JP2009204182A - 熱交換器 - Google Patents

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Abstract

【課題】フィンピッチを小さくしても伝熱性能が高く先端効果が期待でき、目詰まりしにくいインナフィンを持つ熱交換器を得る。
【解決手段】山部22と谷部23が交互に紙面奥行き方向に並び熱媒体となる冷却水が左から右に流れるストレートフィンを持つ熱交換器において、谷部23側から切り起こした谷部オフセット部30を山部の頂上22aと、谷部23の底23aとの実質的に中間に設けることにより、谷部オフセット部30の先端により先端効果を発揮すると共に、フィンピッチを極端に小さくしなくても熱伝導がよく加工の容易な熱交換器が得られる。谷部オフセット部30の谷部フィン欠如部30cの無い山部22の頂上22a側を発熱体となるインバータのパワーカードの如き半導体装置側に配置すれば、より良好な熱伝導が得られる。
【選択図】図5

Description

この発明は管内に線状の山部と谷部を持つインナフィンを配した熱交換器に関するものである。
現在流動中のハイブリッド電気自動車用の主機インバータについては、今後コストダウンを狙いとして、小型化や、半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカードの枚数削減が要求されている。このことは、パワーカード1枚当たりの発熱密度が大きくなる事に等しく、熱交換器となる冷却器の高性能化が求められる。しかしながら冷却器としてはコストアップ抑制のため既存設備流用ができる範囲での小改良にとどまることが求められており、高性能化には制限がある。また、インバータ側から考えても、搭載制約から小改良しかできない。
外形形状未変更で性能向上が期待できる部位として冷却器のインナフィンがある。伝熱面積は冷却性能に比例するためフィンピッチの細密化が最も効果のある手法であり、試算上は70%性能向上が可能な仕様も製造可能である。しかし、フィンピッチ細密化は以下の問題を抱えている。第1に、防食設計上、インナフィン両面へのろう材配置が必須であるため、流路隙間が小さいと、ろう材による詰まりが心配されるというろう付けによるフィン目詰まりの問題がある。第2に、冷却回路内で生じた切粉や腐食生成物等の異物が、フィンピッチが細密化されたインナフィンに詰まるという問題がある。
また従来の伝熱促進技術としてオフセットフィンを開示した特許文献1記載のものが知られている。また図12のようなスリットフィンも知られている。これらは一部切断部や壁からなるスリット50を流路内に設ける事で、フィンの先端効果による流れ攪乱を狙ったものである。しかし、これにも前述の冷却器で使用するには以下の問題があり性能向上は期待できない。
特開平5−272845号公報
特許文献1記載のオフセットフィンの場合は、図13の断面図で示すように、1.89mm位であるフィンの山部の高さ51との関係から、現状のフィンピッチである2.1mm位よりも、フィンピッチ52(山部又は谷部の所定位置と隣接する次の山部又は谷部の所定位置までの寸法)を大きく取らないと成形ができない。これでは、伝熱面積が小さくなり元々流路幅53が小さいために管内流速も小さいこともあり、先端効果によるメリットは殆ど発揮できないという問題点がある。また、図12のスリットフィンも先端効果を狙ったものであるが、そもそも流れが遅いことからオフセットフィンより流れが更に乱れることが期待しづらく、スリット50を入れることで伝熱面積を減らしてしまう分、性能は向上しないという問題点がある。
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、伝熱面積を減らすことなくフィンの先端効果が見込める構造、更には目詰まりを起さない新しいインナフィンの形状も持った、線状の山部と谷部を持つインナフィンを配した熱交換器を提供することを目的とする。
この発明は、管内に線状の山部と谷部とを持つインナフィンを配した熱交換器において、前記インナフィンの少なくとも山部または谷部に前記インナフィンの長さ方向において任意の長さで所定ピッチ隔てて切欠部を設け、該切欠部は前記山部の高さ以下の範囲で、かつ前記インナフィンの高さ方向にオフセットするように切り起こされてオフセット部を構成していることを特徴とする。
これにより、フィンピッチを大きく取らないと成形が出来ないという前述のオフセットフィンのような問題が無く、また、スリットを打ち抜いてしまうわけではないので、伝熱面積を減らすことが無い。また現状のフィンの高さ1.89mm程度でも成形可能であり、流路幅も大きくとれ管内流速も大きく先端効果が期待でき、目詰まりもしにくい。
