | |
JP2010014618A (ja) | 角速度センサ及びその製造方法 | |
JP4367111B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
JP4561352B2 (ja) | 微小電気機械デバイスの製造方法 | |
JP2010156577A (ja) | Memsセンサおよびmemsセンサの製造方法 | |
JP2010117247A (ja) | Memsセンサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120711 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120906 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130618 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130626 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5306674 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |