JP2003151360A

JP2003151360A - 透明導電性フィルムおよびタッチパネル

Info

Publication number: JP2003151360A
Application number: JP2001351827A
Authority: JP
Inventors: Masahito Yoshikawa; 雅人吉川; Taichi Kobayashi; 太一小林; Shingo Ono; 信吾大野; Yoshinori Iwabuchi; 芳典岩淵; Yukihiro Kusano; 行弘草野
Original assignee: Bridgestone Corp
Current assignee: Bridgestone Corp
Priority date: 2001-11-16
Filing date: 2001-11-16
Publication date: 2003-05-23

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】高分子フィルムからの透明導電膜の脱落、剥離
を防止し、かつ透明導電膜の膜厚と抵抗値のコントロー
ルが容易な透明導電性フィルムを提供する。【解決手段】高分子フィルム２の一方の面にハードコ
ート層１を設け，他方の面にアンダーコート層３を設
け，その上に透明導電膜として第１のＡＴＯ膜４を使用
し、第一のＡＴＯ膜の上に、成膜条件を変化させた第二
のＡＴＯ膜５を成膜する。第一のＡＴＯ膜と第二のＡＴ
Ｏ膜は、酸素含有率、窒素含有率または結晶状態および
・または表面形状が異なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、タッチパネル、お
よびタッチパネルの上部または下部電極として有用な、
高分子フィルム上に酸化スズ−酸化アンチモン（ＡＴ
Ｏ）膜が形成された透明導電性フィルムと、透明導電性
フィルムの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】指で押したり、専用ペンで描画したりす
ると、その部分が対面電極と接触し、通電して信号が入
力される抵抗膜式タッチパネルは、小型、軽量、薄型化
に有利であることから、各種の家電製品や携帯端末の入
力機器として広く用いられている。

【０００３】抵抗膜式タッチパネルは、ガラスやプラス
チックなどの厚さの大きい基板上に透明電極を形成して
なる下部電極の上に、高分子フィルムにアンダーコート
層、透明導電膜を形成してなる上部電極を、透明導電膜
が対面するようにスペーサー(マイクロドットスペーサ
ー）を介して積層したものであり、上部電極の表示面を
指やペンで押すと、上部電極と下部電極とが接触して通
電し、信号が入力される。

【０００４】上部電極と下部電極に用いられる透明導電
膜としては、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）膜が
一般によく使用されている。

【０００５】このようなタッチパネルに使用できる透明
導電膜として、例えば、特開昭６０−１３１７１１号公
報には、有機ケイ素化合物をアンダーコート層として使
用し、透明導電膜の機械的、化学的耐久性を向上させる
ために熱処理（アニール）を行った透明導電膜が記載さ
れている。また、特開平２−６６８０９号公報には、基
材／粘着剤／基材／透明導電層の積層体が記載され、粘
着剤によって応力を緩和された透明導電膜が記載されて
いる。

【０００６】しかし、上記公報に記載されている上部電
極と下部電極が同種の透明導電膜を用いたタッチパネル
では、上部電極に用いる高分子フィルム上の透明導電膜
の耐擦傷性が充分でなく、耐久性に乏しい。

【０００７】タッチパネル用途の電極において上記のよ
うな耐久性を向上させる目的で、特開平２−１９４９４
３号公報には、ＩＴＯ(スズインジウム酸化物）透明導
電膜を成膜した後、熱処理を施してＩＴＯを結晶化させ
ることが記載されているが、電極の基材が高分子フィル
ムであるため、この熱処理温度にも限界があり、１５０
℃という比較的低い温度で比較的長時間での熱処理が必
要となり、生産性、コストの面で問題があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、上部電
極の透明導電性フィルムの耐久性を向上させるため鋭意
検討したところ、上部電極と下部電極の双方が同種の透
明導電膜では、上部電極と下部電極の間で融着が生じ、
ペンや指の入力を繰り返すうちに経時的にひび割れや高
分子フィルムからの剥離、脱落が生じることを見出し
た。このような損傷により電気抵抗値均一性などの電気
特性が失われ、優れた耐久性が得られない。

