JP2009200211A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】閾値電圧が互いに異なる2つのトランジスタが同一半導体基板上に形成された半導体装置において、トランジスタのゲート電極は、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された、第2金属を含み第1金属を主成分とする金属層とを含み、更に、一方のトランジスタが、ゲート絶縁膜と金属層との間に、第2金属の酸化膜を含む。
【選択図】図1
Description
F. Ootsuka, et. al., "Full Metal-Gate Integration of Dual-Metal-Gate HfSON CMOS Transistors by Using Oxidation-Free Dummy-Mask Process", SSDM2006. pp.1116
一方、仕事関数の異なる金属材料からゲート電極を作製する方法では、導電型の異なるMOSFETには適用できるが、同一導電型のMOSFETで異なる閾値電圧をもたせることが困難であるという問題があった。あえて、同一導電型のMOSFETのゲート電極を、異なる金属材料から形成した場合、製造工程が複雑化するとともに、製造コストが高くなり、現実的ではなかった。
図1は、全体が100で表される、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の断面図である。半導体装置100は、同一半導体基板1の上に、閾値電圧(Vt)の異なる、同一導電型のチャネル領域を有する第1半導体素子10、第2半導体素子20が、それぞれ形成されている。
また、第2半導体素子20は、ゲート絶縁膜4、金属層5、低抵抗金属層6、およびゲート絶縁膜4と金属層5との間に設けられた金属酸化膜15を含む。また、ゲート電極11を挟むように、ソース/ドレイン領域8が設けられている。
半導体素子のチャネル領域がp型チャネル領域を有する場合、第1金属は、例えばRu、Ir、Pt、Pd、Re、W、Mo、Ni、TiおよびCoから選択される金属からなる。また、第2金属は、例えばAlからなる。Al以外にTi、Ta、もしくはランタノイド系(La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、En、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)等の希土類金属を用いても構わない。
一方、半導体素子のチャネル領域がn型の場合、第1金属は、例えば、Al、Ga、In、Tl、Rb、Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nb、TaおよびMn等からなり、第2金属は、例えばMg、Li、Be、Ca、Srまたは上記ランタノイド系の希土類金属からなる。
例えば、図2(d)において、ゲート電極11の上、または第1半導体素子10の上を覆うように、光反射膜を形成しても構わない。光反射膜は、例えばSiON等からなる。
実施の形態1では、第2半導体素子20の、ゲート絶縁膜4と金属層5との間に金属酸化膜15が形成されたが、半導体層2とゲート絶縁膜4との間に金属酸化膜15が形成される場合もある。例えば、ゲート絶縁膜4にHfSiOを用いた場合、金属層5中の第2金属Alは、熱処理工程でゲート絶縁膜4中を移動し、ゲート絶縁膜4の下面に金属酸化膜(AlOx)を形成する。このような金属酸化膜の形成によっても、閾値電圧を変えることが可能となる。
なお、半導体層2の表面にシリコン酸化膜がある場合、シリコン酸化膜とゲート絶縁膜4との間に金属酸化膜15が形成されることとなる。
実施の形態1、2では、第1金属を主成分とする金属層5中に含まれるAl等の第2金属から金属酸化膜15が形成されたが、第2金属は、ゲート絶縁膜4中に拡散した状態で、ゲート絶縁膜4中に含まれても良い。例えば、ゲート絶縁膜4にHfSiONを用いた場合、金属層5中の第2金属Mgは、熱処理工程でゲート絶縁膜4中に拡散した状態でゲート絶縁膜4中に含まれる。このようなゲート絶縁膜4の形成によっても、閾値電圧を変えることが可能となる。
6 低抵抗金属層、7 サイドウォール、8 ソース/ドレイン領域、9 層間絶縁層、11 ゲート電極、15 金属酸化膜、21 ゲート電極、100 半導体装置。
Claims (17)
- 閾値電圧が互いに異なる2つのトランジスタが同一半導体基板上に形成された半導体装置であって、
該トランジスタのゲート電極は、該半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された、第2金属を含み第1金属を主成分とする金属層とを含み、
更に、一方のトランジスタが、該ゲート絶縁膜と該金属層との間に、該第2金属の酸化膜を含むことを特徴とする半導体装置。 - 閾値電圧が互いに異なる2つのトランジスタが同一半導体基板上に形成された半導体装置であって、
該トランジスタのゲート電極は、該半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された、第2金属を含み第1金属を主成分とする金属層とを含み、
更に、一方のトランジスタが、該半導体基板と該ゲート絶縁膜との間に、該第2金属の酸化膜を含むことを特徴とする半導体装置。 - 閾値電圧が互いに異なる2つのトランジスタが同一半導体基板上に形成された半導体装置であって、
該トランジスタのゲート電極は、該半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された、第2金属を含み第1金属を主成分とする金属層とを含み、