また、前記管は伝熱部材に密接しており、前記インナフィンは前記オフセット部の無い側が前記伝熱部材側となるように設けられていることを特徴とする。このように、オフセット部の無い側が前記伝熱部材側となることにより、インナフィンと伝熱部材との間の伝熱面積を大きくすることが出来、伝熱性能が良い。
また、前記伝熱部材は半導体装置からなり、前記管は内部が中間プレートによって2室に区分され、この各室ごとに前記インナフィンが設けられており、前記オフセット部が前記中間プレート側に位置するように配設されていることを特徴とする。このように、オフセット部が前記中間プレート側であるため、オフセット部の無い方が半導体装置側となり半導体装置との間の伝熱面積を大きくすることが出来、伝熱性能が良い。
また、内部に熱媒体が流れる管内に配設され前記熱媒体の流れと交わる方向に山部と谷部が形成されたインナフィンを備え、前記インナフィンは前記熱媒体の流れ方向に沿って線状に形成されたフィンからなり、
前記フィンの谷部には該フィンの長手方向に所定のピッチで切り起こした所定長さの谷部オフセット部が前記熱媒体の流れ方向に隣接する前記谷部より高く前記熱媒体の流れ方向に交わる方向に隣接する前記山部よりも低く形成されており、前記谷部オフセット部の前記熱媒体の流れ方向の両端部に切り欠いて形成された谷部開口部と該谷部開口部間に位置する谷部フィン欠如部が形成されていることを特徴とする。
これにより、フィンピッチを大きく取らないと成形が出来ないという前述のオフセットフィンのような問題が無く、また、スリットを打ち抜いてしまうわけではないので、伝熱面積を減らすことが無い。また現状のフィンの高さ1.89mm程度でも成形可能であり、流路幅も大きくとれ管内流速も大きく先端効果が期待でき、目詰まりもしにくい。
また、前記管は伝熱部材に密接しており、前記フィンの前記山部の表面が同一の面上に位置し、この面上に伝熱部材の表面が隣接していることを特徴とする。これにより伝熱部材の表面が前記山部の同一の面上に密接しているので伝熱性能が向上する。
また、前記管は伝熱部材に密接しており、前記インナフィンは前記谷部フィン欠如部の無い側が前記伝熱部材側となるように設けられていることを特徴とする。このように、前記谷部フィン欠如部の無い側が前記伝熱部材側となるように設けることにより、熱伝導が谷部フィン欠如部で妨げられることが無いので、良好な熱伝導が可能になる。
また、前記フィンの山部には該フィンの長手方向に所定のピッチで切り起こした所定長さの山部オフセット部が前記熱媒体の流れ方向に隣接する前記山部より低く前記熱媒体の流れ方向に交わる方向に隣接する前記谷部よりも高く形成されており、前記山部オフセット部の前記熱媒体の流れ方向の両側に切り欠いて形成された山部開口部と該山部開口部間に位置する山部フィン欠如部が形成されていることを特徴とする。このように谷部オフセット部のみでなく、山部オフセット部をも形成することにより、先端効果が増す。なお、先端効果とは、流れの中におかれた固体の先端部では、温度傾斜が大きく、熱伝導率が高くなるという効果であり、前縁効果とも呼ばれる。
また、伝熱部材は半導体装置からなり、この半導体装置はインバータのパワーカードからなり、前記管内に前記パワーカードの長手方向と平行に配設され前記管内を前記熱媒体が流れる2つの室に分離する中間プレートを有し、前記インナフィンは前記各室内に配設されていることを特徴とする。
また、前記谷部オフセット部又は前記山部オフセット部は前記中間プレート側から切り起こして形成され前記山部フィン欠如部又は前記谷部フィン欠如部が前記中間プレート側に位置していることを特徴とする。これにより、山部フィン欠如部又は前記谷部フィン欠如部の無い方が半導体装置側となるので熱伝導が山部フィン欠如部又は前記谷部フィン欠如部に妨げられることが少ない。
(第1実施形態)
まず、第1実施形態の構成について説明する。図1は、ハイブリッド電気自動車用の主機インバータの冷却器をなす熱交換器1である。熱媒体となる冷却水が入口15から出口16に流れ、インバータのパワーカード(パワーモジュール)17a、17b(総称してパワーカード17という)が、積層された管18a、18b(総称して管18という)の間に配設されているパラレルフロー型の積層型熱交換器1を構成している。なお、パワーカード17は主に図示しないパワー素子、ダイオード素子、端子、絶縁板、放熱板、およびモールド樹脂等で形成されている。
熱交換器1は入口側管路15aと出口側管路間16bを複数の平行の管18で結んだもので、この管18の2−2断面を図2に、図2の3−3断面を図3に示している。なお、図2は中間プレートを除去してインナフィン21の平面が見えるように図示している。チューブ状の平行の管18はパワーカード17の両側を挟みこみ、各管18内には中間プレート20が設けられている。中間プレート20は各管18内を2室に分割しており、中間プレート20の両側にインナフィン21が夫々配設されている。インナフィン21は図2に示すように、各パワーカード17の放熱板の側面に合致するように2枚直列に管18の長手方向に並んで設けられており、直線状に山部と谷部が並んだストレートフィンを形成している。