【０００９】さらに、抵抗膜式タッチパネルでは、高抵
抗（５００Ω／□）の透明導電膜を得る必要がある。Ｉ
ＴＯは、体積固有抵抗値が低いため、このような高抵抗
の透明導電膜を得るためにはＩＴＯの膜厚を薄くする必
要があるが、薄くすると膜厚、抵抗値のコントロールが
困難となる。

【００１０】また、ＩＴＯは希少金属のインジウムを使
用しているため、材料費が高価であることが欠点であ
る。

【００１１】本発明は、このような問題を解決し、長期
間の使用においても損傷がなく、下部電極との融着を防
止し、耐摺動性、耐久性に優れ、かつ透明導電膜の膜
厚、抵抗値のコントロールが容易である透明導電性フィ
ルムを提供することを目的とし、さらに、より安価な透
明導電性フィルムを製造することを目的とする。

【００１２】

【発明を解決するための手段】本発明は、高抵抗（５０
０Ω／□）、低価格の透明導電膜を得るために汎用金属
である酸化スズ−酸化アンチモン（ＡＴＯ）を使用し、
高分子フィルムに、一般的なＡＴＯ膜を設けた後に、成
膜条件を変更し、表面粗さあるいは酸素含有率または窒
素含有率が異なるＡＴＯ膜を成膜することによって上部
電極と下部電極の融着を防止することができ、すぐれた
機械特性を有し、ＡＴＯ膜の剥離、脱落のない耐摺動性
に富み、かつ透明導電膜の膜厚と抵抗値のコントロール
が容易な透明導電性フィルムにある。

【００１３】即ち本発明は、高分子フィルムおよびその
上に気相成膜法により設けられたＡＴＯ膜からなる透明
導電性フィルムであって、ＡＴＯ膜が、第一のＡＴＯ膜
およびその上に設けられた第二のＡＴＯ膜からなり、か
つ第二のＡＴＯ膜が第一のＡＴＯ膜の成膜条件と異なる
条件で形成されていることを特徴とする透明導電性フィ
ルムにある。

【００１４】気相成膜法がスパッタリング法である上記
フィルムが好ましい。

【００１５】気相成膜法が反応性スパッタリング法であ
る上記フィルムが好ましい。

【００１６】気相成膜法で使用されるターゲット材料と
して酸化スズ−酸化アンチモン混合焼結セラミックター
ゲットが使用されていることを特徴とする上記フィルム
が好ましい。

【００１７】気相成膜法で使用されるターゲット材料と
してスズ−アンチモン合金金属ターゲットが使用されて
いることを特徴とする上記フィルムが好ましい。

【００１８】第二のＡＴＯ膜が、第一のＡＴＯ膜と酸素
含有率が異なることを特徴とする上記フィルムが好まし
い。

【００１９】第二のＡＴＯ膜が、第一のＡＴＯ膜と窒素
含有率が異なることを特徴とする上記フィルムが好まし
い。

【００２０】第二のＡＴＯ膜が、第一のＡＴＯ膜と結晶
状態および／または表面形状が異なることを特徴とする
上記フィルムが好ましい。

【００２１】第二のＡＴＯ膜の成膜に際して、スパッタ
リング時の圧力が、第一のＡＴＯ膜の成膜の際の圧力と
異なることを特徴とする上記フィルムが好ましい。

【００２２】第二のＡＴＯ膜の成膜に際して、スパッタ
リング時の成膜速度が、第一のＡＴＯ膜の成膜の際の成
膜速度と異なることを特徴とする上記フィルムが好まし
い。

【００２３】さらに本発明は、ＡＴＯ膜が高分子フィル
ム上に形成された透明導電性フィルムであって、ＡＴＯ
膜が、第一のＡＴＯ膜およびその上に設けられた第二の
ＡＴＯ膜からなり、かつ第二のＡＴＯ膜が、第一のＡＴ
Ｏ膜と酸素含有率が異なることを特徴とする透明導電性
フィルムにある。

【００２４】また本発明は、ＡＴＯ膜が高分子フィルム
上に形成された透明導電性フィルムであって、ＡＴＯ膜
が、第一のＡＴＯ膜およびその上に設けられた第二のＡ
ＴＯ膜からなり、かつ第二のＡＴＯ膜が、第一のＡＴＯ
膜と窒素含有率が異なることを特徴とする透明導電性フ
ィルムにある。