更に、一方のトランジスタが、該ゲート絶縁膜中に該第2金属を含むことを特徴とする半導体装置。 - 上記トランジスタがpチャネル型トランジスタの場合に、上記金属層は、Ru、Ir、Pt、Pd、Re、W、Mo、Ni、TiおよびCoからなる群から選択される第1金属あるいはその窒化物もしくは炭化物からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記トランジスタがpチャネル型トランジスタの場合に、上記第2金属は、Al、Ti、Taまたは希土類金属からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記トランジスタがnチャネル型トランジスタの場合に、上記金属層は、Al、Ga、In、Tl、Rb、Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nb、TaおよびMnからなる群から選択される第1金属あるいはその窒化物もしくは炭化物からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記トランジスタがnチャネル型トランジスタの場合に、上記第2金属は、Mg、Li、Be、Ca、Srまたは希土類金属からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記第1金属が、組成比で30%以下の上記第2金属を含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記ゲート絶縁膜が、high−k材料からなる膜、もしくはシリコン酸化膜あるいはシリコン酸窒化膜とhigh−k材料の積層膜からなることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の半導体装置。
- 閾値電圧が互いに異なる2つのトランジスタを同一半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板を準備する工程と、
該半導体基板上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜上に、第2金属を含み第1金属を主成分とする金属層を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜と該金属層をエッチングして、該ゲート絶縁膜と該金属層とを含む第1および第2のゲート電極を形成する工程と、
それぞれの該ゲート電極の両側にソース/ドレイン領域を形成する工程と、
第1のゲート電極の温度が第2のゲート電極の温度より高くなるように加熱し、第1のゲート電極の金属層中の第2金属の酸化物を、該金属層と該ゲート絶縁膜との間に形成する加熱工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 閾値電圧が互いに異なる2つのトランジスタを同一半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板を準備する工程と、
該半導体基板上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜上に、第2金属を含み第1金属を主成分とする金属層を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜と該金属層をエッチングして、該ゲート絶縁膜と該金属層とを含む第1および第2のゲート電極を形成する工程と、
それぞれの該ゲート電極の両側にソース/ドレイン領域を形成する工程と、
第1のゲート電極の温度が第2のゲート電極の温度より高くなるように加熱し、第1のゲート電極の金属層中の第2金属の酸化物を、該ゲート絶縁膜と該半導体基板との間に形成する加熱工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 閾値電圧が互いに異なる2つのトランジスタを同一半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板を準備する工程と、
該半導体基板上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜上に、第2金属を含み第1金属を主成分とする金属層を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜と該金属層をエッチングして、該ゲート絶縁膜と該金属層とを含む、第1および第2のゲート電極を形成する工程と、
それぞれの該ゲート電極の両側にソース/ドレイン領域を形成する工程と、
第1のゲート電極の温度が第2のゲート電極の温度より高くなるように加熱し、第1のゲート電極の金属層中の第2金属を、該ゲート絶縁膜中に拡散させる加熱工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上記加熱工程が、上記第1のゲート電極を覆い、上記第2ゲート電極を覆わないように光吸収膜を形成し、上記半導体基板に光を照射して加熱する工程であることを特徴とする
請求項10〜12のいずれかに記載の製造方法。 - 上記光吸収膜が、アモルファスカーボン膜であることを特徴とする請求項13に記載の製造方法。
- 上記加熱工程が、上記第2のゲート電極を覆い、上記第1ゲート電極を覆わないように光反射膜を形成し、上記半導体基板に光を照射して加熱する工程であることを特徴とする
請求項10〜12のいずれかに記載の製造方法。 - 上記光反射膜が、SiON膜であることを特徴とする請求項15に記載の製造方法。
- 上記ソース/ドレイン領域を形成する工程の熱処理温度より、上記加熱工程の加熱温度の方が高温であることを特徴とする請求項10〜16のいずれかに記載の製造方法。
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