図4は一枚のインナフィン21の一部拡大平面図であり、線状の山部22と谷部23を持ち、インナフィン21の谷部23に前記インナフィン21の長さ方向において所定ピッチ25隔てて切欠部26が設けられている。図5は矢視5−5断面部であり、切欠部26は前記山部22の高さ27以下の範囲で、かつ前記インナフィン21の高さ方向にオフセットするように谷部23から切り起こされて谷部オフセット部30として構成されている。
図3のように管18は伝熱部材をなすパワーカード17の側面に密接しており、前記インナフィン21は前記谷部オフセット部30の無い山部22の頂上22a側がパワーカード17側となるように設けられており、谷部オフセット部30の谷部フィン欠如部30cが中間プレート20側に位置するように配設されている。
管18内を流れる熱媒体となる冷却水は図2の左から右方向に矢印のように流れ、この流れと交わる方向に山部22と谷部23が交互に形成され、前記インナフィン21は前記冷却水の流れ方向に沿って線状に形成されたフィンであるため、冷却水は山部22と谷部23の長手方向と平行に流れる。
インナフィン21の谷部23には該フィン21の長手方向に所定のピッチ25で切り起こした所定長さの谷部オフセット部30が冷却水の流れ方向に隣接する前記谷部より高く、かつ、冷却水の流れ方向に交わる方向に隣接する山部よりも低く形成されている。つまりインナフィンの図4中矢視5−5断面図である図5に示すように、谷部23から切り起こされた谷部オフセット部30は山部22の頂上22aと谷部23の底23aのほぼ中間に位置する(中間を50%として30から70%の高さ内に位置する)。つまり1/2フィンだけ谷部をオフセットさせている。この形状であれば伝熱面積は従来と変わらずオフセットによる先端効果が得られるので性能向上が可能となる。
谷部オフセット部30の冷却水の流れ方向の両端部に切り欠いて形成された谷部開口部30a、30bと該谷部開口部30a、30b間に位置する谷部フィン欠如部30cが形成されている。また、この谷部フィン欠如部30cが設けられていない山部22の頂上22aの表面が同一の面上に位置し、この面上に伝熱部材となるパワーカード17の表面が隣接している。このように管18はパワーカード17に密接しており、前記インナフィン21は前記谷部フィン欠如部30cの無い側がパワーカード17側となるように設けられているからインナフィン21を介して熱がパワーカード17に良好に伝わる。
図6はインナフィン21の図4中矢印6方向から見た左側面図であり山部22と谷部23が冷却水の流れと直角に交わる方向に交互に設けられており、右側が山部22、左側が谷部23の位置に相当する。60は流路許容長さであり0.9mmに設定されており、目詰まりをなくすために、この程度の寸法が必要である。61はフィンの高さであり1.89mmである。また図7はインナフィン21の斜視図であり山部22側が上になるように図示している。
(第2実施形態)
次に、第2実施形態について第1実施形態と異なる点を説明する。第1実施形態では中間プレート側の谷部のみオフセットさせたが、この場合、先端効果はインナフィン全体の1/2しか得られない。つまり流路の半分は従来のフィンと変わりが無い。パワーカードの表面に隣接する部分が減ったとしても、そもそもインナフィンの材料であるアルミニウムの熱伝導性を考えると第1実施形態のような配慮は不要な場合もある。これを踏まえて、第2実施形態では、冷却水の流れ方向に所定ピッチで山部方向、谷部方向の両方向から夫々交互にオフセットさせるものである。
図8はストレートフィン21の一部拡大平面図、図9は矢視9−9断面図、図10は矢視10−10断面図、図11は図8中矢印11方向からみた左側面図である。ストレートフィン21の山部22には該ストレートフィン21の長手方向に所定のピッチ40(図9)で切り起こした所定長さの山部オフセット部45が山部22の頂上22aより低く冷却水の流れ方向に交わる方向に隣接する谷部23の底23aよりも高く形成されている。
よって、このインナフィン21には谷部オフセット部30以外に山部オフセット部45も有し、冷却水の流れる向きに沿って谷部オフセット部30と山部オフセット部45とが交互に千鳥配列されている。また冷却水の流れる向きに直角方向に谷部オフセット部30が各谷部23毎に一列に並んでおり、山部オフセット部45も各山部22毎に一列に並んでいる。そして冷却水の流れ方向の両側に切り欠いて形成された山部開口部45a、45bと該山部開口部45a、45b間に位置する山部フィン欠如部45cが形成されている。この場合、中間プレート20は山部フィン欠如部45cと谷部フィン欠如部の30cの合計の欠如面積が多いほうに設ければ良い。
(他の実施形態)