【００２５】さらに本発明は、第一のＡＴＯ膜を形成し
た高分子フィルムを透明基板に貼り合わせてなる下部電
極と、上記の透明導電性フィルムを、透明導電膜同士を
対面させるようにスペーサーを介して貼り合わせてなる
タッチパネルにある。

【００２６】また本発明は、高分子フィルム上に気相成
膜法により第一のＡＴＯ膜を形成し、当該第一のＡＴＯ
膜の上に成膜条件を変化させた第二のＡＴＯ膜を形成す
ることを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法にあ
る。

【００２７】気相成膜法がスパッタリング法であること
を特徴とする上記製造方法が好ましい。

【００２８】気相成膜法が反応性スパッタリング法であ
ることを特徴とする上記製造方法が好ましい。

【００２９】気相成膜法で使用されるターゲット材料と
して、酸化スズ−酸化アンチモン混合焼結セラミックタ
ーゲットを使用することを特徴とする上記製造方法が好
ましい。

【００３０】気相成膜法で使用されるターゲット材料と
してスズ−アンチモン合金金属ターゲットを使用するこ
とを特徴とする上記製造方法が好ましい。

【００３１】第一のＡＴＯ膜を形成した後に、酸素含有
率が異なる第二のＡＴＯ膜を形成することを特徴とする
上記製造方法が好ましい。

【００３２】第一のＡＴＯ膜を形成した後に、窒素含有
率が異なる第二のＡＴＯ膜を形成することを特徴とする
上記製造方法が好ましい。

【００３３】第一のＡＴＯ膜を形成した後に、結晶状態
および／または表面形状の異なる第二のＡＴＯ膜を形成
することを特徴とする上記製造方法が好ましい。

【００３４】第二のＡＴＯ膜の成膜に際して、スパッタ
リング時の圧力を第一のＡＴＯ膜の成膜の際の圧力と異
なる値にすることを特徴とする上記製造方法が好まし
い。

【００３５】第二のＡＴＯ膜の成膜に際して、スパッタ
リング時の成膜速度を第一のＡＴＯ膜の成膜の際の成膜
速度と異なる値にすることを特徴とする上記製造方法が
好ましい。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下に図を参照して詳細に本発明
について説明する。

【００３７】図１は、本発明の透明導電性フィルムの一
例を示す断面図である。高分子フィルム２の一方の面に
ハードコート層１を設け、他方の面にアンダーコート層
３を設けその上に第一のＡＴＯ膜４を成膜し、さらにそ
の上に気相成膜する際の成膜条件を変えて第二のＡＴＯ
膜５を成膜している。

【００３８】図２は、本発明の透明導電性フィルムを用
いたタッチパネルの一例を示す断面図である。下部電極
は、高分子フィルム２ｂの一方の面にアンダーコート層
３ｂを介して第一のＡＴＯ膜４ｂを積層し、他方の面に
接着剤層６によりガラス板またはプラスチック板の基板
７を貼り合わせて作製されている。上部電極のＡＴＯ膜
と、下部電極のＡＴＯ膜を対向させて、ドットスペーサ
ー８を介して貼り合わせてタッチパネルを形成してい
る。

【００３９】図３は、本発明の透明導電性フィルムを用
いたタッチパネルの別の一例を示す断面図である。下部
電極は、ガラス板の基板７に直接第一のＡＴＯ膜４ｄを
積層して作製され、上部電極のＡＴＯ膜と、下部電極の
ＡＴＯ膜を対向させて、ドットスペーサー８を介して貼
り合わせてタッチパネルを形成している。

【００４０】ＡＴＯ膜は、スパッタリング法で成膜する
ことが好ましい。スパッタリング法で酸化スズ−酸化ア
ンチモン混合焼結セラミックをターゲット材料として用
い、第一のＡＴＯ膜と、第二のＡＴＯ膜とを製造する場
合、第二のＡＴＯ膜の成膜条件を第一のＡＴＯ膜の成膜
条件と異なるものとすることによって、第一のＡＴＯ膜
と第二のＡＴＯ膜の膜質を異なったものにすることがで
きる。

