JP2009199812A - 透明導電性膜付基板 - Google Patents
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Abstract
ITOを積層した透明導電性基材に比して、低いシート抵抗値を有すると同時に外部からの熱に対して耐熱性を備えてなるような、長期間にわたり安定した性能を発揮できる耐性を備えた透明導電性基材を提供する。
【解決手段】
高分子樹脂フィルムよりなる透明基板と、導電性を備えた物質を積層してなる導電性層と、導電性を備えると同時に耐熱性をも備えた物質を積層してなる耐熱導電性層と、をこの順に積層してなるものであり、前記導電性層と前記耐熱導電性層とは共に物理的蒸着法(PVD)により積層されてなり、前記導電性層を積層する際の第1成膜雰囲気における酸化度よりも前記耐熱導電性層を積層する際の第2成膜雰囲気における酸化度の方が高くなるようにしてなる、透明導電性基材とした。
【選択図】 なし
Description
本願発明に係る透明導電性膜付基板につき、第1の実施の形態として説明するが、その前にかかる基板の基材は透明高分子樹脂フィルムを用いることとし、以下の説明においては透明導電性フィルムを念頭に行うこととする。但し以下の説明は基本的に基材をフィルムに限定するものではなく、例えばガラス板であっても同様に考えることが可能であることを予め断っておく。
まず基材となる高分子樹脂よりなる透明基材フィルムは、当然透明度に優れるものであればよく、例えばポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリメチルメタアクリレートフィルム、等の樹脂フィルムを用いるとよく、本実施の形態においてはPENフィルムを用いることとする。またその厚みは、本実施の形態に係る透明導電性フィルムを用いる装置等において必要とされる透明導電性フィルムの厚みに応じた厚みであればよく、例えばタッチパネルの透明電極として用いるのであれば、基材フィルムの厚みは10μm以上200μm以下であると好ましいものとすることができる。
0.8≦(R/R0)≦1.5
を満たすものであるが、これは耐熱導電性層を設けたことにより外部からの加熱に対し透明導電性フィルムがさほど影響を受けないことを示しているものと言える。即ち、本実施の形態に係る透明導電性フィルムは、その最外層は導電性を有するもののそれ以上に耐熱性を備えた層とし、そのすぐ内側に位置する導電性層は従来のITO並みの導電性を示す物質で構成し、なおかつ耐熱導電性層と導電性層とを基本的に同一の素材により構成してなるので、層間密着性は好適なものとでき、また耐熱導電性層が外部からの熱が内部に影響を及ぼさないように働き、なおかつ耐熱導電性層と導電性層とで充分な導電性を維持することができる、ということを示しているものと言える。
導電性層としてGZOを50nm、耐熱導電性層としてGZOを150nm、積層した。
積層の手法としてDCスパッタリング法を用いた。
DCスパッタリングを実行するに際して、第1成膜雰囲気としてアルゴン−水素混合ガスを用いた。尚水素濃度は体積比で10%であった。また第2成膜雰囲気としてアルゴン−酸素混合ガスを用いた。尚酸素濃度は体積比で2%であった。
導電性層としてGZOを100nm、耐熱導電性層としてGZOを100nm、積層した。
積層の手法としてDCスパッタリング法を用いた。
DCスパッタリングを実行するに際して、第1成膜雰囲気としてアルゴン−水素混合ガスを用いた。尚水素濃度は体積比で10%であった。また第2成膜雰囲気としてアルゴン−酸素混合ガスを用いた。尚酸素濃度は体積比で5%であった。
導電性層としてGZOを150nm、耐熱導電性層としてGZOを50nm、積層した。
積層の手法としてDCスパッタリング法を用いた。
DCスパッタリングを実行するに際して、第1成膜雰囲気としてアルゴン−水素混合ガスを用いた。尚水素濃度は体積比で5%であった。また第2成膜雰囲気としてアルゴン−酸素混合ガスを用いた。尚酸素濃度は体積比で1%であった。
導電性層としてGZOを150nm、耐熱導電性層としてGZOを150nm、積層した。
積層の手法としてDCスパッタリング法を用いた。
DCスパッタリングを実行するに際して、第1成膜雰囲気としてアルゴン−水素混合ガスを用いた。尚水素濃度は体積比で5%であった。また第2成膜雰囲気としてアルゴン−酸素混合ガスを用いた。尚酸素濃度は体積比で1%であった。
導電性層としてGZOを200nm積層した。
積層の手法としてDCスパッタリング法を用いた。
DCスパッタリングを実行するに際して、成膜雰囲気としてアルゴン−水素混合ガスを用いた。尚水素濃度は体積比で20%であった。
導電性層としてGZOを200nm積層した。
積層の手法としてDCスパッタリング法を用いた。
DCスパッタリングを実行するに際して、成膜雰囲気としてアルゴン−水素混合ガスを用いた。尚酸素濃度は体積比で5%であった。
Claims (5)
- 少なくとも、
ガラス又は高分子樹脂フィルムよりなる透明基板と、
導電性を備えた物質を積層してなる導電性層と、
導電性を備えると同時に耐熱性をも備えた物質を積層してなる耐熱導電性層と、
をこの順に積層してなる透明導電膜付基板であって、
前記導電性層と前記耐熱導電性層とは共に物理的蒸着法(PVD)により積層されてなり、
前記導電性層を積層する際の第1成膜雰囲気における酸化度よりも前記耐熱導電性層を積層する際の第2成膜雰囲気における酸化度の方が高くなるようにしてなり、
得られた透明導電膜付基板を90℃で500時間放置した後のシート抵抗の値R0がと放置前のシート抵抗値をRとの関係が、
0.8≦(R/R0)≦1.5
を満たすこと、
を特徴とする、透明導電膜付基板。 - 請求項1に記載の透明導電膜付基板であって、
前記透明基板において前記導電性層を積層する側の表面に予めアンダーコート層が積層されてなること、
又は前記透明基板の反対側表面に対しハードコート(HC)処理又は反射防止(AR)処理が予め施してあること、
のいずれか若しくは両方の処理が施してあること、
を特徴とする、透明導電膜付基板。 - 請求項1又は請求項2に記載の透明導電膜付基板であって、
前記導電性層を形成する導電性物質が、酸化亜鉛を含有してなる酸化亜鉛系物質であり、
前記耐熱導電性層を形成する耐熱導電性物質が、酸化亜鉛を含有してなる酸化亜鉛系物質であること、
を特徴とする、透明導電膜付基板。 - 請求項3に記載の透明導電膜付基板であって、
前記酸化亜鉛系物質が酸化ガリウム−酸化亜鉛(GZO)であること、
を特徴とする、透明導電膜付基板。 - 請求項1ないし請求項4の何れか1項に記載の透明導電膜付基板であって、
前記物理的蒸着法がスパッタリング法であり、
かつ、
前記第1成膜雰囲気が、アルゴン−水素混合ガスによるものであり、なおかつ水素濃度がアルゴンに対し体積比で30%以下であり、
前記第2成膜雰囲気が、アルゴン−酸素混合ガスによるものであり、なおかつ酸素濃度がアルゴンに対し酸素20%以下であること、
を特徴とする、透明導電膜付基板。
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