上記各実施形態の熱交換器はインバータの半導体製パワーモジュールであるパワーカードの冷却に使用したが、他の半導体装置や発熱源の冷却にも使えることは勿論である。また、放熱器としても利用できる。更に伝熱部材は半導体装置の放熱板のような固体に限らず、空気のような気体であっても良い。更にインナフィンの材質はアルミニウムに限らず、熱伝導がよく硬いものが良い。
本発明の第1実施形態におけるインバータ用熱交換器の正面図である。 第1実施形態における図1中矢視2−2縦断面図である。 第1実施形態における図2中矢視3−3断面図である。 第1実施形態に使用したインナフィンの一部拡大平面図である。 第1実施形態におけるインナフィンの図4中矢視5−5断面図である。 第1実施形態におけるインナフィンの図4中矢印6方向から見た左側面図である。 第1実施形態におけるインナフィンの斜視図である。 第2実施形態に使用したインナフィンの一部拡大平面図である。 第2実施形態におけるインナフィンの図8中矢視9−9断面図である。 第2実施形態におけるインナフィンの図8中矢視10−10断面図である。 第2実施形態におけるインナフィンの図8中矢印11方向から見た左側面図である。 従来のスリットフィンの一部斜視図である。 従来のオフセットフィンの一部断面図である。
符号の説明
17 インバータのパワーカード
18 管
20 中間プレート
21 インナフィン
22 山部
23 谷部
26 切欠部
30 谷部オフセット部
45 山部オフセット部

Claims (10)

  1. 管内に線状の山と谷を持つインナフィンを配した熱交換器において、前記インナフィンの少なくとも山部または谷部に前記インナフィンの長さ方向において任意の長さで所定ピッチ隔てて切欠部を設け、該切欠部は前記山部の高さ以下の範囲で、かつ前記インナフィンの高さ方向にオフセットするように切り起こされてオフセット部を構成していることを特徴とする熱交換器。
  2. 前記管は伝熱部材に密接しており、前記インナフィンは前記オフセット部の無い側が前記伝熱部材側となるように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の熱交換器。
  3. 前記伝熱部材は半導体装置からなり、前記管は内部が中間プレートによって2室に区分され、この各室ごとに前記インナフィンが設けられており、前記オフセット部が前記中間プレート側に位置するように配設されていることを特徴とする請求項1または2に記載の熱交換器。
  4. 内部に熱媒体が流れる管、
    前記管内に配設され前記熱媒体の流れと交わる方向に山部と谷部が形成されたインナフィンを備え、
    前記インナフィンは前記熱媒体の流れ方向に沿って線状に形成されたフィンからなり、
    前記フィンの前記谷部には該フィンの長手方向に所定のピッチで切り起こした所定長さの谷部オフセット部が前記熱媒体の流れ方向に隣接する前記谷部より高く前記熱媒体の流れ方向に交わる方向に隣接する前記山部よりも低く形成されており、
    前記谷部オフセット部の前記熱媒体の流れ方向の両端部に切り欠いて形成された谷部開口部と該谷部開口部間に位置する谷部フィン欠如部が形成されていることを特徴とする熱交換器。
  5. 前記管は伝熱部材に密接しており、前記フィンの前記山部の表面が同一の面上に位置し、この面上に伝熱部材の表面が隣接していることを特徴とする請求項4に記載の熱交換器。
  6. 前記管は伝熱部材に密接しており、前記インナフィンは前記谷部フィン欠如部の無い側が前記伝熱部材側となるように設けられていることを特徴とする請求項4または5に記載の熱交換器。
  7. 前記フィンの山部には該フィンの長手方向に所定のピッチで切り起こした所定長さの山部オフセット部が前記熱媒体の流れ方向に隣接する前記山部より低く前記熱媒体の流れ方向に交わる方向に隣接する前記谷部よりも高く形成されており、
    前記山部オフセット部の前記熱媒体の流れ方向の両側に切り欠いて形成された山部開口部と該山部開口部間に位置する山部フィン欠如部が形成されていることを特徴とする請求項4ないし6いずれか一項に記載の熱交換器。
  8. 前記伝熱部材は半導体装置から成ることを特徴とする請求項4ないし7のうちいずれか一項に記載の熱交換器。
  9. 前記半導体装置はインバータのパワーカードからなり前記管内に前記パワーカードの長手方向と平行に配設され前記管内を前記冷媒が流れる2つの室に分離する中間プレートを有し、前記インナフィンは前記各室内に配設されていることを特徴とする請求項8に記載の熱交換器。
  10. 前記谷部オフセット部又は前記山部オフセット部は前記中間プレート側から切り起こして形成され前記山部フィン欠如部又は前記谷部フィン欠如部が前記中間プレート側に位置していることを特徴とする請求項9に記載の熱交換器。
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