【００４１】例えば、スパッタリング時に酸素ガス流量
を大きくすることで、第二のＡＴＯ膜の酸素含有率を第
一のＡＴＯ膜より高くすることができる。また窒素ガス
流量を大きくすることで、第二のＡＴＯ膜の窒素含有率
を第一のＡＴＯ膜より高くすることができる。さらに
は、スパッタリング時の成膜圧力を大きくするか、ＤＣ
投入電力を大きくして成膜速度を大きくすることで、Ａ
ＴＯ膜表面の凹凸粗さを大きくすることができ、第一の
ＡＴＯ膜と第二のＡＴＯ膜の間で結晶性、表面形態を変
えることができる。このように、第一のＡＴＯ膜と第二
のＡＴＯ膜を異質にすると、上部電極の表面の第二のＡ
ＴＯ膜と、下部電極の表面の第一のＡＴＯ膜の間で融着
が生じにくくなり、高分子フィルムからの透明導電膜の
剥離、脱落が防止できる。

【００４２】もちろん第一のＡＴＯ膜として、第二のＡ
ＴＯ膜と比較して酸素含有率が高いもの、窒素含有率が
高いもの、表面の凹凸粗さの大きいものを成膜してもよ
い。この場合も、第一のＡＴＯ膜と第二のＡＴＯ膜が異
質になり、上部電極と下部電極の間で融着が生じにくく
なるためである。

【００４３】ＡＴＯ膜は、その膜厚が薄すぎると充分な
導電性を得ることができず、過度に厚くても抵抗値が小
さくなり、タッチパネルを形成した際に良好な応答が得
られず、成膜コストが上昇する上に透明導電性フィルム
の厚さが大きくなって好ましくない。このため、第一の
ＡＴＯ膜と第二のＡＴＯ膜をあわせた膜厚は１から５０
０ｎｍ、特に５から１００ｎｍであることが好ましい。

【００４４】下部電極のＡＴＯ膜は、上部電極の第一の
ＡＴＯ膜と同じ膜質のものであり、これにより上部電極
の第二のＡＴＯ膜と膜質を違うものとすることができ、
ＡＴＯ膜の融着を防止する。下部電極は、上部電極の第
一のＡＴＯ膜と同じ膜質のものを成膜してあればどのよ
うなものでも使用することができ、例えば、ガラス板に
直接上部電極の第一のＡＴＯ膜と同じ膜質の膜を成膜し
たものであってもよい。

【００４５】本発明において、高分子フィルムとして、
ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタク
リレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート
（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、
ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合
体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−
メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファンな
ど、好ましくはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、が挙げられる
が、コスト面からＰＥＴが最も好ましい。

【００４６】このような高分子フィルムの厚さは、タッ
チパネルの上部電極としての用途には、通常の場合１３
μｍ〜０．５ｍｍ程度とされる。この高分子フィルムの
厚さが１３μｍ未満では、上部電極としての充分な耐久
性を得ることができず、０．５ｍｍを超えると得られる
タッチパネルの厚肉化を招き、また上部電極としての柔
軟性も損なわれ、好ましくない。

【００４７】なお、高分子フィルムをタッチパネルの下
部電極として用いる場合、高分子フィルムの厚さは上記
範囲よりも厚く、０．５から２ｍｍ程度とすることもで
きるが、プラスチック板等の基板に貼り合わせることに
より、上部電極として用いる場合と同等の厚さを採用す
ることもできる。

【００４８】本発明の透明導電性フィルムを上部電極と
して使用する場合、高分子フィルムのＡＴＯ膜を成膜す
る面とは反対側の面に、高分子フィルムをペンまたは指
の入力より保護するため、ハードコート層を形成しても
よい。このハードコート層としては、アクリル樹脂層、
エポキシ樹脂層、ウレタン樹脂層、シリコーン樹脂層等
が挙げられ、通常その厚さは１から５０μｍ程度であ
る。ハードコート層内にシリカ、アルミナのような高硬
度の微粉体を混ぜ合わせることもでき、またタッチパネ
ル電極の光学特性の向上を目的として、光散乱材料を練
りこんだアンチグレア加工等を施しても良い。

【００４９】さらにハードコート表面に反射防止膜を形
成することもできる。このハードコート表面側に形成さ
れる反射防止膜としては、高屈折率透明膜と低屈折率透
明膜との積層膜が挙げられる。

【００５０】ハードコート表面に形成された反射防止膜
の上に、さらに汚染防止膜を形成して、表面の耐汚染性
を向上させるようにしてもよい。この場合、汚染防止膜
としては、フッ素系樹脂薄膜、シリコン系樹脂薄膜など
よりなる膜厚１〜１０００ｎｍ程度の薄膜が好ましい。

【００５１】また、ＡＴＯ膜は高分子フィルムに直接成
膜してもよいが、図１、２に示すように高分子フィルム
とＡＴＯ膜との間にアンダーコート層を介在させてもよ
く、このようなアンダーコート層を形成することにより
高分子フィルムに対する透明導電膜の密着性を高め、透
明導電膜の剥離を防止することができる。

【００５２】アンダーコート層の形成材料としては、例
えばアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂
などの樹脂層や、有機ケイ素化合物の加水分解物などが
挙げられる。

【００５３】アンダーコート層の成膜は、所望の組成の
塗液を、例えばドクターナイフ、バーコーター、グラビ
アロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター
などにより、高分子フィルムにコーティングすることに
よりなされる。

【００５４】高分子フィルムにアンダーコート層または
ＡＴＯ膜を成膜するのに先立ち、形成されるＡＴＯ膜の
接着強度を高めるために、高分子フィルムの表面に、常
法に従ってプラズマ処理、コロナ処理や溶剤洗浄などの
処理を施してもよい。

【００５５】スペーサーの素材としては、例えば熱硬化
性樹脂、光硬化性樹脂が挙げられ、透明導電膜上に例え
ば印刷成形される。

【００５６】高分子フィルムを基板に貼り合わせるため
の接着剤層は、エポキシ系、またはフェノール系、ウレ
タン系樹脂に硬化剤を配合したものあるいはアクリル
系、ゴム系、シリコン系接着剤等が挙げられ、通常その
厚さは５〜１００μｍ程度である。

【００５７】

【実施例】実施例１〜４基材として厚み１８８μｍのＰＥＴフィルムを用い、ま
ず片面に湿式塗工により厚み５μｍのハードコート層を
形成した。このフィルムを１００ｍｍ×１００ｍｍにカ
ットし、ハードコート層を施した面と反対の面を、減圧
下でプラズマ処理した。プラズマ処理の処理条件は、ア
ルゴンガス１００ｍｌ／ｍｉｎを流しながら真空度を１
３．３Ｐａにした後、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）
で１００Ｗ、１０分間である。

【００５８】次に、マグネトロンスパッタリング装置
で、アルゴン流量５０ｍｌ／ｍｉｎ、酸素流量２ｍｌ／
ｍｉｎ、ターゲットとして酸化アンチモン１０質量％の
ＡＴＯターゲットを用い、透明導電電極としてＡＴＯを
厚さ２０ｎｍコーティングした。その上に上記と同様の
マグネトロンスパッタ装置、ターゲット材料を用い、表
１に示す条件下で上記ＡＴＯ膜と異なる膜質のＡＴＯ薄
膜を積層することでタッチパネル用透明導電性フィルム
を作製した。

【００５９】下部電極は、以下のようにして形成した。

【００６０】マグネトロンＤＣスパッタ装置のターゲッ
トとしてＡＴＯをセットし、真空チャンバーに１．１ｍ
ｍのソーダガラスをセットした。ターボ分子ポンプで５
×１０^−４Ｐａまで排気した後、Ａｒガス１９６ｓｃｃ
ｍ、Ｏ_２ガスを４ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入
し、０．５Ｐａとなるように調整した。その後ＡＴＯタ
ーゲットに４ｋＷの電力を印加し、表面抵抗値が５００
Ω／ｓｑとなるようにＡＴＯ薄膜を成膜した。この基板
にドットスペーサーを印刷形成し、硬化させて下部電極
とした。

【００６１】透明導電性フィルムを上部電極とし、上部
電極と下部電極を所定の形状にエッチングした。上部電
極と下部電極のそれぞれの端部には、Ａｇペーストによ
りリード配線を形成した。この上部電極、下部電極をそ
れぞれの透明導電膜が対向するように配置し、外周を接
着剤により固着してタッチパネルを形成した。接着剤の
厚みは６０μｍであった。

【００６２】次に得られたフィルムの摺動筆記による耐
久試験を行った。２５０ｇの荷重下の入力ペンで、タッ
チパネルの１０万回の摺動試験を行った後、フィルムの
電気特性を測定し耐久評価を行った。電気抵抗値が初期
に比べて変化率が５０％未満の場合をＯＫレベルとし、
５０％以上変化した場合をＮＧとした。結果を表１に示
す。

【００６３】比較例として透明導電膜が、ＡＴＯ膜が一
層のみのものを使用し、同様の耐久試験を行った。

【００６４】マグネトロンスパッタ装置での一層目のＡ
ＴＯの成膜条件は以下の通りである。アルゴン流量：５０ｃｃ／ｍｉｎ、酸素ガス流量：３ｃ
ｃ／ｍｉｎ真空度：０．５Ｐａ、ＤＣ投入電力２ｋＷ成膜時間：６０秒（基材回転速度：１０ｒｐｍ）

【００６５】

【表１】

【００６６】

【発明の効果】以上述べた通り、本発明によれば、透明
導電膜の膜厚、抵抗値のコントロールが容易となり、上
部電極の透明導電膜を成膜する際に、ＡＴＯ薄膜を設け
た後にこの薄膜とは異なる組成、形状の面をもつＡＴＯ
薄膜を形成することによって、下部電極との融着を防
ぎ、電極からの透明導電膜の剥離を防止し、耐摺動性、
耐久性に優れた安価な透明導電性フィルムが提供され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透明導電性フィルムの一例を示す断面
図である。

【図２】本発明のタッチパネルの一例を示す断面図であ
る。

【図３】本発明の透明導電性フィルムを用いたタッチパ
ネルの一例を示す断面図である。

【符号の説明】

１、１ａ、１ｃハードコート層２、２ａ、２ｂ、２ｃ高分子フィルム３、３ａ、３ｂアンダーコート層４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ第一のＡＴＯ膜５、５ａ、５ｃ第二のＡＴＯ膜６接着剤層７基板８ドットスペーサー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０６Ｆ 3/033 ３６０Ｇ０６Ｆ 3/033 ３６０Ｈ５Ｇ３２３Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｂ (72)発明者岩淵芳典東京都小平市小川東町３−１−１ (72)発明者草野行弘東京都小平市小川東町３−１−１Ｆターム(参考） 4F100 AA28B AA28C AA29B AA29C AK01A AK42 AT00D BA03 BA04 BA05 BA07 CC00 EH66B EH66C GB48 JG01B JG01C JN01B JN01C JN01D 4K029 AA11 AA25 BA47 BA50 BC09 BD00 CA05 CA06 DC04 DC09 EA02 EA03 5B068 AA33 BB06 BC09 5B087 AA04 CC14 5G307 FA02 FB01 FC02 FC10 5G323 BA01 BA02 BB05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高分子フィルムおよびその上に気相成膜法
により設けられた酸化スズ−酸化アンチモン（ＡＴＯ）
膜からなる透明導電性フィルムであって、ＡＴＯ膜が、
第一のＡＴＯ膜およびその上に設けられた第二のＡＴＯ
膜からなり、かつ第二のＡＴＯ膜が第一のＡＴＯ膜の成
膜条件と異なる条件で形成されていることを特徴とする
透明導電性フィルム。
【請求項２】気相成膜法がスパッタリング法である請求
項１に記載のフィルム。
【請求項３】気相成膜法が反応性スパッタリング法であ
る請求項１または２に記載のフィルム。
【請求項４】気相成膜法で使用されるターゲット材料と
して、酸化スズ−酸化アンチモン混合焼結セラミックタ
ーゲットが使用されていることを特徴とする請求項１か
ら３のいずれかに記載のフィルム。
【請求項５】気相成膜法で使用されるターゲット材料と
してスズ−アンチモン合金金属ターゲットが使用されて
いることを特徴とする請求項３に記載のフィルム。
【請求項６】第二のＡＴＯ膜が、第一のＡＴＯ膜と酸素
含有率が異なることを特徴とする請求項１から５のいず
れかに記載のフィルム。
【請求項７】第二のＡＴＯ膜が、第一のＡＴＯ膜と窒素
含有率が異なることを特徴とする請求項１から５のいず
れかに記載のフィルム。
【請求項８】第二のＡＴＯ膜が、第一のＡＴＯ膜と結晶
状態および／または表面形状が異なることを特徴とする
請求項１から７のいずれかに記載のフィルム。
【請求項９】第二のＡＴＯ膜の成膜に際して、スパッタ
リング時の圧力が、第一のＡＴＯ膜の成膜の際の圧力と
異なることを特徴とする請求項８に記載のフィルム。
【請求項１０】第二のＡＴＯ膜の成膜に際して、スパッ
タリング時の成膜速度が、第一のＡＴＯ膜の成膜の際の
成膜速度と異なることを特徴とする請求項８に記載のフ
ィルム。
【請求項１１】ＡＴＯ膜が高分子フィルム上に形成され
た透明導電性フィルムであって、ＡＴＯ膜が、第一のＡ
ＴＯ膜およびその上に設けられた第二のＡＴＯ膜からな
り、かつ第二のＡＴＯ膜が、第一のＡＴＯ膜と酸素含有
率が異なることを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項１２】ＡＴＯ膜が高分子フィルム上に形成され
た透明導電性フィルムであって、ＡＴＯ膜が、第一のＡ
ＴＯ膜およびその上に設けられた第二のＡＴＯ膜からな
り、かつ第二のＡＴＯ膜が、第一のＡＴＯ膜と窒素含有
率が異なることを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項１３】第一のＡＴＯ膜を形成した高分子フィル
ムを透明基板に貼り合わせてなる下部電極と、請求項１
から１２のいずれかに記載の透明導電性フィルムを、透
明導電膜同士を対面させるようにスペーサーを介して貼
り合わせてなるタッチパネル。
【請求項１４】高分子フィルム上に気相成膜法により第
一のＡＴＯ膜を形成し、当該第一のＡＴＯ膜の上に成膜
条件を変化させた第二のＡＴＯ膜を形成することを特徴
とする透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１５】気相成膜法がスパッタリング法であるこ
とを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】気相成膜法が反応性スパッタリング法で
あることを特徴とする請求項１４から１５のいずれかに
記載の製造方法。
【請求項１７】気相成膜法で使用されるターゲット材料
として、酸化スズ−酸化アンチモン混合焼結セラミック
ターゲットを使用することを特徴とする請求項１４から
１６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１８】気相成膜法で使用されるターゲット材料
としてスズ−アンチモン合金金属ターゲットを使用する
ことを特徴とする請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１９】第一のＡＴＯ膜を形成した後に、酸素含
有率が異なる第二のＡＴＯ膜を形成することを特徴とす
る請求項１４から１８のいずれかに記載の製造方法。
【請求項２０】第一のＡＴＯ膜を形成した後に、窒素含
有率が異なる第二のＡＴＯ膜を形成することを特徴とす
る請求項１４から１８のいずれかに記載の製造方法。
【請求項２１】第一のＡＴＯ膜を形成した後に、結晶状
態および／または表面形状の異なる第二のＡＴＯ膜を形
成することを特徴とする請求項１４から２０のいずれか
に記載の製造方法。
【請求項２２】第二のＡＴＯ膜の成膜に際して、スパッ
タリング時の圧力を第一のＡＴＯ膜の成膜の際の圧力と
異なる値にすることを特徴とする請求項２１に記載の製
造方法。
【請求項２３】第二のＡＴＯ膜の成膜に際して、スパッ
タリング時の成膜速度を第一のＡＴＯ膜の成膜の際の成
膜速度と異なる値にすることを特徴とする請求項２１に
記載の製造方法。